CN103311151A - 半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种半导体器件的制造方法以及半导体器件的制造装置。根据实施方式的半导体器件的制造方法，包括：把隔着支撑衬底地贴附了保护带的半导体衬底以上述保护带为下侧地载置到载置了以粘接面为上侧的剥离带的工作台上的工序；在将上述半导体衬底以上述保护带为下侧地载置到上述剥离带的粘接面上的状态下，进行减压而把上述剥离带贴附到上述保护带上的工序；在把上述剥离带贴附到上述保护带上的状态下，朝上述工作台的下侧牵引上述剥离带，剥离上述保护带的工序；以及支撑因上述牵引而从上述保护带露出了的上述支撑衬底面的工序。
Description
技术领域
本实施方式涉及半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置。
背景技术
在半导体衬底(以下，称为晶片）上形成纵长型半导体器件时，进行晶片背面的研削、研磨等，减薄晶片。然后，对该减薄了的晶片背面进行各种工艺处理(例如，形成背面电极）。
在减薄晶片的工艺中，在晶片表面侧贴附表面保护带(以下，称为BSG带）之后，进行晶片背面的研削、研磨等，减薄晶片。需要在晶片减薄后剥离该BSG带。
以往，在该剥离时，以晶片的背面为下侧地载置到吸附工作台上，在贴附在晶片表面上的BSG带上压接剥离带，通过从晶片表面一体地除去BSG带和剥离带，把BSG带剥离。
但是，在现有的剥离方法中，由于以晶片背面为下侧地载置到吸附工作台上，所以有在晶片背面附着微粒(灰尘）或污染物(例如，有机物、金属）、因机械的接触对晶片造成损伤等的可能。
在晶片背面上附着微粒时，有通过溅射法形成的背面电极剥离、或在光刻工序中在涂敷或曝光光刻胶时发生异常的可能。而且，在离子注入工序中，在注入杂质离子时有微粒成为离子的遮蔽物(阻挡材料），产生未注入杂质离子的区域的可能。
另外，在污染物附着在晶片上时，在扩散工序(例如，热扩散、激光退火）中，有半导体器件的沟道的传导类型反转、或载流子寿命在额定值以外的可能。而且，因机械的接触对晶片造成了损伤时，有在晶片上产生破裂和缺口，不能对晶片背面进行工艺处理的可能。
发明内容
需要无须接触晶片背面就可以剥离贴附的保护带的方法。
根据实施方式的半导体器件的制造方法，包括：把隔着支撑衬底地贴附了保护带的半导体衬底以上述保护带为下侧地载置到载置了以粘接面为上侧的剥离带的工作台上的工序；在将上述半导体衬底以上述保护带为下侧地载置到上述剥离带的粘接面上的状态下，进行减压而把上述剥离带贴附到上述保护带上的工序；在把上述剥离带贴附到上述保护带上的状态下，朝上述工作台的下侧牵引上述剥离带，剥离上述保护带的工序；以及支撑因上述牵引而从上述保护带露出了的上述支撑衬底面的工序。
根据另一实施方式的半导体器件的制造方法，包括：把贴附了保护带的半导体衬底以上述保护带为下侧地载置到载置了以粘接面为上侧的剥离带的工作台上的工序；把上述剥离带贴附到上述保护带上的工序；在把上述剥离带贴附到上述保护带上的状态下，朝上述工作台的下侧牵引上述剥离带，剥离上述保护带的工序；以及支撑因上述牵引而从上述工作台突出了的上述半导体衬底的工序。
根据又一实施方式的半导体器件的制造装置，包括：载置了以粘接面为上侧的剥离带的工作台；把贴附了保护带的半导体衬底以上述保护带为下侧地载置到上述工作台上的载置部；在把上述剥离带贴附到上述保护带上的状态下，朝上述工作台的下侧牵引上述剥离带，剥离上述保护带的剥离部；以及支撑因上述牵引而从上述工作台突出了的上述半导体衬底的支撑部。
附图说明
图1是示出根据实施方式1的半导体器件的制造装置的结构的平面图。
图2是示出根据实施方式1的半导体器件的制造装置的结构的剖视图。
图3是示出根据实施方式1的半导体器件的制造装置的动作的剖视图。
图4是示出根据实施方式1的半导体器件的制造装置的动作的剖视图。
图5是示出根据实施方式1的半导体器件的制造装置的动作的剖视图。
图6是示出根据实施方式1的半导体器件的制造装置的动作的剖视图。
图7是示出根据实施方式1的半导体器件的制造装置的动作的剖视图。
图8是示出根据实施方式1的半导体器件的制造装置的动作的剖视图。
图9是示出根据实施方式1的半导体器件的制造装置的动作的剖视图。
图10是示出根据实施方式2的半导体器件的制造装置的结构的平面图。
图11是示出根据实施方式2的半导体器件的制造装置的结构的剖视图。
图12是示出根据实施方式2的半导体器件的制造装置的动作的剖视图。
图13是示出根据实施方式2的半导体器件的制造装置的动作的剖视图。
图14是示出根据实施方式2的半导体器件的制造装置的动作的剖视图。
图15是示出根据实施方式2的半导体器件的制造装置的动作的剖视图。
图16是示出根据实施方式2的半导体器件的制造装置的动作的剖视图。
图17是示出根据实施方式2的半导体器件的制造装置的动作的剖视图。
图18是示出根据实施方式2的半导体器件的制造装置的动作的剖视图。
图19是示出根据实施方式2的半导体器件的制造装置的动作的剖视图。
图20是示出根据实施方式2的半导体器件的制造装置的动作的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本实施方式。
(实施方式1）
图1是示出根据实施方式1的半导体器件的制造装置1的结构的平面图。图2是示出沿图1的X－X线的半导体器件的制造装置的结构的剖视图。像图1和图2所示的那样，半导体器件的制造装置1包括：室10、吸附工作台20、升降机构30、供给辊40、卷绕辊50、剥离机构60、抽真空机构70、空气供给系统80、和操作柄90。
室10包括室主体11和盖12。室主体11为了保持与盖12之间的密闭性而包括O型圈11a。向收存在室主体11内的吸附工作台20搬送半导体衬底W(以下，称为晶片W）是在打开了盖12的状态下进行的。另外，在图1中，省略盖12的图示。
吸附工作台20包括把颗粒状的金属或陶瓷烧结成形的多孔状的吸附部21、和固定该吸附部21的框22。吸附部21的直径与晶片W的直径大致相同，与室10外部的抽真空机构70连接。另外，在吸附工作台20上形成多个使升降机构30包括的升降销31通过的贯通孔20a(本实施方式中有3个）。
升降机构30包括：多个升降销31(本实施方式中有3个）、安装了该多个升降销31的环状的保持板32、升降驱动保持板32的驱动机构33(例如，致动机构）。另外，为了提高室10内的真空度，也可以在室10的外部(例如，室10的底面）设置驱动机构33，通过波纹管与保持板32连结起来。
隔着用粘结剂Y粘接了晶片W的支撑衬底Z，在晶片W上贴附表面保护带B(以下，称为BSG带B）。从供给辊40供给剥离带S，从晶片W剥离BSG带B。剥离带S与剥离了的BSG带B一起卷绕在卷绕辊50上。另外，剥离带S以粘接面为上侧、即粘接面在与吸附工作台20相反侧的方式，设置在供给辊40和卷绕辊50上。
剥离机构60包括：夹着剥离带S旋转的两个辊61a、61b，和在与剥离带S的长度方向垂直的方向上驱动辊61a，61b的驱动机构62。
抽真空机构70包括：与室主体11连接的真空配管71a、71b，分别在真空配管71a、71b的中途设置的阀72a、72b，以及把由室主体11和盖12构成的室10内的气体排出的真空泵73。阀72a、72b因从外部供给的CDA(清洁干燥空气）或氮气(N2）而开闭。本实施方式中使用的阀72a、72b是NC(常闭型），但也可以使用NO(常开型）的阀。
空气供给系统80包括：一端与室主体11、另一端与未图示的CDA供给源分别连接的配管81，以及在配管81的中途设置的阀82。阀82因从外部供给的CDA(清洁干燥空气）或氮气(N2）而开闭。如果阀82打开，则向室10内供给CDA，室10内的压力上升到大气压程度。本实施方式中使用的阀82是NC(常闭型），但也可以使用NO(常开型）的阀。
操作柄90把贴附了支撑衬底Z和BSG带B的晶片W搬入室10内。此时，以BSG带B为下侧、即为吸附工作台20侧的方式把晶片W载置到吸附工作台20的吸附部21上。另外，操作柄90从吸附工作台20取出剥离了BSG带B的晶片W，搬到室10外。另外，操作柄90可以使用各种形态的操作柄(例如，通过吸附保持晶片的操作柄、利用伯努利原理保持晶片的操作柄）。
(半导体器件的制造装置1的动作）
图3～图9是示出半导体器件的制造装置1的动作的剖视图。以下，参照图3～图9说明半导体器件的制造装置1的BSG带B的剥离动作。另外，剥离带S已经设置在供给辊40和卷绕辊50上。
首先，打开室10的盖12。然后，操作柄90把在表面贴附了支撑衬底Z和BSG带B的晶片W搬送到吸附工作台20上的预定位置(参照图3）。
通过驱动机构33使升降销31上升，把晶片W从操作柄90转移到升降销31。然后，使操作柄90向室10外退避。通过驱动机构33使升降销31下降，以贴附了BSG带B的一侧为下侧、即以贴附了BSG带B的一侧为吸附工作台20侧，把晶片W载置到吸附工作台20的吸附部21和剥离带S上(参照图4）。
向抽真空机构70的阀72a供给CDA或氮气(N2），打开阀72a，把晶片W吸附到多孔状的吸附部21上，使BSG带B与剥离带S的粘接面紧密结合起来。然后，停止向阀72a供给CDA或氮气(N2），使室10的盖12闭合(参照图5）。
然后，向抽真空机构70的阀72b供给CDA或氮气(N2），打开阀72b。使室10内减压到200Pa左右，进行BSG带B与剥离带S的排气贴附。通过该排气贴附，提高BSG带B与剥离带S的紧密结合性。确保剥离隔着支撑衬底Z地贴附在晶片W上的BSG带B时所需的紧密结合力。
经过预定时间(例如，数秒～数十秒）之后，停止向阀72b供给CDA或氮气(N2），打开空气供给系统80的阀82。向室10内供给CDA。使室10内的压力上升到大气压程度。然后，打开室10的盖12(参照图6）。
然后，通过剥离机构60的驱动机构62驱动辊61a、61b，用辊61a、61b夹持剥离带S。然后，辊61a，61b旋转，朝吸附工作台20下侧牵引剥离带S，使隔着支撑衬底Z地贴附在晶片W上的BSG带B剥离(参照图7）。
剥离BSG带B时，在剥离BSG带B的同时，沿剥离带S的行进方向移动晶片W(晶片W朝纸面右方移动）。因此，在BSG带B剥离了例如，晶片W面积的1／3左右时，通过操作柄90吸附贴附在晶片W上的支撑衬底Z而支撑晶片W(参照图8）。
然后，在BSG带B完全剥离之前，进行剥离带S的牵引，与剥离带的牵引量相应地使操作柄90朝纸面右方移动(参照图9）。另外，剥离了的BSG带B与剥离带S一起被卷绕辊50所卷绕。
像以上那样，在根据实施方式1的半导体器件的制造装置1中，在载置了以粘接面为上侧的剥离带S的吸附工作台20上，将隔着支撑衬底Z地贴附了BSG带B的晶片W以BSG带为下侧进行载置。通过在剥离带S贴附在BSG带B上的状态下，朝吸附工作台20的下侧牵引剥离带S，剥离BSG带B。
因此，在半导体器件的制造装置1中，无须接触晶片W的背面就可以剥离BSG带B。因此，不可能在晶片W背面附着微粒(灰尘）或污染物(例如，有机物、金属）、因机械的接触而对晶片W造成损伤等。结果，可以有效地防止因在晶片W背面附着微粒、污染物造成的问题，例如，背面电极剥离、在涂敷或曝光光刻胶时发生异常、在离子注入工序中产生未注入杂质离子的区域、半导体器件的沟道的传导类型反转、载流子寿命在额定值以外等。另外，由于不会机械地接触晶片W，所以可以有效地防止在晶片W上产生破裂和缺口。
而且，由于使室10内减压而进行排气贴附，所以提高了BSG带B与剥离带S的紧密结合性。因此，可以容易地确保剥离隔着支撑衬底Z地贴附在晶片W上的BSG带B时所需的紧密结合力。
另外，在实施方式1中，用剥离机构60从支撑衬底Z剥离BSG带B，但也可以通过把剥离带S卷绕到卷绕辊50上而从支撑衬底Z剥离BSG带B。此时，可以省略剥离机构60。
(实施方式2）
图10是示出根据实施方式2的半导体器件的制造装置2的结构的平面图。图11是示出沿图10的X－X线和Y－Y线的半导体器件的制造装置2的结构的剖视图。以下，参照图10和图11说明半导体器件的制造装置2的结构。对于与参照图1和图2说明了的半导体器件的制造装置1相同的构成赋予相同的附图标记，其重复说明省略。
像图10和图11所示的那样，半导体器件的制造装置2包括：室10、吸附工作台20A、升降机构30、供给辊40、抽真空机构70、空气供给系统80、操作柄90、抽出机构100、切刀110、剥离机构120、升降机构130和抽真空机构140。
抽出机构100从供给辊40抽出剥离带S，以粘接面为上侧、即粘接面在与吸附工作台20A相反侧的方式，载置到吸附工作台20A上。
切刀110把载置到吸附工作台20A上的剥离带S裁断。为了在剥离机构120中处理，为了确保长度的富余，切刀110把剥离带S切断成比晶片W的直径长。
在吸附工作台20A上形成用来防止在切断剥离带S时吸附工作台20A与切刀110接触的沟21b(以下，称为避让沟21b）。其它的结构与参照图1和图2说明了的半导体器件的制造装置1包括的吸附工作台20的结构相同，所以省略重复说明。
剥离机构120设置在室10外。剥离机构120包括：固定部121，第一、第二可动部122、123，和牵引部124、125。固定部121在与剥离带S的长度方向大致正交的方向上延伸。第一、第二可动部122、123隔着固定部121地配置，构成为可以朝固定部121的下侧移动。另外，可动部122、123中分别包括把颗粒状的金属或陶瓷烧结成形而成的多孔状的吸附部122a、123a。可动部122、123的吸附部122a、123a与抽真空机构140连接，构成为可以在吸附部122a、123a中吸附晶片W的BSG带B。牵引部124、125夹着剥离带S的两端，朝第一、第二可动部122、123的下侧牵引剥离带S，剥离BSG带B。
升降机构130包括：多个升降销131(本实施方式中有4个）、安装了该多个升降销131的环状的保持板132、升降驱动保持板132的驱动机构133(例如，致动机构）。
抽真空机构140包括：与可动部122、123的吸附部122a、123a连接的真空配管141，和设置在真空配管141的中途的阀142。真空配管141与抽真空机构70的真空泵73连接。阀142因从外部供给的CDA(清洁干燥空气）或氮气(N2）而开闭。本实施方式中使用的阀142是NC(常闭型），但也可以使用NO(常开型）的阀。
(半导体器件的制造装置2的动作）
图12～图20是示出半导体器件的制造装置2的动作的剖视图。以下，参照图12～图20说明半导体器件的制造装置2的BSG带B的剥离动作。
首先，打开室10的盖12。然后，抽出机构100从供给辊40抽出剥离带S，以粘接面为上侧、即粘接面在与吸附工作台20A相反侧的方式，载置到吸附工作台20A上。然后，在使剥离带S吸附在吸附工作台20A的吸附部21上的状态下，切刀110把剥离带S裁断(参照图12）。
然后，操作柄90把在表面贴附了支撑衬底Z和BSG带B的晶片W搬送到吸附工作台20A上的预定位置。
通过驱动机构33使升降销31上升，把晶片W从操作柄90转移到升降销31。然后，使操作柄90向室10外退避。通过驱动机构33使升降销31下降。以贴附了BSG带B的一侧为下侧、即以贴附了BSG带B的一侧为吸附工作台20A侧，把晶片W载置到以粘接面为上侧地配置到吸附工作台20A的吸附部21和吸附工作台20A上的剥离带S上(参照图13）。
向抽真空机构70的阀72a供给CDA或氮气(N2），打开阀72a，把晶片W吸附到多孔状的吸附部21上，使BSG带B与剥离带S的粘接面紧密结合起来。
然后，停止向阀72a供给CDA或氮气(N2），使室10的盖12闭合(参照图14）。然后，向抽真空机构70的阀72b供给CDA或氮气(N2）而打开阀72b。使室10内减压到200Pa左右，进行BSG带B与剥离带S的排气贴附。通过该排气贴附，提高BSG带B与剥离带S的紧密结合性，确保剥离隔着支撑衬底Z地贴附在晶片W上的BSG带B时所需的紧密结合力。
经过预定时间(例如，数秒～数十秒）之后，停止向阀72b供给CDA或氮气(N2）。打开空气供给系统80的阀82，向室10内供给CDA，使室10内的压力上升到大气压程度。然后，打开室10的盖12(参照图15）。
通过驱动机构33使升降销31上升，举起贴附了剥离带S的晶片W。然后，通过操作柄90吸附隔着支撑衬底Z地贴附在晶片W的下表面的BSG带B而保持晶片W。通过驱动机构33使升降销31下降，把晶片W从升降销31转移到操作柄90。
然后，操作柄90把晶片W搬送到剥离机构120上的预定位置(参照图16）。此时，第一、第二可动部122、123配置成隔着固定部121，并使固定部121和第一、第二可动部122、123的上端面的高度一致。然后，通过驱动机构133使升降销131上升，把晶片W从操作柄90转移到升降销131。
使操作柄90退避之后，通过驱动机构133使升降销131下降，使晶片W的贴附了BSG带B的一侧为下侧。使晶片W的贴附了BSG带B的一侧朝着剥离机构120的固定部121和第一、第二可动部122、123侧，把晶片W载置到剥离机构120的固定部121和第一、第二可动部122、123(参照图17）。
然后，向抽真空机构140的阀142供给CDA或氮气(N2）而打开阀142。使隔着支撑衬底Z地贴附在晶片W上的BSG带B吸附到第一、第二可动部122、123的吸附部122a、123a。然后，通过牵引手段124、125夹着剥离带S的两端，朝第一、第二可动部122、123的下侧牵引剥离带S，剥离BSG带B的一部分(参照图18）。
然后，通过操作柄90吸附并支撑支撑衬底Z的剥离了BSG带B的区域。然后，停止向抽真空机构140的阀142供给CDA或氮气(N2）而关闭阀142。使第一、第二可动部122、123退避到固定部121的下侧。然后，通过牵引手段124、125朝固定部121的下侧继续剥离剥离带S(参照图19）。
然后，使操作柄90上升，把BSG带B完全剥离(参照图20）。
像以上那样，根据实施方式2的半导体器件的制造装置2无须接触晶片W的背面就可以剥离BSG带B。另外，由于效果与根据实施方式1的半导体器件的制造装置1相同，所以省略重复说明。
(其它施方式）
另外，虽然说明了本发明的几个实施方式，但上述实施方式都是作为例子提出的，没有把本发明限定于上述实施方式的意思。上述实施方式可以以其它的各种方式实施，在不脱离发明的主要构思的范围内，可以进行各种省略、替换、变更。
Claims (20)
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
把隔着支撑衬底地贴附了保护带的半导体衬底以上述保护带为下侧地载置到载置了以粘接面为上侧的剥离带的工作台上的工序；
在将上述半导体衬底以上述保护带为下侧地载置到上述剥离带的粘接面上的状态下，进行减压而把上述剥离带贴附到上述保护带上的工序；
在把上述剥离带贴附到上述保护带上的状态下，朝上述工作台的下侧牵引上述剥离带，剥离上述保护带的工序；以及
支撑因上述牵引而从上述保护带露出了的上述支撑衬底面的工序。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
在把上述剥离带贴附到上述保护带上的工序中，上述工作台配置在连接了抽真空机构的室中，利用上述抽真空机构使上述室减压。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
在上述工作台的下方配置剥离机构，该剥离机构一边用供给上述剥离带的一个辊和接收上述剥离带的另一个辊夹持剥离带，一边牵引剥离带，向上述另一个辊传送上述剥离带，
在剥离上述保护带的上述工序中，上述剥离机构把与上述保护带紧密结合的上述剥离带剥离。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
在剥离上述保护带的上述工序中，伴随着从上述衬底剥离上述剥离带，上述衬底向上述剥离带的长度方向移动，从工作台突出。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
在支撑上述支撑衬底面的上述工序中，将上述保护带与上述剥离带一起剥离，上述支撑衬底的露出了的表面被能够搬送半导体衬底的支撑部支撑。
6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
把贴附了保护带的半导体衬底以上述保护带为下侧地载置到载置了以粘接面为上侧的剥离带的工作台上的工序；
把上述剥离带贴附到上述保护带上的工序；
在把上述剥离带贴附到上述保护带上的状态下，朝上述工作台的下侧牵引上述剥离带，剥离上述保护带的工序；以及
支撑因上述牵引而从上述工作台突出了的上述半导体衬底的工序。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：
剥离上述保护带的上述工序是通过使上述剥离带相对于上述工作台沿上述剥离带的长度方向移动而朝上述工作台的下侧牵引上述剥离带的工序。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于：
上述工作台包括：在与上述剥离带的长度方向大致正交的方向上延伸的固定部；和隔着上述固定部配置、能够朝上述工作台的下侧移动的第一、第二可动部，
剥离上述保护带的上述工序包括：
在使上述第一、第二可动部与上述保护带抵接的状态下，朝上述工作台的下侧牵引上述剥离带的工序；和
在使上述第一、第二可动部退避到上述工作台的下侧之后，进而朝上述工作台的下侧牵引上述剥离带的工序。
9.如权利要求6所述的方法，其特征在于：
在把上述剥离带贴附到上述保护带上的上述工序中，把上述半导体衬底以上述保护带为下侧地载置到上述剥离带的粘接面上，在减压的状态下，把上述剥离带贴附到上述保护带上。
10.如权利要求6所述的方法，其特征在于：
上述工作台配置在室中，能够用与上述室连接的抽真空机构使上述室减压，
把上述剥离带贴附到上述保护带上的上述工序包含使上述室减压的工序。
11.如权利要求6所述的方法，其特征在于：
上述保护带隔着支撑衬底地贴附到上述半导体衬底上，
在支撑上述半导体衬底的上述工序中，因上述牵引而从上述保护带露出了的上述支撑衬底面被能够搬送半导体衬底的支撑部支撑。
12.如权利要求6所述的方法，其特征在于：
在剥离上述保护带的工序之前，还包括在把上述剥离带贴附到上述保护带上的状态下切断上述剥离带的工序。
13.一种半导体器件的制造装置，其特征在于，包括：
工作台，载置了以粘接面为上侧的剥离带；
载置部，把贴附了保护带的半导体衬底以上述保护带为下侧地载置到上述工作台上；
剥离部，在把上述剥离带贴附到上述保护带上的状态下，朝上述工作台的下侧牵引上述剥离带，剥离上述保护带；以及
支撑部，支撑因上述牵引而从上述工作台突出了的上述半导体衬底。
14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，还包括：
室，收存上述工作台和上述载置部；以及
抽真空部，与上述室连接，使上述室减压。
15.如权利要求13所述的装置，其特征在于：
还包括：第1辊，设置在上述工作台的下方，供给剥离带；和第2辊，隔着上述工作台地设置在上述第1辊的相反侧，接收上述剥离带，
其中，上述剥离部、上述第1辊和上述第2辊收存在上述室中，上述剥离部配置成经由上述工作台从上述第1辊朝下方一边夹持一边牵引上述剥离带，向上述第2辊传送上述剥离带。
16.如权利要求13所述的装置，其特征在于：
还包括：设置在上述工作台的下方的第3辊；隔着上述工作台地设置在上述第3辊的相反侧的抽出部；和设置在上述第3辊上方的切刀，
其中，上述剥离带由上述第3辊供给，由上述抽出部经由工作台抽出，用上述切刀切断，配置在上述工作台上。
17.如权利要求13所述的装置，其特征在于：
上述剥离部包括：第1可动部、第2可动部和牵引部，
其中，上述固定部在与上述剥离带的长度方向大致正交的方向上延伸，上述第1可动部和上述第2可动部隔着上述固定部配置，构成为能够朝上述固定部的下侧移动，上述牵引部朝工作台的下方牵引与上述第一可动部和第二可动部或上述固定部抵接的上述剥离带。
18.如权利要求17所述的装置，其特征在于：
上述剥离部设置在上述室之外，与上述抽真空部连接。
19.如权利要求18所述的装置，其特征在于：
还包括设置在上述剥离部的下方的升降部，上述升降部使贴附了上述保护带的半导体衬底升降。
20.如权利要求14所述的装置，其特征在于：
上述工作台具有多孔状的吸附部和固定上述吸附部的框，与上述抽真空部连接。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130918 |