JP2019161525A - 振動デバイス、電子機器および移動体 - Google Patents

Abstract

【課題】振動特性の悪化を低減することのできる振動デバイス、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】振動デバイスは、振動素子と、前記振動素子が取り付けられている中継基板と、前記中継基板が取り付けられている回路素子と、前記中継基板に設けられている振動減衰部材と、前記振動素子、前記中継基板および前記回路素子を収納しているパッケージと、を有する。また、前記振動減衰部材が設けられている領域は、前記中継基板の共振モードの腹を少なくとも１つ含む。【選択図】図１

Description

本発明は、振動デバイス、電子機器および移動体に関するものである。

特許文献１に記載されている水晶振動子は、基台と、接着剤を介して基台に固着された保持用水晶板と、接着剤を介して保持用水晶板に固着された振動子用水晶片と、を有する。このように、基台と振動子用水晶片との間に保持用水晶板を配置することにより、振動子用水晶片にストレスが加わり難くなる。

特開平２−２６１２１０号公報

ここで、振動子用水晶片の振動モードには、主振動とスプリアス振動（主振動以外の不要振動）とがあり、主振動の振動周波数に近い振動周波数を有するスプリアス振動が主振動に結合する場合がある。すなわち、主振動と共にスプリアス振動が励振されてしまう場合がある。また、主振動とスプリアス振動との振動素子面内における変位分布の違いから、スプリアス振動に起因した振動が接合部付近に漏れてしまう。そして、特許文献１の発振器のように、基台と振動子用水晶片との間に保持用水晶板を配置した構成の場合、振動子用水晶片から保持用水晶板に漏れた振動の周波数が保持用水晶板の共振モードの周波数に一致すると、保持用水晶板の共振モードが励起されてしまう。そのため、外部へ振動が漏れ易くなり、水晶振動子の振動特性が悪化するという課題があった。

本発明の一態様は、振動素子と、
前記振動素子が取り付けられている中継基板と、
前記中継基板が取り付けられている回路素子と、
前記中継基板に設けられている振動減衰部材と、
前記振動素子、前記中継基板および前記回路素子を収納しているパッケージと、を有する振動デバイスである。

本発明の一態様では、前記振動減衰部材が設けられている領域は、前記中継基板の共振モードの腹の位置を少なくとも１つ含むことが好ましい。

本発明の一態様では、前記振動減衰部材が設けられている領域は、前記中継基板の共振モードの節の位置を少なくとも１つ含むことが好ましい。

本発明の一態様では、前記振動減衰部材が設けられている領域は、前記中継基板の共振モードの腹の位置および節の位置をそれぞれ少なくとも１つずつ含むことが好ましい。

本発明の一態様では、前記中継基板は、
前記振動素子が取り付けられている基部と、
前記中継基板の厚さ方向における平面視で前記基部の外側に設けられ、前記回路素子に取り付けられている支持部と、
前記基部と前記支持部とを接続する梁部と、を含み、
前記振動減衰部材は、前記梁部に設けられていることが好ましい。

本発明の一態様では、前記振動減衰部材は、樹脂材料からなることが好ましい。

本発明の一態様では、前記振動減衰部材の厚さは、前記中継基板の厚さの１％以上１００％以下であることが好ましい。

本発明の一態様は、本発明の一態様の振動デバイスを有する電子機器である。

本発明の一態様は、本発明の一態様の振動デバイスを有する移動体である。

本発明の第１実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。 図１の振動デバイスを示す上面図である。 中継基板を示す上面図である。 中継基板を示す下面図である。 振動素子を示す上面図である。 振動素子を示す下面図である。 水晶のカット角を説明する図である。 中継基板と振動素子の結晶軸の関係を示す斜視図である。 振動減衰部材の配置を説明するための模式図である。 振動減衰部材の配置を説明するための模式図である。 振動減衰部材の配置を説明するための模式図である。 中継基板の断面図である。 振動減衰部材の変形例を示す中継基板の下面図である。 本発明の第２実施形態に係る振動デバイスが有する中継基板を示す上面図である。 図１４に示す中継基板の下面図である。 図１４に示す中継基板の変形例を示す下面図である。 図１４に示す中継基板の変形例を示す下面図である。 本発明の第３実施形態に係る振動デバイスが有する中継基板を示す下面図である。 図１８中のＡ−Ａ線断面図である。 図１８中のＡ−Ａ線断面図である。 図１８中のＡ−Ａ線断面図である。 図１８中のＡ−Ａ線断面図である。 図１８中のＡ−Ａ線断面図である。 本発明の第４実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。 本発明の第５実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。 本発明の第６実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。 本発明の第７実施形態に係る移動体を示す斜視図である。

以下、本発明の一態様の振動デバイス、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。図２は、図１の振動デバイスを示す上面図である。図３は、中継基板を示す上面図である。図４は、中継基板を示す下面図である。図５は、振動素子を示す上面図である。図６は、振動素子を示す下面図である。図７は、水晶のカット角を説明する図である。図８は、中継基板と振動素子の結晶軸の関係を示す斜視図である。図９ないし図１１は、それぞれ、振動減衰部材の配置を説明するための模式図である。図１２および図１３は、それぞれ、中継基板の断面図である。図１３は、振動減衰部材の変形例を示す中継基板の下面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」とも言い、下側を「下」とも言う。また、水晶の結晶軸をＸ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）およびＺ軸（光軸）として説明する。

図１および図２に示すように、振動デバイス１は、振動素子２と、中継基板３（支持部材）と、回路素子４と、中継基板３に設けられた振動減衰部材６と、これらを収納するパッケージ５と、を有する。パッケージ５内では、回路素子４の下方に中継基板３が位置し、中継基板３の下方に振動素子２が位置し、回路素子４、中継基板３および振動素子２がパッケージ５の厚さ方向に沿って重なって配置されている。このように、回路素子４、中継基板３および振動素子２を重ねて配置することにより、振動デバイス１の平面的な広がりを抑えることができ、振動デバイス１の小型化を図ることができる。

また、振動素子２は、中継基板３に支持されており、中継基板３は、回路素子４に支持されており、回路素子４は、パッケージ５に支持されている。すなわち、回路素子４と振動素子２との間に中継基板３が配置されている。このように、振動素子２と回路素子４との間に中継基板３を介在させることにより、例えば、パッケージ５や回路素子４の熱撓み等による変形（応力）が振動素子２に伝わり難くなり、振動素子２の振動特性の低下や変動を抑制することができる。また、中継基板３に振動減衰部材６が設けられていることにより、振動素子２の振動漏れが低減され、優れた振動特性を発揮できるようになっている。以下、このような振動デバイス１の各部について順次詳細に説明する。

［パッケージ］
図１に示すように、パッケージ５は、内側に収納空間Ｓを有し、この収納空間Ｓに振動素子２、中継基板３および回路素子４が収納されている。そのため、パッケージ５によって振動素子２、中継基板３および回路素子４を衝撃、埃、熱、湿気（水分）等から好適に保護することができる。このようなパッケージ５は、振動素子２、中継基板３および回路素子４を支持するベース５１と、ベース５１との間に収納空間Ｓを形成するようにベース５１の上面に接合されたリッド５２と、を有する。

ベース５１は、その上面に開口した凹部５１１を有する。また、凹部５１１は、ベース５１の上面に開口する第１凹部５１１ａと、第１凹部５１１ａの底面に開口する第２凹部５１１ｂと、を有する。一方、リッド５２は、板状であり、凹部５１１の開口を塞ぐようにしてベース５１の上面に接合されている。このように、凹部５１１の開口をリッド５２で塞ぐことにより収納空間Ｓが形成され、この収納空間Ｓに振動素子２、中継基板３および回路素子４が収納されている。収納空間Ｓは、気密封止されており、減圧状態（好ましくはより真空に近い状態）となっている。これにより、振動素子２を安定して駆動させることができる。ただし、収納空間Ｓの雰囲気は、特に限定されず、例えば、大気圧となっていてもよい。

ベース５１の構成材料としては特に限定されず、例えば、酸化アルミニウム等の各種セラミックスを用いることができる。この場合、セラミックシートの積層体を焼成することによりベース５１を製造することができる。一方、リッド５２の構成材料としては特に限定されないが、ベース５１の構成材料と線膨張係数が近似する部材であると良い。例えば、ベース５１の構成材料を前述のようなセラミックスとした場合には、コバール等の合金とするのが好ましい。

また、ベース５１は、第１凹部５１１ａの底面に配置された複数の内部端子５３と、ベース５１の底面に配置された複数の外部端子５４と、を有する。複数の内部端子５３は、それぞれ、ベース５１の内部に形成された図示しない内部配線を介して所定の外部端子５４と電気的に接続されている。また、複数の内部端子５３は、導電性の接続バンプＢ１を介して回路素子４と電気的に接続されている。

［回路素子］
回路素子４は、例えば、シリコン基板上に各種回路要素が作り込まれた半導体回路基板であり、図１に示すように、能動面４０を下側に向けてパッケージ５内に配置されている。そして、回路素子４は、パッケージ５の第１凹部５１１ａの上面に、導電性の接続バンプＢ１を介して固定されている。また、回路素子４は、能動面４０に配置された複数の端子４１、４２を有しており、このうち、複数の端子４１は、それぞれ、接続バンプＢ１を介して所定の内部端子５３と電気的に接続されている。このような回路素子４には、例えば、振動素子２を発振させる発振回路が含まれている。

なお、接続バンプＢ１としては、導電性および接合性を有していれば、特に限定されないが、例えば、金バンプ、銀バンプ、銅バンプ、はんだバンプ等の各種金属バンプを用いることが好ましい。これにより、接続バンプＢ１からのアウトガスの発生が低減され、収納空間Ｓ内の環境変化、特に圧力の上昇を効果的に抑制することができる。なお、接続バンプＢ１に替えて、例えば、導電性の接着剤等を用いて回路素子とベース５１とを接合してもよい。

［中継基板］
中継基板３は、回路素子４と振動素子２との間に配置されている。すなわち、振動素子２は、中継基板３を中継して、回路素子４に支持されている。中継基板３は、主に、パッケージ５や回路素子４の変形により生じる応力を振動素子２に伝わり難くする機能を有する。

図３および図４に示すように、中継基板３は、基板３１と、基板３１に配置された一対の配線３８、３９と、を有する。基板３１は、平面視において略長方形状をなし、長手方向の両端部において、それぞれ２つの接続バンプＢ２を介して回路素子４の能動面４０に固定されている。このように、基板３１の両端部を回路素子４に固定することにより、中継基板３の姿勢が安定し、中継基板３の不要な変位、振動等を抑制することができる。

なお、基板３１の平面視形状は、長方形に限定されず、例えば、円形、長円形、楕円形、三角形、長方形以外の四角形、五角形以上の多角形、異形等であってもよい。また、接続バンプＢ２の数や配置としては、特に限定されず、例えば、基板３１の各角部に１つずつ配置されていてもよい。

また、接続バンプＢ２としては、導電性および接合性を有していれば、特に限定されないが、例えば、金バンプ、銀バンプ、銅バンプ、はんだバンプ等の各種金属バンプを用いることが好ましい。これにより、接続バンプＢ２からのアウトガスの発生が低減され、収納空間Ｓ内の環境変化、特に圧力の上昇を効果的に抑制することができる。なお、接続バンプＢ２に替えて、例えば、導電性の接着剤等を用いて中継基板３と回路素子４とを接合してもよい。

以上のような基板３１は、水晶で構成されている。本実施形態では、基板３１は、Ｚカット水晶基板から形成され、基板３１の両主面の法線が水晶の結晶軸であるＺ軸と一致している。ただし、Ｚカット水晶板とは、切り出し面がＺ軸に対して略直交したものをいい、このＺ軸に直交した切り出し面が、Ｘ軸のプラス側から見てＹ軸からＺ軸の方向へ反時計回りまたは時計回りに０度〜数度の範囲で回転した状態で切り出されたものも含まれる。

なお、基板３１は、Ｚカット水晶基板以外の水晶基板、例えば、Ｘカット水晶基板、Ｙカット水晶基板、ＡＴカット水晶基板、ＢＴカット水晶基板、ＳＣカット水晶基板、ＳＴカット水晶基板等から形成されていてもよい。また、基板３１は、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、四ホウ酸リチウム、ランガライト、ニオブ酸カリウム、リン酸ガリウム等の圧電単結晶体（単結晶体の圧電材料）により構成されていてもよいし、これら以外の圧電単結晶体により構成されていてもよい。また、基板３１は、上記の圧電材料以外の材料から形成されていてもよい。

配線３８は、その一端部が端子３８１となっており、他端部が端子３８２となっている。同様に、配線３９は、その一端部が端子３９１となっており、他端部が端子３９２となっている。また、端子３８１、３９１は、それぞれ、基板３１の上面３１１と下面３１２とに亘って配置されている。そして、端子３８１、３９１は、それぞれ、上面３１１側に位置する部分において、接続バンプＢ２を介して回路素子４の端子４２と電気的に接続されており、端子３８２、３９２は、接続バンプＢ３を介して振動素子２と電気的に接続されている。このように、中継基板３が配線３８、３９を有することにより、振動素子２と回路素子４との電気的な接続が容易となる。

［振動素子］
振動素子２は、図５および図６に示すように、水晶基板から形成された振動基板２１と、振動基板２１に配置されている電極２２と、を有する。振動基板２１は、厚みすべり振動モードを有し、本実施形態では、ＡＴカット水晶基板から形成されている。図７に示すように、ＡＴカット水晶基板は、ＸＺ面をＸ軸の回りに角度θ（＝３５°１５’）回転させた平面に沿って切り出された「回転Ｙカット水晶基板」である。ＡＴカット水晶基板は、三次の周波数温度特性を有しているため、ＡＴカット水晶基板から振動基板２１を形成することで、優れた温度特性を有する振動素子２となる。なお、以下では、角度θに対応してＸ軸まわりに回転したＹ軸およびＺ軸を、Ｙ’軸およびＺ’軸とする。すなわち、振動基板２１は、Ｙ’軸方向に厚みを有し、ＸＺ’面方向に広がりを有する。

電極２２は、振動基板２１の上面２１１に配置された励振電極２２１と、下面２１２に、励振電極２２１と対向して配置された励振電極２２２と、を有する。また、電極２２は、振動基板２１の上面２１１に配置された一対の端子２２３、２２４と、端子２２３と励振電極２２１とを電気的に接続する配線２２５と、端子２２４と励振電極２２２とを電気的に接続する配線２２６と、を有している。そして、励振電極２２１、２２２間に駆動信号を印加することにより、振動基板２１が厚みすべり振動する。

このような振動素子２は、導電性を有する一対の接続バンプＢ３を介して中継基板３に固定されている。また、振動素子２の端子２２３と中継基板３の端子３８２とが一方の接続バンプＢ３を介して電気的に接続され、振動素子２の端子２２４と中継基板３の端子３９２とが他方の接続バンプＢ３を介して電気的に接続されている。したがって、振動素子２は、中継基板３の配線３８、３９を介して回路素子４と電気的に接続されている。

なお、接続バンプＢ３としては、導電性および接合性を有していれば、特に限定されないが、例えば、金バンプ、銀バンプ、銅バンプ、はんだバンプ等の各種金属バンプを用いることが好ましい。これにより、接続バンプＢ３からのアウトガスの発生が低減され、収納空間Ｓ内の環境変化、特に圧力の上昇を効果的に抑制することができる。なお、接続バンプＢ３に替えて、例えば、導電性の接着剤等を用いて振動素子２と中継基板３とを接合してもよい。

以上、振動素子２について説明したが、振動素子２の構成は、上述の構成に限定されない。例えば、振動素子２は、振動基板２１の振動領域（励振電極２２１、２２２に挟まれた領域）がその周囲から突出したメサ型となっていてもよいし、逆に、振動領域がその周囲から凹没した逆メサ型となっていてもよい。また、振動基板２１の周囲を研削するベベル加工や、上面および下面を凸曲面とするコンベックス加工が施されていてもよい。

また、振動素子２としては、厚みすべり振動モードで振動するものに限定されず、例えば、複数の振動腕が面内方向に屈曲振動（音叉振動）する振動素子であってもよいし、複数の振動腕が面外方向に屈曲振動（ウォーク振動）する振動素子であってもよい。したがって、振動基板２１は、ＡＴカット水晶基板から形成されたものに限定されず、ＡＴカット水晶基板以外の水晶基板、例えば、Ｘカット水晶基板、Ｙカット水晶基板、Ｚカット水晶基板、ＢＴカット水晶基板、ＳＣカット水晶基板、ＳＴカット水晶基板等から形成されていてもよい。

ここで、前述したように、中継基板３の基板３１と振動素子２の振動基板２１とは、それぞれ、水晶から構成されている。そのため、中継基板３と振動素子２との熱膨張係数が実質的に等しくなり、周囲の温度変化による歪等の影響を受け難くなる。そのため、振動素子２に応力が加わり難くなり、振動素子２の振動特性の低下を低減することができる。

このように、基板３１および振動基板２１は、共に水晶で構成されているが、図８に示すように、基板３１の結晶軸と振動基板２１の結晶軸とが互いにずれている。具体的には、基板３１のＸ軸は、振動基板２１のＸ軸と異なる方向に延び、基板３１のＹ軸は、振動基板２１のＹ軸と異なる方向に延び、基板３１のＺ軸は、振動基板２１のＺ軸と異なる方向に延びている。これにより、例えば、振動基板２１と基板３１との結晶軸が一致している場合と比べて、振動基板２１と基板３１との機械的共振点（共振周波数）を離間させることができる。そのため、振動素子２の振動に共鳴（共振）するようにして中継基板３に意図しない共振モードの振動が励起されてしまうことを抑制でき、振動素子２の振動漏れが悪化してしまうことを効果的に抑制することができる。

特に、本実施形態では、基板３１のＸ軸は、振動基板２１のＸ軸に対してＹ軸およびＺ軸の両軸まわりに傾斜しており、基板３１のＹ軸は、振動基板２１のＹ軸に対してＸ軸およびＺ軸の両軸まわりに傾斜しており、基板３１のＺ軸は、振動基板２１のＺ軸に対してＸ軸およびＹ軸の両軸まわりに傾斜している。すなわち、基板３１の結晶軸と、振動基板２１の結晶軸と、が捩じれの関係にある。そのため、上述した効果がより顕著となり、振動基板２１と基板３１との機械的共振点をより大きく離間させることができる。したがって、中継基板３の意図しない振動をより効果的に抑制でき、中継基板３の振動に起因した振動素子２の振動特性の低下をより効果的に抑制することができる。

本実施形態では、前述したように、振動基板２１のカット角と基板３１のカット角とを異ならせている。具体的には、振動素子２の振動基板２１がＡＴカット水晶基板から形成されているため、中継基板３の基板３１をＡＴカット水晶基板とは異なるＺカット水晶基板から形成している。このように、振動基板２１のカット角と基板３１のカット角とを異ならせることにより、簡単かつ確実に、基板３１の結晶軸と振動基板２１の結晶軸とを互いにずらすことができる。

なお、本実施形態では、基板３１のＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸が、それぞれ、振動基板２１のＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸に対して傾斜しているが、これに限定されず、例えば、基板３１のＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸のうちの２つの軸が振動基板２１の対応する軸に対して傾斜していれば、残りの１つの軸同士は、一致していてもよいし、全ての軸同士が一致していてもよい。

また、本実施形態では、振動基板２１が水晶により構成されているが、振動基板２１の構成材料としては、これに限定されず、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、四ホウ酸リチウム、ランガライト、ニオブ酸カリウム、リン酸ガリウム等の圧電単結晶体（単結晶体の圧電材料）により構成されていてもよいし、これら以外の圧電単結晶体により構成されていてもよい。ただし、振動基板２１としては、基板３１と同じ材料で構成されていることが好ましい。これにより、熱膨張係数を合わせることができ、応力が生じ難くなる。

［振動減衰部材］
図１および図４に示すように、振動減衰部材６は、中継基板３の基板３１の下面３１２に設けられている。このような振動減衰部材６は、中継基板３に生じ得る共振モードの粘弾性損失を大きくし、共振モードを減衰させる機能を有する。そのため、振動減衰部材６を設けることにより、振動素子２の振動が中継基板３を介して外部に漏れてしまうのが効果的に低減され、振動素子２の振動漏れが低減される。そのため、振動素子２の主振動のＱ値の低下を低減することができ、ＣＩ値の上昇や周波数精度の悪化を効果的に低減することができる。

前述したように、振動素子２は、厚みすべり振動モードで振動するが、この主振動の他にも、屈曲振動モード、ねじり振動モード、輪郭振動モード等のスプリアス振動（不要振動）を有する。これらスプリアス振動が主振動の振動周波数に近い振動周波数を有していると、主振動にスプリアス振動が結合し、主振動と共にスプリアス振動が励振されてしまう場合がある。スプリアス振動は、振動素子２内に閉じ込めることが困難であり、接続バンプＢ３を介して中継基板３に漏れてしまう。このような振動漏れによって主振動の損失が生じ、その結果、主振動のＱ値が低下してしまい、ＣＩ値の上昇や周波数精度の悪化に繋がる。

また、中継基板３に漏れた振動の周波数が中継基板３の共振モードの周波数と一致してしまうと、中継基板３に共振モードが励起されてしまい、その振動が接続バンプＢ２を介して外部に漏れてしまう。このように、振動素子２から漏れた振動によって、中継基板３に共振モードが励起されてしまうと、振動素子２の振動漏れが増大し、さらなる振動特性の悪化に繋がってしまう。そこで、振動デバイス１では、中継基板３に振動減衰部材６を設けて、中継基板３に生じる共振モードを減衰させることにより、振動素子２の振動漏れを効果的に低減し、振動素子２の振動特性の悪化を効果的に抑制している。

振動減衰部材６としては、その機能を発揮することができれば、特に限定されず、例えば、振動基板２１の構成材料である水晶よりも縦弾性率（ヤング率）およびせん断弾性率（剛性率）が十分に小さい粘弾性体を用いることができる。このような粘弾性体の材料としては、例えば、シリコン系、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系、ビスマレイミド系、ポリエステル系、ポリウレタン系等の各種樹脂材料を用いることができる。

なお、振動減衰部材６の縦弾性率（ヤング率）としては、特に限定されないが、例えば、０．００１ＧＰａ以上１ＧＰａ以下であることが好ましく、０．００１ＧＰａ以上０．５ＧＰａ以下であることがより好ましい。例えば、シリコン系の樹脂材料では、縦弾性率Ｅ（ヤング率）が０．２ＧＰａであり、せん断弾性率（剛性率）が０．０７５ＧＰａであるので、上述した縦弾性率とせん断弾性率とを水晶よりも十分に小さくすることができる。

また、樹脂材料には、フィラーが含まれていてもよい。フィラーを含むことにより、振動減衰部材６の熱伝導率が高まり、後述する振動減衰部材６の歪みによって振動減衰部材６内に生じた熱エネルギーを効率的に外部に放出することができる。そのため、振動減衰部材６によるスプリアス振動の減衰効果がより大きくなる。このようなフィラーとしては、特に限定されないが、例えば、各種金属、シリカ（ＳｉＯ_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、ガラス等の無機フィラーを用いることができる。

このような振動減衰部材６を中継基板３に配置すると、共振モードが振動減衰部材６を歪ませることにより、歪みによる内部摩擦に起因する粘弾性損失が発生する。これにより、共振モードが減衰されて、共振モードのＱ値が低下する。共振モードのＱ値が低下することにより、共振モードのＣＩ値が大きくなり、その結果、中継基板３に共振モードが生じ難くなる。なお、この粘弾性損失は、振動減衰部材６の歪みが大きい程大きくなる。

振動減衰部材６は、中継基板３の厚さ方向からの平面視（図４視）で、各接続バンプＢ２と重なるように４つ設けられている。具体的には、振動減衰部材６は、端子３８１と接合された２つの接続バンプＢ２と重なる振動減衰部材６１、６２と、端子３９１と接合された２つの接続バンプＢ２と重なる振動減衰部材６３、６４と、を有する。前述したように、接続バンプＢ２を介して振動が外部へ漏れ出すため、各接続バンプＢ２と重なるように振動減衰部材６１〜６４を配置することにより、すなわち、振動漏れの経路上に振動減衰部材６１〜６４を配置することにより、共振モードをより効果的に減衰させることができ、振動漏れをより効果的に抑制することができる。したがって、共振モードの影響がより低減され、より高精度な発振特性を有する振動デバイス１となる。

特に、本実施形態では、振動減衰部材６１〜６４は、それぞれ、対応する接続バンプＢ２よりも大きい径を有しており、中継基板３の厚さ方向からの平面視で、対応する接続バンプＢ２を覆っている。すなわち、振動減衰部材６１〜６４は、それぞれ、中継基板３の厚さ方向からの平面視で、対応する接続バンプＢ２の全域を内包している。そのため、振動減衰部材６１〜６４によって、中継基板３の共振モードをさらに効果的に減衰させることができ、振動漏れをさらに効果的に抑制することができる。したがって、共振モードの影響がさらに低減され、さらに高精度な発振特性を有する振動デバイス１となる。

また、図９に示すように、振動減衰部材６１〜６４は、それぞれ、共振モードの腹ｈの位置および節ｆの位置を少なくとも１つずつ含むように配置されていることが好ましい。なお、図９では、振動減衰部材６１〜６４は、共振モードの腹ｈの位置および節ｆの位置を２つずつ含むように配置されている。これにより、共振モードによって振動減衰部材６１〜６４をより確実に歪ませることができ、共振モードをより効果的に減衰させることができる。そのため、共振モードの影響がより低減された振動デバイス１となる。

なお、図９に示す共振モードは模式的なもので、実際に生じる共振モードとは異なる場合がある。また、節ｆとは、振動が生じず振幅が０の点を言い、腹ｈとは、振動の振幅が最大になり変位が最も大きい点を言う。また、ここで言う「共振モード」には、屈曲振動、ねじり振動、輪郭振動等、単体の共振モードや複数の共振モードが結合した共振モードが含まれる。また、複数の共振モードが生じている場合は、少なくとも１つの共振モードにおいて、上記の関係を満足していればよい。また、本実施形態では、振動減衰部材６１〜６４の全部が上記の関係を満足しているが、これに限定されず、振動減衰部材６１〜６４の少なくとも１つが上記の関係を満足していればよい。また、振動減衰部材６１〜６４で、対象とする共振モードが異なっていてもよい。例えば、振動減衰部材６１、６３は、捩り振動である共振モードに対して上記の関係を満足し、振動減衰部材６２、６４は、輪郭振動である共振モードに対して上記の関係を満足していてもよい。

ここで、前述したように、振動減衰部材６１〜６４は、それぞれ、共振モードの腹ｈの位置および節ｆの位置を少なくとも１つずつ含むように配置されているのが好ましいが、共振モードの腹ｈの位置および節ｆの位置を少なくとも２つから６つずつ含むように配置することがより好ましく、共振モードの腹ｈの位置および節ｆの位置を少なくとも３つから５つずつ含むように配置することがさらに好ましい。これにより、上述した効果をより顕著に発揮することができ、共振モードの影響がさらに低減された振動デバイス１となる。なお、共振モードの腹ｈの位置および節ｆの位置を少なくとも２つから６つずつ含む場合は、これら腹ｈおよび節ｆは、連続している（互いに隣り合って位置している）ことが好ましい。

また、図１０に示すように、振動減衰部材６１〜６４は、それぞれ、共振モードの節ｆの位置を含まず、少なくとも１つの腹ｈの位置だけを含むように配置されていてもよい。この場合、振動減衰部材６１〜６４は、略剛体運動をするが、振動減衰部材６１〜６４内は、慣性力によって揺すられるため、共振モードを減衰させることができる。また、図１１に示すように、振動減衰部材６１〜６４は、それぞれ、共振モードの腹ｈの位置を含まず、少なくとも１つの節ｆの位置だけを含むように配置されていてもよい。この場合、振動減衰部材６１〜６４は、略回動運動をするが、振動減衰部材６１〜６４内は、慣性力によって揺すられるため、共振モードを減衰させることができる。したがって、図１０および図１１の場合についても、上記と同様にして、共振モードの影響が低減された振動デバイス１を得ることができる。また、このような場合、図９の場合と比べて、各振動減衰部材６１〜６４の径を小さくすることができる。そのため、例えば、中継基板３の小型化を図ることができる。

また、振動減衰部材６１、６２は、端子３８１上に設けられ、振動減衰部材６３、６４は、端子３９１上に設けられている。すなわち、振動減衰部材６１、６２は、端子３８１に接して設けられ、振動減衰部材６３、６４は、端子３９１に接して設けられている。このように、金属膜である端子３８１、３９１上に振動減衰部材６１〜６４を配置することにより、水晶基板である基板３１上に振動減衰部材６１〜６４を配置する場合と比べて、振動減衰部材６１〜６４の材料を塗布する際の濡れ性が向上し、振動減衰部材６１〜６４の径を制御し易くなる。また、振動減衰部材６１〜６４の濡れ性を等しくすることができるため、振動減衰部材６１〜６４の形状ばらつきを低減することができる。そのため、振動減衰部材６１〜６４によって、より確実に、共振モードを減衰させることができる。また、個体間の製造ばらつきも低減することができるため、共振モードの影響が効果的に低減された振動デバイス１を高い歩留まりで製造することができる。

図１２および図１３に示すように、振動減衰部材６１〜６４の厚さＴ１は、特に限定されないが、例えば、基板３１の厚さＴの１％以上１００％以下であることが好ましく、２０％以上８０％以下であることがより好ましく、４０％以上６０％以下であることがさらに好ましい。厚さＴ１をこのような値とすることにより、成膜し易い厚さの振動減衰部材６１〜６４となる。また、より確実に、上述したような共振モードの減衰効果を発揮することのできる振動減衰部材６１〜６４となる。また、振動減衰部材６１〜６４が過度に厚くなるのを抑制することができる。そのため、例えば、振動減衰部材６１〜６４の硬化時に生じる収縮応力を低減することができ、硬化にかかる時間を十分に短くすることができ、硬化時の加熱温度を十分に低く抑えることができる。そのため、中継基板３に加わる応力や熱履歴を効果的に低減することができる。なお、振動減衰部材６１〜６４の厚さＴ１の具体的数値としては、基板３１の厚さＴによっても異なるが、例えば、１μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。

また、振動減衰部材６１〜６４の直径Ｒ１（最大幅）としては、特に限定されないが、例えば、５μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下であることがさらに好ましい。直径Ｒ１をこのような値とすることにより、振動減衰部材６１〜６４の効果を十分に発揮することのできる大きさとなると共に、振動減衰部材６１〜６４の過度な大型化を抑制することができる。

以上、振動減衰部材６によって、共振モードを減衰させることができることについて説明した。ここで、前述したように、中継基板３と回路素子４との接続に金属バンプである接続バンプＢ２を用いている。これにより、例えば、従来から用いられている樹脂系の導電性接着剤を用いて中継基板３と回路素子４とを接続する場合と比べて、中継基板３の共振モードの周波数のばらつきを抑えることができる。これは、共振モードの周波数は、中継基板３が固定されている部分の配置や大きさによって変化するが、金属バンプによれば、樹脂系の導電性接着剤と比べて、その配置や径を高精度に制御することができるためである。このように、共振モードの周波数を精度よく制御することができれば、共振モードの周波数を、振動素子２から中継基板３に漏れる振動の周波数から十分に離間させることができ、共振モードがさらに励起され難くなる。つまり、振動デバイス１では、接続バンプＢ２と振動減衰部材６との相乗効果によって、共振モードの影響がより効果的に低減されている。

なお、振動減衰部材６１〜６４は、接続バンプＢ２のような中継基板３を固定する部材ではないため、その配置や大きさ等が共振モードの周波数に与える影響は小さい。したがって、接続バンプＢ２の配置や大きさによって共振モードの周波数を高精度に制御したにも関わらず、振動減衰部材６１〜６４によって、その周波数が変動することがほとんどない。そのため、振動減衰部材６１〜６４の配置や大きさに対する制約が少なく、比較的自由にその配置や大きさを設定することができる。

以上、振動デバイス１について説明した。このような振動デバイス１は、前述したように、振動素子２と、振動素子２が取り付けられている中継基板３と、中継基板３が取り付けられている回路素子４と、中継基板３に設けられている振動減衰部材６と、振動素子２、中継基板３および回路素子４を収納しているパッケージ５と、を有する。このように、中継基板３に振動減衰部材６を設けることにより、中継基板３の共振モードの粘弾性損失が大きくなり、共振モードを効果的に減衰させることができる。そのため、振動デバイス１によれば、中継基板３の共振モードの影響を効果的に低減することができ、優れた振動特性を発揮することができる。

また、前述したように、振動減衰部材６が設けられている領域は、中継基板３の共振モードの腹ｈの位置を少なくとも１つ含む。これにより、振動減衰部材６によって共振モードをより効果的に減衰させることができる。

また、前述したように、振動減衰部材６が設けられている領域は、中継基板３の共振モードの節ｆの位置を少なくとも１つ含む。これにより、振動減衰部材６によって共振モードをより効果的に減衰させることができる。

また、前述したように、振動減衰部材６が設けられている領域は、中継基板３の共振モードの腹ｈの位置および節ｆの位置を少なくとも１つずつ含む。これにより、振動減衰部材６によって共振モードをより効果的に減衰させることができる。

また、前述したように、振動減衰部材６は、樹脂材料からなる。これにより、振動減衰部材６が中継基板３に対して十分に柔らかくなり、振動減衰部材６によって、より効果的に共振モードを減衰させることができる。

また、前述したように、振動減衰部材６の厚さＴ１は、中継基板３の厚さ（基板３１の厚さＴ）の１％以上１００％以下であることが好ましい。このような値とすることにより、成膜し易い厚さの振動減衰部材６となる。また、より確実に、振動減衰部材６による共振モードの減衰効果を発揮することができる。また、振動減衰部材６が過度に厚くなるのを抑制することができる。そのため、例えば、振動減衰部材６の硬化時に生じる収縮応力を低減することができ、硬化にかかる時間を十分に短くすることができ、硬化時の加熱温度を十分に低く抑えることができる。そのため、中継基板３に加わる応力や熱履歴を効果的に低減することができる。

なお、振動デバイス１の構成としては、上記の構成に限定されない。例えば、本実施形態では、振動減衰部材６が振動減衰部材６１〜６４を有しているが、振動減衰部材６の数は、特に限定されない。例えば、振動減衰部材６１〜６４のうちの少なくとも１つを省略してもよい。また、例えば、振動減衰部材６１、６２、振動減衰部材６３、６４がそれぞれ一体化されていてもよい。また、振動減衰部材６は、さらに、別の振動減衰部材を有していてもよい。また、本実施形態では、振動減衰部材６１〜６４が端子３８１、３９１（金属膜）上に配置されているが、例えば、基板３１の下面３１２に端子３８１、３９１が形成されておらず、基板３１の下面３１２に接して振動減衰部材６１〜６４が配置されていてもよい。

また、本実施形態では、振動減衰部材６が接続バンプＢ２と重なって配置されているが、これに限定されない。例えば、振動減衰部材６は、接続バンプＢ２と重ならないように配置されていてもよい。また、本実施形態では、振動減衰部材６１〜６４が略半球形であるが、振動減衰部材６１〜６４の形状としては、特に限定されない。例えば、平面視で、楕円形、長円形、三角形、四角形、環状形、異形等であってもよい。また、立体視で、半球形に限定されず、円柱、三角柱、四角柱等の柱形、円錐、三角錐、四角錐等の錐形であってもよい。また、振動減衰部材６は、中継基板３の上面３１２に設けられていてもよいし、下面３１１および上面３１２の両面に設けられていてもよい。

＜第２実施形態＞
図１４は、本発明の第２実施形態に係る振動デバイスが有する中継基板を示す上面図である。図１５は、図１４に示す中継基板の下面図である。図１６および図１７は、それぞれ、図１４に示す中継基板の変形例を示す下面図である。

本実施形態に係る振動デバイスは、主に、中継基板３の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態の振動デバイスと同様である。なお、以下の説明では、第２実施形態の振動デバイスに関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１４ないし図１７では、それぞれ、前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。

図１４および図１５に示すように、本実施形態の中継基板３では、基板３１は、ジンバル形状となっている。具体的には、基板３１は、接続バンプＢ３を介して振動素子２が接合された基部３２と、基部３２の外側に位置し、接続バンプＢ２を介して回路素子４に接合された支持部３３と、基部３２と支持部３３との間に位置する中継部３４と、基部３２と中継部３４とを接続する一対の梁部３５１、３５２と、中継部３４と支持部３３とを接続する一対の梁部３６１、３６２と、を有する。

支持部３３は、矩形の枠状となっており、４つの延在部３３１、３３２、３３３、３３４を有する。そして、支持部３３は、延在部３３１、３３２の中央部において、それぞれ２つの接続バンプＢ２を介して回路素子４の能動面４０に固定されている。また、支持部３３の内側に位置する中継部３４は、矩形の枠状となっており、４つの延在部３４１、３４２、３４３、３４４を有する。また、中継部３４の内側に位置する基部３２は、矩形の単板状となっており、４つの縁部３２１、３２２、３２３、３２４を有する。そして、基部３２の下面に接続バンプＢ３を介して振動素子２が固定されている。

また、一対の梁部３６１、３６２は、中継部３４の両側に位置し、中継部３４を両持ち支持するように、中継部３４と支持部３３とを接続している。具体的には、梁部３６１は、延在部３３３、３４３を延在方向の中央部同士で接続しており、梁部３６２は、延在部３３４、３４４を延在方向の中央部同士で接続している。また、一対の梁部３５１、３５２は、基部３２の両側に位置し、基部３２を両持ち支持するように、基部３２と中継部３４とを接続している。具体的には、梁部３５１は、縁部３２１と延在部３４１とを延在方向の中央部同士で接続し、梁部３５２は、縁部３２２と延在部３４２とを延在方向の中央部同士で接続している。

このような基板３１によれば、回路素子４に固定されている支持部３３から振動素子２が固定されている基部３２までの応力の伝達経路を蛇行させることができるため、前記伝達経路をなるべく長く確保することができる。そのため、パッケージ５や回路素子４の変形により生じる応力が支持部３３から基部３２までの間に十分に吸収・緩和されて基部３２上の振動素子２に伝わり難くなる。そのため、振動素子２の駆動特性の変化、特に振動周波数の変動が起き難く、振動素子２は、優れた振動特性を発揮することができる。

また、振動減衰部材６は、梁部３５１に設けられた振動減衰部材６１と、梁部３５２に設けられた振動減衰部材６２と、梁部３６１に設けられた振動減衰部材６３と、梁部３６２に設けられた振動減衰部材６４と、を有する。

振動減衰部材６１は、梁部３５１を間に挟むようにして一対設けられている。各振動減衰部材６１は、基部３２の縁部３２１と中継部３４の延在部３４１との間に挟まっており、梁部３５１、縁部３２１および延在部３４１の側面と接触している。また、振動減衰部材６２は、梁部３５２を間に挟むようにして一対設けられている。各振動減衰部材６２は、基部３２の縁部３２２と中継部３４の延在部３４２との間に挟まっており、梁部３５２、縁部３２２および延在部３４２の側面と接触している。

振動減衰部材６３は、梁部３６１を間に挟むようにして一対設けられている。各振動減衰部材６３は、支持部３３の延在部３３３と中継部３４の延在部３４３との間に挟まっており、梁部３６１、延在部３３３および延在部３４３の側面と接触している。また、振動減衰部材６４は、梁部３６２を間に挟むようにして一対設けられている。また、各振動減衰部材６４は、支持部３３の延在部３３４と中継部３４の延在部３４４との間に挟まっており、梁部３６２、延在部３３４および延在部３４４の側面と接触している。

このような構成とすることにより、中継基板３の共振モードの伝搬経路上に振動減衰部材６１〜６４を配置することができる。そのため、振動減衰部材６１〜６４によって共振モードを効果的に減衰させることができる。また、基部３２と中継部３４との隙間および中継部３４と支持部３３との隙間を振動減衰部材６１〜６４の設置スペースとして有効活用することができる。特に、前述した第１実施形態のように、基板３１の下面３１２に振動減衰部材６を配置する構成と比べて、振動減衰部材６の厚みを合わせた中継基板３全体の厚さを小さくすることができるため、その分、振動デバイス１の低背化を図ることができる。

このように、本実施形態の振動デバイス１では、中継基板３は、振動素子２が取り付けられている基部３２と、中継基板３の厚さ方向における平面視で基部３２の外側に設けられ、回路素子４に取り付けられている支持部３３と、基部３２と支持部３３とを接続する梁部３５１、３５２、３６１、３６２と、を含んでいる。そして、振動減衰部材６は、梁部３５１、３５２、３６１、３６２に設けられている。このような構成とすることにより、中継基板３の共振モードが接続バンプＢ２を介して回路素子４へ伝搬される経路上に振動減衰部材６１〜６４を配置することができる。そのため、振動減衰部材６１〜６４によって、共振モードを効果的に減衰させることができる。

以上のような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。

なお、中継基板３の構成としては、上述の構成に限定されない。図１６に示す構成では、基板３１は、基部３２と、基部３２の外側に位置する支持部３３と、基部３２と支持部３３とを接続する一対の梁部３６１、３６２と、を有する。そして、梁部３６１に振動減衰部材６３が設けられ、梁部３６２に振動減衰部材６４が設けられている。

図１７に示す構成では、基板３１は、基部３２と、基部３２の外側に位置する支持部３３と、基部３２と支持部３３とを接続する一対の梁部３５１、３５２と、を有する。支持部３３は、基部３２の一方側に位置する支持部３３Ａと、他方側に位置する支持部３３Ｂと、を有する。梁部３５１は、一対設けられ、基部３２と支持部３３Ａとを接続し、梁部３５２は、一対設けられ、基部３２と支持部３３Ｂとを接続している。また、各梁部３５１、３５２は、蛇行しており変形容易となっている。そのため、パッケージ５や回路素子４から伝わる応力が梁部３５１、３５２の変形によって吸収・緩和されて基部３２上の振動素子２に伝わり難くなる。したがって、振動素子２の駆動特性の変化、特に振動周波数の変動が起き難く、振動素子２は、優れた振動特性を発揮することができる。そして、梁部３５１、３５２の間に挟まれるようにして振動減衰部材６が設けられている。

＜第３実施形態＞
図１８は、本発明の第３実施形態に係る振動デバイスが有する中継基板を示す下面図である。図１９ないし図２３は、それぞれ、図１８中のＡ−Ａ線断面図である。

本実施形態に係る振動デバイスは、振動減衰部材６の配置が異なること以外は、前述した第２実施形態の振動デバイスと同様である。なお、以下の説明では、第３実施形態の振動デバイスに関し、前述した第２実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１８ないし図２３では、それぞれ、前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。

図１８に示すように、延在部３４１には、梁部３５１との接続部３４１ａを間に挟むようにして一対の振動減衰部材６１が設けられている。このような構成では、梁部３５１から延在部３４１の一方側へ伝搬する振動を一方の振動減衰部材６１で減衰させ、他方側へ伝搬する振動を他方の振動減衰部材６１で減衰させることができる。また、延在部３４２には、梁部３５２との接続部３４２ａを間に挟むようにして一対の振動減衰部材６２が設けられている。このような構成では、梁部３５２から延在部３４２の一方側へ伝搬する振動を一方の振動減衰部材６２で減衰させ、他方側へ伝搬する振動を他方の振動減衰部材６２で減衰させることができる。

また、延在部３３３には、梁部３６１との接続部３３３ａを間に挟むようにして一対の振動減衰部材６３が設けられている。このような構成では、梁部３６１から延在部３３３の一方側へ伝搬する振動を一方の振動減衰部材６３で減衰させ、他方側へ伝搬する振動を他方の振動減衰部材６３で減衰させることができる。また、延在部３３４には、梁部３６２との接続部３３４ａを間に挟むようにして一対の振動減衰部材６４が設けられている。このような構成では、梁部３６２から延在部３３４の一方側へ伝搬する振動を一方の振動減衰部材６４で減衰させ、他方側へ伝搬する振動を他方の振動減衰部材６４で減衰させることができる。

このような構成によれば、中継基板３の共振モードの伝搬経路上に振動減衰部材６１〜６４を配置することができる。そのため、振動減衰部材６１〜６４によって共振モードを効果的に減衰させることができる。ここで、中継基板３の共振モードの振動方向が判明している場合等には、その振動方向に合わせて振動減衰部材６１〜６４の配置を変更することが好ましい。これにより、振動減衰部材６１〜６４によって、より効率的に共振モードを減衰させることができる。以下、いくつかの具体例を示すが、振動減衰部材６１〜６４の配置は同様であるため、以下では、説明の便宜上、振動減衰部材６１について代表して説明し、振動減衰部材６２〜６４については、その説明を省略する。

例えば、図１９に示すように、共振モードの振動方向が延在部３４１の延在方向である場合、振動減衰部材６１は、延在部３４１の全周を囲んで配置することが好ましい。すなわち、延在部３４１の上下面および両側面に振動減衰部材６１を配置することが好ましい。また、図２０に示すように、共振モードの振動方向が延在部３４１の中心軸まわりの捩じれ方向である場合、振動減衰部材６１は、延在部３４１の全周を囲んで配置することが好ましい。すなわち、延在部３４１の上下面および両側面に振動減衰部材６１を配置することが好ましい。これにより、振動減衰部材６１によって効率的に共振モードを減衰させることができる。

また、図２１に示すように、共振モードの振動方向が中継基板３の厚さ方向である場合、振動減衰部材６１は、延在部３４１の上面３１１および下面３１２に配置することが好ましい。これにより、振動減衰部材６１によって効率的に共振モードを減衰させることができる。また、図２２に示すように、共振モードの振動方向が延在部３４１の幅方向である場合、振動減衰部材６１は、延在部３４１の両側面に配置することが好ましい。これにより、振動減衰部材６１によって効率的に共振モードを減衰させることができる。

また、図１９ないし図２２で示す振動方向のいずれの場合においても、例えば、図２３に示すように、振動減衰部材６１は、延在部３４１の上面３１１（または下面３１２）と両側面とに配置してもよい。これにより、複数の共振モードに対応することができる振動減衰部材６１の配置となる。また上面３１１および下面３１２の一方にのみ振動減衰部材６１を配置することにより、振動減衰部材６１の形成が容易となる。例えば、図２３に示す構成では、上面３１１から樹脂材料を塗布すれば、自重によって両側面へ垂れ流れ、その結果、上面３１１と両側面とに広がって配置された振動減衰部材６１が得られる。

このような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。

＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る電子機器について説明する。

図２４は、本発明の第４実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。

図２４に示すモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューター１１００は、本発明の振動デバイスを備える電子機器を適用したものである。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、例えば、発振器として用いられる振動デバイス１が内蔵されている。

このようなパーソナルコンピューター１１００（電子機器）は、振動デバイス１を有する。そのため、前述した振動デバイス１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。

＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態に係る電子機器について説明する。

図２５は、本発明の第５実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。

図２５に示す携帯電話機１２００（ＰＨＳも含む）は、本発明の振動デバイスを備える電子機器を適用したものである。携帯電話機１２００は、アンテナ（図示せず）、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００には、例えば、発振器として用いられる振動デバイス１が内蔵されている。

このような携帯電話機１２００（電子機器）は、振動デバイス１を有する。そのため、前述した振動デバイス１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。

＜第６実施形態＞
次に、本発明の第６実施形態に係る電子機器について説明する。

図２６は、本発明の第６実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。

図２６に示すデジタルスチールカメラ１３００は、本発明の振動デバイスを備える電子機器を適用したものである。ケース（ボディー）１３０２の背面には表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。そして、撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押すと、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、例えば、発振器として用いられる振動デバイス１が内蔵されている。

このようなデジタルスチールカメラ１３００（電子機器）は、振動デバイス１を有する。そのため、前述した振動デバイス１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。

なお、本発明の電子機器は、前述したパーソナルコンピューター、携帯電話機およびデジタルスチールカメラの他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計（スマートウォッチを含む）、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）等のウェアラブル端末、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、移動体端末基地局用機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、ネットワークサーバー等に適用することができる。

＜第７実施形態＞
次に、本発明の第７実施形態に係る移動体について説明する。

図２７は、本発明の第７実施形態に係る移動体を示す斜視図である。

図２７に示す自動車１５００は、本発明の振動デバイスを備える移動体を適用した自動車である。自動車１５００には、例えば、発振器として用いられる振動デバイス１が内蔵されている。振動デバイス１は、例えば、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。

このような自動車１５００（移動体）は、振動デバイス１を有する。そのため、前述した振動デバイス１の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。

なお、移動体としては、自動車１５００に限定されず、例えば、飛行機、船舶、ＡＧＶ（無人搬送車）、二足歩行ロボット、ドローン等の無人飛行機等にも適用することができる。

以上、本発明の振動デバイス、電子機器および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成を組み合わせたものであってもよい。

また、前述した実施形態では、振動デバイスを発振器に適用した構成について説明したが、これに限定されず、例えば、振動デバイスを加速度、角速度等の物理量を検出可能な物理量センサーに適用してもよい。この場合、振動素子２として駆動振動モードと、受けた物理量に応じて励振される検出振動モードとを有する素子を用い、回路素子４には、振動素子２を駆動振動モードで駆動させるための駆動回路と、振動素子２の検出振動モードから得られる信号に基づいて物理量を検出する検出回路とを形成すればよい。

１…振動デバイス、２…振動素子、２１…振動基板、２１１…上面、２１２…下面、２２…電極、２２１、２２２…励振電極、２２３、２２４…端子、２２５、２２６…配線、３…中継基板、３１…基板、３１１…上面、３１２…下面、３２…基部、３２１〜３２４…縁部、３３、３３Ａ、３３Ｂ…支持部、３３１〜３３４…延在部、３３３ａ、３３４ａ…接続部、３４…中継部、３４１〜３４４…延在部、３４１ａ、３４２ａ…接続部、３５１、３５２、３６１、３６２…梁部、３８、３９…配線、３８１、３８２、３９１、３９２…端子、４…回路素子、４０…能動面、４１、４２…端子、５…パッケージ、５１…ベース、５１１…凹部、５１１ａ…第１凹部、５１１ｂ…第２凹部、５２…リッド、５３…内部端子、５４…外部端子、６、６１〜６４…振動減衰部材、１１００…パーソナルコンピューター、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１１０８…表示部、１２００…携帯電話機、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１２０８…表示部、１３００…デジタルスチールカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１５００…自動車、Ｂ１〜Ｂ３…接続バンプ、Ｓ…収納空間、ｆ…節、ｈ…腹、θ…角度

Claims (9)

1. 振動素子と、
   前記振動素子が取り付けられている中継基板と、
   前記中継基板が取り付けられている回路素子と、
   前記中継基板に設けられている振動減衰部材と、
   前記振動素子、前記中継基板および前記回路素子を収納しているパッケージと、を有することを特徴とする振動デバイス。
2. 前記振動減衰部材が設けられている領域は、前記中継基板の共振モードの腹の位置を少なくとも１つ含む請求項１に記載の振動デバイス。
3. 前記振動減衰部材が設けられている領域は、前記中継基板の共振モードの節の位置を少なくとも１つ含む請求項１に記載の振動デバイス。
4. 前記振動減衰部材が設けられている領域は、前記中継基板の共振モードの腹の位置および節の位置をそれぞれ少なくとも１つずつ含む請求項１に記載の振動デバイス。
5. 前記中継基板は、
   前記振動素子が取り付けられている基部と、
   前記中継基板の厚さ方向における平面視で前記基部の外側に設けられ、前記回路素子に取り付けられている支持部と、
   前記基部と前記支持部とを接続する梁部と、を含み、
   前記振動減衰部材は、前記梁部に設けられている請求項１ないし４のいずれか１項に記載の振動デバイス。
6. 前記振動減衰部材は、樹脂材料からなる請求項１ないし５のいずれか１項に記載の振動デバイス。
7. 前記振動減衰部材の厚さは、前記中継基板の厚さの１％以上１００％以下である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の振動デバイス。
8. 請求項１ないし７のいずれか１項に記載の振動デバイスを有することを特徴とする電子機器。
9. 請求項１ないし７のいずれか１項に記載の振動デバイスを有することを特徴とする移動体。

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