JPH05238897A - 希土類バナデイト単結晶 - Google Patents
希土類バナデイト単結晶Info
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- JPH05238897A JPH05238897A JP7240692A JP7240692A JPH05238897A JP H05238897 A JPH05238897 A JP H05238897A JP 7240692 A JP7240692 A JP 7240692A JP 7240692 A JP7240692 A JP 7240692A JP H05238897 A JPH05238897 A JP H05238897A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 引上法で育成した希土類バナデイト単結晶の
着色、又は光吸収を消すために通常酸素気流中で熱処理
を行うが高温で長時間の処理を必要とする。しかしなが
ら、１１００℃以上で長時間処理すると、結晶内部に濁
りが生じ、散乱光による消光比の低下等を惹起するので
１１００℃以下の温度で熱処理を行い、かつ処理時間を
短縮する。 【構成】 希土類バナデイト単結晶において、不純物と
して酸化マグネシウム、又は酸化カルシウムを０.０１
〜５モル％含ませると、結晶内の酸素空孔が増え、その
結果、酸素拡散スピードが増加して、熱処理温度を低下
させることができ、かつ熱処理時間が短縮される。
着色、又は光吸収を消すために通常酸素気流中で熱処理
を行うが高温で長時間の処理を必要とする。しかしなが
ら、１１００℃以上で長時間処理すると、結晶内部に濁
りが生じ、散乱光による消光比の低下等を惹起するので
１１００℃以下の温度で熱処理を行い、かつ処理時間を
短縮する。 【構成】 希土類バナデイト単結晶において、不純物と
して酸化マグネシウム、又は酸化カルシウムを０.０１
〜５モル％含ませると、結晶内の酸素空孔が増え、その
結果、酸素拡散スピードが増加して、熱処理温度を低下
させることができ、かつ熱処理時間が短縮される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、偏光素子、固体レーザ
ー発振素子として用いられる希土類バナデイト単結晶、
及びその製造方法に関するもので、特に希土類元素がイ
ットリウム、又はネオジウムを含むイットリウムである
イットリウムバナデイト単結晶に関するものである。
ー発振素子として用いられる希土類バナデイト単結晶、
及びその製造方法に関するもので、特に希土類元素がイ
ットリウム、又はネオジウムを含むイットリウムである
イットリウムバナデイト単結晶に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】イットリウムバナデイト単結晶、あるい
はネオジウムドープイットリウムバナデイト単結晶は、
引上法により１インチ径以上の大型結晶を容易に育成す
ることができるが、その融点が１８００℃以上の高温で
あるため引上法で単結晶を育成する際、原料融液を溜め
る坩堝にイリジウム（Ｉｒ）製の坩堝を使用する必要が
ある。よく知られているように、イリジウム坩堝を単結
晶育成に用いる場合、育成雰囲気中の酸素分圧を上げる
と、イリジウム坩堝の消耗を著しくするので、育成炉内
の雰囲気は窒素等の不活性ガスを主体とし、酸素分圧は
制限される。
はネオジウムドープイットリウムバナデイト単結晶は、
引上法により１インチ径以上の大型結晶を容易に育成す
ることができるが、その融点が１８００℃以上の高温で
あるため引上法で単結晶を育成する際、原料融液を溜め
る坩堝にイリジウム（Ｉｒ）製の坩堝を使用する必要が
ある。よく知られているように、イリジウム坩堝を単結
晶育成に用いる場合、育成雰囲気中の酸素分圧を上げる
と、イリジウム坩堝の消耗を著しくするので、育成炉内
の雰囲気は窒素等の不活性ガスを主体とし、酸素分圧は
制限される。
【０００３】ところが、イットリウムバナデイトのよう
な酸化物単結晶で、更にバナジウムのように価数が変化
しやすい元素を成分に持つ材料は、十分な酸素圧下で育
成することが望ましい。しかしながら、イリジウム坩堝
を使用することから、イットリウムバナデイト単結晶、
あるいはネオジウムドープイットリウムバナデイト単結
晶の育成では、流量比でおよそ１〜１.５％の酸素を窒
素に加えて雰囲気ガスとして用いられることが多い。
な酸化物単結晶で、更にバナジウムのように価数が変化
しやすい元素を成分に持つ材料は、十分な酸素圧下で育
成することが望ましい。しかしながら、イリジウム坩堝
を使用することから、イットリウムバナデイト単結晶、
あるいはネオジウムドープイットリウムバナデイト単結
晶の育成では、流量比でおよそ１〜１.５％の酸素を窒
素に加えて雰囲気ガスとして用いられることが多い。
【０００４】上述のような低酸素濃度の雰囲気ガス中で
育成された希土類バナデイト単結晶は、茶褐色を呈する
ことが多い。例えば、イットリウムバナデイト単結晶の
場合、波長４２０ｎｍ近傍にピークを持つ幅の広い光吸
収が観察される。この光吸収の原因は、４価及び３価の
バナジウムイオンによる吸収と考えられている。しか
し、このような着色又は光吸収は、酸素気流中での熱処
理により除去することが可能である。例えば、育成され
たイットリウムバナデイト単結晶を＜００１＞方位に垂
直な面で切り出した厚さ１ｍｍのウェーハを、酸素を
０.５ｌ／分流した雰囲気中で温度１０００℃の熱処理
を２０時間実施することにより、前記４２０ｎｍ近傍の
光吸収は消える。ところが、工程を簡略化するために、
熱処理をブロック状で行い、しかる後にウェーハにスラ
イスする目的で１辺が１０ｍｍの大きさで切り出したブ
ロック状の結晶では、ウェーハで行った上記と同じ熱処
理条件では吸収は消えない。この場合、１０００℃では
２５０時間以上熱処理を行って始めて吸収は消去し、１
４００℃では６０時間以上の熱処理により光吸収は消え
る。
育成された希土類バナデイト単結晶は、茶褐色を呈する
ことが多い。例えば、イットリウムバナデイト単結晶の
場合、波長４２０ｎｍ近傍にピークを持つ幅の広い光吸
収が観察される。この光吸収の原因は、４価及び３価の
バナジウムイオンによる吸収と考えられている。しか
し、このような着色又は光吸収は、酸素気流中での熱処
理により除去することが可能である。例えば、育成され
たイットリウムバナデイト単結晶を＜００１＞方位に垂
直な面で切り出した厚さ１ｍｍのウェーハを、酸素を
０.５ｌ／分流した雰囲気中で温度１０００℃の熱処理
を２０時間実施することにより、前記４２０ｎｍ近傍の
光吸収は消える。ところが、工程を簡略化するために、
熱処理をブロック状で行い、しかる後にウェーハにスラ
イスする目的で１辺が１０ｍｍの大きさで切り出したブ
ロック状の結晶では、ウェーハで行った上記と同じ熱処
理条件では吸収は消えない。この場合、１０００℃では
２５０時間以上熱処理を行って始めて吸収は消去し、１
４００℃では６０時間以上の熱処理により光吸収は消え
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように引上法によ
り育成された希土類バナデイト単結晶の４２０ｎｍ近傍
の光吸収をなくすには、非常に長時間、あるいは高温の
熱処理が必要となるが、ここに別な問題が生じる。つま
り、希土類バナデイト単結晶を高い温度、即ち１１００
℃以上で長時間保持すると、結晶内部に濁りが生じる。
この濁りは光学素子として用いる結晶材料としては致命
的な欠陥となり、散乱光による消光比の低下等をもたら
す。従って、引上法で育成された希土類バナデイト単結
晶の熱処理は、品質上安全な条件として１０００℃前後
の温度条件が適当と考えられる。前述の１辺が１０ｍｍ
のブロック状単結晶では、１０００℃の温度条件では光
吸収を除去するにはおよそ２５０時間の長時間熱処理を
必要とする。
り育成された希土類バナデイト単結晶の４２０ｎｍ近傍
の光吸収をなくすには、非常に長時間、あるいは高温の
熱処理が必要となるが、ここに別な問題が生じる。つま
り、希土類バナデイト単結晶を高い温度、即ち１１００
℃以上で長時間保持すると、結晶内部に濁りが生じる。
この濁りは光学素子として用いる結晶材料としては致命
的な欠陥となり、散乱光による消光比の低下等をもたら
す。従って、引上法で育成された希土類バナデイト単結
晶の熱処理は、品質上安全な条件として１０００℃前後
の温度条件が適当と考えられる。前述の１辺が１０ｍｍ
のブロック状単結晶では、１０００℃の温度条件では光
吸収を除去するにはおよそ２５０時間の長時間熱処理を
必要とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、引上法で育成
した希土類バナデイト単結晶の着色、又は光吸収を除去
するために行う熱処理の処理時間を短縮することを目的
とし、希土類バナデイト単結晶中に酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、又は酸化カルシウム（ＣａＯ）を０.０１
〜５モル％含有させることを特徴とする。
した希土類バナデイト単結晶の着色、又は光吸収を除去
するために行う熱処理の処理時間を短縮することを目的
とし、希土類バナデイト単結晶中に酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、又は酸化カルシウム（ＣａＯ）を０.０１
〜５モル％含有させることを特徴とする。
【０００７】
【作用】希土類バナデイトに小量含有された酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）、及び酸化カルシウム（ＣａＯ）の作
用は、次のように考えられる。即ち、希土類バナデイト
単結晶中に取り込まれたマグネシウム、及びカルシウム
イオンは、２価のイオン価を有し、希土類イオンの３
価、バナジウムイオンの５価に比べてイオン価が小さ
い。通常多くの酸素化合物では、このように構成元素の
イオン価より小さいイオン価を持つ元素が取り込まれる
と、化合物全体としての電気的中性を確保するため酸素
空孔を増やす。この酸素空孔の増加は結晶中の酸素拡散
速度を増加させる。更に、希土類バナデイト単結晶の場
合、４２０ｎｍの光吸収の原因となる４価及び３価のバ
ナジウムイオンの生成を抑制する作用が考えられる。以
上二つの効果により引上法で育成されたマグネシウム、
又はカルシウムを含む希土類バナジウム単結晶の４２０
ｎｍ近傍の光吸収を消去するために必要な熱処理は、同
じ温度条件、雰囲気ならば短縮されるはずである。残る
課題は、どの程度の量のマグネシウム、又はカルシウム
を結晶中に入れれば効果が明瞭となるかという点で、こ
れについては種々の濃度のマグネシウム、又はカルシウ
ムを混合させた結晶を育成し、実験的に決めることが可
能である。
シウム（ＭｇＯ）、及び酸化カルシウム（ＣａＯ）の作
用は、次のように考えられる。即ち、希土類バナデイト
単結晶中に取り込まれたマグネシウム、及びカルシウム
イオンは、２価のイオン価を有し、希土類イオンの３
価、バナジウムイオンの５価に比べてイオン価が小さ
い。通常多くの酸素化合物では、このように構成元素の
イオン価より小さいイオン価を持つ元素が取り込まれる
と、化合物全体としての電気的中性を確保するため酸素
空孔を増やす。この酸素空孔の増加は結晶中の酸素拡散
速度を増加させる。更に、希土類バナデイト単結晶の場
合、４２０ｎｍの光吸収の原因となる４価及び３価のバ
ナジウムイオンの生成を抑制する作用が考えられる。以
上二つの効果により引上法で育成されたマグネシウム、
又はカルシウムを含む希土類バナジウム単結晶の４２０
ｎｍ近傍の光吸収を消去するために必要な熱処理は、同
じ温度条件、雰囲気ならば短縮されるはずである。残る
課題は、どの程度の量のマグネシウム、又はカルシウム
を結晶中に入れれば効果が明瞭となるかという点で、こ
れについては種々の濃度のマグネシウム、又はカルシウ
ムを混合させた結晶を育成し、実験的に決めることが可
能である。
【０００８】
【実施例１】酸化カルシウム（ＣａＯ）を約１.２原子
％（ａｔ％）のネオジウムを含むイットリウムバナデイ
ト単結晶中に０.００１，０.００５，０.０１，０.０
５，０.１，０.５，１.０，５.０，７.０の各モル％の
濃度で含ませた単結晶を育成し、１０００℃酸素気流中
で熱処理を行い、４２０ｎｍの吸収が消去する時間につ
いて示す。
％（ａｔ％）のネオジウムを含むイットリウムバナデイ
ト単結晶中に０.００１，０.００５，０.０１，０.０
５，０.１，０.５，１.０，５.０，７.０の各モル％の
濃度で含ませた単結晶を育成し、１０００℃酸素気流中
で熱処理を行い、４２０ｎｍの吸収が消去する時間につ
いて示す。
【０００９】先ずネオジウムを２原子％含むイットリウ
ム・バナデイトの粉末原料に炭酸カルシウム（ＣａＣＯ
3）を０.１モル％の比で加え十分に混合した後、１００
０℃で１２時間焼成し、ＣａＣＯ3のＣＯ2を除去する。
これを３００ｇ秤り取り、５０φｍｍ×５０ｍｍのイリ
ジウム坩堝に入れ、酸素を流量比で１.０％を含む窒素
中にて融解し、方位＜００１＞の種子結晶を用いて引上
速度１ｍｍ／Ｈ、回転数１２ｒｐｍで直径２０ｍｍ、長
さ４０ｍｍの単結晶を育成した。育成した単結晶の上
部、及び下部より切り出した部分のカルシウム濃度を分
析し、実効分配係数を求めたところ０.６２であった。
そこで結晶中の酸化カルシウムの濃度が約０.００１モ
ル％となるように酸化カルシウムが０.００１６モル％
の濃度のネオジウムを２原子％含むイットリウムバナデ
イト融液を作り、上記と同じ条件で結晶を育成した。育
成された単結晶から１辺が１０ｍｍの立方体ブロックを
切り出し、酸素気流中で１０００℃の温度条件で熱処理
を６０時間、９０時間、１５０時間、２５０時間行っ
た。熱処理後、該単結晶ブロックの平行な１組の面を研
磨し、分光光度計により光吸収の有無を調べたところ、
１５０時間以下の熱処理では４２０ｎｍ近傍の光吸収が
認められた。以下同様にして単結晶中の酸化カルシウム
の濃度が０.００５，０.０１，０.０５，０.１，０.
５，１.０，５.０，７.０の各モル％の単結晶を育成
し、該各単結晶から切り出された１辺１０ｍｍの単結晶
ブロックを１０００℃で熱処理し、４２０ｎｍの光吸収
の有無について調べたところ、表１に示す通りの結果が
得られた。
ム・バナデイトの粉末原料に炭酸カルシウム（ＣａＣＯ
3）を０.１モル％の比で加え十分に混合した後、１００
０℃で１２時間焼成し、ＣａＣＯ3のＣＯ2を除去する。
これを３００ｇ秤り取り、５０φｍｍ×５０ｍｍのイリ
ジウム坩堝に入れ、酸素を流量比で１.０％を含む窒素
中にて融解し、方位＜００１＞の種子結晶を用いて引上
速度１ｍｍ／Ｈ、回転数１２ｒｐｍで直径２０ｍｍ、長
さ４０ｍｍの単結晶を育成した。育成した単結晶の上
部、及び下部より切り出した部分のカルシウム濃度を分
析し、実効分配係数を求めたところ０.６２であった。
そこで結晶中の酸化カルシウムの濃度が約０.００１モ
ル％となるように酸化カルシウムが０.００１６モル％
の濃度のネオジウムを２原子％含むイットリウムバナデ
イト融液を作り、上記と同じ条件で結晶を育成した。育
成された単結晶から１辺が１０ｍｍの立方体ブロックを
切り出し、酸素気流中で１０００℃の温度条件で熱処理
を６０時間、９０時間、１５０時間、２５０時間行っ
た。熱処理後、該単結晶ブロックの平行な１組の面を研
磨し、分光光度計により光吸収の有無を調べたところ、
１５０時間以下の熱処理では４２０ｎｍ近傍の光吸収が
認められた。以下同様にして単結晶中の酸化カルシウム
の濃度が０.００５，０.０１，０.０５，０.１，０.
５，１.０，５.０，７.０の各モル％の単結晶を育成
し、該各単結晶から切り出された１辺１０ｍｍの単結晶
ブロックを１０００℃で熱処理し、４２０ｎｍの光吸収
の有無について調べたところ、表１に示す通りの結果が
得られた。
【００１０】
【表１】 １.２原子％のネオジウムを含むイットリウムバナデイ
ト単結晶の酸化カルシウムの濃度（モル％）と各熱処理
時間での４２０ｎｍ近傍の光吸収の有無及び結晶品質の
関係 表中、○印は吸収無し、×印は吸収有り。（処理温度１
０００℃、酸素気流中）（試料；１０ｍｍ×１０ｍｍ×
１０ｍｍの立方体ブロック，処理温度１０００℃，酸素
気流中） 表１に示すように、酸化カルシウムが０.０１モル％以
上含有される場合は、熱処理時間の短縮をみることがで
きる。他の希土類バナデイトにおいても酸化カルシウム
を０.０１モル％以上含有させることにより、同様の熱
処理時間の短縮の効果を得ることができる。但し、希土
類元素の種類によってカルシウムの実効分配係数が異な
り、例えばガドリニウムバナデイト（ＧｄＶＯ4）では
０.７８となり、原料融液作製時における炭酸カルシウ
ムの含有量を変える必要がある。
ト単結晶の酸化カルシウムの濃度（モル％）と各熱処理
時間での４２０ｎｍ近傍の光吸収の有無及び結晶品質の
関係 表中、○印は吸収無し、×印は吸収有り。（処理温度１
０００℃、酸素気流中）（試料；１０ｍｍ×１０ｍｍ×
１０ｍｍの立方体ブロック，処理温度１０００℃，酸素
気流中） 表１に示すように、酸化カルシウムが０.０１モル％以
上含有される場合は、熱処理時間の短縮をみることがで
きる。他の希土類バナデイトにおいても酸化カルシウム
を０.０１モル％以上含有させることにより、同様の熱
処理時間の短縮の効果を得ることができる。但し、希土
類元素の種類によってカルシウムの実効分配係数が異な
り、例えばガドリニウムバナデイト（ＧｄＶＯ4）では
０.７８となり、原料融液作製時における炭酸カルシウ
ムの含有量を変える必要がある。
【００１１】
【実施例２】次に、酸化マグネシウムをイットリウム・
バナデイト単結晶中に０.００１，０.００５，０.０
１，０.０５，０.１，０.５，１.０，５.０，７.０の各
モル％の濃度で含有させた例について示す。
バナデイト単結晶中に０.００１，０.００５，０.０
１，０.０５，０.１，０.５，１.０，５.０，７.０の各
モル％の濃度で含有させた例について示す。
【００１２】イットリウム・バナデイト原料粉末に酸化
マグネシウム（ＭｇＯ）を０.１モル％の比で加え、十
分に混合した上で３００ｇ秤り取り、５０φｍｍ×５０
ｍｍのイリジウム坩堝に入れ、酸素を流量比で１％含む
窒素雰囲気中にて融解する。方位＜００１＞の種子結晶
を用いて引上速度１ｍｍ／Ｈ回転数１２ｒｐｍで直径２
０ｍｍ、長さ４０ｍｍ単結晶を育成する。得られた単結
晶の上部と下部より切り出した部分のマグネシウム濃度
を測定し、実効分配係数を求めたところ１.１４であっ
た。そこで、イットリウムバナデイト単結晶中のマグネ
シウム濃度が０.００１モル％となるように酸化マグネ
シウムの濃度が０.０００８７モル％のイットリウムバ
ナデイト融液を作り、上記と同じ条件で単結晶の育成を
行った。育成されたイットリウムバナデイト単結晶から
１辺が１０ｍｍの立方体ブロックを切り出し、酸素気流
中１０００℃の温度条件下で６０時間、９０時間、１５
０時間、２５０時間熱処理を行った。その後該単結晶ブ
ロックの光吸収を分光光度計で測定し、４２０ｎｍ近傍
の光吸収の有無を調べた。以下同様にして酸化マグネシ
ウムの濃度が０.００５，０.０１，０.０５，０.１，
０.５，１.０，５.０，７.０の各モル％のイットリウム
バナデイト単結晶についても光吸収の有無を調べた。そ
の結果を表２に示す。
マグネシウム（ＭｇＯ）を０.１モル％の比で加え、十
分に混合した上で３００ｇ秤り取り、５０φｍｍ×５０
ｍｍのイリジウム坩堝に入れ、酸素を流量比で１％含む
窒素雰囲気中にて融解する。方位＜００１＞の種子結晶
を用いて引上速度１ｍｍ／Ｈ回転数１２ｒｐｍで直径２
０ｍｍ、長さ４０ｍｍ単結晶を育成する。得られた単結
晶の上部と下部より切り出した部分のマグネシウム濃度
を測定し、実効分配係数を求めたところ１.１４であっ
た。そこで、イットリウムバナデイト単結晶中のマグネ
シウム濃度が０.００１モル％となるように酸化マグネ
シウムの濃度が０.０００８７モル％のイットリウムバ
ナデイト融液を作り、上記と同じ条件で単結晶の育成を
行った。育成されたイットリウムバナデイト単結晶から
１辺が１０ｍｍの立方体ブロックを切り出し、酸素気流
中１０００℃の温度条件下で６０時間、９０時間、１５
０時間、２５０時間熱処理を行った。その後該単結晶ブ
ロックの光吸収を分光光度計で測定し、４２０ｎｍ近傍
の光吸収の有無を調べた。以下同様にして酸化マグネシ
ウムの濃度が０.００５，０.０１，０.０５，０.１，
０.５，１.０，５.０，７.０の各モル％のイットリウム
バナデイト単結晶についても光吸収の有無を調べた。そ
の結果を表２に示す。
【００１３】
【表２】 イットリウムバナデイト単結晶中のマグネシウム濃度
（モル％）と各熱処理時間での４２０ｎｍ近傍の光吸収
の有無及び結晶品質の関係 表中、○印は吸収無し、×印は吸収有り。（処理温度１
０００℃、酸素気流中）（試料；１０ｍｍ×１０ｍｍ×
１０ｍｍの立方体ブロック，処理温度１０００℃，酸素
気流中） 結果はほぼ酸化カルシウムを加えたネオジウム１.２原
子％を含むイットリウムバナデイトの結果（表１）と同
じく、酸化マグネシウムの濃度が０.０１モル％以上の
場合には、熱処理時間を短縮することができる。他の希
土類バナデイト単結晶においても、酸化カルシウムの場
合と同様、希土類元素の種類によりマグネシウムの実効
分配係数が少し変化するため、融液中の酸化マグネシウ
ムの濃度を変える必要があるが、結晶中の酸化マグネシ
ウムの濃度が０.０１モル％以上では熱処理時間の短縮
が可能である。
（モル％）と各熱処理時間での４２０ｎｍ近傍の光吸収
の有無及び結晶品質の関係 表中、○印は吸収無し、×印は吸収有り。（処理温度１
０００℃、酸素気流中）（試料；１０ｍｍ×１０ｍｍ×
１０ｍｍの立方体ブロック，処理温度１０００℃，酸素
気流中） 結果はほぼ酸化カルシウムを加えたネオジウム１.２原
子％を含むイットリウムバナデイトの結果（表１）と同
じく、酸化マグネシウムの濃度が０.０１モル％以上の
場合には、熱処理時間を短縮することができる。他の希
土類バナデイト単結晶においても、酸化カルシウムの場
合と同様、希土類元素の種類によりマグネシウムの実効
分配係数が少し変化するため、融液中の酸化マグネシウ
ムの濃度を変える必要があるが、結晶中の酸化マグネシ
ウムの濃度が０.０１モル％以上では熱処理時間の短縮
が可能である。
【００１４】しかしながら、酸化カルシウム、酸化マグ
ネシウムの濃度が５モル％を超えると、単結晶中に気泡
が生成しやすくなり、結晶の特性が劣化する。従って
０.０１〜５モル％の範囲が望ましい。
ネシウムの濃度が５モル％を超えると、単結晶中に気泡
が生成しやすくなり、結晶の特性が劣化する。従って
０.０１〜５モル％の範囲が望ましい。
【００１５】
【発明の効果】以上本発明によれば、酸化マグネシウ
ム、又は酸化カルシウムを０.０１〜５モル％の濃度で
結晶中に含有させることにより希土類バナデイト単結晶
の熱処理時間を数分の１に短縮することができる。従っ
て、この効果により希土類バナデイト単結晶を用いた偏
光素子や固体レーザ素子等の製造工程を短縮することが
可能となる。
ム、又は酸化カルシウムを０.０１〜５モル％の濃度で
結晶中に含有させることにより希土類バナデイト単結晶
の熱処理時間を数分の１に短縮することができる。従っ
て、この効果により希土類バナデイト単結晶を用いた偏
光素子や固体レーザ素子等の製造工程を短縮することが
可能となる。
Claims (2)
- 【請求項１】 化学式ＲＶＯ4のＲが、Ｓｃ，Ｙ，Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの中から選択
された一種類、又は二種類以上の元素よりなる３価の希
土類元素である希土類バナデイト単結晶において、不純
物として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）又は酸化カルシウ
ム（ＣａＯ）を０.０１〜５モル％（ｍｏｌ％）含むこ
とを特徴とする希土類バナデイト単結晶。 - 【請求項２】 酸化マグネシウム（ＭｇＯ）又は酸化カ
ルシウム（ＣａＯ）を適量含む希土類バナデイト融液か
ら種子結晶を用いて単結晶を引上げる、いわゆる引上法
によって単結晶を育成することを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の希土類バナデイト単結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7240692A JPH05238897A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 希土類バナデイト単結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7240692A JPH05238897A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 希土類バナデイト単結晶 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05238897A true JPH05238897A (ja) | 1993-09-17 |
Family
ID=13488376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7240692A Pending JPH05238897A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 希土類バナデイト単結晶 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05238897A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0859399A (ja) * | 1994-08-12 | 1996-03-05 | Nec Corp | 希土バナデイト単結晶の育成方法 |
| US7211234B2 (en) * | 2005-01-05 | 2007-05-01 | Clemson University | Hydrothermal growth of lanthanide vanadate crystals for use in laser and birefringent applications and devices |
| CN103305220A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-09-18 | 合肥晶桥光电材料有限公司 | 一种Cr、Tm、Ho掺杂ScVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 |
| CN103305916A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-09-18 | 合肥晶桥光电材料有限公司 | 一种Ho掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 |
-
1992
- 1992-02-21 JP JP7240692A patent/JPH05238897A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0859399A (ja) * | 1994-08-12 | 1996-03-05 | Nec Corp | 希土バナデイト単結晶の育成方法 |
| JP2682458B2 (ja) * | 1994-08-12 | 1997-11-26 | 日本電気株式会社 | 希土バナデイト単結晶の育成方法 |
| US7211234B2 (en) * | 2005-01-05 | 2007-05-01 | Clemson University | Hydrothermal growth of lanthanide vanadate crystals for use in laser and birefringent applications and devices |
| CN103305220A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-09-18 | 合肥晶桥光电材料有限公司 | 一种Cr、Tm、Ho掺杂ScVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 |
| CN103305916A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-09-18 | 合肥晶桥光电材料有限公司 | 一种Ho掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 |
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