CN103305916A - 一种Ho掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种Ho掺杂钒酸镧Ho z La1-z VO4发光材料(0.0001≤z≤0.1)。按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后,成为晶体生长的起始原料;生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后,成为熔体法生长的初始熔体,然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长;Ho z La1-z VO4可用作发光显示材料、2μm激光工作物质等。
Description
技术领域
本发明涉及发光材料和晶体生长领域, Ho掺杂的钒酸镧HozLa1-zVO4,以及它们的熔体法晶体生长方法。
背景技术
Ho掺杂获发光材料是重要的2 μm波段激光晶体,在医疗、国防、信息、科研等领域有广泛的应用前景。但效率低下是这一类激光晶体的主要问题。因而,探索性能优良的新型Ho掺杂激光晶体是目前的重要课题。LaVO4具有稳定的化学特性和优良的物理性能,HozLa1-zVO4有良好的发光性能,因而,HozLa1-zVO4 有望成为性能优良的新型2μm波段激光晶体
发明内容
本发明的目的是提供稀土钒酸盐HozLa1-zVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法,获得性能优良的发光材料,有望用于显示和激光技术领域。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种Ho掺杂LaVO4发光材料,其特征在于所述的发光材料的分子式可表示为 HozLa1-zVO4,所述的z的取值范围为:0.0001≤z≤0.1。
一种HozLa1-zVO4熔体法晶体生长方法,包括以下步骤:
(1)采用Ho2O3、La2O3、V2O5作为原料,按如下化合式进行配料,将其充分混合均匀后,压制,得生长晶体所需的多晶原料:
所述的化合式为:
(2)把上述得到的多晶原料放入生长坩埚内,通过加热并充分熔化,获得晶体生长初始熔体;
(3)采用熔体法晶体生长法进行生长,获得HozLa1-zVO4单晶。
一种HozLa1-zVO4 发光材料的熔体法晶体生长方法,不采用籽晶定向生长,或者采用籽晶定向生长;对于采用籽晶定向生长,籽晶为HozLa1-zVO4或LaVO4单晶,籽晶方向为晶体的<100>、<010>或<001>方向,以及其它任意方向。
一种HozLa1-zVO4 熔体法晶体生长方法,所述配料中,所用原料Ho2O3、La2O3、 V2O5,可采用相应的 Ho、La、V的其它化合物代替,原料合成方法包括高温固相反应、液相合成、气相合成方法,但需满足能通过化学反应能最终形成化合物HozLa1-zVO4这一条件。
一种HozLa1-zVO4熔体法晶体生长方法,由于晶体生长过程中的存在组分分凝效应,设所述HozLa1-zVO4晶体中某种元素的分凝系数为k,k=0.01-1,则当所述的2.1-2. 3步骤中 Ho、La、V的化合式中该元素的化合物的质量为W时,则在配料中应调整为W/k。
一种HozLa1-zVO4熔体法晶体生长方法,其特征在于步骤(1)中所述的压制后可以进行烧结,所述烧结温度为950-1100℃,烧结时间为20-80小时,得生长晶体所需的多晶原料。
本发明的优点是:
本发明制备的方法简单可控,反应简单,对设备要求不高,用时不多,节约了生产成本 ,该发明的HozLa1-zVO4可用作发光显示材料、2μm激光工作物质等。
具体实施方式
实施例1
制备 Ho掺杂浓度分别为0.5at%的HozLa1-zVO4 单晶:
(1)采用Ho2O3、La2O3、V2O5作为原料,按如下化合式进行配料:
此原料各组分的成分如下:
Ho2O3 0.35%
La2O3 65.9553 %
V2O5 33.6947%
并将这些原料充分混合均匀,得到配料混合物。
(2)将混合均匀的原料混合物压制成饼状,在970℃之间进行烧结,烧结时间为46小时,获得晶体生长的初始原料;或者压制成形后的原料不经额外烧结而直接用作生长晶体原料;
(3) 把晶体生长初始原料放入生长坩埚内,通过加热并充分熔化,获得晶体 生长初始熔体;然后采用熔体法晶体生长工艺——提拉法、坩埚下降法、温梯法、热交换法、泡生法、顶部籽晶法、助熔剂晶体生长方法进行生长,获得HozLa1-zVO4单晶。
经检测,20℃相对亮度为134%,显色系数为45。
Claims (6)
1.一种Ho掺杂LaVO4发光材料,其特征在于所述的发光材料的分子式可表示为 HozLa1-zVO4,所述的z的取值范围为:0.0001≤z≤0.1。
3.根据权利要求2所述的一种HozLa1-zVO4 发光材料的熔体法晶体生长方法,其特征在于,不采用籽晶定向生长,或者采用籽晶定向生长;对于采用籽晶定向生长,籽晶为HozLa1-zVO4或LaVO4单晶,籽晶方向为晶体的<100>、<010>或<001>方向,以及其它任意方向。
4.根据权利要求2所述的一种HozLa1-zVO4 熔体法晶体生长方法,其特征在于,所述配料中,所用原料Ho2O3、La2O3、V2O5,可采用相应的Ho、La、V的其它化合物代替,原料合成方法包括高温固相反应、液相合成、气相合成方法,但需满足能通过化学反应能最终形成化合物HozLa1-zVO4这一条件。
5.根据权利要求2所述的一种HozLa1-zVO4熔体法晶体生长方法,其特征在于,由于晶体生长过程中的存在组分分凝效应,设所述HozLa1-zVO4晶体中某种元素的分凝系数为k,k=0.01-1,则当所述的2.1-2.3步骤中 Ho、La、V的化合式中该元素的化合物的质量为W时,则在配料中应调整为W/k。
6.根据权利要求2所述的一种HozLa1-zVO4熔体法晶体生长方法,其特征在于步骤(1)中所述的压制后可以进行烧结,所述烧结温度为950-1100℃,烧结时间为20-80小时,得生长晶体所需的多晶原料。
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