CN102108551A - 掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料,它们的化合物分子式可表示为RE′xRE1-xNbyTa1-yO4(RE和RE′代表稀土Sc、Y、La、Gd、Lu元素,0≤x≤1,0≤y≤1)。按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后,成为晶体生长的起始原料;生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后,成为熔体法生长的初始熔体,然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长;RE′xRE1-xNbyTa1-yO4可用作高能射线、高能粒子等的探测材料。
Description
技术领域
本发明涉及发光材料和晶体生长领域,稀土Sc、Y、La、Gd、Lu掺杂,或非稀土Nb、Ta掺杂的氧化物发光材料RE′xRE1-xNbyTa1-yO4,以及它们的熔体法晶体生长方法。
技术背景
探索新型优性能闪烁体材料是当前核物理、核医学、安检等领域的重要课题。在这些领域中,需要探测高能粒子和射线,这要求发光材料有高的阻止本领、高的发效率和和尽可能快衰减时间。由于稀土元素Sc、Y、La、Gd、Lu及Nb、Ta等元素的原子系数大,它们的化合物氧化物发光材料RE′xRE1-xNbyTa1-yO4也具有很高的密度,因而,作为闪烁体探测材料,它们具有较高的阻止本领,同时,它们也具有较高的发光效率。从生长技术上,这些材料可用提拉法等熔体法生长出大尺寸优质单晶。因而,它们有望作为闪烁体用于高能物理和核医学领域。
发明内容
本发明的目的是提供稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料及其熔体法晶体生长方法,获得性能优良的发光材料,可用于高能物理、核医学和安检等领域。
本发明的技术方案如下:
掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料,其特征在于:化合物分子式可表示为RE′xRE1-xNbyTa1-yO4,其中:RE和RE′代表稀土Sc、Y、La、Gd、Lu元素,RE≠RE′,x、y的取值范围为:0≤x≤1,0≤y≤1。
所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4的熔体法晶体生长方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)采用RE2O3、RE′2O3、Nb2O5、Ta2O5作为原料,按如下化合式进行配料,将充分混合均匀后,在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料:
(2)熔体法晶体生长中存在杂质分凝效应,生长出的晶体成分和配料成分会有差别,但各组分的剂量在所述的化合物分子式指明的范围之内;
(3)原料的压制和烧结,获得晶体生长初始原料:需要对步骤(1)-(2)中配好的原料进行压制和烧结,压制成形;烧结温度在750~1700℃之间,烧结时间为10~72小时;或者压制成形后的原料不经额外烧结而直接用作生长晶体原料;
(4)把晶体生长初始原料放入生长坩埚内,通过加热并充分熔化,获得晶体生长初始熔体;然后采用熔体法晶体生长工艺——提拉法、坩埚下降法、温梯法或热交换晶体生长方法进行生长。
所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,其特征在于,不采用籽晶定向生长,或者采用籽晶定向生长;对于采用籽晶定向生长,籽晶为RE′xRE1-xNbyTa1-yO4单晶,籽晶方向为晶体的[100]、[010]或[001]方向,以及其它任意方向。
所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,其特征在于:所述配料中,所用原料RE2O3、RE′2O3、Nb2O5、Ta2O5,可采用相应的RE、RE′、Nb、Ta的其它化合物代替,原料合成方法包括高温固相反应、液相合成、气相合成方法,但需满足能通过化学反应能最终形成化合物RE′xRE1-xNbyTa1-yO4这一条件。
所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,其特征在于:由于晶体生长过程中的存在组分分凝效应,设所述RE′xRE1-xNbyTa1-yO4晶体中某种元素的分凝系数为k,k=0.01~1,则当所述的(1)-(3)步骤中RE、RE’、Nb、Ta的化合式中该元素的化合物的质量为W时,则在配料中应调整为W/k。
本发明的有益效果:本发明获得的发光材料有高的阻止本领、高的发光效率和快衰减,可用作激光工作物质和高能射线、高能粒子等的探测材料。
具体实施方式
掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料,其化合物分子式可表示为RE′xRE1-xNbyTa1-yO4,其中:RE和RE’代表稀土Sc、Y、La、Gd、Lu元素,RE≠RE’,x、y的取值范围为:0≤x≤1,0≤y≤1。
掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4的熔体法晶体生长方法,包括以下步骤:
(1)采用RE2O3、RE′2O3、Nb2O5、Ta2O5作为原料,按如下化合式进行配料,将充分混合均匀后,在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料:
(2)熔体法晶体生长中存在杂质分凝效应,生长出的晶体成分和配料成分会有差别,但各组分的剂量在所述的化合物分子式指明的范围之内;
(3)原料的压制和烧结,获得晶体生长初始原料:需要对步骤(1)-(2)中配好的原料进行压制和烧结,压制成形;烧结温度在750~1700℃之间,烧结时间为10~72小时;或者压制成形后的原料不经额外烧结而直接用作生长晶体原料;
(4)把晶体生长初始原料放入生长坩埚内,通过加热并充分熔化,获得晶体生长初始熔体;然后采用熔体法晶体生长工艺——提拉法、坩埚下降法、温梯法或热交换晶体生长方法进行生长。
所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,不采用籽晶定向生长,或者采用籽晶定向生长;对于采用籽晶定向生长,籽晶为RE’xRE1-xNbyTa1-yO4单晶,籽晶方向为晶体的[100]、[010]或[001]方向,以及其它任意方向。
所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,所述配料中,所用原料RE2O3、RE’2O3、Nb2O5、Ta2O5,可采用相应的RE、RE’、Nb、Ta的其它化合物代替,原料合成方法包括高温固相反应、液相合成、气相合成方法,但需满足能通过化学反应能最终形成化合物RE′xRE1-xNbyTa1-yO4这一条件。
所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,由于晶体生长过程中的存在组分分凝效应,设所述RE′xRE1-xNbyTa1-yO4晶体中某种元素的分凝系数为k,k=0.01~1,则当所述的(1)-(3)步骤中RE、RE′、Nb、Ta的化合式中该元素的化合物的质量为W时,则在配料中应调整为W/k。
Claims (5)
1.掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料,其特征在于:化合物分子式可表示为RE′xRE1-xNbyTa1-yO4,其中:RE和RE′代表稀土Sc、Y、La、Gd、Lu元素,RE≠RE′,x、y的取值范围为:0≤x≤1,0≤y≤1。
2.如权利要求1所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4的熔体法晶体生长方法,其特征在于:
(1)采用RE2O3、RE′2O3、Nb2O5、Ta2O5作为原料,按如下化合式进行配料,将充分混合均匀后,在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料:
(2)熔体法晶体生长中存在杂质分凝效应,生长出的晶体成分和配料成分会有差别,但各组分的剂量在所述的化合物分子式指明的范围之内;
(3)原料的压制和烧结,获得晶体生长初始原料:需要对步骤(1)-(2)中配好的原料进行压制和烧结,压制成形;烧结温度在750~1700℃之间,烧结时间为10~72小时;或者压制成形后的原料不经额外烧结而直接用作生长晶体原料;
(4)把晶体生长初始原料放入生长坩埚内,通过加热并充分熔化,获得晶体生长初始熔体;然后采用熔体法晶体生长工艺——提拉法、坩埚下降法、温梯法或热交换晶体生长方法进行生长。
3.如权利要求2所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,其特征在于,不采用籽晶定向生长,或者采用籽晶定向生长;对于采用籽晶定向生长,籽晶为RE′xRE1-xNbyTa1-yO4单晶,籽晶方向为晶体的[100]、[010]或[001]方向,以及其它任意方向。
4.如权利要求2所述的掺杂稀土钽酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,其特征在于:所述配料中,所用原料RE2O3、RE′2O3、Nb2O5、Ta2O5,可采用相应的RE、RE′、Nb、Ta的其它化合物代替,原料合成方法包括高温固相反应、液相合成、气相合成方法,但需满足能通过化学反应能最终形成化合物RE′xRE1-xNbyTa1-yO4这一条件。
5.如权利要求2所述的掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料的熔体法晶体生长方法,其特征在于:由于晶体生长过程中的存在组分凝效应,设所述RE’xRE1-xNbyTa1-yO4晶体中某种元素的分凝系数为k,k=0.01~1,则当所述的(1)-(3)步骤中RE、RE′、Nb、Ta的化合式中该元素的化合物的质量为W时,则在配料中应调整为W/k。
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