CN102108551A - 掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 - Google Patents

掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102108551A
CN102108551A CN 201110003116 CN201110003116A CN102108551A CN 102108551 A CN102108551 A CN 102108551A CN 201110003116 CN201110003116 CN 201110003116 CN 201110003116 A CN201110003116 A CN 201110003116A CN 102108551 A CN102108551 A CN 102108551A
Authority
CN
China
Prior art keywords
crystal
melt
crystal growth
rare earth
growth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN 201110003116
Other languages
English (en)
Inventor
张庆礼
殷绍唐
刘文鹏
孙敦陆
杨华军
周鹏宇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS
Original Assignee
Anhui Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS filed Critical Anhui Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS
Priority to CN 201110003116 priority Critical patent/CN102108551A/zh
Publication of CN102108551A publication Critical patent/CN102108551A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料,它们的化合物分子式可表示为RE′xRE1-xNbyTa1-yO4(RE和RE′代表稀土Sc、Y、La、Gd、Lu元素,0≤x≤1,0≤y≤1)。按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后,成为晶体生长的起始原料;生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后,成为熔体法生长的初始熔体,然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长;RE′xRE1-xNbyTa1-yO4可用作高能射线、高能粒子等的探测材料。

Description

掺杂稀土钽铌酸盐RE′<sub>x</sub>RE<sub>1-x</sub>Nb<sub>y</sub>Ta<sub>1-y</sub>O<sub>4</sub>发光材料及其熔体法晶体生长方法
技术领域
本发明涉及发光材料和晶体生长领域,稀土Sc、Y、La、Gd、Lu掺杂,或非稀土Nb、Ta掺杂的氧化物发光材料RE′xRE1-xNbyTa1-yO4,以及它们的熔体法晶体生长方法。
技术背景
探索新型优性能闪烁体材料是当前核物理、核医学、安检等领域的重要课题。在这些领域中,需要探测高能粒子和射线,这要求发光材料有高的阻止本领、高的发效率和和尽可能快衰减时间。由于稀土元素Sc、Y、La、Gd、Lu及Nb、Ta等元素的原子系数大,它们的化合物氧化物发光材料RE′xRE1-xNbyTa1-yO4也具有很高的密度,因而,作为闪烁体探测材料,它们具有较高的阻止本领,同时,它们也具有较高的发光效率。从生长技术上,这些材料可用提拉法等熔体法生长出大尺寸优质单晶。因而,它们有望作为闪烁体用于高能物理和核医学领域。
发明内容
本发明的目的是提供稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料及其熔体法晶体生长方法,获得性能优良的发光材料,可用于高能物理、核医学和安检等领域。
本发明的技术方案如下:
掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料,其特征在于:化合物分子式可表示为RE′xRE1-xNbyTa1-yO4,其中:RE和RE′代表稀土Sc、Y、La、Gd、Lu元素,RE≠RE′,x、y的取值范围为:0≤x≤1,0≤y≤1。
所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4的熔体法晶体生长方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)采用RE2O3、RE′2O3、Nb2O5、Ta2O5作为原料,按如下化合式进行配料,将充分混合均匀后,在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料:
Figure BDA0000043160790000011
Figure BDA0000043160790000012
(2)熔体法晶体生长中存在杂质分凝效应,生长出的晶体成分和配料成分会有差别,但各组分的剂量在所述的化合物分子式指明的范围之内;
(3)原料的压制和烧结,获得晶体生长初始原料:需要对步骤(1)-(2)中配好的原料进行压制和烧结,压制成形;烧结温度在750~1700℃之间,烧结时间为10~72小时;或者压制成形后的原料不经额外烧结而直接用作生长晶体原料;
(4)把晶体生长初始原料放入生长坩埚内,通过加热并充分熔化,获得晶体生长初始熔体;然后采用熔体法晶体生长工艺——提拉法、坩埚下降法、温梯法或热交换晶体生长方法进行生长。
所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,其特征在于,不采用籽晶定向生长,或者采用籽晶定向生长;对于采用籽晶定向生长,籽晶为RE′xRE1-xNbyTa1-yO4单晶,籽晶方向为晶体的[100]、[010]或[001]方向,以及其它任意方向。
所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,其特征在于:所述配料中,所用原料RE2O3、RE′2O3、Nb2O5、Ta2O5,可采用相应的RE、RE′、Nb、Ta的其它化合物代替,原料合成方法包括高温固相反应、液相合成、气相合成方法,但需满足能通过化学反应能最终形成化合物RE′xRE1-xNbyTa1-yO4这一条件。
所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,其特征在于:由于晶体生长过程中的存在组分分凝效应,设所述RE′xRE1-xNbyTa1-yO4晶体中某种元素的分凝系数为k,k=0.01~1,则当所述的(1)-(3)步骤中RE、RE’、Nb、Ta的化合式中该元素的化合物的质量为W时,则在配料中应调整为W/k。
本发明的有益效果:本发明获得的发光材料有高的阻止本领、高的发光效率和快衰减,可用作激光工作物质和高能射线、高能粒子等的探测材料。
具体实施方式
掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料,其化合物分子式可表示为RE′xRE1-xNbyTa1-yO4,其中:RE和RE’代表稀土Sc、Y、La、Gd、Lu元素,RE≠RE’,x、y的取值范围为:0≤x≤1,0≤y≤1。
掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4的熔体法晶体生长方法,包括以下步骤:
(1)采用RE2O3、RE′2O3、Nb2O5、Ta2O5作为原料,按如下化合式进行配料,将充分混合均匀后,在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料:
Figure BDA0000043160790000031
Figure BDA0000043160790000032
(2)熔体法晶体生长中存在杂质分凝效应,生长出的晶体成分和配料成分会有差别,但各组分的剂量在所述的化合物分子式指明的范围之内;
(3)原料的压制和烧结,获得晶体生长初始原料:需要对步骤(1)-(2)中配好的原料进行压制和烧结,压制成形;烧结温度在750~1700℃之间,烧结时间为10~72小时;或者压制成形后的原料不经额外烧结而直接用作生长晶体原料;
(4)把晶体生长初始原料放入生长坩埚内,通过加热并充分熔化,获得晶体生长初始熔体;然后采用熔体法晶体生长工艺——提拉法、坩埚下降法、温梯法或热交换晶体生长方法进行生长。
所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,不采用籽晶定向生长,或者采用籽晶定向生长;对于采用籽晶定向生长,籽晶为RE’xRE1-xNbyTa1-yO4单晶,籽晶方向为晶体的[100]、[010]或[001]方向,以及其它任意方向。
所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,所述配料中,所用原料RE2O3、RE’2O3、Nb2O5、Ta2O5,可采用相应的RE、RE’、Nb、Ta的其它化合物代替,原料合成方法包括高温固相反应、液相合成、气相合成方法,但需满足能通过化学反应能最终形成化合物RE′xRE1-xNbyTa1-yO4这一条件。
所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,由于晶体生长过程中的存在组分分凝效应,设所述RE′xRE1-xNbyTa1-yO4晶体中某种元素的分凝系数为k,k=0.01~1,则当所述的(1)-(3)步骤中RE、RE′、Nb、Ta的化合式中该元素的化合物的质量为W时,则在配料中应调整为W/k。

Claims (5)

1.掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料,其特征在于:化合物分子式可表示为RE′xRE1-xNbyTa1-yO4,其中:RE和RE′代表稀土Sc、Y、La、Gd、Lu元素,RE≠RE′,x、y的取值范围为:0≤x≤1,0≤y≤1。
2.如权利要求1所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4的熔体法晶体生长方法,其特征在于:
(1)采用RE2O3、RE′2O3、Nb2O5、Ta2O5作为原料,按如下化合式进行配料,将充分混合均匀后,在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料:
Figure FDA0000043160780000011
Figure FDA0000043160780000012
(2)熔体法晶体生长中存在杂质分凝效应,生长出的晶体成分和配料成分会有差别,但各组分的剂量在所述的化合物分子式指明的范围之内;
(3)原料的压制和烧结,获得晶体生长初始原料:需要对步骤(1)-(2)中配好的原料进行压制和烧结,压制成形;烧结温度在750~1700℃之间,烧结时间为10~72小时;或者压制成形后的原料不经额外烧结而直接用作生长晶体原料;
(4)把晶体生长初始原料放入生长坩埚内,通过加热并充分熔化,获得晶体生长初始熔体;然后采用熔体法晶体生长工艺——提拉法、坩埚下降法、温梯法或热交换晶体生长方法进行生长。
3.如权利要求2所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,其特征在于,不采用籽晶定向生长,或者采用籽晶定向生长;对于采用籽晶定向生长,籽晶为RE′xRE1-xNbyTa1-yO4单晶,籽晶方向为晶体的[100]、[010]或[001]方向,以及其它任意方向。
4.如权利要求2所述的掺杂稀土钽酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,其特征在于:所述配料中,所用原料RE2O3、RE′2O3、Nb2O5、Ta2O5,可采用相应的RE、RE′、Nb、Ta的其它化合物代替,原料合成方法包括高温固相反应、液相合成、气相合成方法,但需满足能通过化学反应能最终形成化合物RE′xRE1-xNbyTa1-yO4这一条件。
5.如权利要求2所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,其特征在于:由于晶体生长过程中的存在组分凝效应,设所述RE’xRE1-xNbyTa1-yO4晶体中某种元素的分凝系数为k,k=0.01~1,则当所述的(1)-(3)步骤中RE、RE′、Nb、Ta的化合式中该元素的化合物的质量为W时,则在配料中应调整为W/k。
CN 201110003116 2011-01-08 2011-01-08 掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 Pending CN102108551A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201110003116 CN102108551A (zh) 2011-01-08 2011-01-08 掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料及其熔体法晶体生长方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201110003116 CN102108551A (zh) 2011-01-08 2011-01-08 掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料及其熔体法晶体生长方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102108551A true CN102108551A (zh) 2011-06-29

Family

ID=44172834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201110003116 Pending CN102108551A (zh) 2011-01-08 2011-01-08 掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料及其熔体法晶体生长方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102108551A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104831360A (zh) * 2015-05-14 2015-08-12 中国科学院合肥物质科学研究院 钙、镁、锆掺杂稀土钽铌酸盐晶体及其熔体法晶体生长方法和应用
CN108221055A (zh) * 2018-01-09 2018-06-29 上海应用技术大学 一种本征发光的闪烁晶体钽酸镁及其制备方法和用途
CN109868502A (zh) * 2019-04-19 2019-06-11 上海师范大学 一种稀土掺杂铌酸盐单晶上转换发光材料及其制备方法
CN110759733A (zh) * 2019-11-19 2020-02-07 湘潭大学 一种Y0.5Dy0.5Ta0.5Nb0.5O4钽系陶瓷材料及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0690115A1 (fr) * 1994-07-01 1996-01-03 Rhone-Poulenc Chimie Utilisation d'un tantalate d'yttrium, de lutétium ou de gadolinium dopé en luminescence basse tension
CN101445727A (zh) * 2008-12-30 2009-06-03 中国科学院安徽光学精密机械研究所 掺杂铌酸盐、钽酸盐及其混晶发光材料及其熔体法晶体生长方法
CN101899299A (zh) * 2010-06-25 2010-12-01 海洋王照明科技股份有限公司 一种铌酸盐发光材料及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0690115A1 (fr) * 1994-07-01 1996-01-03 Rhone-Poulenc Chimie Utilisation d'un tantalate d'yttrium, de lutétium ou de gadolinium dopé en luminescence basse tension
CN101445727A (zh) * 2008-12-30 2009-06-03 中国科学院安徽光学精密机械研究所 掺杂铌酸盐、钽酸盐及其混晶发光材料及其熔体法晶体生长方法
CN101899299A (zh) * 2010-06-25 2010-12-01 海洋王照明科技股份有限公司 一种铌酸盐发光材料及其制备方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104831360A (zh) * 2015-05-14 2015-08-12 中国科学院合肥物质科学研究院 钙、镁、锆掺杂稀土钽铌酸盐晶体及其熔体法晶体生长方法和应用
CN108221055A (zh) * 2018-01-09 2018-06-29 上海应用技术大学 一种本征发光的闪烁晶体钽酸镁及其制备方法和用途
CN108221055B (zh) * 2018-01-09 2020-10-09 上海应用技术大学 一种本征发光的闪烁晶体钽酸镁及其制备方法和用途
CN109868502A (zh) * 2019-04-19 2019-06-11 上海师范大学 一种稀土掺杂铌酸盐单晶上转换发光材料及其制备方法
CN110759733A (zh) * 2019-11-19 2020-02-07 湘潭大学 一种Y0.5Dy0.5Ta0.5Nb0.5O4钽系陶瓷材料及其制备方法
CN110759733B (zh) * 2019-11-19 2022-05-31 湘潭大学 一种Y0.5Dy0.5Ta0.5Nb0.5O4钽系陶瓷材料及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101445727A (zh) 掺杂铌酸盐、钽酸盐及其混晶发光材料及其熔体法晶体生长方法
CN102071462A (zh) 钽铌酸铋发光材料及其熔体法晶体生长方法
CN100510203C (zh) 钽酸盐的提拉法晶体生长方法
CN103710755A (zh) 稀土共掺激活的钇铝钪石榴石发光材料及其熔体法晶体生长方法
CN102241980A (zh) 稀土及非稀土掺杂的铌酸盐及其混晶发光材料及熔体法晶体生长方法
CN101476156B (zh) 掺杂钆钇钪镓石榴石、钆钇钪镓铝石榴石及其熔体法晶体生长方法
CN101307496B (zh) 钆钇钪镓石榴石晶体gysgg及其熔体法晶体生长方法
CN103497767A (zh) 稀土钽酸盐CrxTmyHozSc1-x-y-zTaO4发光材料及其熔体法晶体生长方法
CN102108551A (zh) 掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料及其熔体法晶体生长方法
CN103451732A (zh) 稀土钽酸盐CrxTmyHozGd1-x-y-zTaO4发光材料
CN110067024B (zh) 光电功能晶体m3re(po4)3及其制备方法
CN103497766A (zh) 铌酸盐CrxTmyHozBi1-x-y-zNbO4发光材料
CN102071463B (zh) 掺杂稀土锗镓酸盐RExLn1-xGaGe2O7发光材料及其熔体法晶体生长方法
CN105332056A (zh) 激光照明用二价金属阳离子与铈共掺镥铝石榴石晶体及其制备方法
CN101279847A (zh) 微量稀土元素掺杂钇钡铜氧超导块体材料的制备方法
CN102443844A (zh) 在稀土氧正硅酸盐晶体的生产过程中晶体生长不稳定性的抑制
US20220228294A1 (en) Piezoelectric single crystal m3re(po4)3 and the preparation method and application thereof
CN102766906A (zh) 一类铒离子激活3微米波段镓酸盐激光晶体及其制备方法
CN101671844A (zh) Sm掺杂钙镁锆钆镓石榴石及其熔体法晶体生长方法
CN101973583B (zh) 一种高闪烁性能钨酸铅粉体的制备方法
CN102127437A (zh) 掺杂ⅱa族稀土氧化物发光材料及其熔体法生长方法
CN103305915A (zh) 一种Tm掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法
CN102021652B (zh) 稀土或Bi、Cr、Ti掺杂IIA族稀土氧化物发光材料及其制备方法
CN1544709A (zh) 硅酸钆闪烁晶体的生长方法
CN103451733A (zh) 铌酸盐TmyHozBi1-y-zNbO4发光材料及其熔体法晶体生长方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20110629