CN105568313A - 3d分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法 - Google Patents

3d分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105568313A
CN105568313A CN201510919533.4A CN201510919533A CN105568313A CN 105568313 A CN105568313 A CN 105568313A CN 201510919533 A CN201510919533 A CN 201510919533A CN 105568313 A CN105568313 A CN 105568313A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cuo
sample
semiconductor nano
preparation
pole material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510919533.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105568313B (zh
Inventor
李亮
田维
武芳丽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou University
Original Assignee
Suzhou University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou University filed Critical Suzhou University
Priority to CN201510919533.4A priority Critical patent/CN105568313B/zh
Publication of CN105568313A publication Critical patent/CN105568313A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105568313B publication Critical patent/CN105568313B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
    • C25B11/02—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by shape or form
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
    • C25B1/01—Products
    • C25B1/02—Hydrogen or oxygen
    • C25B1/04—Hydrogen or oxygen by electrolysis of water
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
    • C25B11/04—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30—Hydrogen technology
    • Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis

Abstract

本发明公开了一种3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法，该异质结光电极材料由氧化铜(CuO)与氧化锌(ZnO)复合而成，该异质结光电极材料呈三维立体分枝状结构，该制备方法为在氧化铜纳米棒上合成氧化锌分枝状纳米棒，形成一个树枝状纳米结构，制备出3D分枝状半导体纳米异质结光阴极，这种电极，可以有效增加对太阳光的吸收，加速电子空穴对的有效分离，从而减少它们的复合并促进电荷的传输，优化传统单一半导体电极光电化转换效率，提高光解水效率，此外，所用材料具有环境友好，价格低廉的优点，具有很好的应用前景。

Description

3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种光电化学电池电极材料及其制备方法，尤其涉及一种3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法。
背景技术
人类发展到现在，化石燃料的枯竭已是众所周知的问题，而相应的各种用来改善这种危机的方法已受到了大家的广泛关注，太阳能作为一种取之不尽，用之不竭的能源，是解决这一问题的有力资源，与之相对应的太阳能电池就是将太阳能转化为化学能的一种器件，但是这一器件所面临的最大的不足之处就是它只有在有太阳的时候才可以工作，才可以为人类创造可以利用的能量，这一不可避免的缺陷显然会限制大家对它的大规模应用，将所产生的化学能储存起来做成燃料无疑是解决这一问题最有效也最可行的办法。而基于这种想法，氢能以其清洁且可再生的优点成为一种理想的储存能量的载体。
通过太阳能将水分解得到氢气是目前研究所发现的有效且较为普遍的途径，这种方式将利用太阳能和储存清洁能源这两个想法有效结合起来，在解决能源枯竭这一问题上有着里程碑的意义。
对这项有着极大应用前景的研究方向的探索和创新已经非常多，作为光解水电极材料需要具备以下几个条件：(1)可吸收大部分可见光；(2)在暗态和光照下均有较好的稳定性；(3)可以进行氧化/还原反应的合适的能带位置；(4)良好的载流子传输性能；(5)进行氧化还原反应的较低的过电势；(6)低成本。
其中就提高光吸收方面，已有很多种方式，如通过掺杂来改变材料的带隙结构，染料敏化或量子点敏化等，其中将窄带隙材料与其他半导体材料有效结合从而增加单一材料的光吸收是一种行之有效且广泛使用的途径；其次，就改善载流子传输方面，目前已有的可进行的手段有构建异质结、共催化剂修饰和等离子效应等，其中异质结可以利用其内建电场抑制电子空穴对的复合，加速载流子的分离。
综上所述，利用3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料来进行太阳能分解水制氢是一种有依据有可行性的方式，尽管迄今为止光解水的能量转换效率还不是很高，但全球众多科学家们正在试图通过不断努力，期待着找到新的突破口，研制和开发出具有高效率的光解水催化剂，使这“太阳氢”工程真正能服务于人类。
有鉴于上述的内容，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法，使其更具有产业上的利用价值。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种制备简单，能够提高光解水效率的3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法。
本发明提出的一种3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料，其特征在于：该异质结光电极材料由氧化铜(CuO)与氧化锌(ZnO)复合而成，该异质结光电极材料呈三维立体分枝状结构。
本发明提出的一种3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤(1)合成CuO纳米棒阵列；
步骤(1.1)将导电基底分别在酒精、丙酮和去离子水里各超声清洗15分钟；
步骤(1.2)将一水合醋酸铜均匀溶解于酒精中，形成种子层溶液；
步骤(1.3)用1mL移液枪量取步骤(1.2)配制的种子层溶液并用匀胶机在导电基底上均匀旋涂多次，随后将旋涂好的样品在400℃下烧结2小时；
步骤(1.4)配制由六亚甲基四胺和三水合硝酸铜均匀混合的水溶液；
步骤(1.5)量取10mL该水溶液放置于20mL体积的聚四氟乙烯内衬的高压釜中，把处理过的导电基底导电面朝下，以一定角度置于该高压釜内衬中，将高压釜加热至80℃并保持6小时，反应结束后待高压釜冷却至室温即取出样品；
步骤(1.6)将样品分别在去离子水和酒精里洗涮，并于空气中80℃下烘干，最后在管式炉中于450℃下退火烧结1小时，得到所需的CuO纳米棒阵列样品；
步骤(2)制备CuO/b-ZnO复合样品；
步骤(2.1)把步骤(1)中制得的CuO纳米棒样品放入200℃的ALD(原子层沉积系统)反应腔体中，以二乙基锌和水分别作为锌源和氧源，在CuO纳米棒样品上沉积ZnO，沉积结束后在管式炉中于450℃下退火1小时；
步骤(2.2)配制由六亚甲基四胺(HMTA)和六水合硝酸锌均匀混合的水溶液，取出200mL该水溶液放置于烧杯中；
步骤(2.3)将沉积了ALD氧化锌层的导电基底样品垂直固定在载玻片上，将此载玻片保持导电基底导电面朝下放入步骤(2.2)的烧杯中，随后将烧杯放入90℃的水浴锅中反应，反应结束后，取下样品，将样品分别在去离子水和酒精里洗涮，并于空气中80℃下烘干，即得到树枝状纳米异质结结构的半导体(CuO/b-ZnO)样品，即为D分枝状半导体纳米异质结光电极。
作为本发明方法的进一步改进，步骤(1.1)所述的导电基底为FTO(氟掺杂氧化锡)导电玻璃。
作为本发明方法的进一步改进，步骤(1.2)中所述的种子层溶液中一水合乙酸铜的摩尔浓度为10mmol/L。
作为本发明方法的进一步改进，步骤(1.4)中所述的反应溶液中六亚甲基四胺和三水合硝酸铜的摩尔浓度均为0.025mol/L。
作为本发明方法的进一步改进，步骤(2.1)中所述的ZnO沉积在CuO纳米棒样品上的厚度为5-10nm。
作为本发明方法的进一步改进，步骤(2.2)中所述的反应溶液中六亚甲基四胺(HMTA)和六水合硝酸锌的摩尔浓度均为10mmol/L。
作为本发明方法的进一步改进，步骤(2.3)中所述的水浴反应的时间为35-75分钟。
借由上述方案，本发明至少具有以下优点：一、本发明中涉及到的方法是极为简单且低成本的水热及水浴生长方法；二、p型半导体材料CuO和n型材料ZnO结合形成的异质结有效提升了载流子的传输速率，有效减少了未进行电化学反应的载流子的复合；三、窄带隙材料CuO与宽带隙材料ZnO的完美结合，在拓宽了电极材料吸收光谱的同时也因为ZnO良好的导电性而改善了电极材料的导电特性；四、三维分枝状纳米半导体异质结大大提升了两种半导体材料复合形成材料的比表面积，提升了材料的吸光能力的同时也增加了电极与电解液的接触面积，为电化学反应快速有效进行提供了可能。基于此，可以得出结论三维CuO/b-ZnO电极材料可有效提升光解水的效率。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1为本发明3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料的SEM(扫描电子显微镜)图；
图2为本发明3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料在不同电压下的光分解水的特性曲线图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
实施例一：
将FTO(氟掺杂氧化锡)导电基底分别在酒精、丙酮和去离子水里各超声清洗15分钟。将0.1245g一水合醋酸铜均匀溶解于62.5mL酒精中，制成种子层溶液。用1mL移液枪量取配制好的种子层溶液并用匀胶机在导电基底上均匀旋涂多次，随后将旋涂好的样品在400℃下烧结2小时。配制由25mmol/L亚甲基四胺和25mmol/L三水合硝酸铜均匀混合的水溶液，量取10mL该水溶液放置于20mL体积的聚四氟乙烯内衬的高压釜中，把处理过的导电基底导电面朝下，以一定角度置于该高压釜内衬中,将高压釜加热至80℃并保持6小时，反应结束后待高压釜冷却至室温即取出样品，将样品分别在去离子水和酒精里洗涮，并于空气中80℃烘干，最后在管式炉中于450℃下退火烧结1小时，得到所需的CuO纳米棒阵列样品。把制得的CuO纳米棒样品放入200℃的ALD(原子层沉积系统)反应腔体中，以二乙基锌和水分别作为锌源和氧源，在CuO纳米棒样品上沉积5nmZnO，沉积结束后在管式炉中于450℃下退火1小时。配制由10mmol/L六亚甲基四胺(HMTA)和10mmol/L六水合硝酸锌均匀混合的水溶液，将沉积了ALD氧化锌层的导电基底样品垂直固定在载玻片上，将此载玻片保持导电基底导电面朝下放入有200ml配制溶液的烧杯中，随后将烧杯放入90℃的水浴锅中反应35分钟，反应结束后，取下样品，将样品分别在去离子水和酒精里洗涮，并于空气中80℃烘干，即得到CuO/b-ZnO异质结样品。通过这种电极组装的光电化学电池在-0.45V(vsAg/AgCl)的电压下，光电流达到了-0.82mA/cm2，光暗电流差值达到了0.54mA/cm2。
实施例二：
将FTO(氟掺杂氧化锡)导电基底分别在酒精、丙酮和去离子水里各超声清洗15分钟。将0.1245g一水合醋酸铜均匀溶解于62.5mL酒精中，制成种子层溶液。用1mL移液枪量取配制好的种子层溶液并用匀胶机在导电基底上均匀旋涂多次，随后将旋涂好的样品在400℃烧结2小时。配制由25mmol/L六亚甲基四胺和25mmol/L三水合硝酸铜均匀混合的水溶液，量取10mL该水溶液放置于20mL体积的聚四氟乙烯内衬的高压釜中，把处理过的导电基底导电面朝下，以一定角度置于该高压釜内衬中，将高压釜加热至80℃并保持6小时，反应结束后待高压釜冷却至室温即取出样品，将样品分别在去离子水和酒精里洗涮，并于空气中80℃烘干，最后在管式炉中于450℃下退火烧结1小时，得到所需的CuO纳米棒阵列样品。把制得的CuO纳米棒样品放入200℃的ALD(原子层沉积系统)反应腔体中，以二乙基锌和水分别作为锌源和氧源，在CuO纳米棒样品上沉积5nmZnO，沉积结束后在管式炉中于450℃下退火1小时。配制由10mmol/L六亚甲基四胺(HMTA)和10mmol/L六水合硝酸锌均匀混合的水溶液，将沉积了ALD氧化锌层的导电基底样品垂直固定在载玻片上，将此载玻片保持导电基底导电面朝下放入有200mL配制溶液的烧杯中，随后将烧杯放入90℃的水浴锅中反应55分钟，反应结束后，取下样品，将样品分别在去离子水和酒精里洗涮，并于空气中80℃烘干，即得到CuO/b-ZnO异质结样品。通过这种电极组装的光电化学电池在-0.45V(vsAg/AgCl)的电压下，光电流达到了-1mA/cm2，光暗电流差值达到了0.87mA/cm2。
实施例三：
将FTO(氟掺杂氧化锡)导电基底分别在酒精、丙酮和去离子水里各超声清洗15分钟。将0.1245g一水合醋酸铜均匀溶解于62.5mL酒精中，制成种子层溶液。用1mL移液枪量取配制好的种子层溶液并用匀胶机在导电基底上均匀旋涂多次,随后将旋涂好的样品在400℃烧结2小时。配制由25mmol/L六亚甲基四胺和25mmol/L三水合硝酸铜均匀混合的水溶液，量取10mL该水溶液放置于20mL体积的聚四氟乙烯内衬的高压釜中，把处理过的导电基底导电面朝下，以一定角度置于该高压釜内衬中，将高压釜加热至80℃并保持6小时，反应结束后待高压釜冷却至室温即取出样品，将样品分别在去离子水和酒精里洗涮，并于空气中80℃烘干，最后在管式炉中于450℃下退火烧结1小时，得到所需的CuO纳米棒阵列样品。把制得的CuO纳米棒样品放入200℃的ALD(原子层沉积系统)反应腔体中，以二乙基锌和水分别作为锌源和氧源，在CuO纳米棒样品上沉积10nmZnO，沉积结束后在管式炉中于450℃下退火1小时。配制由10mmol/L六亚甲基四胺(HMTA)和10mmol/L六水合硝酸锌均匀混合的水溶液，将沉积了ALD氧化锌层的导电基底样品垂直固定在载玻片上，将此载玻片保持导电基底导电面朝下放入有200mL配制溶液的烧杯中，随后将烧杯放入90℃的水浴锅中反应55分钟，反应结束后，取下样品，将样品分别在去离子水和酒精里洗涮，并于空气中80℃烘干，即得到CuO/b-ZnO异质结样品。通过这种电极组装的光电化学电池在-0.45V(vsAg/AgCl)的电压下，电流达到了-0.38mA/cm2，光暗电流差值达到了0.28mA/cm2。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料，其特征在于：该异质结光电极材料由氧化铜(CuO)与氧化锌(ZnO)复合而成，该异质结光电极材料呈三维立体分枝状结构。
2.一种3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤(1)合成CuO纳米棒阵列；
步骤(1.1)将导电基底分别在酒精、丙酮和去离子水里各超声清洗15分钟；
步骤(1.2)将一水合醋酸铜均匀溶解于酒精中，形成种子层溶液；
步骤(1.3)用1mL移液枪量取步骤(1.2)配制的种子层溶液并用匀胶机在导电基底上均匀旋涂多次，随后将旋涂好的样品在400℃下烧结2小时；
步骤(1.4)配制由六亚甲基四胺和三水合硝酸铜均匀混合的水溶液；
步骤(1.5)量取10mL该水溶液放置于20mL体积的聚四氟乙烯内衬的高压釜中，把处理过的导电基底导电面朝下，以一定角度置于该高压釜内衬中，将高压釜加热至80℃并保持6小时，反应结束后待高压釜冷却至室温即取出样品；
步骤(1.6)将样品分别在去离子水和酒精里洗涮，并于空气中80℃下烘干，最后在管式炉中于450℃下退火烧结1小时，得到所需的CuO纳米棒阵列样品；
步骤(2)制备CuO/b-ZnO复合样品；
步骤(2.1)把步骤(1)中制得的CuO纳米棒样品放入200℃的ALD(原子层沉积系统)反应腔体中，以二乙基锌和水分别作为锌源和氧源，在CuO纳米棒样品上沉积ZnO，沉积结束后在管式炉中于450℃下退火1小时；
步骤(2.2)配制由六亚甲基四胺(HMTA)和六水合硝酸锌均匀混合的水溶液，取出200mL该水溶液放置于烧杯中；
步骤(2.3)将沉积了ALD氧化锌层的导电基底样品垂直固定在载玻片上，将此载玻片保持导电基底导电面朝下放入步骤(2.2)的烧杯中，随后将烧杯放入90℃的水浴锅中反应，反应结束后，取下样品，将样品分别在去离子水和酒精里洗涮，并于空气中80℃下烘干，即得到树枝状纳米异质结结构的半导体(CuO/b-ZnO)样品，即为D分枝状半导体纳米异质结光电极。
3.根据权利要求2所述的3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料的制备方法，其特征在于：步骤(1.1)所述的导电基底为FTO(氟掺杂氧化锡)导电玻璃。
4.根据权利要求2所述的3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料的制备方法，其特征在于：步骤(1.2)中所述的种子层溶液中一水合乙酸铜的摩尔浓度为10mmol/L。
5.根据权利要求2所述的3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料的制备方法，其特征在于：步骤(1.4)中所述的反应溶液中六亚甲基四胺和三水合硝酸铜的摩尔浓度均为0.025mol/L。
6.根据权利要求2所述的3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料的制备方法，其特征在于：步骤(2.1)中所述的ZnO沉积在CuO纳米棒样品上的厚度为5-10nm。
7.根据权利要求2所述的3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料的制备方法，其特征在于：步骤(2.2)中所述的反应溶液中六亚甲基四胺(HMTA)和六水合硝酸锌的摩尔浓度均为10mmol/L。
8.根据权利要求2所述的3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料的制备方法，其特征在于：步骤(2.3)中所述的水浴反应的时间为35-75分钟。
CN201510919533.4A 2015-12-11 2015-12-11 3d分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法 Active CN105568313B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510919533.4A CN105568313B (zh) 2015-12-11 2015-12-11 3d分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510919533.4A CN105568313B (zh) 2015-12-11 2015-12-11 3d分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105568313A true CN105568313A (zh) 2016-05-11
CN105568313B CN105568313B (zh) 2018-06-12

Family

ID=55878919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510919533.4A Active CN105568313B (zh) 2015-12-11 2015-12-11 3d分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105568313B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106946222A (zh) * 2017-02-27 2017-07-14 西北师范大学 一种FTO/CuO纳米线及其制备方法和应用
CN108267488A (zh) * 2017-12-21 2018-07-10 南京邮电大学 一种基于氧化铜/氧化锌异质结构的透明气体传感器及其制备方法
CN108389727A (zh) * 2018-03-16 2018-08-10 苏州大学 半导体复合异质结光电极及其制备方法
CN109012677A (zh) * 2018-08-09 2018-12-18 扬州大学 CuFeO2/ZnO三维纳米p-n异质结材料的制备方法
CN111755256A (zh) * 2020-07-14 2020-10-09 湖州师范学院 一种三维ZnO/CuO纳米异质分级结构光电极及其制备方法
CN113209975A (zh) * 2021-05-13 2021-08-06 合肥工业大学 一种P/N异质结ZnO@CuO/Cu2O纳米复合材料的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102268706A (zh) * 2011-07-04 2011-12-07 济南大学 制备ZnO/Cu2O异质结材料及ZnO/Cu2O三维结构异质结太阳电池的方法
CN103882494A (zh) * 2014-03-12 2014-06-25 浙江大学 一种Cu2O/ZnO异质结材料的制备方法
CN104607193A (zh) * 2015-01-23 2015-05-13 上海应用技术学院 一种棒状CuO-ZnO复合氧化物催化剂的制备方法
CN105088266A (zh) * 2015-07-31 2015-11-25 苏州大学 通过在半导体材料上复合共催化剂制备光电化学电池纳米结构光电极的方法
CN105140597A (zh) * 2015-07-30 2015-12-09 苏州大学 通过半导体纳米材料复合制备光电化学电池异质结光电极的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102268706A (zh) * 2011-07-04 2011-12-07 济南大学 制备ZnO/Cu2O异质结材料及ZnO/Cu2O三维结构异质结太阳电池的方法
CN103882494A (zh) * 2014-03-12 2014-06-25 浙江大学 一种Cu2O/ZnO异质结材料的制备方法
CN104607193A (zh) * 2015-01-23 2015-05-13 上海应用技术学院 一种棒状CuO-ZnO复合氧化物催化剂的制备方法
CN105140597A (zh) * 2015-07-30 2015-12-09 苏州大学 通过半导体纳米材料复合制备光电化学电池异质结光电极的方法
CN105088266A (zh) * 2015-07-31 2015-11-25 苏州大学 通过在半导体材料上复合共催化剂制备光电化学电池纳米结构光电极的方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ALIREZA KARGAR, ET AL.: ""ZnO/CuO Heterojunction Branched Nanowires for Photoelectrochemical Hydrogen Generation"", 《ACS NANO》 *
FANGLI WU,ET AL.: ""Enhancing photoelectrochemical activity with three-dimensional p-CuO/n-ZnO junction photocathodes"", 《SCIENCE CHINA MATERIALS》 *
陈峰等: ""氧化铜/氧化锌/3A分子筛光催化剂的制备及其可见光脱氮性能"", 《应用化学》 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106946222A (zh) * 2017-02-27 2017-07-14 西北师范大学 一种FTO/CuO纳米线及其制备方法和应用
CN106946222B (zh) * 2017-02-27 2019-07-26 西北师范大学 一种FTO/CuO纳米线及其制备方法和应用
CN108267488A (zh) * 2017-12-21 2018-07-10 南京邮电大学 一种基于氧化铜/氧化锌异质结构的透明气体传感器及其制备方法
CN108267488B (zh) * 2017-12-21 2020-08-11 南京邮电大学 基于氧化铜/氧化锌异质结构的气体传感器及其制备方法
CN108389727A (zh) * 2018-03-16 2018-08-10 苏州大学 半导体复合异质结光电极及其制备方法
CN109012677A (zh) * 2018-08-09 2018-12-18 扬州大学 CuFeO2/ZnO三维纳米p-n异质结材料的制备方法
CN109012677B (zh) * 2018-08-09 2021-06-04 扬州大学 CuFeO2/ZnO三维纳米p-n异质结材料的制备方法
CN111755256A (zh) * 2020-07-14 2020-10-09 湖州师范学院 一种三维ZnO/CuO纳米异质分级结构光电极及其制备方法
CN111755256B (zh) * 2020-07-14 2022-03-29 湖州师范学院 一种三维ZnO/CuO纳米异质分级结构光电极的制备方法
CN113209975A (zh) * 2021-05-13 2021-08-06 合肥工业大学 一种P/N异质结ZnO@CuO/Cu2O纳米复合材料的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105568313B (zh) 2018-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105568313A (zh) 3d分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法
Qi et al. Electrochemical synthesis of CdS/ZnO nanotube arrays with excellent photoelectrochemical properties
CN104362412B (zh) 一种ZnO/g-C3N4纳米复合材料及其制备方法
CN102231450B (zh) 一种基于p型硅光阴极的自偏压光电化学电池及制备方法
CN109267096B (zh) 高效稳定的硅基光解水制氢电极及其制备方法和应用
CN107790131B (zh) 一种Zr-Fe2O3/FeOOH复合光电极及其制备方法
CN102220615B (zh) 制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法
CN103400878B (zh) 一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法和应用
CN105039938B (zh) 一种单源前驱体制备α-三氧化二铁薄膜的光电极的方法
CN107130256B (zh) 硼掺杂氮化碳修饰二氧化钛复合光电极及其制备方法、应用
CN105140597A (zh) 通过半导体纳米材料复合制备光电化学电池异质结光电极的方法
CN103779102B (zh) 低温原位构建BiOI/Bi2S3异质结薄膜及柔性光电化学太阳能电池器件
CN104009123B (zh) 可见光响应的自偏压光电催化分解水产氢并发电的体系
CN108842168B (zh) 一种两步电化学法制备g-C3N4/MMO复合薄膜光电极
CN109252179A (zh) 一种用于光解水的双吸收层光阳极及制备方法
CN104310794A (zh) 三维纳米棒花结构的多孔TiO2纳米晶薄膜、制备方法及应用
CN101853973A (zh) 一种用于太阳能制氢的纳米结构光电化学电池及制备方法
CN102610394A (zh) 一种过渡金属掺杂式α-Fe2O3纳米棒阵列的制备方法
CN105568309A (zh) 一种光电化学电池的光电极的制备方法
Li et al. Enhanced photovoltaic performance of solar cell based on front-side illuminated CdSe/CdS double-sensitized TiO 2 nanotube arrays electrode
CN111482150B (zh) 一种可见光响应的全铜基串联光电催化装置及其制备方法
CN105470393A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池电解水制氢集成器件及其制备方法
CN105040062A (zh) Cu2O纳米粒子敏化TiO2纳米管阵列光电极的方法
CN108179455A (zh) 一种Cu2O纳米颗粒/TiO2纳米管阵列复合异质结薄膜的制备方法
CN108597879B (zh) 一种TiO2纳米线/NiO纳米片/卟啉复合材料的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant