CN103460376B - 电子部件以及电子部件的制造方法 - Google Patents

电子部件以及电子部件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103460376B
CN103460376B CN201280016428.4A CN201280016428A CN103460376B CN 103460376 B CN103460376 B CN 103460376B CN 201280016428 A CN201280016428 A CN 201280016428A CN 103460376 B CN103460376 B CN 103460376B
Authority
CN
China
Prior art keywords
seal member
frame
shaped
electronic unit
interarea
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201280016428.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103460376A (zh
Inventor
大石桥秀和
长峰雄一郎
佐藤岳生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN103460376A publication Critical patent/CN103460376A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103460376B publication Critical patent/CN103460376B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/40—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and electrical output, e.g. functioning as transformers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
    • H01L23/08—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/02—Forming enclosures or casings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/063—Forming interconnections, e.g. connection electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
    • Y10T156/1062—Prior to assembly
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/42—Piezoelectric device making
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49126—Assembling bases
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49169—Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

提供一种在通过树脂粘合剂粘合密封部件的电子部件中，固化之前的树脂粘合剂不容易扩散的电子部件，以及一种固化之前的树脂粘合剂难以扩散的电子部件的制造方法。提供电子部件（1）以及电子部件的制造方法。电子部件具备：具有主面的第1密封部件（10）；以与第1密封部件的主面一起形成密封空间（15a）的方式粘合于第1密封部件的主面的第2密封部件（15）；将第1密封部件和第2密封部件在第1密封部件的主面上的框状的粘合区域粘合的树脂粘合剂层（13）；在第1密封部件的主面上，设置于框状的粘合区域的外周线与第1密封部件的主面的周边部之间的框状的玻璃层（11）；以及配置于密封空间（15a）内的电子部件主体（20）。

Description

电子部件以及电子部件的制造方法
技术领域
本发明涉及具有密封构造的电子部件以及电子部件的制造方法。更详细地，本发明涉及在密封空间内配置有电子部件主体的电子部件以及电子部件的制造方法。
背景技术
以往，例如，使用具备压电振动元件的压电振动部件等各种需要密封构造的电子部件。在这样的具有密封构造的电子部件中，一般的，通过粘合剂将帽、盖材这样的密封部件粘合于基板上的壳体件，由此形成密封构造。例如，在下述的专利文献1，公开有层叠陶瓷封装和密封用帽被环氧树脂粘合剂树脂密封的电子部件。
专利文献1:日本特开平9-246867号公报
然而，在密封部件被树脂粘合剂粘合的电子部件中，在树脂粘合剂固化之前树脂粘合剂向侧方扩散。此时，若树脂粘合剂扩散到电子部件的周边部，则扩散的树脂粘合剂附着到基板的安装用电极，在安装时不能形成焊锡的圆角。其结果，有容易引起电子部件的安装不合格的问题。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种密封部件被树脂粘合剂粘合的电子部件，是不容易产生固化之前的树脂粘合剂的扩散的电子部件，以及提供一种固化之前的树脂粘合剂不容易扩散的电子部件的制造方法。
本发明的电子部件具备：第1密封部件，其具有主面；第2密封部件，其粘合于上述第1密封部件的主面，以使与上述第1密封部件的主面一起形成密封空间；树脂粘合剂层，其将上述第1密封部件和上述第2密封部件在上述第1密封部件的主面上的框状的粘合区域粘合；框状的玻璃层，在上述第1密封部件的主面上，上述框状的玻璃层被设置于上述框状的粘合区域的外周线与上述第1密封部件的主面的周边部之间；以及电子部件主体，其配置于上述密封空间内。
在本发明的电子部件的某一特定方面，框状的玻璃层被设置成与框状的粘合区域的外周线接触。在该情况下，能够使固化前的树脂粘合剂更不容易扩散。
本发明的电子部件的其他的特定方面，框状的玻璃层的厚度大于树脂粘合剂层的厚度。在该情况下，通过框状的玻璃层的厚度与树脂粘合剂层的厚度的阶梯差，能够使固化前的树脂粘合剂更不容易扩散。
本发明的电子部件的其它的特定方面，第1密封部件使用氧化铝基板。在该情况下，因为氧化铝基板的表面粗糙，氧化铝基板的表面粗糙度与框状的玻璃层的表面粗糙度之差较大。因此，在使用氧化铝基板时，能够通过设置框状的玻璃层而更有效地抑制固化前的树脂粘合剂的扩散。
本发明的电子部件的制造方法具备：准备原密封部件的工序，其中，该原密封部件能够通过后续工序被切断为多个第1密封部件；在上述原密封部件的主面的局部以框状的方式形成玻璃层的工序；以切断部分包含形成有框状的上述玻璃层的部分的方式来切断上述原密封部件而得到多个上述第1密封部件的工序；在上述切断之前或者上述切断之后，通过上述树脂粘合剂将第2密封部件粘合于上述第1密封部件的主面上由框状的上述玻璃层形成的框内的工序。在本发明的制造方法中，通过在原密封部件的主面的局部以框状的方式形成玻璃层之后切断原密封部件，能够高效地得到在框状的粘合区域的外周线与上述第1密封部件的主面的周边部之间设置有框状的玻璃层的第1密封部件。因此，能够高效地制造本发明的电子部件。
根据本发明的电子部件，由于在第1密封部件的主面上，在上述框状的粘合区域的外周线与上述第1密封部件的主面的周边部之间设置有框状的玻璃层，所以设置有框状的玻璃层的部分的表面粗糙度变小。因此，由于树脂粘合剂的表面张力，树脂粘合剂不容易扩散到第1密封部件的周边部。因此，能够提供固化之前的树脂粘合剂不容易扩散的电子部件。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的电子部件的简图的分解立体图。
图2是图1的线II－II的简图的剖视图。
图3是本发明的一实施方式的电子部件的制造方法所使用的原密封部件的简图的俯视图。
图4是涂覆了树脂粘合剂的玻璃表面的紫外线照片。
图5是涂覆了树脂粘合剂的氧化铝基板表面的紫外线照片。
图6是用扫描式电子显微镜(SEM)拍摄的涂覆了玻璃的氧化铝基板表面的2000倍放大照片。
图7是表示实施例中制成的压电振动装置局部的照片。
图8是表示比较例1中制成的压电振动装置局部的照片。
具体实施方式
以下，通过参照附图，对本发明的具体的实施方式进行说明，从而说明本发明。
图1是本发明的一实施方式的电子部件的简图的分解立体图。图2是图1的线II－II简图的剖视图。
如图1所示，电子部件1具有第1以及第2密封部件10、15。具体而言，在第1密封部件10的主面上，在比第1密封部件10的周边部靠内侧的框状的粘合区域，粘合有第2密封部件15。由此，第1以及第2密封部件10、15形成密封空间15a。
在本实施方式中，第1密封部件10由板状的氧化铝基板构成，第2密封部件15由具有向下方开口的金属帽构成。不过，第1以及第2密封部件10、15的形状只要能够形成密封空间15a，没有特别限定。第1以及第2密封部件10、15例如能够由金属、陶瓷、树脂等形成。另外，也可以将第1密封部件10设为具有向上方开口的形状，将第2密封部件15设为板状。另外，也可以将第1以及第2密封部件10、15设为双方由开口边缘彼此接合的形状。
另外，第1以及第2密封部件10、15也可以兼具形成密封空间15a的功能以外的功能。在本实施方式中，第1密封部件10兼具用于安装后述的电子部件主体20，将电子部件主体20的电极向外部引出的功能。
第1以及第2密封部件10、15在上述框状的粘合区域被树脂粘合剂层13粘合。形成树脂粘合剂层13的树脂粘合剂只要能够粘合第1以及第2密封部件10、15就没有特别限定。树脂粘合剂层13可以使用热固化性树脂，也可以使用光固化性树脂。树脂粘合剂层13例如能够由环氧类、硅系、聚氨酯系或者酰亚胺系的树脂粘合剂等形成。
在树脂粘合剂层13与第2密封部件15之间，配置有框状的绝缘层14。绝缘层14使第1以及第2密封部件10、15绝缘。此外，在本实施方式中，因为第2密封部件15具有导电性，所以优选设置绝缘层14，而在第2密封部件15具有绝缘性的情况下，绝缘层14不是必须的构成部件，也可以不设置。绝缘层14例如能够由环氧类、硅系、聚氨酯系或者酰亚胺系的树脂、或者金属氧化物等形成。
在第1密封部件10的主面上，在粘合有第2密封部件15的上述框状的粘合区域的外周线与第1密封部件10的主面的周边部之间，设置有框状的玻璃层11。优选地，框状的玻璃层11的表面粗糙度小于第1密封部件10的表面粗糙度。玻璃层11例如能够由包含氧化硅、氧化锌的玻璃形成。玻璃层11例如由半结晶质玻璃构成。
优选地，框状的玻璃层11的厚度大于树脂粘合剂层13的厚度。在该情况下，通过框状的玻璃层11的厚度与树脂粘合剂层13的厚度的阶梯差，能够有效地抑制固化前的树脂粘合剂层13的扩散。
在密封空间15a配置有电子部件主体20。在本实施方式中，电子部件主体20被安装于第1密封部件10之上。
在本实施方式中，电子部件主体20由压电振子构成。不过，在本发明中，电子部件主体20没有必要是压电振子。电子部件主体20例如也可以是弹性表面波元件等弹性波元件等。
在本实施方式中，电子部件主体20具备压电基板22和一对电极21、23。具体而言，电极21形成于压电基板22的上表面，电极23以与电极21对置的方式形成于压电基板22的下表面。另外，电极21经由压电基板22的侧面被引出到下表面。从该一对电极21、23能够对压电基板22施加电压。电极21、23能够由合适的导电性材料形成。作为这样的导电性材料，例如能够例举铝、银、铜、金等金属，和含有这些金属中的一种以上的合金等。
在本实施方式中，在第1密封部件10的主面上形成有布线电极10a。布线电极10a与电极21、23连接。电子部件主体20的电极通过布线电极10a被引出至外部。布线电极10a与端子电极10b连接。端子电极10b形成于第1密封部件10的角部的切口内。布线电极10a以及端子电极10b能够由合适的导电性材料形成。作为这样的导电性材料，例如能够例举铝、银、铜、金等金属，和含有这些金属中的一种以上的合金等。
在本实施方式中，布线电极10a与电极21、23被导电性粘合剂层12粘合。
接下来，对本实施方式的电子部件1的制造方法进行说明。
首先，用原密封部件30制成设置有框状的玻璃层11的第1密封部件10。图3是本实施方式中形成有框状的玻璃层11的原密封部件30的简图的俯视图。
具体而言，首先，准备原密封部件30。原密封部件30是能够通过后述的工序被切断为多个上述第1密封部件10的部件。因此，原密封部件30与第1密封部件10由相同的材质构成。在本实施方式中，原密封部件30是由氧化铝基板构成的第1密封部件10的板状的母基板。因此，原密封部件30是由板状的氧化铝构成的。
接下来，在原密封部件30的主面上的局部形成框状的玻璃层11。框状的玻璃层11的形成方法没有特别限定，例如，能够通过印刷之后烧结来形成。
优选地，在形成框状的玻璃层11时，将框状的玻璃层11形成为具备第2密封部件15的外周边围起的区域的面积以上的框内区域。因此，在后述的第1以及第2密封部件10、15粘合时，能够将第2密封部件15直接粘合于第1密封部件10的主面上。为了利用原密封部件30制成多个第1密封部件10，优选将玻璃层在原密封部件30上形成为格子状，以便具备多个上述大小的框内区域。
若框状的玻璃层11的厚度过厚，则在后述的原密封部件30切断时，会产生玻璃的裂纹。因此，框状的玻璃层11优选被形成为厚度在10μm以下。
接下来，切断原密封部件30，制成第1密封部件10。以包含形成有框状的玻璃层11的部分的方式切断原密封部件30。由此，在得到的第1密封部件10的主面上的周边部附近设置有框状的玻璃层11。
原密封部件30的切断方法只要能够切断原密封部件30以及框状的玻璃层11便没有特别限定。例如能够通过切割刀片(dicingblade)来切断原密封部件30。
接下来，准备电子部件主体20。将电子部件主体20安装于第1密封部件10之上。在本实施方式中，通过介由导电性粘合剂层12而与形成于第1密封部件10的主面上的布线电极10a粘合来进行电子部件主体20的安装。另外，电子部件主体20的安装也可以使用焊锡。
接下来，准备第2密封部件15。接下来，介由树脂粘合剂层13和绝缘层14将第2密封部件15粘合在第1密封部件10的主面上的由框状的玻璃层11形成的框内。第1以及第2密封部件10、15的粘合方法只要是通过树脂粘合剂层13的粘合方法就没有特别限定，例如，能够通过热压机来进行。
此外，粘合第1以及第2密封部件10、15时的环境气氛，可以是大气压环境气氛，也可以是减压环境气氛。在上述环境气为减压环境气氛的情况下，能够将密封空间15a设为减压环境气氛。另外，上述环境气氛可以是空气环境气氛，也可以是氮气环境气氛、氩气环境气氛等。
如上述那样，在本实施方式中，在切断原密封部件30之后，粘合第1以及第2密封部件10、15。但是，在本发明的制造方法中，也可以在切断原密封部件30之前，粘合第1以及第2密封部件10、15。在该情况下，在原密封部件30以框状的方式形成玻璃层11之后，安装电子部件主体20，接下来粘合第1以及第2密封部件10、15。之后，切断原密封部件30。
之后，通过使树脂粘合剂层13固化，来制造本实施方式的电子部件1。使树脂粘合剂层13固化的方法，没有特别限定。例如可以通过加热固化，也可以通过自然放置而使树脂粘合剂层13固化。此外，为了抑制固化前的树脂粘合剂的扩散，优选地，在粘合第1以及第2密封部件10、15之后，使树脂粘合剂层13迅速地固化。
在本实施方式的电子部件1中，在第1密封部件10的主面上，在第1密封部件10的周边部与设置有树脂粘合剂层13的框状的粘合区域之间设置有框状的玻璃层11，因此能够提供固化之前的树脂粘合剂不容易扩散到第1密封部件10的周边部的电子部件。以下，参照图4～图6，对上述效果进行说明。
图4是涂覆了树脂粘合剂的玻璃表面的紫外线照片。图5是涂覆了树脂粘合剂的氧化铝基板表面的紫外线照片。在图4以及图5所示的紫外线照片，亮的部分表示存在树脂粘合剂的部分。在图4以及图5的中央涂覆有大致圆形的树脂粘合剂。在上述树脂粘合剂的外侧，产生涂覆的树脂粘合剂的扩散。
如图4所示，在氧化铝基板表面上，涂覆的树脂粘合剂扩散得较大。与此相对的，如图4所示，在玻璃表面上，涂覆的树脂粘合剂的扩散停滞于在涂覆有树脂粘合剂的大致圆形状的附近。即，与氧化铝基板表面上相比，在玻璃表面上，能够大幅地抑制树脂粘合剂的扩散。
图6是用扫描式电子显微镜(SEM)拍摄涂覆了玻璃的氧化铝基板表面的2000倍放大照片。在图6的上半部分能看到的部分是没有涂覆玻璃的氧化铝基板表面。在图6的下半部分能够看到光滑的表面是在氧化铝基板涂覆了玻璃的玻璃表面。这样，通过涂覆玻璃，能够使氧化铝基板表面的表面粗糙度变小。在表面粗糙度较小的玻璃表面上，树脂粘合剂的表面张力变大。因此，与氧化铝基板表面上相比，在涂覆了玻璃的基板表面上，树脂粘合剂由于表面张力而不容易扩散。
以下，通过例举本发明的具体的实施例，来说明本发明。此外，本发明并不限定于以下的实施例。
(实施例)
通过以下的要领制成具有与图1以及图2所示的电子部件1实际相同的结构的压电振动装置。
首先，作为图3所示的原密封部件30，准备了由氧化铝形成的母基板。接下来，通过在母基板的主面上如图3所示那样格子状地涂覆玻璃，形成厚度10～12μm的框状的玻璃层。此时，在母基板的主面上，将后述的金属帽的粘合所需要的面积作为不涂覆玻璃的部分而剩下。
接下来，以包含涂覆了框状的玻璃层的方式切断母基板，制成作为第1密封部件10的氧化铝基板。
接下来，将作为电子部件主体20的压电振子安装于氧化铝基板上。接下来，在氧化铝基板的主面上，在由框状的玻璃层形成的框内，将环氧类树脂粘合剂涂覆为框状，通过热压来粘合由42镍形成的作为第2密封部件15的金属帽。
其后，通过在烤炉中加热来使树脂粘合剂固化，制成压电振动装置。氧化铝基板与金属帽的粘合面的树脂粘合剂的厚度约为10μm。
(比较例1)
除了母基板没有涂覆玻璃之外，与实施例一样，制成压电振动装置。
(比较例2)
除了在母基板的整个面涂覆玻璃，氧化铝基板与金属帽经由玻璃层粘合以外，与实施例一样，制成压电振动装置。
(树脂粘合剂的扩散的评价)
对于由实施例以及比较例1制成的压电振动装置，确认了树脂粘合剂的扩散。图7是表示在实施例中制作的压电振动装置的局部的荧光显微镜照片。图8是表示在比较例1中制作的压电振动装置的局部的荧光显微镜照片。在图7以及图8所示的荧光显微镜照片中，右下方的暗的部分是金属帽。金属帽的周围能看到的亮的部分是从氧化铝基板与金属帽的粘合面扩散的树脂粘合剂。
如从图7以及图8所了解到的那样，与比较例1的压电振动装置相比，在实施例的压电振动装置中，树脂粘合剂的扩散被充分抑制。这是考虑因为形成于氧化铝基板的周边部附近的框状的玻璃层的表面粗糙度小，树脂粘合剂的表面张力有效地移动。另外，因为框状的玻璃层的厚度大于树脂粘合剂的厚度，所以也认为通过框状的玻璃层的厚度与树脂粘合剂层的厚度的阶梯差，而抑制树脂粘合剂的扩散。
(固定强度的评价)
针对通过实施例以及比较例2制成的压电振动装置的金属帽，用球共享测试仪(RHESCA公司制造，焊锡接合强度测试仪，“PTR－1000”)对上述金属帽慢慢施加水平的力。通过测定上述金属帽从氧化铝基板剥离时的力，来测定氧化铝基板与金属帽的固定强度。
上述测定的结果，在比较例2的压电振动装置中，与实施例的压电振动装置相比，上述固定强度低20％。由此，了解到若氧化铝基板与金属帽经由玻璃粘合，则固定强度降低。因此，如根据本发明的实施例的压电振动装置的那样，通过不在氧化铝基板与金属帽的粘合面形成玻璃层，能够维持氧化铝基板与金属帽的固定强度，并且抑制树脂粘合剂的扩散。
附图标记的说明
1…电子部件；10…第1密封部件；10a…布线电极；10b…端子电极；11…玻璃层；12…导电性粘合剂层；13…树脂粘合剂层；14…绝缘层；15…第2密封部件；15a…密封空间；20…电子部件主体；21、23…电极；22…压电基板；30…原密封部件。

Claims (5)

1.一种电子部件的制造方法，所述电子部件具备：第1密封部件，其具有主面；第2密封部件，其粘合于所述第1密封部件的主面，以使与所述第1密封部件的主面一起形成密封空间；树脂粘合剂层，其将所述第1密封部件和所述第2密封部件在所述第1密封部件的主面上的框状的粘合区域粘合；框状的玻璃层，在所述第1密封部件的主面上，所述框状的玻璃层被设置于所述框状的粘合区域的外周线与所述第1密封部件的主面的周边部之间；以及电子部件主体，其配置于所述密封空间内，其中，
所述电子部件的制造方法具备：
准备原密封部件的工序，其中，该原密封部件能够通过后续工序被切断为多个第1密封部件；
在所述原密封部件的主面的局部以框状的方式形成玻璃层的工序；
以切断部分包含形成有框状的所述玻璃层的部分的方式来切断所述原密封部件而得到多个所述第1密封部件的工序；以及
在所述切断之前或者所述切断之后，通过所述树脂粘合剂将第2密封部件粘合于所述第1密封部件的主面上由框状的所述玻璃层形成的框内的工序。
2.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法，其中，
框状的所述玻璃层被设置成与所述框状的粘合区域的外周线接触。
3.根据权利要求1或者2所述的电子部件的制造方法，其中，
框状的所述玻璃层的厚度大于所述树脂粘合剂层的厚度。
4.根据权利要求1或者2所述的电子部件的制造方法，其中，
所述第1密封部件是氧化铝基板。
5.根据权利要求3所述的电子部件的制造方法，其中，
所述第1密封部件是氧化铝基板。
CN201280016428.4A 2011-04-11 2012-02-01 电子部件以及电子部件的制造方法 Active CN103460376B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011087379 2011-04-11
JP2011-087379 2011-04-11
PCT/JP2012/052228 WO2012140936A1 (ja) 2011-04-11 2012-02-01 電子部品及び電子部品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103460376A CN103460376A (zh) 2013-12-18
CN103460376B true CN103460376B (zh) 2016-02-17

Family

ID=47009122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280016428.4A Active CN103460376B (zh) 2011-04-11 2012-02-01 电子部件以及电子部件的制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9735340B2 (zh)
JP (1) JP5704231B2 (zh)
CN (1) CN103460376B (zh)
WO (1) WO2012140936A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6010423B2 (ja) * 2012-10-24 2016-10-19 京セラ株式会社 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
TWI523286B (zh) * 2013-04-22 2016-02-21 Murata Manufacturing Co Crystal Oscillator
US10452869B2 (en) * 2014-05-07 2019-10-22 Infineon Technologies Ag Systems and methods for processing and verifying data using signatures
JP6191787B2 (ja) * 2015-01-08 2017-09-06 株式会社村田製作所 圧電振動部品の製造方法
CN107615652B (zh) 2015-05-27 2020-06-23 株式会社村田制作所 压电振动元件搭载用基板以及压电振子及其制造方法
JP6838547B2 (ja) * 2017-12-07 2021-03-03 株式会社村田製作所 コイル部品およびその製造方法
WO2022269970A1 (ja) * 2021-06-23 2022-12-29 株式会社村田製作所 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0089044B1 (en) * 1982-03-16 1990-02-28 Nec Corporation A semiconductor device having a container sealed with a solder of low melting point

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991013464A1 (en) * 1990-02-26 1991-09-05 Cray Research, Inc. Reduced capacitance chip carrier
JPH06268091A (ja) * 1993-03-17 1994-09-22 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH09246867A (ja) * 1996-03-11 1997-09-19 Fujisawa Electron Kk 表面実装形小型水晶発振器
JPH10154764A (ja) * 1996-11-25 1998-06-09 Sony Corp 固体撮像装置用パッケージのシール方法
JP2003163342A (ja) * 2001-11-29 2003-06-06 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
US6890445B2 (en) * 2001-12-13 2005-05-10 Agere Systems, Inc. Process for packaging electronic devices using thin bonding regions
JP3752462B2 (ja) * 2002-03-27 2006-03-08 京セラ株式会社 電子部品収納用容器
US7294919B2 (en) * 2003-11-26 2007-11-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device having a complaint element pressed between substrates
JP4827593B2 (ja) * 2005-07-19 2011-11-30 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7915527B1 (en) * 2006-08-23 2011-03-29 Rockwell Collins, Inc. Hermetic seal and hermetic connector reinforcement and repair with low temperature glass coatings
JP2008112886A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Epson Toyocom Corp 電子部品収納用パッケージおよびこれを用いた電子デバイス

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0089044B1 (en) * 1982-03-16 1990-02-28 Nec Corporation A semiconductor device having a container sealed with a solder of low melting point

Also Published As

Publication number Publication date
CN103460376A (zh) 2013-12-18
JPWO2012140936A1 (ja) 2014-07-28
JP5704231B2 (ja) 2015-04-22
US20140028155A1 (en) 2014-01-30
WO2012140936A1 (ja) 2012-10-18
US9735340B2 (en) 2017-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103460376B (zh) 电子部件以及电子部件的制造方法
US7268436B2 (en) Electronic device with cavity and a method for producing the same
TWI298913B (zh)
JP2013251323A (ja) 電子部品
JP5997393B2 (ja) 蓋体、パッケージおよび電子装置
JP2005167129A (ja) 電子素子パッケージおよび電子素子パッケージの製造方法
KR20130137616A (ko) 소자 및 소자의 제조 방법
WO2014017110A1 (ja) 配線基板およびパッケージ、ならびに電子装置
US10014189B2 (en) Ceramic package with brazing material near seal member
TWI640161B (zh) 電子裝置及電子裝置的製造方法
CN108370244A (zh) 密封环、电子元件收纳用封装体、电子设备及它们的制造方法
JP2015503851A (ja) 腐食保護されたボンディング接続部を有する電子デバイス、及び、該電子デバイスの製造方法
WO2022131181A1 (ja) 基板、パッケージ、センサ装置、および電子機器
EP4192036A1 (en) Package, microphone device, and electronic apparatus
JP2009200996A (ja) 弾性表面波デバイス
JP4214068B2 (ja) 多層ガラス基板の製造方法
EP2294613A1 (de) Planare elektrische leistungselektronik-module für hochtemperatur-anwendungen und entsprechende herstellungsverfahren
US9166553B2 (en) Surface acoustic wave (SAW) device package and method for fabricating same
JP2012004325A (ja) 電子部品収納用容器および電子装置
JP6629660B2 (ja) セラミックパッケージおよびその製造方法
JP2011029524A (ja) 電子部品収納用パッケージ
JP2019076939A (ja) ろう材、接合構造および半導体パッケージ
JP2006339791A (ja) 圧電デバイスの製造方法
JP2002271164A (ja) 圧電振動子用容器
JP2004228414A (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant