CN103241703B - 电子器件及其制造方法、以及电子设备 - Google Patents

电子器件及其制造方法、以及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN103241703B
CN103241703B CN201310050795.2A CN201310050795A CN103241703B CN 103241703 B CN103241703 B CN 103241703B CN 201310050795 A CN201310050795 A CN 201310050795A CN 103241703 B CN103241703 B CN 103241703B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic device
contact site
wiring
lid
matrix
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310050795.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103241703A (zh
Inventor
高木成和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN103241703A publication Critical patent/CN103241703A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103241703B publication Critical patent/CN103241703B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/162Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0086Electrical characteristics, e.g. reducing driving voltage, improving resistance to peak voltage
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032Packages or encapsulation
    • B81B7/007Interconnections between the MEMS and external electrical signals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/09Packages
    • B81B2207/091Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
    • B81B2207/094Feed-through, via
    • B81B2207/095Feed-through, via through the lid
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/09Packages
    • B81B2207/091Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
    • B81B2207/094Feed-through, via
    • B81B2207/096Feed-through, via through the substrate
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/09Packages
    • B81B2207/091Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
    • B81B2207/097Interconnects arranged on the substrate or the lid, and covered by the package seal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

本发明提供电子器件及其制造方法、以及电子设备,它们具有稳定的特性。电子器件(100)包含:第1部件(10),其具有基准电位端子;第2部件(50),其被载置到所述第1部件的第1面(11)上,具有导电性;以及功能元件(80),其被收纳在由第1部件(10)和第2部件(50)围起的腔室(56)内,第2部件(50)与基准电位端子经由接触部(60)电连接。

Description

电子器件及其制造方法、以及电子设备
技术领域
本发明涉及电子器件及其制造方法、以及电子设备。
背景技术
近年来,开发了例如具备使用硅MEMS(Micro Electro Mechanical System:微电子机械系统)技术检测物理量的功能元件的电子器件。
作为功能元件例如已知有如下静电电容型的物理量传感器元件,其具有固定配置的固定电极和隔开间隔与固定电极相对并且被设置为可移位的可动电极,根据固定电极与可动电极之间的静电电容来检测加速度等物理量(参照专利文献1)。将专利文献1的物理量传感器元件收纳到包含支撑物理量传感器元件的支撑体和盖体而构成的封装的腔室内,用作电子器件。
【专利文献1】日本特开2011-247812号公报
但是,在上述那样的电子器件中,当构成腔室的部件(例如盖体)的电位发生变动时,功能元件的特性变动,从而有时不能得到稳定的特性。
发明内容
本发明的几个方式的目的之一在于提供具有稳定的特性的电子器件。本发明的几个方式的目的之一还在于提供具有稳定的特性的电子器件的制造方法。本发明的几个方式的目的之一还在于提供包含上述电子器件的电子设备。
本发明正是为了解决上述课题中的至少一部分而完成的,可作为以下方式或应用例来实现。
[应用例1]
本应用例的电子器件包含:
第1部件,其具有基准电位端子;
第2部件,其被载置到所述第1部件的第1面上,具有导电性;以及
功能元件,其被收纳在由所述第1部件和所述第2部件围起的腔室内,
所述第2部件与所述基准电位端子经由接触部电连接。
根据这种电子器件,接触部将第2部件和基准电位端子电连接,因此能够固定第2部件的电位。由此,能够防止功能元件的特性由于第2部件的电位变动而变得不稳定的情况,能够具有稳定的特性。
另外,在本发明的记载中,例如将“电连接”这样的词句用于“与特定部件(以下称作“A部件”)“电连接”的其他特定部件(以下称作“B部件”)”等。在本发明的记载中,在该例的情况下,作为包含A部件和B部件直接接触并电连接那样的情况、以及A部件和B部件经由其他部件电连接那样的情况,使用了“电连接”这样的词句。
[应用例2]
在本应用例的电子器件中,
所述第1部件的所述第1面侧设置有凹部,
所述接触部配置在所述凹部内。
根据这种电子器件,能够固定第2部件的电位。由此,能够防止功能元件的特性由于第2部件的电位变动而变得不稳定的情况,能够具有稳定的特性。
[应用例3]
在本应用例的电子器件中,
所述基准电位端子设置在所述第1部件的所述第1面侧,
连接所述接触部和所述基准电位端子的布线设置在所述凹部内。
根据这种电子器件,能够在任意位置形成接触部和基准电位端子,能够提高设计的自由度。
[应用例4]
在本应用例的电子器件中,
所述基准电位端子设置在所述第1部件的与所述第1面相反侧的面上,
所述接触部与所述基准电位端子经由贯通所述第1部件的贯通电极连接。
根据这种电子器件,能够固定第2部件的电位。由此,能够防止功能元件的特性由于第2部件的电位变动而变得不稳定的情况,能够具有稳定的特性。
[应用例5]
在本应用例的电子器件中,
所述基准电位端子通过第2布线与所述功能元件电连接,
所述接触部设置在所述第2布线上。
根据这种电子器件,能够将连接基准电位端子与接触部的布线、以及连接基准电位端子与功能元件的布线设为公共的布线。
[应用例6]
在本应用例的电子器件中,
所述接触部设置在所述第2部件侧。
根据这种电子器件,能够固定第2部件的电位。由此,能够防止功能元件的特性由于第2部件的电位变动而变得不稳定的情况,能够具有稳定的特性。
[应用例7]
在本应用例的电子器件中,
所述接触部与所述第2部件设置成一体。
根据这种电子器件,能够固定第2部件的电位。由此,能够防止功能元件的特性由于第2部件的电位变动而变得不稳定的情况,能够具有稳定的特性。
[应用例8]
在本应用例的电子器件中,
所述第1部件的材质为玻璃,
所述第2部件的材质为硅,
所述第1部件和所述第2部件被阳极接合。
根据这种电子器件,能够将第2部件牢固接合到第1部件,能够提高电子器件的耐冲击性。并且,例如在通过玻璃料等粘接部件接合第1面和第2面时,在接合时粘接部件扩展,因此需要作为接合余量的程度的区域,但通过阳极接合,能够减小这种区域。因此,能够实现电子器件的小型化。
[应用例9]
在本应用例的电子器件中,
所述功能元件是物理量传感器。
根据这种电子器件,能够防止功能元件的特性由于第2部件的电位变动而变得不稳定的情况,能够具有稳定的特性。
[应用例10]
本应用例的电子器件的制造方法包含以下工序:
在具备设置有凹部的第1面的第1部件上形成基准电位端子;
在具有导电性的第2部件的第2面上形成接触部;以及
接合所述第1面和所述第2面,将功能元件收纳到由所述第1部件和所述第2部件围起的腔室内,并且将所述接触部配置到所述凹部内,
所述第2部件与所述基准电位端子经由所述接触部电连接。
根据这种电子器件的制造方法,接触部将第2部件和基准电位端子电连接,因此能够固定第2部件的电位。由此,能够防止功能元件的特性由于第2部件的电位变动而变得不稳定的情况,能够得到具有稳定的特性的电子器件。并且,根据这种电子器件的制造方法,在接合第1部件和第2部件的工序中,能够将接触部配置到凹部内,而将第2部件和基准电位端子电连接,因此能够简化制造工序。
[应用例11]
在本应用例的电子器件的制造方法中,
所述第1部件的材质为玻璃,
所述第2部件的材质为硅,
通过阳极接合来进行所述第1面和所述第2面的接合。
根据这种电子器件的制造方法,能够利用阳极接合将第1部件牢固接合到第2部件,能够实现电子器件的耐冲击性的提高。并且,例如在通过玻璃料等粘接部件接合第1部件和第2部件时,在接合时粘接部件扩展,因此需要作为接合余量的程度的区域,但通过阳极接合,能够减小这种区域。因此,能够实现电子器件的小型化。
[应用例12]
在本应用例的电子器件的制造方法中,
所述电子器件的制造方法包含在所述凹部内形成与所述基准电位端子电连接的布线的工序,
在接合所述第1面和所述第2面的工序中,对所述接触部和所述布线进行电连接。
根据这种电子器件的制造方法,在接合第1面和第2面的工序中,能够将接触部配置到凹部内,而对第2部件和基准电位端子进行电连接,因此能够简化制造工序。
[应用例13]
本应用例的电子设备包含应用例1-9的电子器件。
根据这种电子设备,由于包含应用例1-9的电子器件,因此能够具有稳定的特性。
附图说明
图1是示意性示出本实施方式的电子器件的俯视图。
图2是示意性示出本实施方式的电子器件的剖视图。
图3是示意性示出本实施方式的电子器件的剖视图。
图4是示意性示出本实施方式的电子器件的制造工序的剖视图。
图5是示意性示出本实施方式的电子器件的制造工序的剖视图。
图6是示意性示出本实施方式的电子器件的制造工序的剖视图。
图7是示意性示出本实施方式的电子器件的制造工序的剖视图。
图8是示意性示出本实施方式的电子器件的制造工序的剖视图。
图9是示意性示出本实施方式的第1变形例的电子器件的俯视图。
图10是示意性示出本实施方式的第1变形例的电子器件的剖视图。
图11是示意性示出本实施方式的第2变形例的电子器件的俯视图。
图12是示意性示出本实施方式的第2变形例的电子器件的剖视图。
图13是示意性示出本实施方式的第3变形例的电子器件的剖视图。
图14是示意性示出本实施方式的电子设备的立体图。
图15是示意性示出本实施方式的电子设备的立体图。
图16是示意性示出本实施方式的电子设备的立体图。
标号说明
10:基体;11:上表面;12:下表面;14a:第1凹部;14b:第2凹部;15、16、17、18:槽部;20、22、24、26:布线;30、32、34、36、38:连接端子;40、42、44:接触部;50:盖体;51:上表面;52:下表面;53:面;56:腔室;56a:凹陷;57:第1贯通孔;58:第2贯通孔;60:接触部;70:填充部件;72:密封部件;80:功能元件;81、82:固定部;84:连结部;84a、84b:梁;85:连结部;85a、85b:梁;86:可动部;87:可动电极部;88、89:固定电极部;100:电子器件;200:电子器件;210:贯通电极;300、400:电子器件;1100:个人计算机;1102:键盘;1104:主体部;1106:显示单元;1108:显示部;1200:便携电话机;1202:操作按钮;1204:接听口;1206:发送口;1208:显示部;1300:数字静态照相机;1302:外壳;1304:受光单元;1306:快门按钮;1308:存储器;1310:显示部;1312:视频信号输出端子;1314:输入输出端子;1430:电视监视器;1440:个人计算机。
具体实施方式
下面,使用附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。另外,以下说明的实施方式并不对权利要求书中记载的本发明的内容进行不恰当的限定。并且以下说明的所有结构不一定是本发明必需的结构要件。
1.电子器件
首先,参照附图说明本实施方式的电子器件。图1是示意性示出本实施方式的电子器件100的俯视图。图2是示意性示出本实施方式的电子器件100的剖视图,是图1的II-II线剖视图。图3是示意性示出本实施方式的电子器件100的剖视图,是图1的III-III线剖视图。另外,在图1~图3中,作为彼此垂直的3个轴,图示了X轴、Y轴、Z轴。
如图1~图3所示,电子器件100包含基体(第1部件)10、连接端子(基准电位端子)36、盖体(第2部件)50、接触部60和功能元件80。并且,电子器件100例如可包含槽部15、16、17、18、布线20、22、24、26、连接端子30、32、34、36、38、填充部件70和密封部件72。另外,为了方便,在图1中,对盖体50、接触部60、填充部件70和密封部件72进行了透视图示。
基体10的材质例如为玻璃。基体10的材质不限于此,例如也可以是硅。如图2所示,基体10具有上表面(第1面)11和上表面11的相反侧的下表面12。在图示的例子中,上表面11朝向+Z方向,下表面12朝向-Z方向。基体10的上表面11的一部分与盖体50的下表面(第2面)52接合。在基体10的上表面11上设置有第1凹部14a和第2凹部14b。在基体10的上表面11上还设置有槽部15、16、17、18。
在第1凹部14a的上方配置有功能元件80的可动部86和可动电极部87。可以利用第1凹部14a,使得可动部86和可动电极部87在不妨碍基体10的情况下朝期望的方向移动。第1凹部14a的平面形状(从Z轴方向观察时的形状)没有特别限定,但在图1所示的例子中为长方形。
第2凹部14b设置在基体10的上表面11中、在平面视图中(从Z轴方向观察)与盖体50的下表面52重叠的区域。第2凹部14b设置于腔室56的外侧(在平面视图不与腔室56重叠的区域)。在第2凹部14b上连接有槽部18。在第2凹部14b内设置有连接端子38和布线26。在图2所示的例子中,在规定第2凹部14b的底面的基体10的面上设置有布线26,在布线26上设置有连接端子38。并且,接触部60位于连接端子38上。连接端子38与接触部60在第2凹部14b内被连接。第2凹部14b的深度(Z轴方向的大小),即,基体10的上表面11与第2凹部14b的底面之间的距离与布线26、连接端子38以及接触部60的厚度(Z轴方向的大小)相同。在图2的例子中,第2凹部14b的深度与槽部15的设置有连接端子30的区域深度相同。另外,虽然未图示,但可以在规定第2凹部14b的底面的面上设置突起部,在该突起部上设置布线26和连接端子38。另外,可以不设置连接端子38而直接连接接触部60与布线26。
槽部15设置在基体10的上表面11上。槽部15从通过基体10和盖体50围起的腔室56的内侧延伸到外侧。槽部15例如具有与布线20和连接端子30的平面形状对应的平面形状。
同样,槽部16、17设置在基体10的上表面11上。在图1所示的例子中,槽部16、17沿着第1凹部14a的外周设置。槽部16、17从腔室56的内侧延伸到外侧。槽部16例如具有与布线22和连接端子32的平面形状对应的平面形状。槽部17例如具有与布线24和连接端子34的平面形状对应的平面形状。
槽部18设置在基体10的上表面11上。在图1所示的例子中,槽部18沿着第1凹部14a的外周设置。槽部18从第2凹部14b延伸到连接端子36(腔室56的外侧)的位置。槽部18例如具有与布线26和连接端子36的平面形状对应的平面形状。
槽部15、16、17、18的深度(Z轴方向的大小)比布线20、22、24、26和连接端子30、32、34、36的厚度(Z轴方向的大小)大。由此,能够防止布线20、22、24、26和连接端子30、32、34、36从基体10的上表面11朝上方(+Z方向)突出。
布线20设置在槽部15内。更具体而言,布线20设置在规定槽部15的底面的基体10的面上。布线20将功能元件80和连接端子30电连接。在图示的例子中,布线20经由设置在槽部15内的接触部40与功能元件80的固定部81连接。
布线22设置在槽部16内。更具体而言,布线22设置在规定槽部16的底面的基体10的面上。布线22将功能元件80和连接端子32电连接。在图示的例子中,布线22经由接触部42与功能元件80的固定电极部88连接。
布线24设置在槽部17内。更具体而言,布线24设置在规定槽部17的底面的基体10的面上。布线24将功能元件80和连接端子34电连接。在图示的例子中,布线24经由接触部44与功能元件80的固定电极部89连接。
布线(第1布线)26设置在第2凹部14b内和槽部18内。更具体而言,布线26设置在规定第2凹部14b的底面的基体10的面和规定槽部18的底面的基体10的面上。布线26将接触部60和连接端子36(基准电位端子)电连接。布线26经由连接端子38与接触部60电连接。
连接端子30设置在基体10的上表面11侧。在图2所示的例子中,连接端子30设置在槽部15内且设置在布线20上。连接端子30配置于腔室56的外侧。即,连接端子30设置在平面视图中不与盖体50重叠的位置处。
同样,连接端子32、34设置在基体10的上表面11侧。例如,连接端子32设置在槽部16内且设置在布线22上,连接端子34设置在槽部17内且设置在布线24上。
连接端子(基准电位端子)36设置在基体10的上表面11侧。例如,连接端子36设置在槽部18内且设置在布线26上。从外部(电位供给部(未图示))向连接端子36施加基准电位(在功能元件动作时不发生变动的电位、固定电位)。连接端子36例如可以经由布线(未图示)接地。施加到连接端子36的电位可以与施加到连接端子30(功能元件80的可动部86和可动电极部87)的电位相同。
连接端子32、34、36配置于腔室56的外侧。即,连接端子32、34、36设置在平面视图中不与盖体50重叠的位置处。在图1所示的例子中,连接端子30、32、34、36沿着Y轴并列配置。
连接端子38设置在基体10的上表面11侧。在图2所示的例子中,连接端子38设置在第2凹部14b内且设置在布线26上。连接端子38设置在平面视图中与接触部60重叠的位置处。连接端子38与接触部60连接。
布线20、22、24、26和连接端子30、32、34、36的材质例如为ITO(Indium Tin Oxide:氧化铟锡)、铝、金、铂、钛、钨、铬、镍等。连接端子38和接触部40、42、44的材质例如为金、铜、铝、铂、钛、钨、铬、镍等。当使用了ITO等透明电极材料作为布线20、22、24、26和连接端子30、32、34、36的材质时,在基体10透明的情况下,例如能够从基体10的下表面12侧容易地视觉辨认存在于布线20、22、24、26上和连接端子30、32、34、36上的异物。
另外,在上述情况下,作为一例,说明了具备3个布线20、22、24和3个连接端子30、32、34作为与功能元件80连接的布线和连接端子的情况,但是布线和连接端子的数量能够根据功能元件80的形状和数量进行适当变更。
盖体50被载置到基体10的上表面11上。在图2和图3所示的例子中,盖体50被载置到基体10上。盖体50具有上表面51和上表面51的相反侧的下表面52。在图示的例子中,上表面51朝向+Z方向,下表面52朝向-Z方向。盖体50的下表面52的一部分与基体10(基体10的上表面11)接合。在盖体50的下表面52上设置有形成腔室56的凹部,由此盖体50可具备规定腔室56的面53。另外,虽然未图示,但盖体50可以经由粘接部件被接合到基体10。该情况下,接触部60可以不配置在第2凹部14b内。
如图2所示,盖体50通过将布线20设置在槽部15内,与布线20隔开配置。更具体而言,盖体50的下表面52包含与布线20隔着空隙相对配置的部分。同样,盖体50通过将布线22、24、26设置在槽部16、17、18内,与布线22、24、26隔开配置。盖体50的下表面52包含与布线22、24、26隔着空隙相对配置的部分。
盖体50具有导电性。盖体50的材质例如为硅。盖体50与基体10的接合方法没有特别限定。例如在基体10的材质为玻璃、盖体50的材质为硅的情况下,能够对基体10和盖体50进行阳极接合。
基体10和盖体50能够构成封装。基体10和盖体50能够形成腔室56,能够将功能元件80收纳到腔室56。腔室56例如在惰性气体(例如氮气)环境或减压状态下被密闭。
第1贯通孔57设置在盖体50上。如图1所示,在平面视图中(从Z轴方向观察),第1贯通孔57设置于与槽部15、16、17、18重叠的位置处。在图3所示的例子中,第1贯通孔57设置在槽部15、16、17、18的上方(布线20、22、24、26的上方)。
如图2和图3所示,第1贯通孔57从盖体50的上表面51设置到下表面52,沿Z轴方向贯通盖体50。第1贯通孔57例如优选为开口直径随着朝向基体10侧(随着从上表面51朝向下表面52)而变小的锥形形状。在这种方式中,在形成填充部件70的膜时,容易成膜到孔底。
另外,在图示的例子中,在平面视图中,设置有与槽部15、16、17、18重叠的1个第1贯通孔57,但也可以与多个(4个)槽部15、16、17、18对应地设置多个(4个)贯通孔。在这种方式中,例如能够增大基体10和盖体50的接合面积,能够增大接合强度。
第2贯通孔58从盖体50的上表面51设置到规定腔室56的面53,沿Z轴方向贯通盖体50。第2贯通孔58与腔室56连通。第2贯通孔58例如优选为开口直径随着朝向基体10侧(随着从上表面51朝向规定腔室56的面53)而变小的锥形形状。在这种方式中,能够在软钎料球(将后述)熔融时防止软钎料球的下落。此外,由于是开口面积朝腔室56侧逐渐变窄的构造,因此能够更可靠地进行密封。
接触部60设置在盖体50的下表面52上。接触部60设置在盖体50的下表面52中、在平面视图中与第2凹部14b重叠的区域。接触部60从盖体50的下表面52朝-Z方向突出。因此,接触部60的至少一部分相比基体10的上表面11位于基体10侧,且配置在第2凹部14b内。另外,虽然未图示,但接触部60可以设置在基体10上。例如,可以在布线26上设置接触部60。
接触部60的材质例如为金、铜、铝、铂、钛、钨、铬、镍等。接触部60的材质优选为金。由此,在使用金作为连接端子38的材料的情况下,能够减小接触部60与连接端子38之间的接触电阻。并且,能够利用对盖体50与基体10进行阳极接合时的热实现共晶化。接触部60与盖体50电连接。虽然未图示,但可以在接触部60与盖体50之间设置金属层。例如,在接触部60的材质为金、盖体50的材质为硅的情况下,可以在接触部60与盖体50之间设置用于防止金向盖体50扩散的铬层、镍层等金属层。
接触部60经由连接端子38和布线26与连接端子(基准电位端子)36电连接。由此,能够对盖体50与连接端子(基准电位端子)36进行电连接,固定盖体50的电位(将电位设为恒定)。在图1所示的例子中,接触部60位于腔室56的-X方向侧,连接端子(基准电位端子)36位于腔室56的+X方向侧。接触部60与连接端子(基准电位端子)36经由沿着腔室56的外周设置的布线26电连接。
如图2和图3所示,填充部件70设置在第1贯通孔57内和槽部15、16、17、18内,填埋槽部15、16、17、18。在图2所示的例子中,填充部件70填埋槽部15的一部分。如图3所示,填充部件70例如沿着第1贯通孔57的内表面(规定第1贯通孔57的盖体50的面)设置,与布线20、22、24、26和基体10的上表面11接触。虽然未图示,但填充部件70可以设置成完全填入第1贯通孔57。通过填充部件70密闭腔室56。例如使用氧化硅膜(更具体而言,为TEOS(TetraEthyl Ortho Silicate:正硅酸乙酯)膜)、氮化硅膜(SiN)等绝缘膜作为填充部件70。
密封部件72设置在第2贯通孔58内,堵塞第2贯通孔58。通过密封部件72密闭腔室56。密封部件72的材质例如为AuGe、AuSi、AuSn、SnPb、PbAg、SnAgCu、SnZnBi等的合金。
功能元件80被支撑在基体10的上表面11上(基体10上)。功能元件80被收纳在通过基体10和盖体50围起的腔室56中。以下,对功能元件80是检测水平方向(X轴方向)的加速度的加速度传感器元件(静电电容型MEMS加速度传感器元件)的情况进行说明。
如图1和图2所示,功能元件80包含固定部81、82、连结部84、85、可动部86、可动电极部87、固定电极部88、89。
可动部86根据X轴方向的加速度的变化,在使连结部84、85弹性变形的同时,沿X轴方向(+X方向或-X方向)移位。伴随这种移位,可动电极部87与固定电极部88之间的间隙、以及可动电极部87与固定电极部89之间的间隙大小发生变化。即,伴随这种移位,可动电极部87与固定电极部88之间的静电电容、以及可动电极部87与固定电极部89之间的静电电容大小发生变化。功能元件80(电子器件100)能够根据这些静电电容的变化检测X轴方向的加速度。
固定部81、82与基体10的上表面11接合。在图示的例子中,固定部81、82在平面视图中设置成跨越第1凹部14a的外周缘。
可动部86设置在固定部81与固定部82之间。在图1所示的例子中,可动部86的平面形状为具有沿着X轴的长边的长方形。
连结部84、85将可动部86连结到固定部81、82。连结部84、85构成为具有期望的弹簧常数,可使可动部86在X轴方向上移位。在图1所示的例子中,连结部84由两个梁84a、84b构成,这两个梁84a、84b形成在Y轴方向上蜿蜒并且在X轴方向上延伸的形状。同样,连结部85由两个梁85a、85b构成,这两个梁85a、85b形成在Y轴方向上蜿蜒并且在X轴方向上延伸的形状。
可动电极部87与可动部86连接。可动电极部87设置有多个。可动电极部87从可动部86起朝+Y方向和-Y方向突出,沿X轴方向排列形成梳齿状。
固定电极部88、89的一方端部作为固定端与基体10的上表面11接合,另一方端部作为自由端延伸到可动部86侧。固定电极部88、89分别设置有多个。固定电极部88与布线22电连接,固定电极部89与布线24电连接。固定电极部88、89沿X轴方向交替排列形成梳齿状。固定电极部88、89与可动电极部87隔开间隔相对设置,在可动电极部87的一方侧(-X方向侧)配置有固定电极部88、另一方侧(+X方向侧)配置有固定电极部89。
固定部81、82、连结部84、85、可动部86以及可动电极部87一体形成。功能元件80的材质例如为通过掺入磷、硼等杂质而被赋予了导电性的硅。
功能元件80(固定部81、82和固定电极部88、89)与基体10的接合方法没有特别限定,但例如在基体10的材质为玻璃、功能元件80的材质为硅的情况下,能够对基体10和功能元件80进行阳极接合。
在电子器件100中,能够通过使用连接端子30、32测量可动电极部87与固定电极部88之间的静电电容。并且,在电子器件100中,能够通过使用连接端子30、34测量可动电极部87与固定电极部89之间的静电电容。由此在电子器件100中,能够分别测量可动电极部87与固定电极部88之间的静电电容、以及可动电极部87与固定电极部89之间的静电电容,并根据这些测量结果高精度地检测物理量(加速度)。
另外,在以上说明中,说明了功能元件80是检测X轴方向的加速度的加速度传感器元件的情况,但功能元件80可以是检测Y轴方向的加速度的加速度传感器元件,也可以是检测铅直方向(Z轴方向)的加速度的加速度传感器元件。此外,可以在电子器件100中搭载多个这种功能元件80。此外,功能元件80不限于加速度传感器元件,例如也可以是检测角速度的陀螺仪传感器元件、或压力传感器元件。
根据电子器件100,例如具有以下特征。
在电子器件100中,接触部60将盖体50和连接端子(基准电位端子)36电连接,因此能够固定盖体50的电位。由此,能够防止功能元件的特性由于盖体的电位变动而变得不稳定的情况,能够具有稳定的特性。
根据电子器件100,接触部60设置在与基体10的上表面11接合的盖体50的下表面52上。因此,能够在对基体10的上表面11和盖体50的下表面52进行接合的工序中,将接触部60电连接到连接端子(基准电位端子)36。因此,能够实现制造工序的简化。并且,例如与用接合线等对盖体和设置于基体的连接端子(基准电位端子)进行电连接的情况相比,能够实现装置的小型化、低高度化。
根据电子器件100,通过设置在第1凹部14a内的布线26将接触部60和连接端子36电连接。由此,能够在任意位置形成接触部60和连接端子36,能够提高设计的自由度。
根据电子器件100,基体10的材质为玻璃,盖体50的材质为硅,对基体10的上表面11和盖体50的下表面52进行了阳极接合。由此,能够将盖体50牢固接合到基体10,能够提高电子器件100的耐冲击性。并且,例如,在通过玻璃料等粘接部件接合基体和盖体时,在接合时粘接部件扩展,因此需要作为接合余量的程度的区域,但通过阳极接合,能够减小这种区域。因此,能够实现电子器件100的小型化。
在电子器件100中,功能元件80是静电电容型的物理量传感器。在静电电容型的物理量传感器中,根据固定电极部与可动电极部之间的静电电容检测加速度等物理量,因此在盖体50的电位变动时,检测灵敏度和检测精度等恶化。在电子器件100中,由于能够固定盖体50的电位,因此不会产生这种问题。
根据电子器件100,在盖体50的在平面视图中与槽部15、16、17、18重叠的位置处设置有第1贯通孔57,在第1贯通孔57内和槽部15、16、17、18内设置有填埋槽部15、16、17、18的填充部件70。因此,能够利用填充部件70密闭腔室56,从而能够容易地形成气密性高的腔室56。其结果,功能元件80例如可具有较高的检测灵敏度。
并且,在电子器件100中,利用填充部件70密闭腔室56,由此能够提高耐水性。例如,在利用树脂等粘接部件填埋槽部的情况下,腔室的气密性和耐水性有时会降低。
根据电子器件100,第1贯通孔57的形状是开口直径随着朝向基体10侧而变小的锥形形状。因此,能够在第1贯通孔57的内表面容易地形成填充部件70。
根据电子器件100,填充部件70是绝缘膜。由此,能够防止布线20、22、24、26相互短路。
根据电子器件100,在盖体50中设置有与腔室56连通的第2贯通孔58,在第2贯通孔58内设置有堵塞第2贯通孔58的密封部件72。因此,能够通过第2贯通孔58,将腔室56设为惰性气体(例如氮气)环境。此外,能够通过第2贯通孔58调整腔室56的真空度。
2.电子器件的制造方法
接着,参照附图说明本实施方式的电子器件的制造方法。图4~图8是示意性示出本实施方式的电子器件100的制造工序的剖视图。
如图4所示,在基体10的上表面11上形成凹部14a、14b和槽部15、16、17。同样形成槽部18(参照图1)。凹部14a、14b和槽部15、16、17、18例如通过光刻技术和蚀刻技术形成。
如图5所示,在槽部15、16、17、18内和第2凹部14b内分别形成布线20、22、24、26。接着,在布线20上,以与布线20电连接的方式形成连接端子30和接触部40。同样,在布线22上,以与布线22电连接的方式形成连接端子32和接触部42(参照图1)。此外,在布线24上,以与布线24电连接的方式形成连接端子34和接触部44(参照图1)。同样,在布线26上,以与布线26电连接的方式形成连接端子36和连接端子38(参照图1)。
布线20、22、24、26例如利用溅射法或CVD(Chemical Vapor Deposition:化学气相沉积)法等形成导电层(未图示)的膜后,对该导电层进行图形化而形成。图形化利用光刻技术和蚀刻技术进行。连接端子30、32、34、36、38和接触部40、42、44例如以与布线20、22、24、26相同的方法形成。此外,接触部40、42、44优选以期望的值从槽部15、16、17起朝上表面(+Z方向)突出。根据该构造,在后述的硅基板与基体10的接合时,接触部40、42、44被压碎,因此能够更可靠地进行与硅基板的电连接。
能够利用以上工序,准备设置有布线20、22、24、26、连接端子30、32、34、36、38和接触部40、42、44的基体10。
如图6所示,以与布线20、22、24电连接的方式在基体10的上表面11上形成功能元件80。更具体而言,将硅基板(未图示)以在平面视图中与第1凹部14a重叠的方式载置(接合)到基体10的上表面11,并使该硅基板薄膜化后进行图形化,由此形成功能元件80。图形化利用光刻技术和蚀刻技术进行。硅基板与基体10的接合能够通过阳极接合进行。
如图7所示,在盖体50的下表面52上形成作为腔室56的凹陷56a。接着,形成从盖体50的上表面51贯通到下表面52的第1贯通孔57、和从盖体50的上表面51贯通到规定腔室56的面53的第2贯通孔58。
凹陷56a和贯通孔57、58通过光刻技术和蚀刻技术形成。更具体而言,凹陷56a通过从下表面52侧起的湿蚀刻而形成。贯通孔57、58通过从上表面51侧起的湿蚀刻而形成。利用湿蚀刻形成贯通孔57、58,由此能够将贯通孔57、58的形状设为锥形形状。在通过对(100)硅基板进行湿蚀刻来加工形成设置有贯通孔57、58的盖体50的情况下,贯通孔57、58的内表面成为(111)面或与(111)面等效的面。
另外,第1贯通孔57和第2贯通孔58可以通过相同的湿蚀刻工序形成,也可以通过不同的湿蚀刻工序形成。此外,形成凹陷56a的工序和形成贯通孔57、58的工序的顺序不受限制。
接着,在盖体50的下表面52上形成接触部(凸块)60。例如在对光致抗蚀剂进行成膜并图形化后,利用电镀法或CVD法等形成导电材料(未图示)的膜,并去除该光致抗蚀剂,由此形成接触部60。
能够利用以上工序,准备设置有凹陷56a、贯通孔57、58以及接触部60的盖体50。
另外,准备设置有布线20、22、24、26、连接端子30、32、34、36、38和接触部40、42、44的基体10的工序,以及准备设置有凹陷56a、贯通孔57、58以及接触部60的盖体50的工序的顺序不受限制。
此外,在基体10的上表面11上形成功能元件80的工序,以及准备设置有凹陷56a、贯通孔57、58以及接触部60的盖体50的工序的顺序不受限制。
如图8所示,将基体10的上表面11接合到盖体50的下表面52,将功能元件80收纳到通过基体10和盖体50围起的腔室56中,并且,将接触部60配置到第2凹部14b内,对接触部60和连接端子38进行连接。通过对基体10的上表面11和盖体50的下表面52进行接合,将接触部60压接到连接端子38。由此,接触部60经由连接端子38与布线26电连接。因此,能够利用本工序将盖体50和连接端子(基准电位端子)36电连接。基体10的上表面11和盖体50的下表面52的接合能够通过阳极接合进行。
例如,在上述形成接触部60的工序中,通过将接触部60的厚度形成得比连接端子38的上表面与基体10的上表面11之间的距离(Z轴方向的距离)大,在将盖体50的下表面52接合到基体10的上表面11时,压碎接触部60,由此能够对接触部60和连接端子38进行压接。由此,能够可靠连接接触部60和连接端子38。此外,通过使用金作为接触部60和连接端子38的材料,能够用阳极接合时的热实现共晶化。另外,此处说明了在盖体50的下表面52上设置了接触部60的情况,但也可以在布线26上设置接触部60。在这种情况下,同样能够在将盖体50接合到基体10的工序中,将盖体50和接触部60接合,将盖体50和连接端子(基准电位端子)36电连接。
如图2和图3所示,在第1贯通孔57内和槽部15内,以填埋槽部15的方式形成填充部件70。填充部件70还能够形成在槽部16、17、18内,填埋槽部16、17、18。填充部件70通过利用CVD法等对绝缘膜(未图示)进行成膜而形成。
接着,通过第2贯通孔58调整腔室56的环境。例如,通过第2贯通孔58,可以将腔室56设为惰性气体(例如氮气)环境,也可以设为减压状态。
另外,在CVD法等那样进行了减压的状态下形成填充部件70,由此能够省略通过第2贯通孔58将腔室56设为减压状态的工序。即,可以不设置第2贯通孔58。由此,能够实现工序的简化。例如,在功能元件80为陀螺仪传感器元件的情况下,期望腔室56为减压状态。由此,能够抑制陀螺仪传感器元件的振动现象由于空气粘性而衰减。
接着,在第2贯通孔58内形成密封部件72,堵塞第2贯通孔58。更具体而言,密封部件72通过在第2贯通孔58内配置球状的软钎料球(未图示),并利用激光照射使该软钎料球熔融而形成。能够利用填充部件70和密封部件72密闭腔室56。
能够通过以上的工序制造电子器件100。
根据电子器件100的制造方法,例如具有以下特征。
根据电子器件100的制造方法,对基体10的上表面11和盖体50的下表面52进行接合,将功能元件80收纳到被基体10和盖体50围起的腔室56中,并且,将接触部60配置到第2凹部14b内,由此能够将盖体50和连接端子(基准电位端子)36电连接。即,能够以同一工序进行将功能元件80收纳到腔室56内的工序、和将接触部60和连接端子38电连接的工序。因此,能够简化制造工序。
根据电子器件100的制造方法,在将盖体50的下表面52接合到基体10的上表面11的工序中,将接触部60配置到第2凹部14b内,因此盖体50与基体10之间的位置对准比较容易。并且,在将盖体50接合到基体10时,能够防止盖体50错位。
根据电子器件100的制造方法,能够在盖体50的在平面视图中与槽部15、16、17、18重叠的位置处形成第1贯通孔57,在第1贯通孔57内和槽部15、16、17、18内形成填埋槽部15、16、17、18的填充部件70。因此,能够密闭腔室56,能够通过例如用于半导体器件的制作的加工技术容易地形成具有气密性高的腔室56的电子器件100。
并且,在电子器件100的制造方法中,基体10的材质为玻璃,盖体50的材质为硅,基体10(上表面11)与盖体50(下表面52)的接合通过阳极接合进行。由此,能够将盖体50牢固接合到基体10,能够实现电子器件100的耐冲击性的提高。并且,例如,在通过玻璃料等粘接部件接合基体和盖体时,在接合时粘接部件扩展,因此需要作为接合余量的程度的区域,但通过阳极接合,能够减小这种区域。因此,能够实现电子器件100的小型化。
根据电子器件100的制造方法,第1贯通孔57通过湿蚀刻形成。因此,能够将第1贯通孔57的形状设为开口直径随着朝向基体10侧而变小的锥形形状。由此,能够在第1贯通孔57的内表面容易地形成填充部件70。
3.电子器件的变形例
接着,参照附图说明本实施方式的变形例的电子器件。
(1)首先,参照附图说明本实施方式的第1变形例的电子器件。图9是示意性示出本实施方式的第1变形例的电子器件200的俯视图。图10是示意性示出本实施方式的第1变形例的电子器件200的剖视图,是图9的X-X线剖视图。另外,为了方便,在图9中,对盖体50、填充部件70和密封部件72进行了透视图示。
以下,在本实施方式的第1变形例的电子器件200中,对与本实施方式的电子器件100的结构部件具有相同功能的部件标注相同标号并省略其详细说明。
在电子器件200中,如图9和图10所示,连接端子(基准电位端子)36设置在基体10的下表面12上。此外,接触部60与连接端子36经由贯通电极210电连接。
在图10所示的例子中,接触部60与连接端子36经由连接端子38、布线26和贯通电极210电连接。
贯通电极210贯通基体10。在图10的例子中,贯通电极210从规定第2凹部14b的底面的基体10的面设置到基体10的下表面12,沿Z轴方向贯通基体10。贯通电极210例如是截面积(XY平面上的面积)随着朝向基体10的下表面12侧而变小的锥形形状。
贯通电极210例如能够通过如下方式形成,通过蚀刻等形成沿Z轴方向贯通基体10的贯通孔,并在该贯通孔中填入导电性的材料。
根据电子器件200,能够经由贯通电极210将接触部60和连接端子36电连接。因此,例如能够减短设置在基体10的上表面11的布线26(将盖体50和连接端子(基准电位端子)36电连接的布线)的布线长度。
此外,根据电子器件200,能够与上述电子器件100起到同样的作用效果。
另外,电子器件200的制造方法除了形成贯通电极210的工序以外,与上述电子器件100的制造方法相同,从而省略其说明。
(2)接着,参照附图说明本实施方式的第2变形例的电子器件。图11是示意性示出本实施方式的第2变形例的电子器件300的俯视图。图12是示意性示出本实施方式的第2变形例的电子器件300的剖视图,是图11的XII-XII线剖视图。另外,为了方便,在图11中,对盖体50、填充部件70和密封部件72进行了透视图示。
以下,在本实施方式的第2变形例的电子器件300中,对与本实施方式的电子器件100的结构部件具有相同功能的部件标注相同标号并省略其详细说明。
如图11和图12所示,在电子器件300中,在平面视图中(从Z轴方向观察),接触部60配置在功能元件80与连接端子(基准电位端子)30之间,与布线20电连接。
在电子器件300中,从外部向连接端子30施加基准电位(在功能元件动作时不发生变动的电位、固定电位)。布线20将功能元件80和连接端子30电连接。接触部60配置在设置有布线20的槽部15(凹部)内,与布线20电连接。在图示的例子中,接触部60与布线20直接连接,但接触部60也可以经由连接端子(未图示)与布线20电连接。
在电子器件300中,如上所述,具有将功能元件80和连接端子(基准电位端子)30电连接的布线20,接触部60在平面视图中配置在功能元件80与连接端子30之间。因此,例如不需要设置用于连接接触部和连接端子(基准电位端子)的布线。并且,例如与没有将接触部配置在功能元件和连接端子(基准电位端子)之间的情况相比,能够减短布线长度(布线20的长度),能够减少布线电容。
此外,根据电子器件300,能够与上述电子器件100起到同样的作用效果。
另外,电子器件300的制造方法除了接触部60在平面视图中配置在功能元件80与连接端子30之间,并与布线20电连接的方面以外,与上述电子器件100的制造方法相同,从而省略其说明。
(3)接着,参照附图说明本实施方式的第3变形例的电子器件。图13是示意性示出本实施方式的第3变形例的电子器件400的剖视图。
以下,在本实施方式的第3变形例的电子器件400中,对与本实施方式的电子器件100的结构部件具有相同功能的部件标注相同标号并省略其详细说明。
如图13所示,在电子器件400中,与盖体50一体设置接触部60。即,接触部60的材质与盖体50的材质相同。在图13所示的例子中,接触部60是设置在盖体50的下表面52上的、与盖体50一体的突起。另外,虽然未图示,但可以在该突起的前端部(与连接端子38接触的部分)设置导电膜。
根据电子器件400,能够与上述电子器件100起到同样的作用效果。
4.电子设备
接着,参照附图说明本实施方式的电子设备。本实施方式的电子设备包含本发明的电子器件。以下,对包含电子器件100作为本发明的电子器件的电子设备进行说明。
图14是示意性示出移动型(或笔记本型)的个人计算机1100作为本实施方式的电子设备的立体图。
如图14所示,个人计算机1100由具有键盘1102的主体部1104以及具有显示部1108的显示单元1106构成,显示单元1106通过铰链构造部以能够转动的方式支承在主体部1104上。
在这种个人计算机1100中内置有电子器件100。
图15是示意性示出便携电话机(也包含PHS)1200作为本实施方式的电子设备的立体图。
如图15所示,便携电话机1200具有多个操作按钮1202、接听口1204以及发送口1206,在操作按钮1202与接听口1204之间配置有显示部1208。
在这种便携电话机1200中内置有电子器件100。
图16是示意性示出数字静态照相机1300作为本实施方式的电子设备的立体图。另外,在图16中,还简单地示出与外部设备之间的连接。
这里,通常的照相机是通过被摄体的光像对银盐胶片进行感光,与此相对,数字静态照相机1300通过CCD(Charge Coupled Device:电荷耦合器件)等摄像元件对被摄体的光像进行光电转换,生成摄像信号(图像信号)。
在数字静态照相机1300的外壳(机身)1302的背面设置有显示部1310,构成为根据CCD的摄像信号进行显示,显示部1310作为取景器发挥功能,将被摄体显示为电子图像。
并且,在外壳1302的正面侧(图中背面侧)设置有包含光学镜头(摄像光学系统)和CCD等的受光单元1304。
摄影者确认在显示部1310中显示的被摄体像,并按下快门按钮1306时,将该时刻的CCD的摄像信号传输到存储器1308内进行存储。
并且,在该数字静态照相机1300中,在外壳1302的侧面设置有视频信号输出端子1312和数据通信用的输入输出端子1314。而且,根据需要,在视频信号输出端子1312上连接电视监视器1430,在数据通信用的输入输出端子1314上连接个人计算机1440。而且,构成为通过规定操作,将存储在存储器1308中的摄像信号输出到电视监视器1430或个人计算机1440。
在这种数字静态照相机1300中内置有电子器件100。
以上那样的电子设备1100、1200、1300包含具有稳定的特性的电子器件100。因此,电子设备1100、1200、1300能够具有稳定的特性。
另外,除了图14所示的个人计算机(移动型个人计算机)、图15所示的便携电话机、图16所示的数字静态照相机以外,具有上述电子器件100的电子设备例如还能够应用于喷墨式排出装置(例如喷墨打印机)、掌上型个人计算机、电视、摄像机、录像机、各种导航装置、寻呼机、电子记事本(也带有通信功能)、电子辞典、计算器、电子游戏设备、文字处理器、工作站、视频电话、防盗用电视监视器、电子双筒镜、POS终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测量设备、计量仪器类(例如车辆、飞机、火箭、船舶的计量仪器类)、机器人或人体等的姿势控制、飞行模拟器等。
本发明包含与在实施方式中说明的结构实质相同的结构(例如,功能、方法和结果相同的结构,或者目的和效果相同的结构)。此外,本发明包含对在实施方式中说明的结构的非本质部分进行置换后的结构。此外,本发明包含能够与在实施方式中说明的结构起到相同作用效果的结构或达到相同目的的结构。此外,本发明包含对在实施方式中说明的结构附加了公知技术后的结构。

Claims (9)

1.一种电子器件,其包含:
第1部件,其具有基准电位端子;
第2部件,其被载置到所述第1部件的第1面上,具有导电性;以及
功能元件,其被收纳在由所述第1部件和所述第2部件围起的腔室内,
所述第2部件与所述基准电位端子经由接触部电连接,
在所述第1部件的所述第1面侧设置有凹部,
所述接触部配置在所述凹部内,
所述基准电位端子设置在所述第1部件的所述第1面侧,
连接所述接触部和所述基准电位端子的布线设置在所述凹部内,
所述凹部的深度比所述布线和所述基准电位端子的厚度大。
2.根据权利要求1所述的电子器件,其中,
所述基准电位端子通过第2布线与所述功能元件电连接,
所述接触部设置在所述第2布线上。
3.根据权利要求1所述的电子器件,其中,
所述接触部设置在所述第2部件侧。
4.根据权利要求3所述的电子器件,其中,
所述接触部与所述第2部件设置成一体。
5.根据权利要求1所述的电子器件,其中,
所述第1部件的材质为玻璃,
所述第2部件的材质为硅,
所述第1部件和所述第2部件被阳极接合。
6.根据权利要求1所述的电子器件,其中,
所述功能元件是物理量传感器。
7.一种电子器件的制造方法,其包含以下工序:
在具备设置有凹部的第1面的第1部件上形成基准电位端子;
在具有导电性的第2部件的第2面上形成接触部;以及
接合所述第1面和所述第2面,将功能元件收纳到由所述第1部件和所述第2部件围起的型腔内,并且将所述接触部配置到所述凹部内,
所述第2部件与所述基准电位端子经由所述接触部电连接,
所述电子器件的制造方法还包含在所述凹部内形成与所述基准电位端子电连接的布线的工序,
在接合所述第1面和所述第2面的工序中,对所述接触部和所述布线进行电连接,
所述凹部的深度比所述布线和所述基准电位端子的厚度大。
8.根据权利要求7所述的电子器件的制造方法,其中,
所述第1部件的材质为玻璃,
所述第2部件的材质为硅,
通过阳极接合来进行所述第1面和所述第2面的接合。
9.一种电子设备,其中,该电子设备包含权利要求1所述的电子器件。
CN201310050795.2A 2012-02-09 2013-02-08 电子器件及其制造方法、以及电子设备 Active CN103241703B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012026617A JP5999302B2 (ja) 2012-02-09 2012-02-09 電子デバイスおよびその製造方法、並びに電子機器
JP2012-026617 2012-02-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103241703A CN103241703A (zh) 2013-08-14
CN103241703B true CN103241703B (zh) 2017-07-21

Family

ID=48921620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310050795.2A Active CN103241703B (zh) 2012-02-09 2013-02-08 电子器件及其制造方法、以及电子设备

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9420691B2 (zh)
JP (1) JP5999302B2 (zh)
CN (1) CN103241703B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6439272B2 (ja) * 2014-04-23 2018-12-19 セイコーエプソン株式会社 パッケージ、電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器、および移動体
JP2016095236A (ja) 2014-11-14 2016-05-26 セイコーエプソン株式会社 慣性センサーの製造方法および慣性センサー
US20170023606A1 (en) * 2015-07-23 2017-01-26 Freescale Semiconductor, Inc. Mems device with flexible travel stops and method of fabrication
DE102016209732A1 (de) * 2016-06-02 2017-12-07 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement
JP6750439B2 (ja) * 2016-09-30 2020-09-02 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子デバイス装置、電子機器および移動体
DE102017125140B4 (de) * 2017-10-26 2021-06-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil
JP2019120559A (ja) * 2017-12-28 2019-07-22 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体
CN114469118A (zh) * 2020-10-23 2022-05-13 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备及可穿戴设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1447093A (zh) * 2002-03-27 2003-10-08 三星电机株式会社 微惯性传感器及其制造方法
CN1447921A (zh) * 2001-06-21 2003-10-08 三菱电机株式会社 加速度传感器及其制造方法
CN101065826A (zh) * 2005-01-20 2007-10-31 飞思卡尔半导体公司 具有用于感测元件的晶片级芯片规模封装的方法和设备
CN102128953A (zh) * 2010-12-10 2011-07-20 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 对称倾斜折叠梁结构电容式微加速度传感器

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5103667A (en) * 1989-06-22 1992-04-14 Ic Sensors, Inc. Self-testable micro-accelerometer and method
JP3367113B2 (ja) 1992-04-27 2003-01-14 株式会社デンソー 加速度センサ
EP0683921B1 (en) 1993-02-04 2004-06-16 Cornell Research Foundation, Inc. Microstructures and single mask, single-crystal process for fabrication thereof
US6199874B1 (en) 1993-05-26 2001-03-13 Cornell Research Foundation Inc. Microelectromechanical accelerometer for automotive applications
DE4419844B4 (de) 1994-06-07 2009-11-19 Robert Bosch Gmbh Beschleunigungssensor
JP3430771B2 (ja) 1996-02-05 2003-07-28 株式会社デンソー 半導体力学量センサの製造方法
JP4238437B2 (ja) 1999-01-25 2009-03-18 株式会社デンソー 半導体力学量センサとその製造方法
DE19949605A1 (de) * 1999-10-15 2001-04-19 Bosch Gmbh Robert Beschleunigungssensor
JP2001330623A (ja) 2000-03-16 2001-11-30 Denso Corp 半導体力学量センサ
JP2001349731A (ja) * 2000-06-06 2001-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロマシンデバイスおよび角加速度センサおよび加速度センサ
DE10196676B4 (de) * 2001-07-26 2009-11-26 Mitsubishi Denki K.K. Substrat und Herstellungsverfahren dafür sowie Dünnschicht-Strukturkörper
EP1423713A1 (en) * 2001-08-24 2004-06-02 Honeywell International Inc. Hermetically sealed silicon micro-machined electromechanical system (mems) device having diffused conductors
US7642611B2 (en) * 2004-04-22 2010-01-05 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Sensor device, sensor system and methods for manufacturing them
US7204737B2 (en) 2004-09-23 2007-04-17 Temic Automotive Of North America, Inc. Hermetically sealed microdevice with getter shield
CN101351399B (zh) * 2005-11-16 2011-12-07 京瓷株式会社 电子部件密封用基板、可取多个形态的电子部件密封用基板、及使用了电子部件密封用基板的电子装置及其制法
DE102005055950A1 (de) * 2005-11-24 2007-05-31 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zur Passivierung wenigstens eines Bauelements durch ein Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
JP2007232650A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Alps Electric Co Ltd 静電容量型圧力センサ
JP5165294B2 (ja) 2007-07-06 2013-03-21 三菱電機株式会社 静電容量式加速度センサ
JP4650843B2 (ja) * 2007-12-28 2011-03-16 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US8207586B2 (en) * 2008-09-22 2012-06-26 Alps Electric Co., Ltd. Substrate bonded MEMS sensor
JP4858547B2 (ja) * 2009-01-09 2012-01-18 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
CA2761028A1 (en) * 2009-06-02 2010-12-09 Micralyne Inc. Semi-conductor sensor fabrication
US8609466B2 (en) * 2009-07-15 2013-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cap and substrate electrical connection at wafer level
DE102009029095B4 (de) * 2009-09-02 2017-05-18 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement
WO2011103720A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Ubotic Intellectual Property Co., Ltd. Semiconductor package for mems device and method of manufacturing the same
JP5527019B2 (ja) 2010-05-28 2014-06-18 セイコーエプソン株式会社 物理量センサーおよび電子機器
DE102010032506A1 (de) * 2010-07-28 2012-02-02 Epcos Ag Modul und Herstellungsverfahren
US8648468B2 (en) * 2010-07-29 2014-02-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hermetic wafer level packaging
DE102010040370B4 (de) * 2010-09-08 2016-10-06 Robert Bosch Gmbh MEMS-Mikrofon-Package
JP5750867B2 (ja) 2010-11-04 2015-07-22 セイコーエプソン株式会社 機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサーおよび電子機器
US8569090B2 (en) * 2010-12-03 2013-10-29 Babak Taheri Wafer level structures and methods for fabricating and packaging MEMS
TWI426572B (zh) * 2011-10-20 2014-02-11 Ind Tech Res Inst 微機電感測裝置及其製造方法
TWI504279B (zh) * 2011-12-01 2015-10-11 Ind Tech Res Inst Mems音波感測器及其製造方法
CN103420322B (zh) * 2012-05-22 2016-02-03 精材科技股份有限公司 晶片封装体及其形成方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1447921A (zh) * 2001-06-21 2003-10-08 三菱电机株式会社 加速度传感器及其制造方法
CN1447093A (zh) * 2002-03-27 2003-10-08 三星电机株式会社 微惯性传感器及其制造方法
CN101065826A (zh) * 2005-01-20 2007-10-31 飞思卡尔半导体公司 具有用于感测元件的晶片级芯片规模封装的方法和设备
CN102128953A (zh) * 2010-12-10 2011-07-20 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 对称倾斜折叠梁结构电容式微加速度传感器

Also Published As

Publication number Publication date
US20130206465A1 (en) 2013-08-15
CN103241703A (zh) 2013-08-14
JP2013164301A (ja) 2013-08-22
JP5999302B2 (ja) 2016-09-28
US9420691B2 (en) 2016-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103241703B (zh) 电子器件及其制造方法、以及电子设备
CN103241702B (zh) 电子器件及其制造方法、以及电子设备
US10641789B2 (en) Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic equipment, and moving body
CN107010588B (zh) 物理量传感器以及物理量传感器的制造方法
US9383383B2 (en) Physical quantity sensor, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
US9429589B2 (en) Physical quantity sensor and electronic apparatus
JP5942554B2 (ja) 物理量センサーおよび電子機器
US20150020591A1 (en) Functional device, electronic apparatus, and moving object
JP6655281B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
US20160146851A1 (en) Physical quantity sensor, electronic device, and moving object
US10073114B2 (en) Physical quantity sensor, physical quantity sensor apparatus, electronic device, and mobile body
JP6464608B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2019045511A (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2019060675A (ja) 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器、および移動体
JP2018148137A (ja) 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子モジュール、電子機器および移動体
JP6922325B2 (ja) 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体
JP6070924B2 (ja) 半導体素子および電子機器
JP6544058B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2015203584A (ja) 機能デバイス、電子機器、および移動体
JP2013140084A (ja) 物理量センサー、物理量センサーの製造方法および電子機器
JP2014016259A (ja) 半導体素子およびその製造方法、並びに電子機器
JP2014016182A (ja) 物理量センサーおよび電子機器
JP6369200B2 (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2019095455A (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2016099174A (ja) 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant