CN103345093B - 像素单元、阵列基板及其制造、修复方法和显示装置 - Google Patents

像素单元、阵列基板及其制造、修复方法和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种像素单元、阵列基板及其制造、修复方法和显示装置，涉及显示领域，解决了现有薄膜晶体管损坏的修复局限于阵列工序，阵列工序后的薄膜晶体管损坏无法修复的问题，同时还可减少因备用薄膜晶体管导致的电容，保证了产品性能，提高了产品修复率和产品良率。所述像素单元包括：像素电极、数据线和薄膜晶体管，还包括：备用薄膜晶体管，其源极与数据线隔离，其漏极与像素电极隔离；第一修复线，其一端与备用薄膜晶体管的源极隔离并存在重叠区域；另一端与数据线或者薄膜晶体管的源极隔离并存在重叠区域；第二修复线，其一端与备用薄膜晶体管的漏极隔离并存在重叠区域；另一端与像素电极或者薄膜晶体管的漏极隔离并存在重叠区域。

Description

像素单元、阵列基板及其制造、修复方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种像素单元、阵列基板及其制造、修复方法和显示装置。
背景技术
薄膜场效应晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)，主要由阵列基板和彩膜基板对位贴合后灌入液晶形成，阵列基板上设置薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)，彩膜基板上设置彩色滤光片，通过TFT控制加载到每个像素上的信号与电压改变，来控制液晶分子的转动方向，从而控制每个像素点偏振光出射与否而达到显示目的。
在制造阵列基板过程，受工艺条件的限制往往会出现各种不良如TFT损坏不能正常工作等，为提高成品率，阵列基板上一般需同时形成备用TFT，在TFT不能正常工作时，通过后期修复使备用TFT成为工作TFT，控制加载到像素上的信号与电压改变。
一种现有的可修复阵列基板如图1所示，工作TFT和备用TFT形成在同一栅金属层21上，后期修复时，需要利用CVD方法沉积金属层形成第一连接桥12和第二连接桥13，通过激光打孔使备用TFT的源极33与数据线31相连，备用TFT的漏极32与像素电极11相连，但显然，这种设计使得修复局限于阵列工序(array阶段)，阵列工序后的TFT损坏将无法修复，而且修复工艺复杂，实施时间较长。
发明内容
本发明的实施例提供一种像素单元、阵列基板及其制造、修复方法和显示装置，解决了现有薄膜晶体管损坏的修复局限于阵列工序，阵列工序后的薄膜晶体管损坏无法修复的问题，同时还可减少因备用薄膜晶体管导致的电容，保证了产品性能，提高了产品修复率和产品良率。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一种像素单元，包括：像素电极、数据线和薄膜晶体管，还包括：
设置在所述薄膜晶体管的旁边，用于在所述薄膜晶体管损坏时替代所述薄膜晶体管工作的备用薄膜晶体管，所述备用薄膜晶体管的源极与所述数据线隔离，所述备用薄膜晶体管的漏极与所述像素电极隔离；
第一修复线，其一端与所述备用薄膜晶体管的源极隔离并存在重叠区域；
另一端与所述数据线或者所述薄膜晶体管的源极隔离并存在重叠区域；
第二修复线，其一端与所述备用薄膜晶体管的漏极隔离并存在重叠区域；
另一端与所述像素电极或者所述薄膜晶体管的漏极隔离并存在重叠区域。
优选地，所述第一修复线和/或所述第二修复线，与所述薄膜晶体管的栅极同层设置。
可选地，所述第一修复线和/或所述第二修复线，与所述像素电极同层设置。
可选地，所述像素单元，还包括：公共电极，
所述第一修复线和/或所述第二修复线，与所述公共电极同层设置。
进一步地，所述的像素单元，还包括：栅线；
所述薄膜晶体管、所述备用薄膜晶体管位于所述栅线和所述数据线的交叉区域，且，
所述薄膜晶体管和备用薄膜晶体管设置在同一所述栅线上。
优选地，所述备用薄膜晶体管的栅极，与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；
所述备用薄膜晶体管的半导体层，与所述薄膜晶体管的半导体层同层设置；
所述备用薄膜晶体管的源极和漏极，与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置。
本发明还提供一种阵列基板，包括多个像素单元，所述像素单元包括：像素电极、数据线和用于将数据线的显示信号加载到像素电极上的薄膜晶体管，还包括：
设置在所述薄膜晶体管的旁边，用于在所述薄膜晶体管损坏时替代所述薄膜晶体管工作的备用薄膜晶体管，所述备用薄膜晶体管的源极与所述数据线隔离，所述备用薄膜晶体管的漏极与所述像素电极隔离；
第一修复线，其一端与所述备用薄膜晶体管的源极隔离并存在重叠区域；
另一端与数据线或者所述薄膜晶体管的源极隔离并存在重叠区域；
第二修复线，其一端与所述备用薄膜晶体管的漏极隔离并存在重叠区域；
另一端与像素电极或者所述薄膜晶体管的漏极隔离并存在重叠区域。
优选地，所述第一修复线和/或所述第二修复线，与所述薄膜晶体管的栅极同层设置。
可选地，所述第一修复线和/或所述第二修复线，与所述像素电极同层设置。
可选地，所述像素单元还包括：公共电极，
所述第一修复线和/或所述第二修复线，与所述公共电极同层设置。
进一步地，所述的阵列基板上的所述像素单元还包括：栅线；
所述薄膜晶体管、所述备用薄膜晶体管和所述透明像素电极位于所述栅线和所述数据线的交叉区域，且，
所述薄膜晶体管和备用薄膜晶体管设置在同一所述栅线上。
本发明还提供一种显示装置，包括：任一项所述的阵列基板。
另一方面，本发明还提供一种阵列基板的制造方法，包括：
在基板上形成栅金属层，采用构图工艺形成栅线、薄膜晶体管的栅极、备用薄膜晶体管的栅极、第一修复线和第二修复线；
在形成有栅线、栅极、第一修复线和第二修复线的基板上形成栅绝缘层、半导体层和源漏金属层，采用构图工艺形成薄膜晶体管、备用薄膜晶体管和数据线，且，所述数据线或者所述薄膜晶体管的源极与所述第一修复线的一端隔离并存在重叠区域，所述像素电极或者所述薄膜晶体管的漏极与所述第二修复线的一端隔离并存在重叠区域，
所述备用薄膜晶体管的源极与所述第一修复线的另一端隔离并存在重叠区域，所述备用薄膜晶体管的漏极与所述第二修复线的另一端隔离并存在重叠区域；
在形成有薄膜晶体管、备用薄膜晶体管和数据线的基板上形成钝化层及钝化层过孔；
在形成有钝化层的基板上形成透明导电层，采用构图工艺形成像素电极。
本发明还提供一种阵列基板的修复方法，用于在薄膜晶体管损坏时进行修复，所述修复方法包括：
进行激光切割，使损坏的薄膜晶体管的源极与数据线断开，损坏的薄膜晶体管的漏极与像素电极断开；
对第一修复线与备用薄膜晶体管的源极的重叠区域，第一修复线与数据线或者薄膜晶体管的源极的重叠区域，以及第二修复线与备用薄膜晶体管的漏极的重叠区域，第二修复线与像素电极或者薄膜晶体管的漏极的重叠区域，进行激光熔接，使备用薄膜晶体管的源极与数据线连接，备用薄膜晶体管的漏极与像素电极连接。
进一步地，对于在阵列基板与对合基板对盒后检测出的薄膜晶体管损坏，所述激光切割及所述激光熔接从所述阵列基板的非对合面的一侧进行。
本发明提供的像素单元、阵列基板及其制造、修复方法和显示装置，设置一个孤立的备用TFT，在TFT损坏不能正常工作时，采用激光切割使损坏的TFT停止工作，然后再采用激光熔接法使备用TFT的源极与数据线连接，漏极与像素电极连接，从而使备用薄膜晶体管替代损坏的薄膜晶体管进行工作。本发明所述修复方法并不局限于阵列工序，对于在阵列基板与对合基板对盒后检测出的薄膜晶体管损坏，可从阵列基板的非对合面的一侧进行激光切割及激光熔接，提高了产品修复率和产品良率，而且，备用薄膜晶体管在修复前是孤立的，并不处于工作状态，且修复后损坏的薄膜晶体管也与数据线及像素电极断开，避免因设置备用薄膜晶体管产生额外电容影响产品的显示性能。
附图说明
图1为一种现有阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例一提供的一种像素单元的结构示意图；
图3为本发明实施例一提供的另一种像素单元的结构示意图；
图4为本发明实施例二提供的阵列基板的结构示意图；
图5为本发明实施例三提供的对盒前阵列基板薄膜晶体管损的修复方法示意图一；
图6为本发明实施例三提供的对盒后阵列基板薄膜晶体管的修复方法示意图二；
图7为本发明实施例四提供的阵列基板制造方法流程图；
图8(a)～图8(d)为实施例四提供的阵列基板制造过程示意图；
图9为图8(d)中沿A-B方向的剖面结构示意图。
附图标记
11-像素电极，12-第一连接桥，13-第二连接桥，21-栅金属层，
31-数据线，32-备用薄膜晶体管的漏极，33-备用薄膜晶体管的源极，
22-薄膜晶体管的漏极，23-薄膜晶体管的源极，20-薄膜晶体管，
30-备用薄膜晶体管，41-栅线，42-第二修复线，43-第一修复线
40-基板，44-栅绝缘层，45-半导体层，46-源漏金属层，47-钝化层，
50-钝化层过孔。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例提供的像素单元、阵列基板、显示装置及阵列基板的制造、修复方法进行详细描述。
实施例一
本发明实施例提供一种像素单元，如图2所示，所述像素单元包括：像素电极11、数据线31和用于将数据线31的显示信号加载到像素电极11上的薄膜晶体管20，还包括：
设置在薄膜晶体管20的旁边，用于在薄膜晶体管20损坏时替代薄膜晶体管20工作的备用薄膜晶体管30，备用薄膜晶体管30的源极33与数据线31隔离，备用薄膜晶体管30的漏极32与像素电极11隔离；
第一修复线43，其一端与备用薄膜晶体管30的源极33隔离并存在重叠区域；另一端与薄膜晶体管20的源极23(或者数据线31)隔离并存在重叠区域；
第二修复线42，其一端与备用薄膜晶体管30的漏极32隔离并存在重叠区域；另一端与薄膜晶体管20的漏极22(或者像素电极11)隔离并存在重叠区域。
在修复前，本实施例中的备用薄膜晶体管30保持孤立，即备用薄膜晶体管30的源极33与数据线31隔离，漏极32与像素电极11隔离，修复前的备用薄膜晶体管30并不处于工作状态；修复后，损坏的薄膜晶体管也是孤立的，也不处于工作状态，因此备用薄膜晶体管30的存在并不会影响产品的显示性能。
优选地，如图2中所示，像素单元还包括：栅线41；薄膜晶体管20、备用薄膜晶体管30位于栅线41和数据线31的交叉区域，且，薄膜晶体管20和备用薄膜晶体管30设置在同一栅线41上，薄膜晶体管20和备用薄膜晶体管30的栅极均为栅线41。
第一修复线43和第二修复线42与栅线41平行，第一修复线43的两端分别与薄膜晶体管20的源极23、备用薄膜晶体管30的源极33隔离并存在重叠区域，第二修复线42的两端分别与薄膜晶体管20的漏极22、备用薄膜晶体管30的漏极32隔离并存在重叠区域，其中，“隔离存在重叠区域”，指二者设置在不同膜层，且存在交叉重叠区域，“隔离”，指二者并不存在接触，当然也不存在电连接。如果在该交叉重叠区域采用激光熔接方法，即可将二者进行电连接。
优选地，第一修复线43和第二修复线42与薄膜晶体管20的栅极同层设置，栅金属层除形成栅线、薄膜晶体管20的栅极和备用薄膜晶体管30的栅极外，还形成第一修复线43和第二修复线42。第一修复线43和第二修复线42可与栅线41平行设置，且第一修复线43的一端隔着栅绝缘层设置在薄膜晶体管的源极23的下方(或上方)，另一端隔着栅绝缘层设置在备用薄膜晶体管的源极33的下方(或上方)；第二修复线42的一端隔着栅绝缘层设置在薄膜晶体管的漏极22的下方(或上方)，另一端隔着栅绝缘层设置在备用薄膜晶体管的漏极32的下方(或上方)。
当然，也可如图3所示，第一修复线43的一端隔着栅绝缘层设置在数据线31的下方(或上方)，另一端隔着栅绝缘层设置在备用薄膜晶体管的源极33的下方(或上方)。第二修复线43的一端还可隔着栅绝缘层设置在像素电极11的下方(或上方)，另一端隔着栅绝缘层设置在备用薄膜晶体管的漏极32的下方(或上方)。
此外，在具体实施中，第一修复线43和/或第二修复线42还可设置成透明导电层，即第一修复线43和/或第二修复线42还可与像素电极11或公共电极同层设置，只不过设计时，第一修复线43和第二修复线42的线宽要考虑到透明导电层与金属膜层(第一修复线43和第二修复线42设置在栅金属层时)的电阻率存在差异，避免修复后因电阻差异影响显示效果。
其中，优选地，备用薄膜晶体管30的栅极，与薄膜晶体管20的栅极同层设置；备用薄膜晶体管30的半导体层，与薄膜晶体管20的半导体层同层设置；备用薄膜晶体管30的源极和漏极，与薄膜晶体管20的源极和漏极同层设置。这样，在制备时，备用薄膜晶体管30可与薄膜晶体管20同步形成。
其中，薄膜晶体管20和备用薄膜晶体管30可以是底栅结构，也可以是顶栅结构，但优选地采用图2所示的底栅结构，便于从阵列基板的背面(非对盒面一侧)进行修复。
本发明提供的像素单元，设置一个孤立的备用TFT，在TFT损坏不能正常工作时，采用激光切割使损坏的TFT停止工作，采用激光熔接法使备用TFT的源极与数据线连接，漏极与像素电极连接，从而使备用薄膜晶体管替代损坏的薄膜晶体管进行工作。对于在阵列基板与对合基板对盒后检测出的薄膜晶体管损坏，可从阵列基板的非对合面的一侧进行激光切割及激光熔接，并不局限于阵列工序，提高了产品修复率和产品良率，而且，备用薄膜晶体管在修复前是孤立的，并不处于工作状态，修复后损坏的薄膜晶体管也是孤立的，也不处于工作状态，因此，可避免因设置备用薄膜晶体管产生额外电容，保证了产品的显示性能。
实施例二
本发明还提供一种阵列基板，如图4所示，同时参照图2，该阵列基板包括多个像素单元，以左上第一个像素单元为例，像素单元包括：像素电极11、数据线31和用于将数据线31的显示信号加载到像素电极11上的薄膜晶体管20，还包括：设置在薄膜晶体管20的旁边，用于在薄膜晶体管20损坏时替代薄膜晶体管20工作的备用薄膜晶体管30，备用薄膜晶体管30的源极33与数据线31隔离，备用薄膜晶体管30的漏极32与像素电极11隔离；第一修复线43，其一端与备用薄膜晶体管30的源极33隔离并存在重叠区域；另一端与薄膜晶体管20的源极23(或者数据线31)隔离并存在重叠区域；第二修复线42，其一端与备用薄膜晶体管30的漏极32隔离并存在重叠区域；另一端与薄膜晶体管20的漏极22(或者像素电极11)隔离并存在重叠区域。
优选地，第一修复线43和/或第二修复线42，与薄膜晶体管20的栅极同层设置。当然，次选地，第一修复线43和/或第二修复线42也可与像素电极11或者公共电极同层设置。
进一步地，阵列基板上的像素单元还包括：栅线41；薄膜晶体管20、备用薄膜晶体管30位于栅线41和数据线31的交叉区域，且，薄膜晶体管20和备用薄膜晶体管30设置在同一栅线41上，薄膜晶体管20和备用薄膜晶体管30的栅极均为栅线41。
其中，优选地，备用薄膜晶体管30的栅极与薄膜晶体管20的栅极同层设置；备用薄膜晶体管30的半导体层与薄膜晶体管20的半导体层同层设置；备用薄膜晶体管30的源极和漏极，与薄膜晶体管20的源极和漏极同层设置。这样，在制备时，备用薄膜晶体管30可与薄膜晶体管20同步形成。
其中，薄膜晶体管20和备用薄膜晶体管30可以是底栅结构，也可以是顶栅结构，但优选地采用图2所示的底栅结构，便于从阵列基板的背面(非对盒面一侧)进行修复。
本发明提供的阵列基板，每个像素单元设置一个孤立的备用TFT，在TFT损坏不能正常工作时，通过修复备用TFT的源极与数据线连接，漏极与像素电极连接，从而使备用薄膜晶体管替代损坏的薄膜晶体管进行工作。对于在阵列基板与对合基板对盒后检测出的薄膜晶体管损坏，可从阵列基板的非对合面的一侧进行激光切割及激光熔接，并不局限于阵列工序，提高了产品修复率和产品良率，而且，修复前备用薄膜晶体管是孤立的，薄膜晶体管损坏后，经过修复，使备用薄膜晶体管处于工作状态，同时使损坏的薄膜晶体管断开停止工作，因此，可避免因设置备用薄膜晶体管产生额外电容，保证了产品的显示性能。
本发明实施例还提供一种显示装置，其包括上述任意一种阵列基板。所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
另一方面，针对本发明实施例提供的阵列基板，本发明还提供一种阵列基板的修复方法，用于在薄膜晶体管损坏进行修复，该修复方法包括：
步骤一、沿图5和图6中虚线所示的切割标示A1和A2进行激光切割，使损坏的薄膜晶体管20的源极23与数据线31断开，损坏的薄膜晶体管的漏极22与像素电极11断开，损坏的薄膜晶体管20停止工作。
步骤二、对第一修复线43与备用薄膜晶体管的源极33的重叠区域，第一修复线43与薄膜晶体管的源极23(或者数据线31)的重叠区域，以及第二修复线42与备用薄膜晶体管的漏极32的重叠区域，第二修复线42与薄膜晶体管的漏极32(或者像素电极11)的重叠区域，进行激光熔接，具体见图5所示的熔接标示B4、B3、B2、B1。在熔接标示B4、B3、B2、B1所示的地方进行激光熔接，使备用薄膜晶体管的源极33与数据线31连接，备用薄膜晶体管的漏极32与像素电极11连接。备用薄膜晶体管30替换已损坏的薄膜晶体管20进行工作，数据线的显示信号通过备用薄膜晶体管30加载到像素电极。
需要说明的是，对于在阵列基板与对合基板对盒后检测出薄膜晶体管损坏，修复时需从阵列基板的对合面的一侧进行激光切割及激光熔接，具体如图6所示，透过基板(一般为透明玻璃基板)沿切割标示A1和A2进行激光切割，对熔接标示B4、B3、B2、B1所示位置透过基板进行激光熔接，从而使备用薄膜晶体管替换损坏的薄膜晶体管进行工作。
对于阵列基板与对合基板对盒前检测出的薄膜晶体管损坏，则可以从阵列基板的对合面的一侧进行激光切割及激光熔接，如图5所示；也可以如图6所示从阵列基板的非对合面的一侧进行激光切割及激光熔接。
本发明提供的阵列基板及其修复方法，修复过程并不局限于阵列工序，提高了产品修复率和产品良率，而且，修复前备用薄膜晶体管是孤立的，薄膜晶体管损坏后，经过修复，使备用薄膜晶体管处于工作状态，同时使损坏的薄膜晶体管断开停止工作，因此，可避免因设置备用薄膜晶体管产生额外电容，保证了产品的显示性能。
实施例三
本发明还提供一种阵列基板的制造方法，如图7所示，该方法包括：
101、在基板上形成栅金属层，采用构图工艺形成栅线、薄膜晶体管的栅极、备用薄膜晶体管的栅极、第一修复线和第二修复线。
优选地，薄膜晶体管和备用薄膜晶体管可设置在同一栅线上时，薄膜晶体管的栅极和备用薄膜晶体管的栅极即该栅线，此时步骤101形成的栅金属层形成栅线41和第一修复线43和第二修复线42的图案，具体如图8(a)所示。
102、如图8(b)所示，在形成有栅线41、栅极、第一修复线43和第二修复线42的基板上形成栅绝缘层、半导体层和源漏金属层，采用构图工艺形成薄膜晶体管20、备用薄膜晶体管30和数据线31，且，薄膜晶体管的源极23(或者数据线31)与第一修复线43的一端隔离并存在重叠区域，薄膜晶体管的漏极22(或者像素电极)与第二修复线42的一端隔离并存在重叠区域，备用薄膜晶体管的源极33与第一修复线43的另一端隔离并存在重叠区域，备用薄膜晶体管的漏极32与第二修复线43的另一端隔离并存在重叠区域；
本步骤主要包括：栅绝缘层、半导体层和源漏金属层的沉积；以及数据线、TFT(薄膜晶体管20和备用薄膜晶体管30)的源漏极及TFT的沟道刻蚀。
103、如图8(c)所示，在形成有薄膜晶体管20、备用薄膜晶体管30和数据线31的基板上形成透明的钝化层(图中未示出)及钝化层过孔50，钝化层过孔50用于连接薄膜晶体管20的漏极22与后续形成的像素电极。
104、在形成有钝化层的基板上形成透明导电层，采用构图工艺形成像素电极11，形成的阵列基板如图8(d)所示。
本实施例中第一修复线43(沿虚线AB)的剖面结构如图9所示，自下而上依次为基板40，设置在基板40上的栅金属层(形成图中的第一修复线43，以及薄膜晶体管的和备用薄膜晶体管的栅极)、栅绝缘层44、半导体层45、源漏金属层46(形成图中的薄膜晶体管的源极23及备用薄膜晶体管的源极33)和钝化层47，其中，第一修复线43的两端隔着栅绝缘层44和半导体层45分别与薄膜晶体管的源极23及备用薄膜晶体管的源极33相重叠，在重叠处(对应图6中的熔接标示B4、B3)进行激光熔接，此处的激光熔接可已从基板40的背面(即阵列基板非对盒面一侧，对应图9中基板40的下表面一侧)进行，也可以从顶部(阵列基板对盒面一侧，对应图9的顶部)，使薄膜晶体管的源极23与下方的第一修复线43的左侧端电连接，备用薄膜晶体管的源极33与下方的第一修复线43的右侧端电连接。第二修复线42处的剖面结构及第二修复线42两端的修复熔接相类似，对此不再赘述。
其中，步骤102进行TFT沟道刻蚀时，图9中栅金属层与源漏金属层之间的半导体层也可一起同步刻蚀去除，此外，本实施例只需保证第一修复线43的两端与薄膜晶体管的源极23(或数据线31)及备用薄膜晶体管的源极33隔离且重叠，第二修复线42的两端与薄膜晶体管的漏极22(或像素电极11)及备用薄膜晶体管的漏极32隔离且重叠，图9中栅金属层与源漏金属层之间是否存在其它膜层，本实施例对此不做限定。
本发明提供的阵列基板的制造方法，设置一个孤立的备用TFT，在TFT损坏不能正常工作时，采用激光切割使使损坏的TFT停止工作，采用激光熔接法使备用TFT的源极与数据线连接，漏极与像素电极连接，从而使备用薄膜晶体管替代损坏的薄膜晶体管进行工作。对于在阵列基板与对合基板对盒后检测出的薄膜晶体管损坏，则可从阵列基板的非对合面的一侧进行所述激光切割及激光熔接，并不局限于阵列工序，提高了产品修复率和产品良率，而且，备用薄膜晶体管在修复前是孤立的，并不处于工作状态，因此，可避免因设置备用薄膜晶体管产生额外电容，保证产品性能。
需要注意的是，本发明实施例所述的技术特征，在不冲突的情况下，可任意相互组合使用。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种像素单元，包括：像素电极、数据线和薄膜晶体管，其特征在于，还包括：
设置在所述薄膜晶体管的旁边，用于在所述薄膜晶体管损坏时替代所述薄膜晶体管工作的备用薄膜晶体管，所述备用薄膜晶体管的源极与所述数据线隔离，所述备用薄膜晶体管的漏极与所述像素电极隔离；
第一修复线，其一端与所述备用薄膜晶体管的源极隔离并存在重叠区域；另一端与所述数据线或者所述薄膜晶体管的源极隔离并存在重叠区域；
第二修复线，其一端与所述备用薄膜晶体管的漏极隔离并存在重叠区域；另一端与所述像素电极或者所述薄膜晶体管的漏极隔离并存在重叠区域；
其中，所述备用薄膜晶体管的栅极，与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；
所述备用薄膜晶体管的半导体层，与所述薄膜晶体管的半导体层同层设置；
所述备用薄膜晶体管的源极、漏极，与所述薄膜晶体管的源极、漏极同层设置。
2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述第一修复线和/或所述第二修复线，与所述薄膜晶体管的栅极同层设置。
3.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述第一修复线和/或所述第二修复线，与所述像素电极同层设置。
4.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，还包括：公共电极，
所述第一修复线和/或所述第二修复线，与所述公共电极同层设置。
5.根据权利要求1-4任一项所述的像素单元，其特征在于，还包括：栅线；
所述薄膜晶体管、所述备用薄膜晶体管位于所述栅线和所述数据线的交叉区域，且，
所述薄膜晶体管和备用薄膜晶体管设置在同一所述栅线上。
6.一种阵列基板，包括多个像素单元，所述像素单元包括：像素电极、数据线和用于将数据线的显示信号加载到像素电极上的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：
设置在所述薄膜晶体管的旁边，用于在所述薄膜晶体管损坏时替代所述薄膜晶体管工作的备用薄膜晶体管，所述备用薄膜晶体管的源极与所述数据线隔离，所述备用薄膜晶体管的漏极与所述像素电极隔离；
第一修复线，其一端与所述备用薄膜晶体管的源极隔离并存在重叠区域；另一端与数据线或者所述薄膜晶体管的源极隔离并存在重叠区域；
第二修复线，其一端与所述备用薄膜晶体管的漏极隔离并存在重叠区域；另一端与像素电极或者所述薄膜晶体管的漏极隔离并存在重叠区域；
其中，所述备用薄膜晶体管的栅极，与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；
所述备用薄膜晶体管的半导体层，与所述薄膜晶体管的半导体层同层设置；
所述备用薄膜晶体管的源极、漏极，与所述薄膜晶体管的源极、漏极同层设置。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一修复线和/或所述第二修复线，与所述薄膜晶体管的栅极同层设置。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一修复线和/或所述第二修复线，与所述像素电极同层设置。
9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括：公共电极，
所述第一修复线和/或所述第二修复线，与所述公共电极同层设置。
10.根据权利要求6-9任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括：栅线；
所述薄膜晶体管、所述备用薄膜晶体管位于所述栅线和所述数据线的交叉区域，且，
所述薄膜晶体管和备用薄膜晶体管设置在同一所述栅线上。
11.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求6-10任一项所述的阵列基板。
12.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成栅金属层，采用构图工艺形成栅线、薄膜晶体管的栅极、备用薄膜晶体管的栅极、第一修复线和第二修复线；
在形成有栅线、栅极、第一修复线和第二修复线的基板上形成栅绝缘层、半导体层和源漏金属层，采用构图工艺形成薄膜晶体管、备用薄膜晶体管和数据线，且，所述数据线或者所述薄膜晶体管的源极与所述第一修复线的一端隔离并存在重叠区域，像素电极或者所述薄膜晶体管的漏极与所述第二修复线的一端隔离并存在重叠区域，
所述备用薄膜晶体管的源极与所述第一修复线的另一端隔离并存在重叠区域，所述备用薄膜晶体管的漏极与所述第二修复线的另一端隔离并存在重叠区域；
在形成有薄膜晶体管、备用薄膜晶体管和数据线的基板上形成钝化层及钝化层过孔；
在形成有钝化层的基板上形成透明导电层，采用构图工艺形成像素电极。
13.一种阵列基板的修复方法，用于在薄膜晶体管损坏时进行修复，其特征在于，所述修复方法包括：
进行激光切割，使损坏的薄膜晶体管的源极与数据线断开，损坏的薄膜晶体管的漏极与像素电极断开；
对第一修复线与备用薄膜晶体管的源极的重叠区域，第一修复线与数据线或者薄膜晶体管的源极的重叠区域，以及第二修复线与备用薄膜晶体管的漏极的重叠区域，以及，第二修复线与像素电极或者薄膜晶体管的漏极的重叠区域，进行激光熔接，使备用薄膜晶体管的源极与数据线连接，备用薄膜晶体管的漏极与像素电极连接；
其中，对于在阵列基板与对合基板对盒后检测出的薄膜晶体管损坏，所述激光切割及所述激光熔接从所述阵列基板的非对合面的一侧进行。
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