CN103400878A - 一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法和应用 - Google Patents

一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法和应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法和应用，氧化锌纳米铅笔阵列电极是ZnO主干纳米棒顶端生长有ZnO针状尖端；制备方法由ZnO种子层的制备，ZnO纳米棒阵列的制备，ZnO纳米铅笔阵列的制备三步构成。本发明的氧化锌纳米铅笔阵列电极采用液相合成方法，条件温和，操作容易，成本低廉；ZnO纳米铅笔结构能够提高光生电子-空穴对的密度，增大光生电流的强度，在外加电压为1V vs Ag/AgCl时的光电流密度为1.14mA/cm2，比同样尺寸的ZnO纳米棒高出约2倍，提高了材料的光解水效率，使得ZnO纳米铅笔能够作为光电阳极材料，应用于光电化学池光解水制氢领域。

Description

一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及光电化学技术领域，具体的说，是涉及一种纳米棒阵列电极及其制备方法。
背景技术
氢能因其具有高能清洁等优点在化石能源日益枯竭的今日受到了广泛关注；太阳能由于其取之不竭、洁净无污染等优点在能源规划中占据举足轻重的地位。太阳能光电化学池分解水制氢作为一种新型的制氢方法，真正实现了环境无污染且能源合理利用。氧化锌（ZnO）作为一种n型半导体氧化物，具有结构形貌可设计性强和成本低廉等诸多优点，备受关注。然而，ZnO在光照条件下光生电子-空穴复合极快，光电催化活性较低；同时，ZnO的禁带宽度约为3.37eV，带隙较宽，其光吸收范围限制在紫外光区（仅占发生光总能量的5%），因而ZnO作为光电阳极材料，难以高效利用太阳光，其光电效率很低。
近年来，取向良好的一维单晶宽带隙半导体纳米棒阵列或纳米阵列受到越来越多的关注。它的优点是能够为光生电子传输提供直接路径，从而增大电子传输速率。单晶的ZnO纳米棒阵列或纳米线阵列作为光电阳极有很大的优势。目前，人们为了探索和拓展新的ZnO的结构形貌，作了一些尝试和努力。费广涛课题组曾通过阳极电沉积和高温气相沉积的方法成功制备了一维ZnO纳米铅笔阵列结构，但是高温气相沉积工艺复杂，条件苛刻（反应温度为900～1000℃），对设备要求较高，而且制得的ZnO铅笔尺寸较大，ZnO主干纳米棒长约10μm，直径约1μm；ZnO针状尖端直径约100nm，长度约1.5μm，与一般的纳米尺寸的ZnO纳米棒相比，不具备颗粒尺寸小、比表面积大、表面能高的优势，在催化反应中的催化活性较低。
发明内容
本发明要解决的是目前的ZnO光电阳极材料难以高效利用太阳光，光电效率低的技术问题，提供一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法和应用。
为了解决上述技术问题，本发明通过以下的技术方案予以实现：
一种氧化锌纳米铅笔阵列电极，ZnO主干纳米棒顶端生长有ZnO针状尖端，所述ZnO主干纳米棒的直径为80-200nm，长度为1-2.5μm；所述ZnO针状尖端的直径为20-40nm，长度为50-400nm。
优选地，所述ZnO主干纳米棒的直径为100-150nm，长度为1-1.5μm；所述ZnO针状尖端的直径为20-30nm，长度为200-250nm。
一种氧化锌纳米铅笔阵列电极的制备方法，该方法按照以下步骤进行：
(1)ZnO种子层的制备
以FTO导电玻璃为基底；将浓度为5-10mmol/L的二水合醋酸锌的乙醇溶液均匀涂覆在FTO导电玻璃上，在空气气氛下焙烧，制得ZnO种子层；
(2)ZnO纳米棒阵列的制备
以涂有ZnO种子层的FTO导电玻璃为基底；采用锌源前驱体溶液；在温度为85-95℃的条件下，通过液相合成2-5小时制备ZnO纳米棒阵列；洗涤，干燥；
所述锌源前驱体溶液为六水合硝酸锌、六次甲基四胺、去离子水的混合液，其中锌离子与六次甲基四胺的浓度均为40-60mmol/L；
所述液相合成是将涂有ZnO种子层的一面朝下，浸于所述锌源前驱体溶液中且接近液面处进行向下生长的过程；
(3)ZnO纳米铅笔阵列的制备
以ZnO纳米棒阵列为模板；采用锌源与抗坏血酸的混合水溶液；在温度为85-95℃的条件下，液相合成2-8小时制得ZnO纳米铅笔阵列；洗涤，干燥；
所述锌源与抗坏血酸的混合水溶液为六水合硝酸锌、六次甲基四胺、抗坏血酸、去离子水的混合液，其中锌离子与六次甲基四胺的浓度均为3-10mmol/L，抗坏血酸的浓度为0.15～0.375mmol/L；
所述液相合成是将长有ZnO纳米棒阵列的一面朝下，浸于溶液中且接近液面处进行向下生长的过程。
优选地，步骤(1)的涂覆采用滴涂-干燥法，所述滴涂-干燥法是将二水合醋酸锌乙醇溶液均匀的滴涂到FTO导电玻璃上，干燥，以上操作重复5-10次。
优选地，步骤(1)所述的焙烧温度为350℃，焙烧时间为30-60分钟。
优选地，步骤(2)所述的液相合成条件为温度90℃，时间3小时。
优选地，步骤(2)所述的锌源前驱体溶液中锌离子与六次甲基四胺的浓度均为50mmol/L。
优选地，步骤(3)所述的液相合成条件为温度90℃，时间8小时。
优选地，步骤(3)所述的锌源与抗坏血酸的混合水溶液中锌离子与六次甲基四胺的浓度均为5mmol/L，抗坏血酸的浓度为0.1875mmol/L。
一种所述氧化锌纳米铅笔阵列电极的应用，作为光电阳极材料用于光电化学池光解水制氢。
本发明的有益效果是：
本发明的氧化锌纳米铅笔阵列电极以FTO导电玻璃为基底制备了ZnO单一晶相纳米铅笔阵列，采用液相合成方法，条件温和（水浴温度约90℃），操作容易，成本低廉；
一维纳米铅笔阵列结构的ZnO为电子传输提供了有效的路径，有效的抑制了电子-空穴对的复合；ZnO纳米铅笔结构能够提高光生电子-空穴对的密度，增大光生电流的强度，在外加电压为1V vs Ag/AgCl时的光电流密度为1.14mA/cm2，比同样尺寸的ZnO纳米棒高出约2倍（0.47mA/cm2），提高了材料的光解水效率，使得ZnO纳米铅笔能够作为光电阳极材料，应用于光电化学池光解水制氢领域。
附图说明
图1是实施例1中ZnO纳米棒阵列与ZnO纳米铅笔阵列的扫描电镜图；
其中(a)为ZnO纳米棒阵列，(b)为ZnO纳米铅笔阵列的俯视图，(c)为ZnO纳米铅笔阵列的截面图；
图2是实施例1中ZnO纳米铅笔阵列的透射电镜图；
图3是实施例1中ZnO纳米棒阵列与ZnO纳米铅笔阵列作为光电阳极在模拟太阳光下的光电流-电压曲线图。
具体实施方式
下面通过具体的实施例对本发明作进一步的详细描述，以下实施例可以使本专业技术人员更全面的理解本发明，但不以任何方式限制本发明。
实施例1
(1)ZnO种子层的制备
①将FTO导电玻璃先后依次在去离子水、丙酮和乙醇溶液中超声10分钟，经去离子水洗净，吹干备用；
②配制5mmol/L的二水合醋酸锌乙醇溶液：将0.0548g二水合醋酸锌与50ml无水乙醇混合，搅拌至完全溶解，得到5mmol/L的二水合醋酸锌乙醇溶液；
③将二水合醋酸锌乙醇溶液均匀的滴涂到FTO导电玻璃上，然后干燥，以上操作重复10次；
④在350℃条件下将以上基底在空气气氛下焙烧30分钟，得到ZnO的种子层。
(2)ZnO纳米棒阵列的制备
①配制Zn(NO3)2·6H2O和HMTA的混合水溶液A，其中，Zn2+与HMTA的浓度均为50mmol/L；
②将涂有ZnO种子层的FTO导电玻璃置于混合溶液A中，将涂有ZnO种子层的一面朝下，浸于溶液中且接近液面处，在90℃条件下反应3小时制得ZnO纳米棒阵列；
③反应结束后将FTO导电玻璃取出，用去离子水冲洗，干燥。
(3)ZnO纳米铅笔阵列的制备
①配制锌源与抗坏血酸的混合水溶液B，其中，Zn(NO3)2·6H2O和HMTA的浓度为5mmol/L，抗坏血酸的浓度为0.1875mmol/L；
②将长有ZnO纳米棒阵列的FTO导电玻璃置于混合溶液B中，将长有ZnO纳米棒阵列的一面朝下，浸于溶液中且接近液面处，在90℃条件下反应8小时制得ZnO纳米铅笔阵列；
③反应结束后将FTO导电玻璃取出，用去离子水冲洗，干燥。
图1为实施例1中ZnO纳米棒阵列与ZnO纳米铅笔阵列的扫描电镜图。如图1(a)所示，ZnO纳米棒阵列主干的直径为50-100nm；如图1(b)所示，ZnO纳米铅笔主干纳米棒的直径为100-150nm；ZnO纳米铅笔的尖端直径为20-30nm，尖端长度为200-300nm。如图1(c)所示，ZnO纳米铅笔长度为1.5-2μm。
图2为实施例1中ZnO纳米铅笔阵列的透射电镜图。如图2所示，合成的ZnO纳米铅笔阵列为单一晶相的纤锌矿结构，ZnO纳米铅笔针状尖端的长度为200-250nm。
(4)ZnO纳米棒与ZnO纳米铅笔阵列电极用于光电化学池光解水制氢
1、将之前制备的ZnO纳米棒阵列与ZnO纳米铅笔阵列分别作为工作电极，铂片电极作为对电极，银/氯化银电极为参比电极组装成光电化学池，进行光电性质及光解水制氢性能测试。电解液为0.5mol/L的Na2SO4水溶液，工作电极光照面积为1cm2；
2、采用300W的氙灯搭配AM1.5G滤光片获得模拟太阳光，光电化学池工作电极处光强度经辐照计测试后为100mW/cm2。
图3为实施例1中ZnO纳米棒阵列与ZnO纳米铅笔阵列作为光电阳极在模拟太阳光下的光电流-电压曲线。实验结果表明，在0V(与银/氯化银电极对比)偏压下：ZnO纳米棒阵列的光电流密度为7.9μA/cm2；ZnO纳米铅笔阵列的光电流密度为120.4μA/cm2。由此证明，本实施例所制备的ZnO纳米铅笔阵列电极的光电化学性能有了很大的提高，在光电化学池光解水制氢中是一种优良的光电化学材料。
实施例2
(1)ZnO种子层的制备同实施例1。
(2)ZnO纳米棒阵列的制备同实施例1。
(3)ZnO纳米铅笔阵列的制备
①配制锌源与抗坏血酸的混合水溶液B，其中，Zn(NO3)2·6H2O和HMTA的浓度为10mmol/L，抗坏血酸的浓度为0.375mmol/L；
②将长有ZnO纳米棒阵列的FTO导电玻璃置于混合溶液B中，将长有ZnO纳米棒阵列的一面朝下，浸于溶液中且接近液面处，在90℃条件下反应4小时制得ZnO纳米铅笔阵列；
③反应结束后将FTO导电玻璃取出，用去离子水冲洗，干燥。
实验结果表明，ZnO纳米铅笔主干纳米棒的直径为100-150nm，长度为1.5-2μm；ZnO纳米铅笔的尖端直径为20-30nm，尖端长度为300-400nm。
光电化学性能测试表明，在0V(与银/氯化银电极对比)偏压下：本实施例所制备的ZnO纳米铅笔阵列的光电流密度为115.8μA/cm2。由此证明，本实施例所制备的ZnO纳米铅笔阵列电极的光电化学性能有了很大的提高，在光电化学池光解水制氢中是一种优良的光电化学材料。
实施例3
(1)ZnO种子层的制备同实施例1。
(2)ZnO纳米棒阵列的制备
①配制Zn(NO3)2·6H2O和HMTA的混合水溶液A，其中，Zn2+与HMTA的浓度均为40mmol/L；
②将涂有ZnO种子层的FTO导电玻璃置于混合溶液A中，将涂有ZnO种子层的一面朝下，浸于溶液中且接近液面处，在85℃条件下反应2小时制得ZnO纳米棒阵列；
③反应结束后将FTO导电玻璃取出，用去离子水冲洗，干燥。
(3)ZnO纳米铅笔阵列的制备
①配制锌源与抗坏血酸的混合水溶液B，其中，Zn(NO3)2·6H2O和HMTA的浓度为5mmol/L，抗坏血酸的浓度为0.1875mmol/L；
②将长有ZnO纳米棒阵列的FTO导电玻璃置于混合溶液B中，将长有ZnO纳米棒阵列的一面朝下，浸于溶液中且接近液面处，在90℃条件下反应8小时制得ZnO纳米铅笔阵列；
③反应结束后将FTO导电玻璃取出，用去离子水冲洗，干燥。
实验结果表明，ZnO纳米铅笔主干纳米棒的直径为80-100nm，长度为1-1.5μm；ZnO纳米铅笔的尖端直径为20-30nm，尖端长度为100-150nm。
光电化学性能测试表明，在0V(与银/氯化银电极对比)偏压下：本实施例所制备的ZnO纳米铅笔阵列的光电流密度为87.8μA/cm2。由此证明，本实施例所制备的ZnO纳米铅笔阵列电极的光电化学性能有了很大的提高，在光电化学池光解水制氢中是一种优良的光电化学材料。
实施例4
(1)ZnO种子层的制备
①将FTO导电玻璃先后依次在去离子水、丙酮和乙醇溶液中超声10分钟，经去离子水洗净，吹干备用；
②配制10mmol/L的二水合醋酸锌乙醇溶液：将0.1096g二水合醋酸锌与50ml无水乙醇混合，搅拌至完全溶解，得到10mmol/L的二水合醋酸锌乙醇溶液；
③将二水合醋酸锌乙醇溶液均匀的滴涂到FTO导电玻璃上，然后干燥，以上操作重复5次；
④在350℃条件下将以上基底在空气气氛下焙烧60分钟，得到ZnO的种子层。
(2)ZnO纳米棒阵列的制备
①配制Zn(NO3)2·6H2O和HMTA的混合水溶液A，其中，Zn2+与HMTA的浓度均为50mmol/L；
②将涂有ZnO种子层的FTO导电玻璃置于混合溶液A中，将涂有ZnO种子层的一面朝下，浸于溶液中且接近液面处，在95℃条件下反应3小时制得ZnO纳米棒阵列；
③反应结束后将FTO导电玻璃取出，用去离子水冲洗，干燥。
(3)ZnO纳米铅笔阵列的制备
①配制锌源与抗坏血酸的混合水溶液B，其中，Zn(NO3)2·6H2O和HMTA的浓度为3mmol/L，抗坏血酸的浓度为0.15mmol/L；
②将长有ZnO纳米棒阵列的FTO导电玻璃置于混合溶液B中，将长有ZnO纳米棒阵列的一面朝下，浸于溶液中且接近液面处，在95℃条件下反应8小时制得ZnO纳米铅笔阵列；
③反应结束后将FTO导电玻璃取出，用去离子水冲洗，干燥。
实验结果表明，ZnO纳米铅笔主干纳米棒的直径为100-150nm，长度为1.5-2μm；ZnO纳米铅笔的尖端直径为20-30nm，尖端长度为150-200nm。
光电化学性能测试表明，在0V(与银/氯化银电极对比)偏压下：本实施例所制备的ZnO纳米铅笔阵列的光电流密度为105.6μA/cm2。由此证明，本实施例所制备的ZnO纳米铅笔阵列电极的光电化学性能有了很大的提高，在光电化学池光解水制氢中是一种优良的光电化学材料。
实施例5
(1)ZnO种子层的制备
①将FTO导电玻璃先后依次在去离子水、丙酮和乙醇溶液中超声10分钟，经去离子水洗净，吹干备用；
②配制7.5mmol/L的二水合醋酸锌乙醇溶液：将0.0822g二水合醋酸锌与50ml无水乙醇混合，搅拌至完全溶解，得到7.5mmol/L的二水合醋酸锌乙醇溶液；
③将二水合醋酸锌乙醇溶液均匀的滴涂到FTO导电玻璃上，然后干燥，以上操作重复8次；
④在350℃条件下将以上基底在空气气氛下焙烧45分钟，得到ZnO的种子层。
(2)ZnO纳米棒阵列的制备
①配制Zn(NO3)2·6H2O和HMTA的混合水溶液A，其中，Zn2+与HMTA的浓度均为60mmol/L；
②将涂有ZnO种子层的FTO导电玻璃置于混合溶液A中，将涂有ZnO种子层的一面朝下，浸于溶液中且接近液面处，在90℃条件下反应3小时制得ZnO纳米棒阵列；
③反应结束后将FTO导电玻璃取出，用去离子水冲洗，干燥。
(3)ZnO纳米铅笔阵列的制备
①配制锌源与抗坏血酸的混合水溶液B，其中，Zn(NO3)2·6H2O和HMTA的浓度为7.5mmol/L，抗坏血酸的浓度为0.28125mmol/L；
②将长有ZnO纳米棒阵列的FTO导电玻璃置于混合溶液B中，将长有ZnO纳米棒阵列的一面朝下，浸于溶液中且接近液面处，在90℃条件下反应6小时制得ZnO纳米铅笔阵列；
③反应结束后将FTO导电玻璃取出，用去离子水冲洗，干燥。
实验结果表明，ZnO纳米铅笔主干纳米棒的直径为150-200nm，长度为1.5-2μm；ZnO纳米铅笔的尖端直径为30-40nm，尖端长度为120-150nm。
光电化学性能测试表明，在0V(与银/氯化银电极对比)偏压下：本实施例所制备的ZnO纳米铅笔阵列的光电流密度为99.5μA/cm2。由此证明，本实施例所制备的ZnO纳米铅笔阵列电极的光电化学性能有了很大的提高，在光电化学池光解水制氢中是一种优良的光电化学材料。
实施例6
(1)ZnO种子层的制备同实施例1。
(2)ZnO纳米棒阵列的制备同实施例1。
(3)ZnO纳米铅笔阵列的制备
①配制锌源与抗坏血酸的混合水溶液B，其中，Zn(NO3)2·6H2O和HMTA的浓度为5mmol/L，抗坏血酸的浓度为0.1875mmol/L；
②将长有ZnO纳米棒阵列的FTO导电玻璃置于混合溶液B中，将长有ZnO纳米棒阵列的一面朝下，浸于溶液中且接近液面处，在95℃条件下反应6小时制得ZnO纳米铅笔阵列；
③反应结束后将FTO导电玻璃取出，用去离子水冲洗，干燥。
实验结果表明，ZnO纳米铅笔主干纳米棒的直径为150-200nm，长度为1.5-2μm；ZnO纳米铅笔的尖端直径为30-40nm，尖端长度为150-200nm。
光电化学性能测试表明，在0V(与银/氯化银电极对比)偏压下：本实施例所制备的ZnO纳米铅笔阵列的光电流密度为109.7μA/cm2。由此证明，本实施例所制备的ZnO纳米铅笔阵列电极的光电化学性能有了很大的提高，在光电化学池光解水制氢中是一种优良的光电化学材料。
实施例7
(1)ZnO种子层的制备同实施例1。
(2)ZnO纳米棒阵列的制备
①配制Zn(NO3)2·6H2O和HMTA的混合水溶液A，其中，Zn2+与HMTA的浓度均为40mmol/L；
②将涂有ZnO种子层的FTO导电玻璃置于混合溶液A中，将涂有ZnO种子层的一面朝下，浸于溶液中且接近液面处，在85℃条件下反应5小时制得ZnO纳米棒阵列；
③反应结束后将FTO导电玻璃取出，用去离子水冲洗，干燥。
(3)ZnO纳米铅笔阵列的制备
①配制锌源与抗坏血酸的混合水溶液B，其中，Zn(NO3)2·6H2O和HMTA的浓度为10mmol/L，抗坏血酸的浓度为0.375mmol/L；
②将长有ZnO纳米棒阵列的FTO导电玻璃置于混合溶液B中，将长有ZnO纳米棒阵列的一面朝下，浸于溶液中且接近液面处，在85℃条件下反应2小时制得ZnO纳米铅笔阵列；
③反应结束后将FTO导电玻璃取出，用去离子水冲洗，干燥。
实验结果表明，ZnO纳米铅笔主干纳米棒的直径为100-150nm，长度为2-2.5μm；ZnO纳米铅笔的尖端直径为20-30nm，尖端长度为50-100nm。
光电化学性能测试表明，在0V(与银/氯化银电极对比)偏压下：本实施例所制备的ZnO纳米铅笔阵列的光电流密度为74.5μA/cm2。由此证明，本实施例所制备的ZnO纳米铅笔阵列电极的光电化学性能有了很大的提高，在光电化学池光解水制氢中是一种优良的光电化学材料。

Claims (10)

1.一种氧化锌纳米铅笔阵列电极，其特征在于，ZnO主干纳米棒顶端生长有ZnO针状尖端，所述ZnO主干纳米棒的直径为80-200nm，长度为1-2.5μm；所述ZnO针状尖端的直径为20-40nm，长度为50-400nm。
2.根据权利要求1所述的一种氧化锌纳米铅笔阵列电极，其特征在于，所述ZnO主干纳米棒的直径为100-150nm，长度为1.5-2μm；所述ZnO针状尖端的直径为20-30nm，长度为200-300nm。
3.一种如权利要求1所述氧化锌纳米铅笔阵列电极的制备方法，其特征在于，该方法按照以下步骤进行：
(1)ZnO种子层的制备
以FTO导电玻璃为基底；将浓度为5-10mmol/L的二水合醋酸锌的乙醇溶液均匀涂覆在FTO导电玻璃上，在空气气氛下焙烧，制得ZnO种子层；
(2)ZnO纳米棒阵列的制备
以涂有ZnO种子层的FTO导电玻璃为基底；采用锌源前驱体溶液；在温度为85-95℃的条件下，通过液相合成2-5小时制备ZnO纳米棒阵列；洗涤，干燥；
所述锌源前驱体溶液为六水合硝酸锌、六次甲基四胺、去离子水的混合液，其中锌离子与六次甲基四胺的浓度均为40-60mmol/L；
所述液相合成是将涂有ZnO种子层的一面朝下，浸于所述锌源前驱体溶液中且接近液面处进行向下生长的过程；
(3)ZnO纳米铅笔阵列的制备
以ZnO纳米棒阵列为模板；采用锌源与抗坏血酸的混合水溶液；在温度为85-95℃的条件下，液相合成2-8小时制得ZnO纳米铅笔阵列；洗涤，干燥；
所述锌源与抗坏血酸的混合水溶液为六水合硝酸锌、六次甲基四胺、抗坏血酸、去离子水的混合液，其中锌离子与六次甲基四胺的浓度均为3-10mmol/L，抗坏血酸的浓度为0.15～0.375mmol/L；
所述液相合成是将长有ZnO纳米棒阵列的一面朝下，浸于溶液中且接近液面处进行向下生长的过程。
4.根据权利要求2所述的氧化锌纳米铅笔阵列电极的制备方法，其特征在于，步骤(1)的涂覆采用滴涂-干燥法，所述滴涂-干燥法是将二水合醋酸锌乙醇溶液均匀的滴涂到FTO导电玻璃上，干燥，以上操作重复5-10次。
5.根据权利要求2所述的氧化锌纳米铅笔阵列电极的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的焙烧温度为350℃，焙烧时间为30-60分钟。
6.根据权利要求2所述的氧化锌纳米铅笔阵列电极的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的液相合成条件为温度90℃，时间3小时。
7.根据权利要求6所述的氧化锌纳米铅笔阵列电极的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的锌源前驱体溶液中锌离子与六次甲基四胺的浓度均为50mmol/L。
8.根据权利要求2所述的氧化锌纳米铅笔阵列电极的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述的液相合成条件为温度90℃，时间8小时。
9.根据权利要求2所述的氧化锌纳米铅笔阵列电极的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述的锌源与抗坏血酸的混合水溶液中锌离子与六次甲基四胺的浓度均为5mmol/L，抗坏血酸的浓度为0.1875mmol/L。
10.一种如权利要求1所述氧化锌纳米铅笔阵列电极的应用，其特征在于，作为光电阳极材料用于光电化学池光解水制氢。
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