CN103310945A - 薄膜型共模滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种共模滤波器及其制造方法，提供了这样一种薄膜型共模滤波器，其包括：第一磁性基板；布置在所述第一磁性基板上并且包括主线圈图案电极的第一叠层；布置在所述第一叠层上的芯磁层；布置在所述芯磁层上并且包括次线圈图案电极的第二叠层；和布置在所述第二叠层上的第二磁性基板。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求如下国内专利申请和国外专利申请的优先权并将其以引用的方式并入本申请：
交叉引用相关申请
本申请根据35U.S.C.第119款规定要求在2012年3月6日申请的韩国专利申请No.10-2012-0022904的利益，因此该申请整体通过引用并入本申请。
技术领域
本发明涉及一种共模滤波器，更具体地，涉及这样一种薄膜型共模滤波器，其在彼此间隔开的主线圈图案电极和次线圈图案电极之间具有由磁性材料制成的芯磁层（core magnetic layer）。
背景技术
近来，由于系统配置和数据容量的增加，存在着对于高传输速度的需求。作为高速传输的方法，人们主要使用差分信号（signaling）方法。一般来说，当将信号转换成无线电频率以便增加传输速度时，根据这种将所述信号转换到无线电频率的转换生成了不希望的电磁波（即噪声），以致所述信号和所述噪声彼此重叠。于是，由于高速差分信号线（即两条信号线）之间的不平衡生成了共模噪声。
共模滤波器主要用来去除这种共模噪声。所述共模滤波器是EMI滤波器，其主要应用于所述高速差分信号线。
所述共模噪声是在所述差分信号线中生成的噪声，并且所述共模滤波器去除这种由现有的EMI滤波器不能去除的噪声。所述共模滤波器有助于家用电器的EMI特性或移动电话的天线特性的改进。
然而，当大量数据在主要装置和外围装置之间通过GHz无线电频段通信时，如上所述，由于信号延迟和其他障碍，难以顺利地处理数据。尤其是在通信、视频和音频信号线（诸如，数字电视）的不同端口对端口的连接中，以上所描述的内部信号线延迟以及传输∕接收失真则更频繁地发生。
为了解决上述问题，现有的EMI防止部件（例如，共模滤波器）被制造成线圈式或栈（stack，堆叠）类型，但是所述线圈式或栈类型EMI防止部件仅应用于特定的部件或面积大的电路板，原因在于，它们具有大的芯片部件尺寸和差的电特性。
而且，当前，由于电子产品已经发展到具有轻便、微型化、复杂和多功能的特性，所以满足这些特性的共模滤波器的需求正在上涨。虽然已经制造出与所述轻便和微型化的电子产品相对应的线圈式或栈类型共模滤波器，但是，由于在小面积中形成复杂内部电路存在着限制，则近来，对于制造薄膜型滤波器存在着需求。
为了改进线圈部件的电特性，在主线圈和次线圈之间增加电磁耦合是重要课题。为了增加所述主线圈和次线圈之间的电磁耦合，两个线圈之间的间隔应该减少，或者应当形成磁回路以便防止漏磁通的生成。
在薄膜型共模滤波器的情况下，由于它是通过薄膜形成技术（诸如溅射法、蒸发法和区域沉积法）制造的，那么所述主线圈和次线圈之间的间隔能够减少到几个μm，这与传统的产品相比较，有可能增加电磁耦合和实现部件的微型化，但是，与所述线圈式或栈类型共模滤波器相比较，存在着制造成本增加和生产能力衰退的缺点。
与此相关，韩国专利申请公开号10-2002-0059899（以下，为相关技术文件）提出了一种线圈部件，其包括内部电极层，内部电极层由至少两层形成并且包括在至少一个顶表面和底部表面具有电极图形的非磁性电极层以及定位在所述非磁性电极层的侧面和所述非磁性电极层的中心开口的内部磁层（作为一个单元）；接触所述内部电极层的两个表面的覆盖层；以及连接到所述电极图形的一部分的外部电极端子。
当简要地描述制造这种线圈部件的方法时，首先准备印刷电路基板（green sheet），其中，磁性膜和非磁性膜在载膜（carrier film，底膜）上分别形成。
接着，在所述磁性膜和非磁性膜的印刷电路基板上形成切割线（cutting line），并且在带有所述切割线的非磁性膜印刷电路基板中形成过孔（via-hole）。
接着，在带有所述过孔的非磁性膜印刷电路基板的顶表面上形成电极图案，并且去除所述磁性膜和非磁性膜印刷电路基板的不需要的部分。
接着，制造所提出的线圈部件，这通过如下过程来实现：层压所述磁性膜印刷电路基板、带有所述切割线的磁性印刷电路基板、带有所述切割线的非磁性膜印刷电路基板和带有所述过孔和所述电极图形的非磁性膜印刷电路基板；烧结所述叠层；以及在所述烧结的叠层的外表面上形成电极端子。
然而，不像所述栈类型共模滤波器那样，在通过所述薄膜形成技术（诸如，溅射、蒸发和气体淀积）制造的薄膜型共模滤波器的情况下，不易以相关技术文件中提出的干法制造方法在线圈图案电极的中心部分设置磁芯来提高所述共模滤波器的特性。
在所述薄膜型共模滤波器中，由于所述线圈图案电极之间的间隔仅有几μm并且印刷有所述线圈图案电极的绝缘片的厚度也是非常小（即，几个欧姆），那么在非磁性主体件和磁性主体件之间很难稳定地形成垂直界面，并且特别地，很难在垂直方向恰当地调整内部电极的厚度、非磁性主体的厚度和磁性主体的厚度。由于这种原因，结构稳定性减弱了，因此最终引起了所述线圈之间的绝缘等等问题。
进一步，由于一个层是通过在冲压每层的磁性主体和非磁性主体并且根据需要对于磁性主体和非磁性主体进行半厚度切割之后层压所述磁性主体和所述非磁性主体而配置的，则制造方法复杂化了并且制造成本也增加了。
[现有技术文件]
[专利文件]
专利文件1：韩国专利公开号10-2002-0059899
发明内容
为了克服上述问题，研发了本发明，因此，本发明的目标是，提供具有芯磁层的共模滤波器，该芯磁层由彼此间隔开的主线圈图案电极和次线圈图案电极之间的磁性材料制成，同时实际上使用现有的薄膜形成技术。
根据为了实现所述目标的本发明的一个方面，提供了薄膜型共模滤波器，其包括：第一磁性基板；布置在所述第一磁性基板上并且包括主线圈图案电极的第一叠层；布置在所述第一叠层上的芯磁层；布置在所述芯磁层上并且包括次线圈图案电极的第二叠层；和布置在所述第二叠层上的第二磁性基板。
这时，所述第一叠层通过层压至少一个在一个表面具有内部电极的绝缘片而形成。
而且，当所述绝缘片是至少两个时，在相应的绝缘片上形成的内部电极经由过孔连接，以便形成所述主线圈图案电极。
进一步，所述第二叠层通过层压至少一个在一个表面具有内部电极的绝缘片而形成。
进一步，当所述绝缘片是至少两个时，在相应的绝缘片上形成的内部电极经由过孔连接，以便形成所述次线圈图案电极。
进一步，所述内部电极可以通过照相平板、电子束或聚焦离子束光刻、干法刻蚀、湿法刻蚀和纳米压印的其中一种方法形成。
进一步，当所述绝缘片是至少两个时，每个绝缘片通过化学汽相淀积（CVD）、物理汽相淀积（PVD）（诸如，溅射、蒸发、气体淀积、冷喷涂、分子束外延（MBE）以及原子层淀积（ALD）和丝网漏印法）中的至少一种方法而沉积。
进一步，所述第一磁性基板和第二磁性基板和所述芯磁层是由相同材料制成。
进一步，所述第一磁性基板和第二磁性基板以及所述芯磁层是由从氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、玻璃、石英和铁素体中选择的至少一种材料或至少两种材料的混合物制成。
进一步，所述绝缘片是由从聚酰亚胺、环氧树脂、苯环丁烯（BCB）和聚合物中选择的至少一种材料或至少两种材料的混合物制成。
进一步，所述薄膜型共模滤波器进一步包括外部电极端子，其分别连接到所述主线圈图案电极的一端和另一端以及所述次线圈图案电极的一端和另一端。
进一步，所述薄膜型共模滤波器进一步包括布置在所述第一叠层和所述芯磁层之间以及在所述第二叠层和所述第二磁性基板之间的绝缘膜。
根据为了实现所述目标的本发明的另一方面，提供了薄膜型共模滤波器，其包括：第一磁性基板；布置在所述第一磁性基板上并且通过层压多个绝缘片形成的第一叠层，这些多个绝缘片的每一个在一个侧面具有内部电极；布置在所述第一叠层上的芯磁层；布置在所述芯磁层上并且通过层压多个绝缘片形成的第二叠层，这些多个绝缘片的每一个在一个侧面具有内部电极；和布置在所述第二叠层上的第二磁性基板。
这时，在构成所述第一叠层的第一绝缘片上形成的内部电极和在构成所述第二叠层的第三绝缘片上形成的内部电极通过过孔连接，以便形成主线圈图案电极，并且在构成所述第一叠层的第二绝缘片上形成的内部电极和在构成所述第二叠层的第四绝缘片上形成内部电极通过过孔连接，以便形成次线圈图案电极。
而且，所述内部电极可以通过照相平板、电子束或聚焦离子束光刻、干法刻蚀、湿法刻蚀和纳米压印的其中一种方法形成。
进一步，所述多个绝缘片通过化学汽相淀积（CVD）、物理汽相淀积（PVD）（诸如，溅射、蒸发、气体淀积、冷喷涂、分子束外延（MBE）以及原子层淀积（ALD）和丝网漏印法）中的至少一种方法而沉积。
进一步，所述第一磁性基板和第二磁性基板和所述芯磁层是由相同材料制成。
进一步，所述第一磁性基板和第二磁性基板和所述芯磁层由从氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、玻璃、石英和铁素体中选择的至少一种材料或至少两种材料的混合物制成。
进一步，所述绝缘片由从聚酰亚胺、环氧树脂、苯环丁烯（BCB）和聚合物中选择的至少一种材料或至少两种材料的混合物制成。
进一步，所述薄膜型共模滤波器进一步包括布置在所述第一叠层和所述芯磁层之间以及在所述第二叠层和所述第二磁性基板之间的绝缘膜。
进一步，所述薄膜型共模滤波器进一步包括外部电极端子，其分别连接到所述主线圈图案电极的一端和另一端以及所述次线圈图案电极的一端和另一端。
附图说明
本发明的总体发明概念的这些和/或其他方面和优点从结合附图说明的实施例的以下描述中将会变得显而易见和更加容易理解，其中：
图1示出根据本发明的薄膜型共模滤波器的分解透视图；
图2示出根据本发明的薄膜型共模滤波器的阻抗特性的曲线图；
图3示出根据本发明的薄膜型共模滤波器的外部透视图；和
图4示出根据本发明的另一实施例的薄膜型共模滤波器的分解透视图。
具体实施方式
本发明的优点和特征和实现优点和特征的方法通过参考下面结合附图具体描述的实施例将会是显而易见的。但是，本发明不限于下面描述的实施例并且可以以各种不同形式实施。提供所述示范性实施例，仅用于使本发明的公开完整和向本领域的技术人员全面阐明本发明的范围。在整个说明书中，相应附图标记表示相应元件。
本发明所使用的术语用来解释实施例，而不是限制本发明。在本说明书的整个范围内，单数形式也包括复数形式，除非文中另有明确说明。当术语“包括”和∕或“包括”在本发明中使用时，它们是指除了上述组件、步骤、操作和∕或装置之外，不排除另一组件、步骤、操作和∕或装置的存在和添加。
在本发明的以下部分，将会参考附图，详细描述本发明的配置和运行效果。
图1示出根据本发明的薄膜型共模滤波器的分解透视图。
参考图1，根据本发明的薄膜型共模滤波器可包括第一磁性基板10、布置在第一磁性基板10上的第一叠层20、布置在第一叠层20上的芯磁层30、布置在芯磁层30上的第二叠层40和布置在第二叠层40上的第二磁性基板50。
第一磁性基板10和第二磁性基板50形成为长板状，并且在完整的共模滤波器中成为基板。即，在完整的共模滤波器中，第一磁性基板10和第二磁性基板50作为一对基板，可分别定位在所述共模滤波器的最上和最下的部分。
这些第一磁性基板10和第二磁性基板50由磁性材料制成，以便形成磁回路。因此，优选的是，使用带有高导磁性、品质因数和高频阻抗的磁性基板。
特别地，第一磁性基板10和第二磁性基板50可以由从氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、玻璃、石英和铁素体中选择的至少一种材料或至少两种材料的混合物制成。
第一叠层20可包括主线圈图案电极，并且第二叠层40可包括次线圈图案电极。
这里，线圈图案电极是线圈形状的导体图案，它通过在对所述共模滤波器供电时传导的电流而生成磁场，并且这种线圈图案电极可通过经由过孔电连接导体图案而形成，该导体图案印刷在相应的绝缘片上。
当具体地观察第一叠层20和第二叠层40的结构时，第一叠层20和第二叠层40可通过层压至少一个绝缘片形成，该绝缘片在一个表面具有内部电极。所述内部电极可由从银（Ag）、钯（Pd）、铝（Al）、镍（Ni）、钛（Ti）、金（Au）、铜（Cu）和铂（Pt）中选择的至少一种材料或至少两种材料的混合物制成。另外，所述内部电极能够由带有高传导性的其他材料制成。
所述绝缘片在给予夹层粘合的同时防止在所述绝缘片上形成的内部电极彼此短路，并且执行了减少由于所述内部电极而引起的不均匀性的功能。这种绝缘片可由从聚酰亚胺、环氧树脂、苯环丁烯（BCB）和聚合物中选择的至少一种材料或至少两种材料的混合物制成。
当所述绝缘片是至少两个时，在相应的绝缘片上形成的内部电极经由在上绝缘片上形成的过孔连接，以便形成所述主线圈图案电极。
作为示例，如图1所示，在第一绝缘片21上形成的第一内部电极21a的一端21aa经由过孔22b电连接到第二内部电极22a的一端22aa，该过孔22b在定位在第一绝缘片21的顶表面的第二绝缘片22上形成，以便形成所述主线圈图案电极。
并且，在第三绝缘片41上形成的第三内部电极41a的一端41aa经由过孔42b电连接到第四内部电极42a的一端42aa，该过孔42b在定位在第三绝缘片41的顶表面的第四绝缘片42上形成，以便形成所述次线圈图案电极。
这时，在相应的绝缘片上形成的内部电极可以通过照相平板、电子束或聚焦离子束光刻、干法刻蚀、湿法刻蚀和纳米压印的其中一种方法形成。
进一步，相应的绝缘片可以通过至少一种薄膜形成技术按次序地沉积，其中，薄膜形成技术诸如化学汽相淀积（CVD）、物理汽相淀积（PVD）（诸如，溅射、蒸发、气体淀积、冷喷涂、分子束外延（MBE）以及原子层淀积（ALD）和丝网漏印法）。由于这些薄膜形成技术对于本领域的技术人员来说是一般地已知的技术，因此省略对它的具体描述。
由于在第一叠层20和第二叠层40之间布置的芯磁层30与第一磁性基板和第二磁性基板10和50形成了磁回路，所以优选的是，芯磁层30由与第一磁性基板和第二磁性基板10和50相同的材料制成。因此，芯磁层30可以由从氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、玻璃、石英和铁素体中选择的至少一种材料或至少两种材料的混合物制成。
这种芯磁层30像构成所述第一和第二叠层的绝缘片一样，可以通过至少一种上述薄膜形成技术而淀积在第一叠层20上。
如此，由于根据本发明的薄膜型共模滤波器实际上能够通过使用现有的薄膜形成技术制造，所以就有可能保证结构稳定性和高耦合系数、减少制造成本和提高产品的生产率。
图2示出根据本发明的薄膜型共模滤波器与传统共模滤波器的的阻抗特性的比较曲线图。这里，曲线L1是传统共模滤波器的阻抗特性的曲线图，其中，包括了主线圈图案电极和次线圈图案电极的叠层被布置在上部和下部的磁性基板之间，并且曲线L2是根据本发明的薄膜型共模滤波器的阻抗特性的曲线图。
参考图2，由于根据本发明的薄膜型共模滤波器在第一叠层20和第二叠层40之间布置了芯磁层30，则可检测到，与传统共模滤波器相比较，在低频带的共模阻抗增加了，并且自谐振频率（SRF）带更加移动向高频带。
同时，根据本发明的薄膜型共模滤波器可以进一步包括在第一叠层20和芯磁层30之间的绝缘膜23，并且同样地，可以进一步包括在第二叠层40和第二磁性基板50之间的绝缘膜43。
通常，由于由磁性材料制成的芯磁层30绝缘性能差，因此提供绝缘膜23和43以便保证与在第二绝缘片22上形成的内部电极的绝缘。
图3示出根据本发明的薄膜型共模滤波器的外部透视图，并且如图3所示，根据本发明的薄膜型共模滤波器可以额外地包括外部电极端子61、62、63和64。
当参考图1至3更具体地描述时，从第一内部电极21a的另一端引出的电极21ab连接到外部电极端子61，并且从第二内部电极22a的另一端引出的电极22ab连接到外部电极端子62。而且，从第三内部电极41a的另一端引出的电极41ab连接到外部电极端子63，并且从第二内部电极42a的另一端引出的电极42ab连接到外部电极端子64。
于是，所述主线圈图案电极和次线圈图案电极通过外部电极端子61、62、63和64电连接到外部电路。
现在，将描述根据本发明的另一实施例的薄膜型共模滤波器。
图4示出根据本发明的另一实施例的薄膜型共模滤波器的分解透视图。
参考图4，根据本发明的另一实施例的薄膜型共模滤波器可以包括第一磁性基板100、布置在第一磁性基板100上的第一叠层200、布置在第一叠层200上的芯磁层300、布置在芯磁层300上的第二叠层400和布置在第二叠层400上的第二磁性基板500。
进一步，为了保证绝缘性能，根据本发明的薄膜型共模滤波器可以进一步包括在第一叠层200和芯磁层300之间的绝缘膜230，并且同样地可以进一步包括在第二叠层400和第二磁性基板500之间的绝缘膜430。
由于由磁性材料制成的第一磁性基板100和第二磁性基板500形成了磁回路，所以优选的是，使用带有高导磁性、品质因数和高频阻抗的磁性基板。特别地，第一磁性基板100和第二磁性基板500可由从氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、玻璃、石英和铁素体中选择的至少一种材料或至少两种材料的混合物制成。
第一叠层200布置在第一磁性基板100上并且可以通过层压多个绝缘片形成，每个该绝缘片在一个表面具有内部电极，并且同样地，第二叠层400可以通过层压多个绝缘片形成，每个该绝缘片在一个表面具有内部电极。
当具体地观察第一叠层200和第二叠层400的结构时，如图4所示，第一内部电极210a在构成第一叠层200的第一绝缘片210的一个表面上形成，并且第二内部电极220a在第二绝缘片220的一个表面上形成。而且，第三内部电极410a在构成第二叠层400的第三绝缘片410的一个表面上形成，并且第四内部电极420a在第四绝缘片420的一个表面上形成。
在第一绝缘片210上形成的第一内部电极210a的一端210aa电连接到第三内部电极410a的一端410aa，该电连接经由在第二绝缘片220中形成的过孔220b、在绝缘膜230中形成的过孔230a、在芯磁层300中形成的过孔300a和在第三绝缘片410中形成的过孔410b，以便形成主线圈图案电极。
而且，在第二绝缘片220上形成的内部电极220a的一端210aa电连接到第四内部电极420a的一端420aa，该电连接经由在绝缘膜230中形成的过孔230b、在芯磁层300中形成的过孔300b、在第三绝缘片410中形成的过孔410c和在第四绝缘片420中形成的过孔420b，以便形成次线圈图案电极。
所述多个绝缘片可以通过至少一种薄膜形成技术按次序地沉积，其中，薄膜形成技术诸如化学汽相淀积（CVD）、物理汽相淀积（PVD）（诸如，溅射、蒸发、气体淀积、冷喷涂、分子束外延（MBE）以及原子层淀积（ALD）和丝网漏印法）。
而且，布置在第一叠层200和第二叠层400之间的芯磁层300可以通过上述若干薄膜形成技术的至少一种在第一叠层200上淀积，这就像构成第一叠层200和第二叠层400的相应的绝缘片一样。
如此，由于根据本发明的薄膜型共模滤波器实际上能够通过使用现有的薄膜形成技术制造，因此就可保证结构稳定性和高耦合系数并且减少制造成本和提高产品的生产率。
同时，根据本发明的另一实施例的共模滤波器可以通过额外地包括外部电极端子（未示出）电连接到外部电路，该外部电极端子连接到从第一内部电极210a的另一端引出的电极210ab、从第二内部电极220a的另一端引出的电极220ab、从第三内部电极410a的另一端引出的电极410ab和从第二内部电极420a的另一端引出的电极420ab。
基于根据本发明的薄膜型共模滤波器，由于由磁性材料制成的所述芯磁层布置在包括所述线圈图案电极的叠层之间，因此与传统共模滤波器相比较，低频带中的共模阻抗增加了，并且自谐振频率（SRF）带更加移动向高频带。
而且，由于根据本发明的薄膜型共模滤波器实际上能够通过使用现有的薄膜形成技术制造，因此就可保证结构稳定性和高耦合系数、减少制造成本和提高产品的生产率。
前述描述示出了本发明。此外，前述描述仅仅示出和解释了本发明的优选的实施例，但是应当明白的是，本发明能够在不同的其他结合、修改和环境中使用，并且能够在本发明所表述的发明概念的范围内做出改变和修改，它们与上述教导和∕或相关技术的技能或知识具有相等作用。本发明的上述实施例进一步旨在解释实行本发明的最佳已知模式，并且使本领域的其他技术人员能够在这样的或其他实施例以及在具有由本发明的特别应用或使用所需要的不同修改中利用本发明。于是，本描述并不应该使本发明限制为本发明所公开的形式。另外，所附的权利要求应该被解释为包括替换实施例。
Claims (21)
1.一种薄膜型共模滤波器，包括：
第一磁性基板；
第一叠层，布置在所述第一磁性基板上并且包括主线圈图案电极；
芯磁层，布置在所述第一叠层上；
第二叠层，布置在所述芯磁层上并且包括次线圈图案电极；以及
第二磁性基板，布置在所述第二叠层上。
2.根据权利要求1所述的薄膜型共模滤波器，其中，所述第一叠层通过层压至少一个在一个表面上具有内部电极的绝缘片而形成。
3.根据权利要求2所述的薄膜型共模滤波器，其中，当所述绝缘片是至少两个时，在各个绝缘片上形成的所述内部电极经由过孔连接，以形成所述主线圈图案电极。
4.根据权利要求1所述的薄膜型共模滤波器，其中，所述第二叠层通过层压至少一个在一个表面上具有内部电极的绝缘片而形成。
5.根据权利要求4所述的薄膜型共模滤波器，其中，当所述绝缘片是至少两个时，在各个绝缘片上形成的所述内部电极经由过孔连接，以形成所述次线圈图案电极。
6.根据权利要求2或4所述的薄膜型共模滤波器，其中，所述内部电极通过照相平板印刷、电子束或聚焦离子束光刻、干法刻蚀、湿法刻蚀和纳米压印中的一种方法而形成。
7.根据权利要求2或4所述的薄膜型共模滤波器，其中，当所述绝缘片是至少两个时，每个绝缘片通过化学汽相淀积（CVD），物理汽相淀积（PVD），诸如，溅射、蒸发、气体淀积、冷喷涂、分子束外延（MBE）和原子层淀积（ALD），以及丝网漏印法中的至少一种方法而沉积。
8.根据权利要求1所述的薄膜型共模滤波器，其中，所述第一磁性基板和所述第二磁性基板以及所述芯磁层由相同材料制成。
9.根据权利要求8所述的薄膜型共模滤波器，其中，所述第一磁性基板和所述第二磁性基板以及所述芯磁层由从氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、玻璃、石英和铁素体中选择的至少一种材料或至少两种材料的混合物制成。
10.根据权利要求2或4所述的薄膜型共模滤波器，其中，所述绝缘片由从聚酰亚胺、环氧树脂、苯环丁烯（BCB）和聚合物中选择的至少一种材料或至少两种材料的混合物制成。
11.根据权利要求1所述的薄膜型共模滤波器，进一步包括：
外部电极端子，分别连接到所述主线圈图案电极的一端和另一端以及所述次线圈图案电极的一端和另一端。
12.根据权利要求1所述的薄膜型共模滤波器，进一步包括：
绝缘膜，布置在所述第一叠层与所述芯磁层之间以及在所述第二叠层与所述第二磁性基板之间。
13.一种薄膜型共模滤波器，包括：
第一磁性基板；
第一叠层，布置在所述第一磁性基板上并且通过层压多个绝缘片而形成，所述多个绝缘片中的每一个在一个表面上具有内部电极；
芯磁层，布置在所述第一叠层上；
第二叠层，布置在所述芯磁层上并且通过层压多个绝缘片而形成，所述多个绝缘片中的每一个在一个表面上具有内部电极；和
第二磁性基板，布置在所述第二叠层上。
14.根据权利要求13所述的薄膜型共模滤波器，其中，在构成所述第一叠层的第一绝缘片上形成的内部电极和在构成所述第二叠层的第三绝缘片上形成的内部电极通过过孔连接，以形成主线圈图案电极，并且在构成所述第一叠层的第二绝缘片上形成的内部电极和在构成所述第二叠层的第四绝缘片上形成内部电极通过过孔连接，以形成次线圈图案电极。
15.根据权利要求13所述的薄膜型共模滤波器，其中，所述内部电极通过照相平板印刷、电子束或聚焦离子束光刻、干法刻蚀、湿法刻蚀和纳米压印中的一种方法而形成。
16.根据权利要求13所述的薄膜型共模滤波器，其中，所述多个绝缘片通过化学汽相淀积（CVD），物理汽相淀积（PVD），诸如，溅射、蒸发、气体淀积、冷喷涂、分子束外延（MBE）和原子层淀积（ALD），以及丝网漏印法中的至少一种方法而沉积。
17.根据权利要求13所述的薄膜型共模滤波器，其中，所述第一磁性基板和所述第二磁性基板以及所述芯磁层由相同材料制成。
18.根据权利要求17所述的薄膜型共模滤波器，其中，所述第一磁性基板和所述第二磁性基板以及所述芯磁层由从氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、玻璃、石英和铁素体中选择的至少一种材料或至少两种材料的混合物制成。
19.根据权利要求13所述的薄膜型共模滤波器，其中，所述绝缘片由从聚酰亚胺、环氧树脂、苯环丁烯（BCB）和聚合物中选择的至少一种材料或至少两种材料的混合物制成。
20.根据权利要求13所述的薄膜型共模滤波器，进一步包括：
绝缘膜，布置在所述第一叠层与所述芯磁层之间以及在所述第二叠层与所述第二磁性基板之间。
21.根据权利要求14所述的薄膜型共模滤波器，进一步包括：
外部电极端子，分别连接到所述主线圈图案电极的一端和另一端以及所述次线圈图案电极的一端和另一端。
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| PB01 | Publication | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20130918 |