CN103177943B - 晶片加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种晶片加工方法，在晶片内部形成变质层的情况下，防止在搬运时晶片以变质层为起点断裂，并且在晶片背面形成反射膜的情况下也能够利用激光工序的照射在晶片内部形成变质层。该晶片加工方法至少包括：变质层形成工序，对于具有形成有多个器件的器件区域及围绕器件区域的外周剩余区域的晶片（W），以波长相对于晶片（W）具有透过性的激光光线在其内部沿分割预定线聚光并形成作为分割起点的变质层（32）；和搬运工序，将该晶片（W）搬运到下一工序，在变质层形成工序中，在晶片（W）的外周剩余区域未形成有变质层（32）而是形成外周加强部（W3），使得在搬运工序中晶片（W）不会以变质层（32）为起点发生断裂。

Description

晶片加工方法
技术区域
本发明涉及晶片加工方法，该晶片加工方法为：使波长相对于晶片具有透过性的激光从晶片的背面侧沿分割预定线照射，在晶片的内部聚光而形成变质层时，在未形成有器件的外周剩余区域不会形成变质层。
背景技术
通过将由分割预定线划分开并形成有多个器件的晶片沿分割预定线切断而分割成为多个器件。例如，晶片在蓝宝石基板、碳化硅基板等的表面形成氮化镓（GaN）等外延层（外延层），由分割预定线划分开并在外延层形成有LED等多个光器件，通过沿分割预定线照射激光光线而将所述晶片分割成一个个的光器件，并用于照明设备，液晶电视、个人电脑等各类设备。
作为所述分割晶片的方法，存在下述方法：使用相对于蓝宝石基板具有吸收性的例如波长为266nm的激光光线，沿分割预定线施以烧蚀加工从而在表面形成分割槽，通过对分割槽施加外力将晶片分割为一个个的光器件。（例如，参考专利文献1）。
但是，这种方法存在着因烧蚀加工而在光器件的外周附着熔融物，使得光器件的亮度降低的问题。
因此，为了避免所述问题，下述方法已被实际应用：使用相对于蓝宝石基板具有透过性的例如波长为1064nm的激光光线，从没有形成外延层的背面侧使聚光点会聚在分割预定线的内部并照射激光光线，沿分割预定线在内部形成变质层，然后，通过对晶片施加外力，沿分割预定线将晶片分割开。根据所述方法，能够抑制熔融物的产生（例如，参考专利文献2）。
专利文献1：日本特开平10-305420号公报
专利文献2：日本专利第3408805号公报
但是，如果在晶片的内部形成变质层的话，存在着在后续搬运时使晶片以变质层为起点发生断裂的问题。而且，如果在光器件晶片的背面形成了由金、铝等构成的反射膜的话，存在着无法从背面侧照射激光光线的问题。
发明内容
本发明就是鉴于这样的问题而完成的，其课题在于，对于在晶片的内部形成变质层的情况下，能够防止在搬运时晶片以变质层为起点发生断裂的问题，并且即使是在晶片的背面形成有反射膜的情况下也能够通过激光光线的照射在晶片的内部形成变质层。
本发明是一种晶片加工方法，所述晶片具备器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域，所述器件区域由多个分割预定线划分开并表面形成有多个器件，所述晶片加工方法至少包括下述工序：变质层形成工序，在该变质层形成工序中，以保持构件保持晶片的表面侧，将波长相对于晶片具有透过性的激光光线的聚光点定位在分割预定线的内部并从晶片的背面侧进行照射，沿着分割预定线形成作为分割的起点的变质层；以及搬运工序，在该搬运工序中，将晶片从保持构件搬出并将该晶片搬运至下一工序，在变质层形成工序中，在晶片外周剩余区域未形成有变质层而是形成外周加强部。
在晶片是光器件晶片的情况下，在搬运工序中将晶片搬运到背面加工工序，所述背面加工工序用于在晶片的背面形成反射膜，所述光器件晶片在蓝宝石基板的表面层叠有外延层，在所述外延层在由分割预定线划分出的多个区域形成有光器件。
在变质层形成工序之后，进行分割工序，在该分割工序中，对晶片的分割预定线施以外力而将所述晶片分割成一个个的器件。
在本发明中，在变质层形成工序中，因为使外周剩余区域未形成有变质层而是作为外周加强部保留，因此在之后的搬运工序中晶片就不会以变质层为起点发生断裂。而且，即使是要在背面形成反射膜的晶片，因为在进行变质层形成工序的时候还未在背面形成反射膜，所以无论是不是要在背面形成反射膜的晶片，都能够沿分割预定线在内部形成变质层。并且，由于晶片不会断裂，能够将晶片搬运至背面加工工序，从而能够在晶片的背面形成反射膜，还能够应对光器件晶片的制造。
附图说明
图1是示出在晶片的表面粘着保护部件的状态的立体图。
图2是示出将粘着在晶片的表面的保护部件的一侧保持于保持构件的立体图。
图3是示出在晶片的内部形成变质层的形态的立体图。
图4是示出在晶片的内部形成变质层的形态的剖视图。
图5是示出在内部形成有变质层的晶片的立体图。
图6是示出外周加强部及变质层的剖视图。
图7是示出对保持构件所保持的晶片进行搬运的状态的主视图。
图8是示出在背面覆盖有反射膜的晶片的主视图。
图9是示出在背面的反射膜侧粘着有切割带并与框架成为一体的、将粘着在表面的保护带剥离后的晶片的立体图。
图10是示出分割工序的剖视图。
图11是将晶片的其他实例放大示出的俯视图。
标号说明
W、Wx：晶片；
Wa：表面；
S：分割预定线；
D（D1、D2、…）：光器件；
Wb：背面；
Wc：外周；
W1：器件区域；
W2：外周剩余区域；
W3：外周加强部
D：切割带；
F：框架；
1：保护部件；
2：保持构件；
20：抽吸部；
3：激光照射头；
30：激光光线；
31：聚光点；
32：变质层；
4：搬运构件；
40：臂部；
41：吸附部；
5：反射膜；
60、61：吸附部。
具体实施方式
图1所示晶片W是在蓝宝石基板的表面侧形成发光层（外延层）而构成的光器件晶片，在表面Wa，在由纵横地形成的分割预定线S所划分出的多个区域形成有光器件D。多个光器件D形成于器件区域W1而留下了晶片W的周缘部，器件区域W1由未形成有器件的外周剩余区域W2所围绕。
（1）变质层形成工序
如图1所示，在该晶片W的表面Wa粘着保护带等保护部件1。然后，如图2所示，将表面Wa粘贴有保护部件1的晶片W的表背面翻转，将粘着有保护部件1的表面侧载置于激光加工装置的保持构件2，将晶片W以背面Wb向上方露出的状态抽吸保持于抽吸部20，所述抽吸部20形成于保持构件2。这时，在背面Wb还没有形成反射膜。
在本工序中，首先，检测出要照射激光光线的分割预定线S。所述检测可以通过在与表面Wa相对的保持构件2侧设置摄像头，通过拍摄来进行检测，也可在背面Wb的上方设置红外线摄像头，使用红外线从背面Wb侧透过晶片W拍摄来进行检测。
接着，如图3所示，一边使保持构件2沿X轴方向移动，一边从激光照射头3向背面Wb进行照射激光光线30。该激光光线30的波长是相对于晶片W具有透过性的波长，该激光光线30沿着在表面Wa形成的分割预定线S，如图4所示，将聚光点31定位在分割预定线S的内部并从背面Wb侧进行照射。例如，加工条件如下。
波长 ：1064[nm]
平均输出功率 ：0.1～0.4[W]
重复频率 ：100[kHz]
进给速度 ：300～800[mm/秒]
蓝宝石基板的厚度 ：120[μm]
聚光点的位置 ：与背面相距60[μm]
变质层的幅度 ：30[μm]
在沿一条分割预定线S进行激光照射形成了变质层32之后，一边将激光照射头3沿Y轴方向分度进给一边同样地进行激光照射，所述激光照射头3每次进给的量为相邻的分割预定线之间的间隔。这样，沿相同方向的所有的分割预定线S在晶片的内部形成变质层32。然后，将保持构件2旋转90度再进行同样的激光照射，如图5所示，沿分割预定线S纵横地形成变质层32。该变质层32即成为分割晶片W时的起点。
在形成变质层32时，只对器件区域W1照射激光光线30，而不对外周剩余区域W2照射激光。从而如图5及图6所示，在外周剩余区域W2留有未形成变质层的环状的外周加强部W3。即，虽然因形成变质层32而使得晶片W成为易分割的状态，不过外周加强部W3防止了晶片W的断裂。
变质层形成工序是在对晶片W的背面Wb覆盖金属膜（反射膜）之前进行的。因而，在从背面Wb侧进行激光照射时没有阻碍，因此能够可靠地在晶片W的内部聚光。
（2）搬运工序
接下来，如图7所示，将在器件区域W1形成有变质层32的晶片W从保持构件2搬出，并搬运到下一个工序。例如，由吸附部41吸附背面Wb侧，所述吸附部41位于构成图7所示的搬送构件4的臂部40的末端，通过臂部40的移动，将由吸附部41所吸附的晶片W搬运到进行下一个工序的装置。
在搬运工序中被搬运的晶片W只在器件区域W1形成有变质层32，在器件区域W1的周围形成有未形成有变质层的外周加强部W3，所以即使在搬运时对晶片W施加了一些外力，晶片W也不会沿变质层32断裂。
（3）背面加工工序
通过搬运工序将晶片W搬运到进行在晶片的背面Wb形成反射膜的背面加工工序。在背面加工工序中，如图8所示，在背面Wb形成由金、铝等构成的反射膜5。该反射膜5是为了提高光器件的亮度而覆盖的部件，其通过例如蒸镀、喷溅及CVD（化学气相淀积）等来形成。
由于在搬运工序中不会发生晶片W的断裂，因此能够可靠地在晶片W的背面Wb形成反射膜5。
（4）分割工序
在背面加工工序后，如图9所示，在反射膜5侧粘着切割带T。在切割带T的周缘部粘着有环状的框架F，晶片W经由切割带T被框架F支承。而且，将粘着在晶片W的表面Wa的保护带1剥离。
这样，在晶片W经由切割带T被框架F支承后，如图10所示，利用吸附部60、61隔着切割带对覆盖邻接的光器件D1、D2的背面Wb侧的反射膜5进行吸附。然后，使两个吸附部60、61朝彼此远离的方向即箭头B方向、箭头C方向分别移动，对晶片W的分割预定线S施加水平方向的外力。这样，使光器件D1和光器件D2以变质层32为起点分离开。同样，在使所有的器件之间分开后，晶片W被分割为一个个的光器件D。在各个光器件D的背面侧覆盖着反射膜5。
另外，存在下述情况：如图11所示的晶片Wx，由于光器件D形成至接近晶片Wx的外周Wc的位置，因而外周剩余区域W2的宽度变得极其狭窄。在这种情况下，在变质层形成工序中，通过使变质层32不达到器件区域W1的周缘部，不将变质层32形成至能够完全地切断器件D的位置，从而使得外周加强部W3的宽度比外周剩余区域W2的宽度宽。然后，在分割工序中，利用以变质层32为起点使相邻的器件分离时所产生的力，沿变质层32的延长线32a进行切断，就能够分割光器件D。这样，在器件D形成至靠近晶片W的外周Wc的位置的情况下，外周加强部W3可以在从外周剩余区域W2到器件区域W1的范围形成。

Claims (3)

1.一种晶片加工方法，所述晶片在表面具有器件区域及围绕所述器件区域的外周剩余区域，所述器件区域在由多条分割预定线划分出的各区域分别形成有器件，所述晶片加工方法的特征在于，
所述晶片加工方法至少包括下述工序：
变质层形成工序，在该变质层形成工序中，以保持构件保持晶片的表面侧，将波长相对于所述晶片具有透过性的激光光线的聚光点定位在分割预定线的内部并从所述晶片的背面侧进行照射，沿分割预定线形成作为分割的起点的变质层；以及
搬运工序，在该搬运工序中，将晶片从所述保持构件搬出，并将所述晶片搬运到下一工序，
在所述变质层形成工序中，在晶片的外周剩余区域残留外周加强部而不形成变质层，
在所述变质层形成工序中，以不到达所述器件区域的周缘部的方式形成所述变质层，由此在从所述外周剩余区域到所述器件区域的范围形成所述外周加强部。
2.根据权利要求1所述的晶片加工方法，
所述晶片是在蓝宝石基板的表面的由分割预定线划分出的多个区域形成有光器件的光器件晶片，
在所述搬运工序中，将所述晶片搬运至用于在晶片的背面形成反射膜的背面加工工序。
3.根据权利要求1或2所述的晶片加工方法，
所述晶片加工方法包括分割工序，在该分割工序中，在所述变质层形成工序后，对晶片的分割预定线施以外力而将所述晶片分割为一个个的器件。
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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8669166B1 (en) * 2012-08-15 2014-03-11 Globalfoundries Inc. Methods of thinning and/or dicing semiconducting substrates having integrated circuit products formed thereon
US9136173B2 (en) * 2012-11-07 2015-09-15 Semiconductor Components Industries, Llc Singulation method for semiconductor die having a layer of material along one major surface
US9484260B2 (en) 2012-11-07 2016-11-01 Semiconductor Components Industries, Llc Heated carrier substrate semiconductor die singulation method
JP2015023135A (ja) * 2013-07-18 2015-02-02 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6366393B2 (ja) * 2014-07-15 2018-08-01 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6604715B2 (ja) * 2014-09-12 2019-11-13 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6360411B2 (ja) * 2014-10-09 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
DE102014117591A1 (de) 2014-12-01 2016-06-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen oder optoelektronischen Bauelements und elektronisches oder optoelektronisches Bauelement
JP6478801B2 (ja) * 2015-05-19 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6576211B2 (ja) * 2015-11-05 2019-09-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6604891B2 (ja) * 2016-04-06 2019-11-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6721420B2 (ja) * 2016-06-02 2020-07-15 株式会社ディスコ 漏れ光検出方法
JP6821245B2 (ja) * 2016-10-11 2021-01-27 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6850112B2 (ja) * 2016-11-28 2021-03-31 株式会社ディスコ Ｌｅｄ組み立て方法
JP6770443B2 (ja) * 2017-01-10 2020-10-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体ウェハ
US10373869B2 (en) 2017-05-24 2019-08-06 Semiconductor Components Industries, Llc Method of separating a back layer on a substrate using exposure to reduced temperature and related apparatus
JP6855127B2 (ja) * 2017-06-05 2021-04-07 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP6851692B2 (ja) * 2017-06-05 2021-03-31 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP2018206942A (ja) * 2017-06-05 2018-12-27 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP2018206944A (ja) * 2017-06-05 2018-12-27 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP6925717B2 (ja) * 2017-06-05 2021-08-25 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP6851691B2 (ja) * 2017-06-05 2021-03-31 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP6851690B2 (ja) * 2017-06-05 2021-03-31 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP2018206946A (ja) * 2017-06-05 2018-12-27 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP2019012773A (ja) * 2017-06-30 2019-01-24 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019016731A (ja) * 2017-07-10 2019-01-31 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6961297B2 (ja) * 2017-07-24 2021-11-05 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP2019022901A (ja) * 2017-07-24 2019-02-14 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP6976647B2 (ja) * 2017-08-21 2021-12-08 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP6987437B2 (ja) * 2017-08-21 2022-01-05 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP6987436B2 (ja) * 2017-08-21 2022-01-05 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP6953076B2 (ja) * 2017-08-21 2021-10-27 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP6973916B2 (ja) * 2017-08-21 2021-12-01 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP6918424B2 (ja) * 2017-09-22 2021-08-11 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP6896344B2 (ja) * 2017-09-22 2021-06-30 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP6918423B2 (ja) * 2017-09-22 2021-08-11 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP6918422B2 (ja) * 2017-09-22 2021-08-11 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP6991657B2 (ja) * 2017-10-24 2022-01-12 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP6991656B2 (ja) * 2017-10-24 2022-01-12 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP7013092B2 (ja) * 2018-04-12 2022-01-31 株式会社ディスコ チップの製造方法
JP7474406B2 (ja) 2020-07-07 2024-04-25 株式会社東京精密 レーザ加工システム及びレーザ加工方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200731377A (en) * 2006-02-09 2007-08-16 Advanced Semiconductor Eng Method for dicing wafer

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP3990710B2 (ja) * 2002-03-12 2007-10-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4624813B2 (ja) * 2005-01-21 2011-02-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
US20070155131A1 (en) * 2005-12-21 2007-07-05 Intel Corporation Method of singulating a microelectronic wafer
JP2007235069A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工方法
JP4804183B2 (ja) * 2006-03-20 2011-11-02 株式会社デンソー 半導体基板の分断方法およびその分断方法で作製された半導体チップ
JP5307612B2 (ja) * 2009-04-20 2013-10-02 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5357669B2 (ja) * 2009-08-28 2013-12-04 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP5710133B2 (ja) * 2010-03-16 2015-04-30 株式会社ディスコ ワークの分割方法
JP2011243875A (ja) * 2010-05-20 2011-12-01 Disco Abrasive Syst Ltd サファイアウェーハの分割方法
JP5680931B2 (ja) * 2010-10-07 2015-03-04 株式会社ディスコ ワークの分割方法
JP5645593B2 (ja) * 2010-10-21 2014-12-24 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP5752933B2 (ja) * 2010-12-17 2015-07-22 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5878292B2 (ja) * 2010-12-24 2016-03-08 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200731377A (en) * 2006-02-09 2007-08-16 Advanced Semiconductor Eng Method for dicing wafer

Also Published As

Publication number Publication date
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