CN102881595A - 一种超结高压功率器件的制造方法 - Google Patents
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CN201210292879.2A CN102881595B (zh) | 2012-08-17 | 2012-08-17 | 一种超结高压功率器件的制造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102881595A true CN102881595A (zh) | 2013-01-16 |
CN102881595B CN102881595B (zh) | 2015-10-28 |
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CN201210292879.2A Active CN102881595B (zh) | 2012-08-17 | 2012-08-17 | 一种超结高压功率器件的制造方法 |
Country Status (1)
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CN (1) | CN102881595B (zh) |
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