CN102876245B - 半导体装置用粘接膜及切割带一体型半导体背面用膜 - Google Patents

半导体装置用粘接膜及切割带一体型半导体背面用膜 Download PDF

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Abstract

本发明涉及半导体装置用粘接膜及切割带一体型半导体背面用膜。本发明提供了一种半导体装置用粘接膜，其即使在长期间保存之后也能具有与制造时同样的物性。该半导体装置用粘接膜含有热固化性树脂，对于所述半导体装置用粘接膜的用差示扫描量热仪测定的反应放热峰温度±80℃温度范围内的反应放热量而言，在25℃的条件下保存4周之后的反应放热量相对于保存前的反应放热量为0.8~1倍的范围。

Description

半导体装置用粘接膜及切割带一体型半导体背面用膜
技术领域
本发明涉及半导体装置用粘接膜、倒装芯片型半导体背面用膜和切割带一体型半导体背面用膜。倒装芯片型半导体背面用膜用于半导体芯片等半导体元件背面的保护、和强度提高等。
背景技术
近年来，寻求更进一步的半导体装置及其封装的薄型化、小型化。因此，作为半导体装置及其封装，广泛利用半导体芯片等半导体元件通过倒装芯片焊接法(flip chipbonding)在基板上安装的（倒装芯片连接的）倒装芯片型半导体装置。该倒装芯片连接是以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定的。在这种半导体装置等中，半导体芯片的背面有时用保护膜保护，防止半导体芯片的损伤等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-166451号公报
专利文献2：日本特开2008-006386号公报
专利文献3：日本特开2007-261035号公报
专利文献4：日本特开2007-250970号公报
专利文献5：日本特开2007-158026号公报
专利文献6：日本特开2004-221169号公报
专利文献7：日本特开2004-214288号公报
专利文献8：日本特开2004-142430号公报
专利文献9：日本特开2004-072108号公报
专利文献10：日本特开2004-063551号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，为了用上述保护膜保护半导体芯片的背面，对于在切割工序中获得的半导体芯片，需要追加在其背面贴附保护膜的新的工序。结果，工序数增加，制造成本等增加。另外，由于近年来的薄型化，在半导体芯片的拾取工序中，有时在半导体芯片上产生损伤。因此，在拾取工序之前，为了增加半导体晶片或半导体芯片的机械强度，要求将它们补强。另外，对于上述保护膜之类的在半导体芯片上贴附使用的膜而言，有时在长期保存后使用。而且，要求即使在这种长期保存之后也具有与制造时同样的物性（例如拉伸储能模量、粘接力）。即，例如长期保存后粘接力降低时，不能在半导体晶片上贴附，长期保存后，拉伸储能模量增高时，在粘接膜上发生破裂或缺口，不能适宜地使用。
本发明是鉴于上述问题而做出的，其目的在于，提供即使在长期保存后也能具有与制造时同样物性的半导体装置用粘接膜、倒装芯片型半导体背面用膜以及切割带一体型半导体背面用膜。
用于解决问题的方案
本申请发明人等为了解决上述现有问题而进行了研究，结果发现，将在25℃的条件下保存4周之后的半导体装置用粘接膜的反应放热量设定在相对于保存前的反应放热量的一定范围内，由此，即使在长期保存之后，也能具有与制造时同样的物性，从而完成了本发明。
即，本发明的半导体装置用粘接膜的特征在于，其含有热固化性树脂，对于所述半导体装置用粘接膜的用差示扫描量热仪测定的反应放热峰温度±80℃温度范围内的反应放热量而言，在25℃的条件下保存4周之后的反应放热量相对于保存前的反应放热量为0.8~1倍的范围。
根据上述构成，在25℃的条件下保存4周之后的半导体装置用粘接膜的反应放热量相对于保存前的反应放热量为0.8~1倍的范围内，即使在保存4周之后也可抑制固化反应的进行。因此，可以防止固化反应进行所伴有的膜的固化、粘接性的降低，即使在长期保存之后，也能具有与保存前（刚制造之后）同样的物性。结果，能够适宜地用于半导体装置的制造。
在上述构成中，相对于树脂成分的总量，优选以0.008~0.25重量%的比率含有热固化促进催化剂。热固化促进催化剂的上述比率为0.008重量%以上时，可以适宜地使热固化性树脂热固化。另外，热固化促进催化剂的上述比率为0.25重量%以下的比率时，可抑制长期保存时的固化反应的进行。
在上述构成中，优选的是，上述热固化性树脂为环氧树脂，且上述热固化促进催化剂为咪唑系热固化促进催化剂。咪唑系固化促进催化剂通常在环氧树脂中实际上没有溶解性。因此，对于热固化性树脂为环氧树脂的粘接膜而言，使用咪唑系固化促进催化剂时，可进一步抑制保存时的固化的进行。
在上述构成中，上述热固化促进催化剂也优选是磷-硼系固化促进催化剂。磷-硼系固化促进催化剂通常在环氧树脂、酚醛树脂中实际上没有溶解性。因此，在含有环氧树脂、酚醛树脂的粘接膜中使用磷-硼系固化促进催化剂时，可进一步抑制保存时的固化的进行。
在上述构成中，优选的是，上述半导体装置用粘接膜是倒装芯片型半导体背面用膜，其用于形成于被倒装芯片连接到被粘物上的半导体元件的背面上。
本发明的倒装芯片型半导体背面用膜由于形成于被倒装芯片连接到被粘物上的半导体元件的背面上，由此实现了保护该半导体元件的功能。其中，所述半导体元件的背面是指与形成有电路的面相反侧的面。
另外，本发明的切割带一体型半导体背面用膜是上述倒装芯片型半导体背面用膜层叠在切割带上的切割带一体型半导体背面用膜，上述切割带是在基材上层叠有粘合剂层的结构，上述倒装芯片型半导体背面用膜层叠在上述切割带的粘合剂层上。
上述构成的切割带一体型半导体背面用膜由于切割带与倒装芯片型半导体背面用膜一体地形成，因此，还可以供给将半导体晶片切割而制作半导体元件的切割工序、此后的拾取工序。即，在切割工序之前使切割带贴合于半导体晶片背面时，还可以贴合上述半导体背面用膜，因此，不需要仅仅贴合半导体背面用膜的工序（半导体背面用膜贴合工序）。结果，可实现工序数的减少。而且，由于半导体背面用膜保护半导体晶片、通过切割形成的半导体元件的背面，因此，在切割工序、及其以后的工序（拾取工序等）中，可以减轻或防止该半导体元件的损伤。结果，实现了倒装芯片型半导体装置的制造成品率的提高。
附图说明
图1所示为本发明的切割带一体型半导体背面用膜的一个例子的截面示意图。
图2所示为使用本发明的切割带一体型半导体背面用膜的半导体装置的制造方法的一个例子的截面示意图。
图3所示为通过差示扫描量热测定法所获得的典型差示量热曲线图。
附图标记说明
1 切割带一体型半导体背面用膜
2 半导体背面用膜
3 切割带
31 基材
32 粘合剂层
33 与半导体晶片的贴合部分对应的部分
4 半导体晶片
5 半导体芯片
51 在半导体芯片5的电路面侧形成的凸块（bump）
6 被粘物
61 粘合至被粘物6的连接垫（connecting pad）的接合用导电材料
具体实施方式
参照图1说明本发明的一个实施方式，但本发明不受这些例子的任何限制。图1所示为本实施方式的切割带一体型半导体背面用膜的一个例子的截面示意图。其中，在本说明书中，图中省略了不需要说明的部分，另外，为了易于说明，有时图示部分进行了放大或缩小等。
切割带一体型半导体背面用膜
如图1所示，切割带一体型半导体背面用膜1为具备在基材31上设有粘合剂层32的切割带3、和在上述粘合剂层上设置的倒装芯片型半导体背面用膜（以下有时称为“半导体背面用膜”）2的构成。倒装芯片型半导体背面用膜2相当于本发明的半导体装置用粘接膜。另外，对于本发明的切割带一体型半导体背面用膜而言，如图1所示可以是在切割带3的粘合剂层32上仅仅在与半导体晶片的贴合部分对应的部分33上形成有半导体背面用膜2的构成，也可以是在粘合剂层32的整个面上形成有半导体背面用膜的构成，另外，还可以是在大于与半导体晶片的贴合部分对应的部分33且小于粘合剂层32的整个面的部分上形成有半导体背面用膜的构成。其中，半导体背面用膜2的表面（在晶片的背面上贴合的一侧的表面）在贴合于晶片背面为止的期间可以用隔离膜等保护。
倒装芯片型半导体背面用膜
半导体背面用膜2具有膜状的形态。半导体背面用膜2通常在作为制品的切割带一体型半导体背面用膜的形式中为未固化状态（包括半固化状态），在将切割带一体型半导体背面用膜贴合在半导体晶片上之后被热固化。
半导体背面用膜2在25℃的条件下保存4周之后的反应放热量相对于保存前的反应放热量是在0.8~1倍的范围内。半导体背面用膜2在25℃的条件下保存4周之后的上述反应放热量相对于保存前的反应放热量优选为0.82~1倍，更优选为0.83~1倍。在25℃的条件下保存4周之后的半导体背面用膜2的反应放热量相对于保存前的反应放热量是在0.8~1倍的范围内，即使在保存4周之后，也可抑制固化反应的进行。因此，可以防止固化反应的进行所伴有的膜的固化、粘接性的降低，即使在长期保存之后，也能具有与保存前（刚制造后）同样的物性。结果，能够适宜地用于倒装芯片连接的半导体装置的制造。上述反应放热量可通过实施例中记载的方法来获得。
上述半导体背面用膜优选至少由热固化性树脂来形成，进一步优选至少由热固化性树脂和热塑性树脂来形成。通过至少由热固化性树脂来形成，半导体背面用膜可以有效地发挥作为粘接剂层的功能。
作为上述热塑性树脂，例如可列举出天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、尼龙6、尼龙6.6等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯）、PBT（聚对苯二甲酸丁二醇酯）等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂或氟树脂等。热塑性树脂可以单独使用或将两种以上组合使用。这些热塑性树脂中，离子性杂质少且耐热性高、可确保半导体元件的可靠性的丙烯酸类树脂是特别优选的。
对上述丙烯酸类树脂没有特别限制，可列举出以一种或两种以上具有碳原子数30以下（优选碳原子数4~18，更优选碳原子数6~10，特别优选碳原子数8或9）的直链或支链烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯为成分的聚合物等。即，在本发明中，丙烯酸类树脂是也包括甲基丙烯酸类树脂的广义上的丙烯酸类树脂。作为上述烷基，例如，可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、十二烷基（月桂基）、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。
另外，对用于形成上述丙烯酸类树脂的其他单体（烷基的碳原子数为30以下的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的单体）没有特别限制，例如，可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等各种含羧基单体，马来酸酐或衣康酸酐等各种酸酐单体，（甲基）丙烯酸2-羟乙酯、（甲基）丙烯酸2-羟丙酯、（甲基）丙烯酸4-羟丁酯、（甲基）丙烯酸6-羟己酯、（甲基）丙烯酸8-羟辛酯、（甲基）丙烯酸10-羟癸酯、（甲基）丙烯酸12-羟基月桂酯或丙烯酸(4-羟甲基环己基)-甲酯等各种含羟基单体，苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、（甲基）丙烯酰胺丙磺酸、（甲基）丙烯酸磺丙酯或（甲基）丙烯酰氧基萘磺酸等各种含磺酸基单体，或2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等各种含磷酸基单体等。其中，（甲基）丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，本发明的（甲基）全部为同样的意义。
另外，作为上述热固化性树脂，除了环氧树脂、酚醛树脂以外，还可列举出氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、热固化性聚酰亚胺树脂等。热固化性树脂可以单独使用或将两种以上组合使用。作为热固化性树脂，尤其，腐蚀半导体元件的离子性杂质等的含量少的环氧树脂是优选的。另外，作为环氧树脂的固化剂，可适宜使用酚醛树脂。
对环氧树脂没有特别限制，例如，可以使用双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四羟苯基乙烷型环氧树脂等双官能环氧树脂、多官能环氧树脂、或乙内酰脲型环氧树脂、异氰脲酸三缩水甘油酯型环氧树脂或缩水甘油胺型环氧树脂等环氧树脂。
作为环氧树脂，在上述例示物当中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四羟苯基乙烷型环氧树脂。这是因为，这些环氧树脂富有与作为固化剂的酚醛树脂的反应性，耐热性等优异。
进而，上述酚醛树脂作为上述环氧树脂的固化剂起作用，例如，可列举出苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂，甲阶型酚醛树脂，聚对羟基苯乙烯（polyparaoxystyrene）等聚羟基苯乙烯（polyoxy styrene）等。酚醛树脂可以单独使用或将两种以上组合使用。这些酚醛树脂中，苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂是特别优选的。这是因为能够提高半导体装置的连接可靠性。
环氧树脂与酚醛树脂适宜以例如相对于上述环氧树脂成分中的环氧基1当量，酚醛树脂中的羟基为0.5当量~2.0当量的配混比例进行配混。更适合的配混比例为0.8当量~1.2当量。这是因为，即，两者的配混比例偏离上述范围时，不进行充分的固化反应，环氧树脂固化物的特性容易劣化。
作为上述热固化性树脂的含量，相对于半导体背面用膜中的全部树脂成分，优选为5重量%以上且90重量%以下，更优选为10重量%以上且85重量%以下，进一步优选为15重量%以上且80重量%以下。通过将上述含量设定为5重量%以上，可以容易地将热固化收缩量设定为2体积%以上。另外，在使密封树脂热固化时，可以使半导体背面用膜充分热固化，使之可靠地在半导体元件的背面上粘接固定，可以制造无剥离的倒装芯片型半导体装置。另一方面，通过将上述含量设定为90重量%以下，可以抑制封装（PKG：倒装芯片型半导体装置）的翘曲。
对环氧树脂与酚醛树脂的热固化促进催化剂没有特别限制，可以从公知的热固化促进催化剂中适当选择。热固化促进催化剂可以单独使用或将两种以上组合使用。作为热固化促进催化剂，例如可以使用胺系固化促进催化剂、磷系固化促进催化剂、咪唑系固化促进催化剂、硼系固化促进催化剂、磷-硼系固化促进催化剂等。其中，优选咪唑系固化促进催化剂、磷-硼系固化促进催化剂。咪唑系固化促进催化剂通常在环氧树脂中实际上没有溶解性。因此，对于热固化性树脂为环氧树脂的半导体背面用膜、不含酚醛树脂的半导体背面用膜，使用咪唑系固化促进催化剂时，可以进一步抑制保存时的固化的进行。另外，磷-硼系固化促进催化剂通常在环氧树脂、酚醛树脂中实际上没有溶解性。因此，即使是含有环氧树脂、酚醛树脂的半导体背面用膜，使用磷-硼系固化促进催化剂时，可以进一步抑制保存时的固化的进行。
对上述胺系固化促进剂（胺系固化促进催化剂）没有特别限制，例如，可列举出单乙醇胺三氟硼酸盐（Stella Chemifa Co.,Ltd.制造）、双氰胺（Nacalai Tesque Co.,Ltd.制造）等。
对上述磷系固化促进剂（磷系固化促进催化剂）没有特别限制，例如，可列举出三苯基膦、三丁基膦、三（对甲基苯基）磷、三（壬基苯基）膦、二苯基甲苯基膦等三有机基膦，四苯基溴化鏻（商品名：TPP-PB）、甲基三苯基鏻（商品名：TPP-MB）、甲基三苯基氯化鏻（商品名：TPP-MC）、甲氧基甲基三苯基鏻（商品名：TPP-MOC）、苄基三苯基氯化鏻（商品名：TPP-ZC）等（以上均为北兴化学（株）制造）。另外，作为上述三苯基膦系化合物，在环氧树脂中显示了实际上不溶解性的化合物是优选的。在环氧树脂中为不溶解性时，可抑制保存时固化的进行。作为具有三苯基膦结构且在环氧树脂中显示了实际上不溶解性的热固化催化剂，例如，可列举出甲基三苯基鏻（商品名：TPP-MB）等。其中，上述“不溶解性”是指由三苯基膦系化合物构成的热固化催化剂在由环氧树脂构成的溶剂中是不溶性的，更具体而言，是指在温度10~40℃的范围内不以10重量%以上的量溶解。
作为上述咪唑系固化促进剂（咪唑系固化催化剂），可列举出2-甲基咪唑（商品名：2MZ）、2-十一烷基咪唑（商品名：C11-Z）、2-十七烷基咪唑（商品名：C17Z）、1,2-二甲基咪唑（商品名：1.2DMZ）、2-乙基-4-甲基咪唑（商品名：2E4MZ）、2-苯基咪唑（商品名：2PZ）、2-苯基-4-甲基咪唑（商品名：2P4MZ）、1-苄基-2-甲基咪唑（商品名：1B2MZ）、1-苄基-2-苯基咪唑（商品名：1B2PZ）、1-氰基乙基-2-甲基咪唑（商品名：2MZ-CN）、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑（商品名：C11Z-CN）、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸盐（商品名：2PZCNS-PW）、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑-(1’)]-乙基-均三嗪（商品名：2MZ-A）、2,4-二氰基-6-[2’-十一烷基咪唑-(1’)]-乙基-均三嗪（商品名：C 11Z-A）、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑-(1’)]-乙基-均三嗪（商品名：2E4MZ-A）、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑-(1’)]-乙基-均三嗪异氰脲酸加合物（商品名：2MA-OK）、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑（商品名：2PHZ-PW）、2-苯基-4-甲基-5-羟甲基咪唑（商品名：2P4MHZ-PW）等（以上均由四国化成工业（株）制造）。
对上述硼系固化促进剂（硼系固化促进催化剂）没有特别限制，例如可列举出三氯硼烷等。
对上述磷-硼系固化促进剂（磷-硼系固化促进催化剂）没有特别限制，例如可列举出四苯基鏻四苯基硼酸盐（商品名：TPP-K）、四苯基鏻四-对-三硼酸盐（商品名：TPP-MK）、苄基三苯基鏻四苯基硼酸盐（商品名：TPP-ZK）、三苯基膦三苯基硼烷（商品名：TPP-S）等（以上均由北兴化学（株）制造）。
上述热固化促进催化剂的比率相对于树脂成分的总量优选为0.008~0.25重量%，更优选为0.0083~0.23重量%，进一步优选为0.0087~0.22重量%。热固化促进催化剂的上述比率为0.01重量%以上时，可以使热固化性树脂适当地热固化。另外，热固化促进催化剂的上述比率为0.25重量%以下的比率时，可以抑制长期保存时的固化反应的进行。
在此处，半导体背面用膜可以是单层，也可以是多个层层叠而成的层叠膜，半导体背面用膜为层叠膜时，热固化促进催化剂的上述比率相对于全体层叠膜的树脂成分的总量只要是0.01~0.25重量%即可。
作为上述半导体背面用膜，优选由含有环氧树脂和酚醛树脂的树脂组合物或含有环氧树脂、酚醛树脂及丙烯酸类树脂的树脂组合物形成。这些树脂由于离子性杂质少且耐热性高，因此可确保半导体元件的可靠性。
对于半导体背面用膜2，相对于半导体晶片的背面（非电路形成面）具有粘接性（密合性）是重要的。半导体背面用膜2例如可通过含有作为热固化性树脂的环氧树脂的树脂组合物来形成。为了预先使半导体背面用膜2一定程度交联，优选在制作时预先添加作为交联剂的与聚合物的分子链末端的官能团等反应的多官能性化合物。由此，可以提高高温下的粘接特性，实现耐热性的改善。
半导体背面用膜对半导体晶片的粘接力（23℃，剥离角度180度，剥离速度300mm/分钟）优选为0.5N/20mm~15N/20mm的范围，更优选为0.7N/20mm~10N/20mm的范围。通过设定为0.5N/20mm以上，能以优异的密合性在半导体晶片或半导体元件上贴合，防止浮起等的发生。另外，可以防止在切割半导体晶片时芯片飞溅的发生。另一方面，通过设定为15N/20mm以下，可以从切割带上容易地剥离。
对上述交联剂没有特别限制，可以使用公知的交联剂。具体而言，例如，可列举出异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂，此外还有脲系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳化二亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、胺系交联剂等。作为交联剂，优选异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂。另外，上述交联剂可以单独使用或将两种以上组合使用。
作为上述异氰酸酯系交联剂，例如，可列举出1,2-亚乙基二异氰酸酯、1,4-亚丁基二异氰酸酯、1,6-六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯、氢化苯二甲撑二异氰酸酯等脂环族多异氰酸酯类；2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二甲撑二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯类等，此外，还可以使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加合物（日本聚氨酯工业公司制造，商品名“CORONATE L”）、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加合物（日本聚氨酯工业公司制造，商品名“CORONATE HL”）等。另外，作为上述环氧系交联剂，例如可列举出N,N,N’,N’-四缩水甘油基-间苯二甲胺、二缩水甘油基苯胺、1,3-双(N,N-缩水甘油基氨基甲基)环己烷、1,6-己二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、山梨糖醇多缩水甘油醚、甘油多缩水甘油醚、季戊四醇多缩水甘油醚、聚甘油多缩水甘油醚、脱水山梨醇多缩水甘油醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基-三（2-羟乙基）异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚、双酚S二缩水甘油醚以及分子内具有2个以上环氧基的环氧系树脂等。
其中，对交联剂的用量没有特别限制，可以根据交联程度适当选择。具体而言，交联剂的用量例如相对于100重量份聚合物成分（尤其是具有分子链末端官能团的聚合物）优选为通常7重量份以下（例如0.05重量份~7重量份）。交联剂的用量相对于100重量份聚合物成分多于7重量份时，粘接力降低，因而不优选。其中，从提高内聚力的观点出发，交联剂的用量相对于100重量份聚合物成分优选为0.05重量份以上。
需要说明的是，在本发明中，代替使用交联剂，或者还可以使用交联剂并且通过照射电子束、紫外线等实施交联处理。
上述半导体背面用膜优选进行着色。由此，可以发挥优异的标记性和外观性，可以形成具有附加值的外观的半导体装置。照此，由于着色的半导体背面用膜具有优异的标记性，因此，介由半导体背面用膜，通过利用印刷方法、激光标记方法等各种标记方法，可以在半导体元件或使用该半导体元件的半导体装置的非电路面侧的面上实施标记，赋予文字信息、图形信息等各种信息。尤其，通过控制着色的颜色，可以以优异的可视性视觉感知到通过标记赋予的信息（文字信息、图形信息等）。另外，由于半导体背面用膜被着色，因此，可以容易地区别切割带与半导体背面用膜，可以提高操作性等。进而，例如作为半导体装置，可以根据不同的制品利用颜色进行区分。半导体背面用膜为有色时（非无色·透明的情况），对通过着色呈现的颜色没有特别限制，例如，优选为黑色、蓝色、红色等深色，尤其优选为黑色。
在本实施方式中，深色基本上是指用L*a*b*表色系统规定的L*为60以下（0~60）[优选为50以下（0~50），进一步优选为40以下（0~40）]的深色。
另外，黑色基本上是指用L*a*b*表色系统规定的L*为35以下（0~35）[优选为30以下（0~30），进一步优选为25以下（0~25）]的黑色系颜色。其中，在黑色中，用L*a*b*表色系统规定的a*和b*分别可以根据L*值来适当选择。作为a*和b*，例如，二者均优选为-10~10，更优选为-5~5，特别优选为-3~3的范围（尤其为0或大致为0）。
需要说明的是，在本实施方式中，用L*a*b*表色系统规定的L*、a*、b*是通过使用色彩色差计（商品名“CR-200”Minolta公司制造；色彩色差计）测定而求出的。其中，L*a*b*表色系统是国际照明委员会（CIE）在1976年推荐的色度空间，是指称之为CIE1976（L*a*b*）表色系统的色度空间。另外，L*a*b*表色系统在日本工业标准中在JIS Z8729中规定。
在将半导体背面用膜着色时，可以根据目标颜色使用色材（着色剂）。作为这种色材，可适宜使用黑色系色材、蓝色系色材、红色系色材等各种深色系色材，尤其优选黑色系色材。作为色材，可以是颜料、染料等的任何一种。色材可以单独使用或将两种以上组合使用。其中，作为染料，可以使用酸性染料、反应染料、直接染料、分散染料、阳离子染料等的任何一种形式的染料。另外，对颜料的形式也没有特别限制，可以从公知的颜料中适当选择使用。
尤其，使用染料作为色材时，由于形成了染料通过溶解均匀或大致均匀地分散在半导体背面用膜中的状态，因此，可以容易地制造着色浓度均匀或基本均匀的半导体背面用膜（进而容易制造切割带一体型半导体背面用膜）。因此，使用染料作为色材时，切割带一体型半导体背面用膜中的半导体背面用膜可以使着色浓缩均匀或大致均匀，可以提高标记性、外观性。
对黑色系色材没有特别限制，例如，可以从无机的黑色系颜料、黑色系染料中适当选择。另外，作为黑色系色材，可以是青色系色材（蓝绿色系色材）、品红系色材（红紫色系色材）以及黄色系色材（黄系色材）混合而成的色材混合物。黑色系色材可以单独使用或将两种以上组合使用。当然，黑色系色材还可以与黑色以外的颜色的色材组合使用。
具体而言，作为黑色系色材，例如，可列举出炭黑（炉黑、槽黑、乙炔黑、热裂炭黑、灯黑等）、石墨（graphite）、氧化铜、二氧化锰、偶氮系颜料（偶氮甲碱偶氮黑等）、苯胺黑、苝黑、钛黑、花青黑、活性炭、铁素体（非磁性铁素体、磁性铁素体等）、磁铁矿、氧化铬、氧化铁、二硫化钼、铬络合物、复合氧化物系黑色色素、蒽醌系有机黑色色素等。
在本发明中，作为黑色系色材，可以利用染料索引（C.I.）溶剂黑3、C.I.溶剂黑7、C.I.溶剂黑22、C.I.溶剂黑27、C.I.溶剂黑29、C.I.溶剂黑34、C.I.溶剂黑43、C.I.溶剂黑70，C.I.直接黑17、C.I.直接黑19、C.I.直接黑22、C.I.直接黑32、C.I.直接黑38、C.I.直接黑51、C.I.直接黑71，C.I.酸性黑1、C.I.酸性黑2、C.I.酸性黑24、C.I.酸性黑26、C.I.酸性黑31、C.I.酸性黑48、C.I.酸性黑52、C.I.酸性黑107、C.I.酸性黑109、C.I.酸性黑110、C.I.酸性黑119、C.I.酸性黑154，C.I.分散黑1、C.I.分散黑3、C.I.分散黑10、C.I.分散黑24等黑色系染料；C.I.颜料黑1、C.I.颜料黑7等黑色系颜料等。
作为这种黑色系色材，例如，商品名“Oil Black BY”、商品名“Oil Black BS”、商品名“Oil Black HBB”、商品名“Oil Black803”、商品名“Oil Black 860”、商品名“OilBlack 5970”、商品名“Oil Black 5906”、商品名“Oil Black 5905”（Orient ChemicalIndustries Co.,Ltd制造）等有市售。
作为黑色系色材以外的色材，例如，可列举出青色系色材、品红系色材、黄色系色材等。作为青色系色材，例如，可列举出C.I.溶剂蓝25、C.I.溶剂蓝36、C.I.溶剂蓝60、C.I.溶剂蓝70、C.I.溶剂蓝93、C.I.溶剂蓝95；C.I.酸性蓝6、C.I.酸性蓝45等青色系染料；C.I.颜料蓝1、C.I.颜料蓝2、C.I.颜料蓝3、C.I.颜料蓝15、C.I.颜料蓝15:1、C.I.颜料蓝15:2、C.I.颜料蓝15:3、C.I.颜料蓝15:4、C.I.颜料蓝15:5、C.I.颜料蓝15:6、C.I.颜料蓝16、C.I.颜料蓝17、C.I.颜料蓝17:1、C.I.颜料蓝18、C.I.颜料蓝22、C.I.颜料蓝25、C.I.颜料蓝56、C.I.颜料蓝60、C.I.颜料蓝63、C.I.颜料蓝65、C.I.颜料蓝66；C.I.还原蓝（vat blue）4、C.I.还原蓝60；C.I.颜料绿7等青色系颜料等。
另外，在品红系色材中，作为品红系染料，例如，可列举出C.I.溶剂红1、C.I.溶剂红3、C.I.溶剂红8、C.I.溶剂红23、C.I.溶剂红24、C.I.溶剂红25、C.I.溶剂红27、C.I.溶剂红30、C.I.溶剂红49、C.I.溶剂红52、C.I.溶剂红58、C.I.溶剂红63、C.I.溶剂红81、C.I.溶剂红82、C.I.溶剂红83、C.I.溶剂红84、C.I.溶剂红100、C.I.溶剂红109、C.I.溶剂红111、C.I.溶剂红121、C.I.溶剂红122；C.I.分散红9；C.I.溶剂紫8、C.I.溶剂紫13、C.I.溶剂紫14、C.I.溶剂紫21、C.I.溶剂紫27；C.I.分散紫1；C.I.碱性红1、C.I.碱性红2、C.I.碱性红9、C.I.碱性红12、C.I.碱性红13、C.I.碱性红14、C.I.碱性红15、C.I.碱性红17、C.I.碱性红18、C.I.碱性红22、C.I.碱性红23、C.I.碱性红24、C.I.碱性红27、C.I.碱性红29、C.I.碱性红32、C.I.碱性红34、C.I.碱性红35、C.I.碱性红36、C.I.碱性红37、C.I.碱性红38、C.I.碱性红39、C.I.碱性红40；C.I.碱性紫1、C.I.碱性紫3、C.I.碱性紫7、C.I.碱性紫10、C.I.碱性紫14、C.I.碱性紫15、C.I.碱性紫21、C.I.碱性紫25、C.I.碱性紫26、C.I.碱性紫27、C.I.碱性紫28等。
在品红系色材中，作为品红系颜料，例如，可列举出C.I.颜料红1、C.I.颜料红2、C.I.颜料红3、C.I.颜料红4、C.I.颜料红5、C.I.颜料红6、C.I.颜料红7、C.I.颜料红8、C.I.颜料红9、C.I.颜料红10、C.I.颜料红11、C.I.颜料红12、C.I.颜料红13、C.I.颜料红14、C.I.颜料红15、C.I.颜料红16、C.I.颜料红17、C.I.颜料红18、C.I.颜料红19、C.I.颜料红21、C.I.颜料红22、C.I.颜料红23、C.I.颜料红30、C.I.颜料红31、C.I.颜料红32、C.I.颜料红37、C.I.颜料红38、C.I.颜料红39、C.I.颜料红40、C.I.颜料红41、C.I.颜料红42、C.I.颜料红48:1、C.I.颜料红48:2、C.I.颜料红48:3、C.I.颜料红48:4、C.I.颜料红49、C.I.颜料红49:1、C.I.颜料红50、C.I.颜料红51、C.I.颜料红52、C.I.颜料红52:2、C.I.颜料红53:1、C.I.颜料红54、C.I.颜料红55、C.I.颜料红56、C.I.颜料红57:1、C.I.颜料红58、C.I.颜料红60、C.I.颜料红60:1、C.I.颜料红63、C.I.颜料红63:1、C.I.颜料红63:2、C.I.颜料红64、C.I.颜料红64:1、C.I.颜料红67、C.I.颜料红68、C.I.颜料红81、C.I.颜料红83、C.I.颜料红87、C.I.颜料红88、C.I.颜料红89、C.I.颜料红90、C.I.颜料红92、C.I.颜料红101、C.I.颜料红104、C.I.颜料红105、C.I.颜料红106、C.I.颜料红108、C.I.颜料红112、C.I.颜料红114、C.I.颜料红122、C.I.颜料红123、C.I.颜料红139、C.I.颜料红144、C.I.颜料红146、C.I.颜料红147、C.I.颜料红149、C.I.颜料红150、C.I.颜料红151、C.I.颜料红163、C.I.颜料红166、C.I.颜料红168、C.I.颜料红170、C.I.颜料红171、C.I.颜料红172、C.I.颜料红175、C.I.颜料红176、C.I.颜料红177、C.I.颜料红178、C.I.颜料红179、C.I.颜料红184、C.I.颜料红185、C.I.颜料红187、C.I.颜料红190、C.I.颜料红193、C.I.颜料红202、C.I.颜料红206、C.I.颜料红207、C.I.颜料红209、C.I.颜料红219、C.I.颜料红222、C.I.颜料红224、C.I.颜料红238、C.I.颜料红245；C.I.颜料紫3、C.I.颜料紫9、C.I.颜料紫19、C.I.颜料紫23、C.I.颜料紫31、C.I.颜料紫32、C.I.颜料紫33、C.I.颜料紫36、C.I.颜料紫38、C.I.颜料紫43、C.I.颜料紫50；C.I.还原红1、C.I.还原红2、C.I.还原红10、C.I.还原红13、C.I.还原红15、C.I.还原红23、C.I.还原红29、C.I.还原红35等。
另外，作为黄色系色材，例如，可列举出C.I.溶剂黄19、C.I.溶剂黄44、C.I.溶剂黄77、C.I.溶剂黄79、C.I.溶剂黄81、C.I.溶剂黄82、C.I.溶剂黄93、C.I.溶剂黄98、C.I.溶剂黄103、C.I.溶剂黄104、C.I.溶剂黄112、C.I.溶剂黄162等黄色系染料；C.I.颜料橙31、C.I.颜料橙43；C.I.颜料黄1、C.I.颜料黄2、C.I.颜料黄3、C.I.颜料黄4、C.I.颜料黄5、C.I.颜料黄6、C.I.颜料黄7、C.I.颜料黄10、C.I.颜料黄11、C.I.颜料黄12、C.I.颜料黄13、C.I.颜料黄14、C.I.颜料黄15、C.I.颜料黄16、C.I.颜料黄17、C.I.颜料黄23、C.I.颜料黄24、C.I.颜料黄34、C.I.颜料黄35、C.I.颜料黄37、C.I.颜料黄42、C.I.颜料黄53、C.I.颜料黄55、C.I.颜料黄65、C.I.颜料黄73、C.I.颜料黄74、C.I.颜料黄75、C.I.颜料黄81、C.I.颜料黄83、C.I.颜料黄93、C.I.颜料黄94、C.I.颜料黄95、C.I.颜料黄97、C.I.颜料黄98、C.I.颜料黄100、C.I.颜料黄101、C.I.颜料黄104、C.I.颜料黄108、C.I.颜料黄109、C.I.颜料黄110、C.I.颜料黄113、C.I.颜料黄114、C.I.颜料黄116、C.I.颜料黄117、C.I.颜料黄120、C.I.颜料黄128、C.I.颜料黄129、C.I.颜料黄133、C.I.颜料黄138、C.I.颜料黄139、C.I.颜料黄147、C.I.颜料黄150、C.I.颜料黄151、C.I.颜料黄153、C.I.颜料黄154、C.I.颜料黄155、C.I.颜料黄156、C.I.颜料黄167、C.I.颜料黄172、C.I.颜料黄173、C.I.颜料黄180、C.I.颜料黄185、C.I.颜料黄195；C.I.还原黄1、C.I.还原黄3、C.I.还原黄20等黄色系颜料等。
青色系色材、品红系色材、黄色系色材等各种色材可以各自单独使用或将两种以上组合使用。其中，使用2种以上的青色系色材、品红系色材、黄色系色材等各种色材时，对这些色材的混合比例（或者配混比例）没有特别限制，可以根据各种色材的种类、目标颜色等适当选择。
在使半导体背面用膜2着色时，对其着色形式没有特别限制。例如，半导体背面用膜可以是添加了着色剂的单层的膜状物。另外，可以是至少层叠至少由热固化性树脂形成的树脂层与着色剂层而成的层叠膜。其中，半导体背面用膜2为树脂层与着色剂层的层叠膜时，作为层叠形式的半导体背面用膜2，优选具有树脂层/着色剂层/树脂层的层叠形式。在该情况下，着色剂层两侧的2个树脂层可以是相同组成的树脂层，也可以是不同组成的树脂层。
半导体背面用膜2中根据需要可以适当配混其他添加剂。作为其他添加剂，例如可列举出填充剂（填料）、阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕集剂以及增量剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂等。
作为上述填充剂，可以是无机填充剂、有机填充剂的任何一种，无机填充剂是优选的。通过配混无机填充剂等填充剂，可以赋予半导体背面用膜以导电性、实现热传导性的提高、弹性模量的调节等。其中，半导体背面用膜2可以是导电性的，也可以是非导电性的。上述无机填充剂例如可列举出硅石、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化硅等陶瓷类、铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯、焊料等金属或合金类以及由碳等构成的各种无机粉末等。填充剂可以单独使用或者可以将两种以上组合使用。作为填充剂，其中，优选硅石，特别是熔融硅石。其中，无机填充剂的平均粒径优选是在0.1μm~80μm的范围内。无机填充剂的平均粒径例如可以通过激光衍射型粒度分布测定装置来测定。
上述填充剂（尤其无机填充剂）的配混量相对于100重量份有机树脂成分优选为80重量份以下（0重量份~80重量份），特别优选为0重量份~70重量份。
另外，作为上述阻燃剂，例如，可列举出三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。阻燃剂可以单独使用或将两种以上组合使用。作为上述硅烷偶联剂，例如，可列举出β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。硅烷偶联剂可以单独使用或将两种以上组合使用。作为上述离子捕集剂，例如，可列举出水滑石类、氢氧化铋等。离子捕集剂可以单独使用或将两种以上组合使用。
半导体背面用膜2例如可以利用将环氧树脂等热固化性树脂、和根据需要的丙烯酸类树脂等热塑性树脂、和根据需要的溶剂或其他添加剂等混合，制备树脂组合物，形成为膜状层的惯用方法来形成。具体而言，例如，可以通过将上述树脂组合物涂布于切割带的粘合剂层32上的方法，将上述树脂组合物涂布于适当的隔离膜（剥离纸等）上、形成树脂层（或粘接剂层）、将其转印（转移）到粘合剂层32上的方法等，形成作为半导体背面用膜的膜状层（粘接剂层）。其中，上述树脂组合物可以是溶液，也可以是分散液。
其中，半导体背面用膜2通过含有环氧树脂等热固化性树脂的树脂组合物来形成时，半导体背面用膜在应用于半导体晶片之前的阶段中，热固化性树脂为未固化或部分固化的状态。在该情况下，应用于半导体晶片上之后（具体而言，通常，在倒装芯片焊接工序中将密封材料固化时），使半导体背面用膜中的热固化性树脂完全或大致完全固化。
照此，半导体背面用膜即使含有热固化性树脂，由于该热固化性树脂是未固化或部分固化的状态，因此，对半导体背面用膜的凝胶率没有特别限制，例如，可以从50重量%以下（0重量%~50重量%）的范围内适当选择，优选为30重量%以下（0重量%~30重量%），尤其优选为10重量%以下（0重量%~10重量%）。半导体背面用膜的凝胶率的测定方法可以通过以下的测定方法来测定。
凝胶率的测定方法
从半导体背面用膜取样约0.1g，精确称量（试样的重量），将该样品用网状片包裹之后，在约50ml的甲苯中在室温下浸渍1周。此后，将溶剂不溶成分（网状片的内容物）从甲苯中取出，在130℃下干燥约2小时，称量干燥后的溶剂不溶成分（浸渍·干燥后的重量），由下式（a）算出凝胶率（重量%）。
凝胶率（重量%）=[(浸渍·干燥后的重量)/(试样的重量)]×100 (a)
需要说明的是，半导体背面用膜的凝胶率可以通过树脂成分的种类、其含量、交联剂的种类、其含量、加热温度、加热时间等来控制。
在本发明中，半导体背面用膜为由含有环氧树脂等热固化性树脂的树脂组合物形成的膜状物时，可以有效地发挥对半导体晶片的密合性。
需要说明的是，由于在半导体晶片的切割工序中使用切割水，因此，有时半导体背面用膜吸湿，达到常态以上的含水率。在这种高含水率的状态下，进行倒装芯片焊接时，水蒸气在半导体背面用膜2与半导体晶片或其加工体（半导体）的粘接界面上积存，有时发生浮起。因此，对于半导体背面用膜，通过形成在两面设置透湿性高的芯材料的构成，水蒸汽扩散，可以避免所述问题。从所述观点考虑，可以使用在芯材料的单面或双面形成有半导体背面用膜2、12的多层结构作为半导体背面用膜。作为所述芯材料，可列举出膜（例如聚酰亚胺膜、聚酯膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚碳酸酯膜等）、用玻璃纤维、塑料制无纺纤维强化了的树脂基板、硅基板或玻璃基板等。
对半导体背面用膜2的厚度（层叠膜时为总厚度）没有特别限制，例如，可以从2μm~200μm左右的范围内适当选择。此外，上述厚度优选为4μm~160μm左右，更优选为6μm~100μm左右，特别优选为10μm~80μm左右。
上述半导体背面用膜2的未固化状态下的23℃下的拉伸储能模量优选为1GPa以上（例如1GPa~50GPa），更优选为2GPa以上，特别优选为3GPa以上。上述拉伸储能模量为1GPa以上时，将半导体芯片与半导体背面用膜2一起从切割带的粘合剂层32上剥离之后将半导体背面用膜2载置在支撑体上进行输送等时，可以有效抑制或防止半导体背面用膜在支撑体上贴合。其中，所述支撑体是指例如载带（carrier tape）中的顶带（top tape）、底带（bottom tape）等。其中，半导体背面用膜2通过含有热固化性树脂的树脂组合物来形成时，如上所述，热固化性树脂通常是未固化或部分固化的状态，因此，半导体背面用膜在23℃下的弹性模量通常为热固化性树脂为未固化状态或部分固化状态下的23℃下的弹性模量。
在此处，半导体背面用膜2可以是单层，也可以是多个层层叠而成的层叠膜，在层叠膜的情况下，上述未固化状态下的23℃下的拉伸储能模量按层叠膜全体计只要为1GPa以上（例如1GPa~50GPa）的范围即可。另外，半导体背面用膜的未固化状态下的上述拉伸储能模量（23℃）可以通过树脂成分（热塑性树脂、热固化性树脂）的种类、其含量、硅石填料等填料的种类、其含量等来控制。其中，半导体背面用膜2为多个层层叠而成的层叠膜时（半导体背面用膜具有层叠形式时），作为其层叠形式，例如可列举出由晶片粘接层与激光标记层构成的层叠形式等。另外，在这种晶片粘接层与激光标记层之间可以设置其他层（中间层、遮光层、补强层、着色层、基材层、电磁波屏蔽层、热传导层、粘合层等）。其中，晶片粘接层是对晶片发挥优异的密合性（粘接性）的层，是与晶片的背面接触的层。另一方面，激光标记层是发挥优异的激光标记性的层，是在半导体芯片的背面上进行激光标记时利用的层。
其中，上述拉伸储能模量为如下获得的值：制作未在切割带3上层叠的未固化状态的半导体背面用膜2，使用Rheometrics Co.,Ltd.,Ltd.制造的动态粘弹性测定装置“SolidAnalyzer RS A2”，用拉伸模式，以样品宽度：10mm、样品长度：22.5mm、样品厚度：0.2mm、频率：1Hz、升温速度：10℃/分钟、氮气气氛下、在规定的温度（23℃）下测定，获得拉伸储能模量值。
上述半导体背面用膜2优选至少一个面用隔离膜（剥离衬垫）保护（未图示）。例如，在切割带一体型半导体背面用膜1的情况下，可以仅仅在半导体背面用膜的一个面上设置隔离膜，另一方面，在与切割带没有一体化的半导体背面用膜的情况下，可以在半导体背面用膜的单面或双面设置隔离膜。隔离膜具有作为供给实用之前保护半导体背面用膜的保护材料的功能。另外，在切割带一体型半导体背面用膜1的情况下，隔离膜进一步可以作为将半导体背面用膜2转印到切割带的基材上的粘合剂层32时的支撑基材使用。隔离膜在将半导体晶片贴合到半导体背面用膜上时被剥离。作为隔离膜，可以使用通过聚乙烯、聚丙烯、氟系剥离剂、丙烯酸长链烷基酯系剥离剂等剥离剂进行表面涂布的塑料膜（聚对苯二甲酸乙二醇酯等）、纸等。其中，隔离膜可以通过以往公知的方法来形成。另外，对隔离膜的厚度等也没有特别限制。
半导体背面用膜2没有在切割带3上层叠时，半导体背面用膜2可以在使用一片两面具有剥离层的隔离膜，以卷绕成卷筒状的形态，通过两面具有剥离层的隔离膜来保护，也可以通过至少一面具有剥离层的隔离膜来保护。
另外，对半导体背面用膜2的可见光（波长：400nm~800nm）的光线透射率（可见光透射率）没有特别限制，例如，优选为20%以下（0%~20%）的范围，更优选为10%以下（0%~10%），特别优选为5%以下（0%~5%）。半导体背面用膜2的可见光透射率大于20%时，由于光线通过，有可能对半导体元件产生不良影响。另外，上述可见光透射率（%）可以通过半导体背面用膜2的树脂成分的种类、其含量、着色剂（颜料、染料等）的种类、其含量、无机填充材料的含量等来控制。
半导体背面用膜2的可见光透射率（%）可以如下进行测定。即，制作厚度（平均厚度）20μm的半导体背面用膜2单片。接着，对于半导体背面用膜2，以规定的强度照射波长：400nm~800nm的可见光线[装置：岛津制作所制造的可见光发生装置（商品名“ABSORPTIONSPECTRO PHOTOMETER”）]，测定透射的可见光线的强度。进而，可以由可见光线透射半导体背面用膜2前后的强度变化求出可见光透射率的值。此外，还可以由厚度不是20μm的半导体背面用膜2的可见光透射率（%；波长：400nm~800nm）的值导出厚度：20μm的半导体背面用膜2的可见光透射率（%；波长：400nm~800nm）。另外，在本发明中，求出厚度20μm的半导体背面用膜2时的可见光透射率（%），但本发明的半导体背面用膜不限于厚度20μm的膜。
另外，半导体背面用膜2优选具有较低的吸湿率。具体而言，上述吸湿率优选为1重量%以下，更优选为0.8重量%以下。通过将上述吸湿率设定为1重量%以下，可以提高激光标记性。另外，例如，在再流（reflow）工序中，可以抑制或防止半导体背面用膜2与半导体元件之间发生空隙等。其中，上述吸湿率是由将半导体背面用膜2在温度85℃、相对湿度85%RH的气氛下放置168小时前后的重量变化算出的值。半导体背面用膜2由含有热固化性树脂的树脂组合物形成时，上述吸湿率是指热固化后的半导体背面用膜在温度85℃、相对湿度85%RH的气氛下放置了168小时时的值。另外，上述吸湿率例如可以通过改变无机填料的添加量来调整。
另外，对于半导体背面用膜2，优选挥发成分的比率较少。具体而言，加热处理后的半导体背面用膜2的重量减少率（重量减少量的比率）优选为1重量%以下，更优选为0.8重量%以下。加热处理的条件例如是加热温度250℃、加热时间1小时。通过将上述重量减少率设定为1重量%以下，可以提高激光标记性。另外，例如，在再流工序中，可以抑制或防止在倒装芯片型的半导体装置中发生裂纹。上述重量减少率可以通过例如添加可减少无铅焊接再流时的裂纹发生的无机物来调整。需要说明的是，半导体背面用膜2由含有热固化性树脂的树脂组合物形成时，上述重量减少率是指在加热温度250℃、加热时间1小时的条件下将热固化后的半导体背面用膜加热时的值。
切割带
上述切割带3通过在基材31上形成粘合剂层32来构成。照此，切割带3只要具有基材31与粘合剂层32层叠的构成即可。基材（支撑基材）可以作为粘合剂层等的支撑母体使用。上述基材31优选具有辐射线透射性。作为上述基材31，例如，可以使用纸等纸系基材；布、无纺布、毡、网等纤维系基材；金属箔、金属板等金属系基材；塑料膜、塑料片等塑料系基材；橡胶片等橡胶系基材；发泡片等发泡体、它们的层叠体[尤其，塑料系基材与其他基材的层叠体、塑料膜（或塑料片）彼此的层叠体等]等适宜的薄层体。在本发明中，作为基材，可适当地使用塑料膜、塑料片等塑料系基材。作为这种塑料的原料，例如，可列举出聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）、乙烯-丙烯共聚物等烯烃系树脂；乙烯-醋酸乙烯酯共聚物（EVA）、离聚物树脂、乙烯-（甲基）丙烯酸共聚物、乙烯-（甲基）丙烯酸酯（无规、交替）共聚物等以乙烯为单体成分的共聚物；聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚对苯二甲酸丁二醇酯（PBT）等聚酯；丙烯酸系树脂；聚氯乙烯（PVC）；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚（PPS）；聚酰胺（尼龙）、全芳香族聚酰胺(whole aromatic polyamides)（芳族聚酰胺）等酰胺系树脂；聚醚醚酮（PEEK）；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏二氯乙烯；ABS（丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物）；纤维素系树脂；有机硅树脂；氟树脂等。
另外，作为基材31的材料，可列举出上述树脂的交联体等聚合物。上述塑料膜可以未拉伸使用，根据需要可以使用实施了单轴或双轴拉伸处理的塑料膜。根据通过拉伸处理等赋予热收缩性的树脂片，由于在切割后使该基材31热收缩，从而使粘合剂层32与半导体背面用膜2的粘接面积减少，可以实现半导体芯片的回收的容易化。
为了提高与邻接的层的密合性、保持性等，基材31的表面可以实施惯用的表面处理，例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、电离辐射线处理等化学或物理处理、利用底涂剂（例如下述粘合物质）的涂布处理。
上述基材31可以适当选择使用同种或不同种的材料，根据需要可以使用多种的共混物。另外，为了赋予基材31以抗静电能力，可以在上述基材31上设置由金属、合金、它们的氧化物等构成的厚度左右的导电性物质的蒸镀层。基材31可以是单层或两种以上的多层。
基材31的厚度（层叠体情况下为总厚度）没有特别限制，可以根据强度、柔软性、使用目的等适当选择，例如，一般为1000μm以下（例如1μm~1000μm），优选为10μm~500μm，进一步优选为20μm~300μm，特别为30μm~200μm左右，但不限于这些。
需要说明的是，在基材31中，在不损害本发明的效果等的范围内，可以含有各种添加剂（着色剂、填充剂、增塑剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂、阻燃剂等）。
上述粘合剂层32由粘合剂来形成，具有粘合性。对这种粘合剂没有特别限制，可以从公知的粘合剂中适当选择。具体而言，作为粘合剂，例如，可以从丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂、乙烯基烷基醚系粘合剂、有机硅系粘合剂、聚酯系粘合剂、聚酰胺系粘合剂、聚氨酯系粘合剂、氟系粘合剂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系粘合剂、在这些粘合剂中配混了熔点约200℃以下的热熔融性树脂的蠕变特性改良型粘合剂等公知的粘合剂（例如，参照日本特开昭56-61468号公报、日本特开昭61-174857号公报、日本特开昭63-17981号公报、日本特开昭56-13040号公报等）中适当选择使用具有上述特性的粘合剂。另外，作为粘合剂，可以使用辐射线固化型粘合剂（或能量射线固化型粘合剂）、热膨胀性粘合剂。粘合剂可以单独使用或将两种以上组合使用。
作为上述粘合剂，可以适宜地使用丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂，尤其优选丙烯酸系粘合剂。作为丙烯酸系粘合剂，可列举出将如下丙烯酸系聚合物（均聚物或共聚物）作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂，其中丙烯酸系聚合物使用一种或两种以上（甲基）丙烯酸烷基酯作为单体成分。
作为上述丙烯酸系粘合剂中的（甲基）丙烯酸烷基酯，例如，可列举出（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸异丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸异丁酯、（甲基）丙烯酸仲丁酯、（甲基）丙烯酸叔丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸异辛酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸异壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸异癸酯、（甲基）丙烯酸十一烷基酯、（甲基）丙烯酸十二烷基酯、（甲基）丙烯酸十三烷基酯、（甲基）丙烯酸十四烷基酯、（甲基）丙烯酸十五烷基酯、（甲基）丙烯酸十六烷基酯、（甲基）丙烯酸十七烷基酯、（甲基）丙烯酸十八烷基酯、（甲基）丙烯酸十九烷基酯、（甲基）丙烯酸二十烷基酯等（甲基）丙烯酸烷基酯等。作为（甲基）丙烯酸烷基酯，优选烷基的碳原子数为4~18的（甲基）丙烯酸烷基酯。另外，（甲基）丙烯酸烷基酯的烷基可以是直链状或支链状的任何一种。
其中，上述丙烯酸系聚合物为了内聚力、耐热性、交联性等的改良，根据需要，可以含有对应于能够与上述（甲基）丙烯酸烷基酯共聚的其他单体成分（共聚性单体成分）的单元。作为这种共聚性单体成分，例如，可列举出（甲基）丙烯酸（丙烯酸、甲基丙烯酸）、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等含酸酐基单体；（甲基）丙烯酸羟乙酯、（甲基）丙烯酸羟丙酯、（甲基）丙烯酸羟丁酯、（甲基）丙烯酸羟己酯、（甲基）丙烯酸羟辛酯、（甲基）丙烯酸羟癸酯、（甲基）丙烯酸羟基月桂酯、（甲基）丙烯酸（4-羟甲基环己基）甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-（甲基）丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、（甲基）丙烯酰胺丙磺酸、（甲基）丙烯酸磺丙酯、（甲基）丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体；（甲基）丙烯酰胺、N,N-二甲基（甲基）丙烯酰胺、N-丁基（甲基）丙烯酰胺、N-羟甲基（甲基）丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷（甲基）丙烯酰胺等（N-取代）酰胺系单体；（甲基）丙烯酸氨基乙酯、（甲基）丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、（甲基）丙烯酸叔丁基氨基乙酯等（甲基）丙烯酸氨基烷基酯系单体；（甲基）丙烯酸甲氧基乙酯、（甲基）丙烯酸乙氧基乙酯等（甲基）丙烯酸烷氧基烷基酯系单体；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体；（甲基）丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基丙烯酸系单体；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯系单体；醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯基酯系单体；异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃系单体；乙烯基醚等乙烯基醚系单体；N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酰胺类、N-乙烯基己内酰胺等含氮单体；N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体；N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体；N-（甲基）丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺、N-（甲基）丙烯酰基-6-氧基六亚甲基琥珀酰亚胺、N-（甲基）丙烯酰基-8-氧基八亚甲基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺系单体；（甲基）丙烯酸聚乙二醇酯、（甲基）丙烯酸聚丙二醇酯、（甲基）丙烯酸甲氧基乙二醇酯、（甲基）丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸酯单体；（甲基）丙烯酸四氢糠酯、含氟（甲基）丙烯酸酯、有机硅（甲基）丙烯酸酯等具有杂环、卤素原子、硅原子等的丙烯酸酯系单体；己二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇二（甲基）丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、丁基二（甲基）丙烯酸酯、己基二（甲基）丙烯酸酯等多官能单体等。这些共聚性单体成分可以使用一种或两种以上。
使用辐射线固化型粘合剂（或能量射线固化型粘合剂）作为粘合剂时，作为辐射线固化型粘合剂（组合物），例如，可列举出使用在聚合物侧链或者主链中或主链末端具有自由基反应性碳-碳双键的聚合物作为基础聚合物的内在型辐射线固化型粘合剂，在粘合剂中配混有紫外线固化性的单体成分、低聚物成分的辐射线固化型粘合剂等。另外，使用热膨胀性粘合剂作为粘合剂时，作为热膨胀性粘合剂，例如可列举出含有粘合剂与发泡剂（尤其热膨胀性微球）的热膨胀性粘合剂等。
在本发明中，在粘合剂层32中，在不损害本发明的效果的范围内可以含有各种添加剂（例如赋粘树脂、着色剂、增稠剂、增量剂、填充剂、增塑剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联剂等）。
对上述交联剂没有特别限制，可以使用公知的交联剂。具体而言，作为交联剂，可列举出异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂，此外还有脲系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳化二亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、胺系交联剂等，优选异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂。交联剂可以单独使用或将两种以上组合使用。其中，对交联剂的用量没有特别限制。
作为上述异氰酸酯系交联剂，例如，可列举出1,2-亚乙基二异氰酸酯、1,4-亚丁基二异氰酸酯、1,6-六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯、氢化苯二甲撑二异氰酸酯等脂环族多异氰酸酯类；2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二甲撑二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯类等，此外，还可以使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加合物（日本聚氨酯工业公司制造，商品名“CORONATE L”）、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加合物（日本聚氨酯工业公司制造，商品名“CORONATE HL”）等。另外，作为上述环氧系交联剂，例如可列举出N,N,N’,N’-四缩水甘油基-间苯二甲胺、二缩水甘油基苯胺、1,3-双(N,N-缩水甘油基氨基甲基)环己烷、1,6-己二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、山梨糖醇多缩水甘油醚、甘油多缩水甘油醚、季戊四醇多缩水甘油醚、聚甘油多缩水甘油醚、脱水山梨醇多缩水甘油醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基-三（2-羟乙基）异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚、双酚S二缩水甘油醚以及分子内具有2个以上环氧基的环氧系树脂等。
需要说明的是，在本发明中，代替使用交联剂，或者还可以使用交联剂并且通过照射电子束、紫外线等实施交联处理。
粘合剂层32例如可以利用将粘合剂（压敏粘接剂）与根据需要的溶剂、其他添加剂等混合、形成片状层的惯用方法来形成。具体而言，例如可以通过将含有粘合剂和根据需要的溶剂、其他添加剂的混合物涂布于基材31上的方法，将上述混合物涂布于适当的隔离膜（剥离纸等）上、形成粘合剂层32、将其转印（转移）到基材31上的方法等，形成粘合剂层32。
对粘合剂层32的厚度没有特别限制，例如为5μm~300μm（优选为5μm~200μm，进一步优选为5μm~100μm，特别优选为7μm~50μm）左右。粘合剂层32的厚度在上述范围内时，可以发挥适度的粘合力。其中，粘合剂层32可以是单层、多层的任何一种。
上述切割带3的粘合剂层32对倒装芯片型半导体背面用膜2的粘接力（23℃，剥离角度180度，剥离速度300mm/分钟）优选为0.02N/20mm~10N/20mm的范围，更优选为0.05N/20mm~5N/20mm的范围。通过将上述粘接力设定为0.02N/20mm以上，在切割半导体晶片时可以防止半导体元件芯片飞溅。另一方面，通过将上述粘接力设定为10N/20mm以下，拾取半导体元件时，可以防止该半导体元件的剥离变得困难或发生粘合剂残留。
其中，在本发明中，可以使倒装芯片型半导体背面用膜2、切割带一体型半导体背面用膜1具有抗静电能力。由此，可以防止在其粘接时和剥离时等中的静电产生、由此带来的半导体晶片等带电所导致的电路破坏等。抗静电能力的赋予可以用将抗静电剂、导电性物质添加到基材31、粘合剂层32乃至半导体背面用膜2中的方法，向基材31附设由电荷迁移络合物（charge transfer complex）、金属膜等构成的导电层的方法等适当的方式进行。作为这些方式，不容易产生有可能使半导体晶片变质的杂质离子的方式是优选的。作为用于赋予导电性、提高热传导性等而配混的导电性物质（导电填料），可列举出银、铝、金、铜、镍、导电性合金等球状、针状、鳞片（flake）状的金属粉、氧化铝等金属氧化物、无定形炭黑、石墨等。然而，上述半导体背面用膜2从能够做到不漏电的观点来看优选是非导电性的。
另外，倒装芯片型半导体背面用膜2、切割带一体型半导体背面用膜1可以以卷绕成卷筒状的形态形成，也可以以片（膜）层叠而成的形态形成。例如，具有卷绕成卷筒状的形态时，半导体背面用膜2或半导体背面用膜2与切割带3的层叠体可以根据需要在用隔离膜保护的状态下卷绕成卷筒状，作为卷绕成卷筒状的状态或形态的半导体背面用膜2、切割带一体型半导体背面用膜1来制作。其中，作为卷绕成卷筒状的状态或形态的切割带一体型半导体背面用膜1，可以用基材31、和在上述基材31的一个面上形成的粘合剂层32、和在上述粘合剂层32上形成的半导体背面用膜以及在上述基材31的另一个面上形成的剥离处理层（背面处理层）来构成。
其中，作为切割带一体型半导体背面用膜1的厚度（半导体背面用膜的厚度与由基材31和粘合剂层32构成的切割带的厚度的总厚度），可以从例如8μm~1500μm的范围内选择，优选为20μm~850μm（进一步优选为31μm~500μm，特别优选为47μm~330μm）。
其中，在切割带一体型半导体背面用膜1中，通过控制半导体背面用膜2的厚度与切割带3的粘合剂层32的厚度之比、半导体背面用膜2的厚度与切割带3的厚度（基材31和粘合剂层32的总厚度）之比，可以提高切割工序时的切割性、拾取工序时的拾取性等，可以在半导体晶片的切割工序~半导体芯片的倒装芯片焊接工序中有效地利用切割带一体型半导体背面用膜1。
切割带一体型半导体背面用膜的制造方法
以下以图1所示的切割带一体型半导体背面用膜1为例来说明本实施方式的切割带一体型半导体背面用膜的制造方法。首先，基材31可以通过以往公知的成膜方法来成膜。作为该成膜方法，例如，可列举出压延成膜法、有机溶剂中的流延法(casting method)、密闭体系中的吹胀挤出法、T型模头挤出法、共挤出法、干式层压法等。
接着，将粘合剂组合物涂布于基材31上，使之干燥（根据需要进行加热交联），形成粘合剂层32。作为涂布方式，可列举出辊涂、丝网涂覆、凹版涂覆等。其中，将粘合剂层组合物直接涂布于基材31上，可以在基材31上形成粘合剂层32，另外，可以将粘合剂组合物涂布于表面进行了剥离处理的剥离纸等上，形成粘合剂层32，然后，将该粘合剂层32转印到基材31上。由此制作了在基材31上形成了粘合剂层32的切割带3。
另一方面，将用于形成半导体背面用膜2的形成材料涂布于剥离纸上，使得干燥后的厚度为规定厚度，进一步在规定条件下干燥（在需要热固化等情况下，根据需要，实施加热处理进行干燥），形成涂布层。通过将该涂布层转印到上述粘合剂层32上，在粘合剂层32上形成半导体背面用膜2。需要说明的是，即使通过在上述粘合剂层32上直接涂布用于形成半导体背面用膜2的形成材料之后在规定条件下干燥（在需要热固化等情况下，根据需要，实施加热处理进行干燥），也能在粘合剂层32上形成半导体背面用膜2。通过以上所述，可以获得本发明的切割带一体型半导体背面用膜1。其中，在形成半导体背面用膜2时进行热固化的情况下，以达到部分固化状态的程度进行热固化是重要的，优选不进行热固化。
本发明的切割带一体型半导体背面用膜1可以在具备倒装芯片焊接工序的半导体装置的制造时适宜地使用。即，本发明的切割带一体型半导体背面用膜1在制造倒装芯片安装的半导体装置时使用，在半导体芯片的背面上贴合有切割带一体型半导体背面用膜1的半导体背面用膜2的状态或形态下，制造倒装芯片安装的半导体装置。因此，本发明的切割带一体型半导体背面用膜1可以用于倒装芯片安装的半导体装置（半导体芯片以倒装芯片焊接方式固定于基板等被粘物上的状态或形式的半导体装置）。
需要说明的是，半导体背面用膜2与切割带一体型半导体背面用膜1同样地可以用于倒装芯片安装的半导体装置（半导体芯片以倒装芯片焊接方式固定于基板等被粘物上的状态或形式的半导体装置）。
半导体晶片
半导体晶片只要是公知乃至惯用的半导体晶片即可，对其没有特别限制，可以从各种材料的半导体晶片中适当选择使用。在本发明中，作为半导体晶片，可以适当地使用硅晶片。
半导体装置的制造方法
以下参照图2来说明本实施方式的半导体装置的制造方法。图2所示为使用上述切割带一体型半导体背面用膜1时的半导体装置的制造方法的截面示意图。
对于上述半导体装置的制造方法，可以使用上述切割带一体型半导体背面用膜1来制造半导体装置。具体而言，其至少具备以下工序：将半导体晶片贴合于上述切割带一体型半导体背面用膜上的工序、切割上述半导体晶片的工序、拾取由切割获得的半导体元件的工序、以及将上述半导体元件倒装芯片连接于被粘物上的工序。
其中，在半导体背面用膜2的情况下，通过按照使用切割带一体型半导体背面用膜1时的半导体装置的制造方法的方法，可以制造半导体装置。例如，使半导体背面用膜2与切割带贴合，作为与切割带一体化的切割带一体型半导体背面用膜使用，可以制造半导体装置。在该情况下，使用半导体背面用膜2的半导体装置的制造方法成为在上述切割带一体型半导体背面用膜的制造方法的工序中进一步具备将半导体背面用膜与切割带以半导体背面用膜与切割带的粘合剂层接触的形式贴合的工序的制造方法。
另外，上述半导体背面用膜2还可以不与切割带一体化，而在半导体晶片上贴合使用。在该情况下，使用半导体背面用膜2的半导体装置的制造方法成为将上述切割带一体型半导体背面用膜的制造方法中的在切割带一体型半导体背面用膜上贴合半导体晶片的工序改变为在半导体晶片上贴合半导体背面用膜的工序、以半导体背面用膜与切割带的粘合剂层接触的形式在贴合于半导体晶片上的半导体背面用膜上贴合切割带的工序的制造方法。
另外，半导体背面用膜2还可以在将半导体晶片单片化而获得的半导体芯片上贴合使用。在该情况下，使用半导体背面用膜2的半导体装置的制造方法例如可以是至少具备以下工序的制造方法：将切割带贴合在半导体晶片上的工序、切割上述半导体晶片的工序、拾取由切割获得的半导体元件的工序、将上述半导体元件倒装芯片连接于被粘物上的工序、以及在半导体元件上贴合半导体背面用膜的工序。
安装工序
首先，如图2(a)所示，适宜地剥离切割带一体型半导体背面用膜1的半导体背面用膜2上任意设置的隔离膜，将半导体晶片4贴合于该半导体背面用膜2上，使其粘接保持并固定（安装工序）。此时，上述半导体背面用膜2处于未固化状态（包含半固化状态）。另外，切割带一体型半导体背面用膜1贴合于半导体晶片4的背面上。半导体晶片4的背面是指与电路面相反侧的面（也称为非电路面，非电极形成面等）。对贴合方法没有特别限定，压接方法是优选的。压接通常边通过压接辊等压制手段压制边进行。
切割工序
接着，如图2(b)所示，进行半导体晶片4的切割。由此，将半导体晶片4切断为规定的尺寸，实现单片化（小片化），制造半导体芯片5。切割例如按照常法从半导体晶片4的电路面侧进行。另外，在本工序中，例如，可以采用切入至切割带一体型半导体背面用膜1的称之为完全切割的切断方式等。对本工序中采用的切割装置没有特别限定，可以使用以往公知的装置。另外，半导体晶片4通过具有半导体背面用膜的切割带一体型半导体背面用膜1而以优异的密合性被粘接固定，因此，能够抑制芯片缺口、芯片飞溅，并且，还可以抑制半导体晶片4的破损。其中，半导体背面用膜2由含有环氧树脂的树脂组合物形成时，即使通过切割被切断，也能抑制或防止在其切断面上半导体背面用膜的粘接剂层的粘接剂溢出的发生。结果，可以抑制或防止切断面之间再附着（粘连(blocking)），可以更好地进行下述拾取。
其中，进行切割带一体型半导体背面用膜1的扩展时，该扩展可以使用以往公知的扩展装置来进行。扩展装置具有可介由切割环将切割带一体型半导体背面用膜1向下方按压的环形外环，和直径小于外环并支撑切割带一体型半导体背面用膜的内环。通过该扩展工序，在下述的拾取工序中，可以防止相邻的半导体芯片之间接触而破损。
拾取工序
为了回收切割带一体型半导体背面用膜1上粘接固定的半导体芯片5，如图2(c)所示，进行半导体芯片5的拾取，将半导体芯片5与半导体背面用膜2一起从切割带3上剥离。对拾取方法没有特别限制，可以采用以往公知的各种方法。例如，可列举出用针状物从切割带一体型半导体背面用膜1的基材31侧顶出各个半导体芯片5，通过拾取装置拾取顶出的半导体芯片5的方法等。其中，拾取的半导体芯片5的背面通过半导体背面用膜2保护。
倒装芯片连接工序
拾取的半导体芯片5如图2(d)所示通过倒装芯片焊接方式（倒装芯片安装方式）固定于基板等被粘物上。具体而言，以半导体芯片5的电路面（也称为表面、电路图案形成面、电极形成面等）与被粘物6相对的形式，按照常法使半导体芯片5固定在被粘物6上。例如，使形成于半导体芯片5的电路面侧的凸块51与粘附在被粘物6的连接垫上的接合用导电材料（焊料等）61接触，边按压边使导电材料熔融，由此可以确保半导体芯片5与被粘物6的电气连接并使半导体芯片5固定在被粘物6上（倒装芯片焊接工序）。此时，半导体芯片5与被粘物6之间形成空隙，该空隙间距通常为30μm~300μm左右。其中，重要的是，将半导体芯片5在被粘物6上倒装芯片焊接（倒装芯片连接）之后，洗涤半导体芯片5与被粘物6的相对面、间隙，将密封材料（密封树脂等）填充在该间隙中进行密封。
作为被粘物6，可以使用引线框、电路基板（布线电路板等）各种基板。对这种基板的材质没有特别限制，可列举出陶瓷基板、塑料基板。作为塑料基板，例如可列举出环氧树脂基板、双马来酰亚胺三嗪基板、聚酰亚胺基板等。
在倒装芯片焊接工序中，对凸块、导电材料的材质没有特别限制，例如，可列举出锡-铅系金属材料、锡-银系金属材料、锡-银-铜系金属材料、锡-锌系金属材料、锡-锌-铋系金属材料等焊料类（合金）、金系金属材料、铜系金属材料等。
其中，在倒装芯片焊接工序中，使导电材料熔融，使半导体芯片5的电路面侧的凸块与被粘物6的表面的导电材料连接，作为该导电材料的熔融时的温度，通常为260℃左右（例如250℃~300℃）。本发明的切割带一体型半导体背面用膜通过用环氧树脂等形成半导体背面用膜，从而可具有能耐受在该倒装芯片焊接工序中的高温的耐热性。
在本工序中，优选进行半导体芯片5与被粘物6的相对面（电极形成面）、间隙的洗涤。对该洗涤中使用的洗涤液没有特别限制，例如，可列举出有机系洗涤液、水系洗涤液。本发明的切割带一体型半导体背面用膜中的半导体背面用膜具有针对洗涤液的耐溶剂性，在这些洗涤液中实际上没有溶解性。因此，如上所述，作为洗涤液，可以使用各种洗涤液，不需要特殊的洗涤液，可以按照以往的方法来洗涤。
接着，进行用于密封倒装芯片焊接的半导体芯片5与被粘物6之间的间隙的密封工序。密封工序使用密封树脂进行。对此时的密封条件没有特别限制，通常，通过在175℃下进行60秒钟~90秒钟的加热，进行密封树脂的热固化，但本发明不限于此，例如，可以在165℃~185℃下进行数分钟固化。在该工序的热处理中，密封树脂和半导体背面用膜2的热固化可以同时进行。由此，密封树脂和半导体背面用膜2双方随着热固化的进行而发生固化收缩。结果，起因于密封树脂的固化收缩而在半导体芯片5上施加的应力能够因半导体背面用膜2发生固化收缩而抵消乃至缓和。另外，通过该工序，可以使半导体背面用膜2完全或大致完全热固化，能够使之以优异的密合性在半导体元件的背面上贴合。进而，本发明的半导体背面用膜2即使为未固化状态，在该密封工序时也能与密封材料一起热固化，因此，不需要新追加用于使半导体背面用膜2热固化的工序。
上述密封树脂只要是具有绝缘性的树脂（绝缘树脂）即可，对其没有特别限制，可以从公知的密封树脂等密封材料中适当选择使用，具有弹性的绝缘树脂是更优选的。作为密封树脂，例如，可列举出包含环氧树脂的树脂组合物等。作为环氧树脂，可列举出上述例示的环氧树脂等。另外，对于由包含环氧树脂的树脂组合物而成的密封树脂，作为树脂成分，可以含有环氧树脂以及除环氧树脂以外的热固化性树脂（酚醛树脂等）、热塑性树脂等。其中，作为酚醛树脂，还可以作为环氧树脂的固化剂利用，作为这种酚醛树脂，可列举出上述例示的酚醛树脂等。
使用上述切割带一体型半导体背面用膜1、半导体背面用膜2制造的半导体装置（倒装芯片安装的半导体装置）由于在半导体芯片的背面贴合有半导体背面用膜，因此能够以优异的可视性实施各种标记。尤其，标记方法即使为激光标记方法，也能以优异的对比度实施标记，可以良好地感知通过激光标记法标记的各种信息（文字信息、图像信息等）。其中，进行激光标记时，可以利用公知的激光标记装置。另外，作为激光，可以利用气体激光、固体激光、液体激光等各种激光。具体而言，对气体激光没有特别限制，可以利用公知的气体激光，碳酸气激光（CO2激光）、准分子激光（ArF激光、KrF激光、XeCl激光、XeF激光等）是优选的。另外，对固体激光没有特别限制，可以利用公知的固体激光，YAG激光（Nd：YAG激光等）、YVO4激光是优选的。
使用本发明的切割带一体型半导体背面用膜、半导体背面用膜制造的半导体装置是以倒装芯片安装方式安装的半导体装置，因此，与用芯片焊接（die bonding）安装方式安装的半导体装置相比，可形成薄型化、小型化的形状。因此，可适合作为各种电气设备·电子部件或它们的材料·部件使用。具体而言，作为利用本发明的倒装芯片安装的半导体装置的电子设备，可列举出所谓的“移动电话”、“PHS”、小型计算机（例如所谓的“PDA”（手持终端）、所谓的“笔记本电脑”、所谓的“Net Book（商标）”、所谓的“可穿戴计算机（wearablecomputer）”等）、“移动电话”与计算机一体化的小型电子设备、所谓的“Digital Camera（数字照相机，商标）”、所谓的“数字摄像机”、小型电视机、小型游戏机、小型数字音频播放器、所谓的“电子记事薄”、所谓的“电子辞典”、所谓的“电子书籍”用电子设备终端、小型数字类型的钟表等移动型电子设备“便携式电子设备”等，当然，也可以是除了移动型以外（固定型等）的电子设备（例如所谓的“台式电脑”、薄型电视、录像·播放用电子设备（硬盘录像机、DVD播放器等）、投影仪、微型机等）等。另外，作为电子部件或电子设备·电子部件的材料·部件，例如，可列举出所谓的“CPU”的部件、各种存储装置（所谓的“存储器”、硬盘等）的部件等。
在上述实施方式中说明了本发明的半导体装置用粘接膜用于倒装芯片型的半导体装置的制造的情况，即，用于在被粘物上倒装芯片连接的半导体元件的背面上形成的倒装芯片型半导体背面用膜的情况。然而，本发明的半导体装置用粘接膜不限于该例子，可以用于倒装芯片型的半导体装置以外的半导体装置的制造。例如，本发明的半导体装置用粘接膜可以作为芯片焊接膜使用。
实施例
以下使用实施例来详细说明本发明，但本发明在不超出其主旨的范围内不受以下实施例限制。另外，各例中，除非另有规定，份按重量基准计。
实施例1
倒装芯片型半导体背面用膜的制作
将100份环氧树脂（商品名“HP4032D”，DIC株式会社制造）、40份苯氧基树脂（商品名“EP4250”，JER株式会社制造）、90份酚醛树脂（商品名“MEH-8000”，明和化成株式会社制造）、1137份球状硅石（商品名“SO-25R”，Admatechs Co.,Ltd.制造）、20份染料（商品名“OILBLACK BS”，Orient Chemical Industries Co.,Ltd制造）、0.02份热固化促进催化剂（商品名“2PHZ-PW”，四国化成制造）溶解在甲乙酮中，制备固体成分浓度23.6重量%的树脂组合物的溶液（有时称为“树脂组合物溶液A”）。
将上述树脂组合物溶液A涂布在有机硅脱模处理过的、厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜形成的脱模处理膜上，在130℃下干燥2分钟。由此，制作厚度60μm的倒装芯片型半导体背面用膜。
实施例2
除了将热固化促进催化剂的含量设为0.5份以外，与实施例1同样地制作实施例2的倒装芯片型半导体背面用膜。
实施例3
将作为热固化促进催化剂的磷-硼系催化剂（商品名“TPP-K”）的含量设为0.5份，除此之外，与实施例1同样地制作实施例3的倒装芯片型半导体背面用膜。
实施例4
倒装芯片型半导体背面用膜的制作
将100份环氧树脂（商品名“HP4032D”，DIC株式会社制造）、40份苯氧基树脂（商品名“EP4250”，JER株式会社制造）、1137份球状硅石（商品名“SO-25R”，Admatechs Co.,Ltd.制造）、20份染料（商品名“OIL BLACK BS”，Orient Chemical Industries Co.,Ltd制造）、0.3份热固化促进催化剂（商品名“2PHZ-PW”，四国化成制造）溶解在甲乙酮中，制备固体成分浓度23.6重量%的树脂组合物的溶液（有时称为“树脂组合物溶液B”）。
将上述树脂组合物溶液B涂布在有机硅脱模处理过的、厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜形成的脱模处理膜上，在130℃下干燥2分钟。由此，制作厚度60μm的倒装芯片型半导体背面用膜。
比较例1
除了将热固化促进催化剂的含量设定为0.6份以外，与实施例1同样地，制作比较例1的倒装芯片型半导体背面用膜。
评价
通过下述方法测定实施例1~4和比较例1中制作的倒装芯片型半导体背面用膜的反应放热量、热固化前的拉伸储能模量、伸长率。测定在倒装芯片型半导体背面用膜的刚制作之后和保存4周之后进行。另外，通过下述方法评价保存4周之后的倒装芯片型半导体背面用膜。
放热量的测定方法
将各实施例和比较例的倒装芯片型半导体背面用膜冲裁为直径4mm的圆形状，用差示扫描量热仪（TA Instrument制造，DSC Q2000）以0.5℃/分钟的速度从-50℃升温至300℃，测定所观察到的反应放热峰温度±80℃的温度范围内的反应放热量。反应放热量在倒装芯片型半导体背面用膜的刚制作之后和在25℃的条件下保存4周之后进行。图3所示为通过差示扫描量热测定所获得的典型差示量热曲线图。具体而言，上述反应放热量是算出图3所示的基线B和差示扫描量热曲线所包围的区域的面积，将其作为反应放热量。结果在表1、表2中示出。其中，表2中还一并示出了保存后的反应放热量相对于保存前的反应放热量的比例。
热固化前的拉伸储能模量的测定
制作单片的倒装芯片型半导体背面用膜，使用Rheometrics Co.,Ltd.制造的动态粘弹性测定装置“Solid Analyzer RS A2”测定倒装芯片型半导体背面用膜的热固化前的23℃下的拉伸储能模量。热固化前的拉伸储能模量在倒装芯片型半导体背面用膜刚制作之后和在25℃的条件下保存4周之后进行。测定用样品为样品宽度：10mm、样品长度：22.5mm、样品厚度：0.2mm。测定条件为：拉伸模式，频率：1Hz，升温速度：10℃/分钟，氮气气氛下，23℃。结果在表1、表2中示出。
热固化前的伸长率的测定
制作单片的倒装芯片型半导体背面用膜，使用Rheometrics Co.,Ltd.制造的动态粘弹性测定装置“Solid Analyzer RS A2”来测定倒装芯片型半导体背面用膜的伸长率。热固化前的伸长率在倒装芯片型半导体背面用膜刚制作之后和在25℃的条件下保存4周之后进行。测定用样品为样品宽度：10mm、样品长度：20mm、样品厚度：0.2mm。测定使用上述动态粘弹性测定装置，以上下卡盘间距为10mm的方式夹持样品，在50mm/s的拉伸速度下进行，所得断裂伸长率值为伸长率。结果在表1、表2中示出。
常温保存稳定性
目视观察在25℃的条件下保存4周之后的半导体背面用膜上是否有破裂、缺口。接着，将半导体晶片（直径8英寸，厚度200μm；硅镜面晶片）贴合在25℃的条件下保存4周之后的半导体背面用膜上。其中，贴合条件如下所述。没有发现破裂、缺口，能够晶片安装则评价为○，发现有破裂、缺口或不能晶片安装则评价为×。结果在表2中示出。
贴合条件
贴附装置：商品名“MA-3000III”日东精机株式会社制造
贴附速度：10mm/min
贴附压力：0.15MPa
贴附时的平台温度：70℃
[表1]
[表2]
结果
从表1、表2可以看出，实施例的半导体背面用膜具有良好的常温保存性。另外，保存前与保存后的拉伸储能模量和伸长率的变化少于比较例。

Claims (6)

1.一种半导体装置用粘接膜，其特征在于，其含有热固化性树脂，但排除含有硅酮粉末的情况，对于所述半导体装置用粘接膜的用差示扫描量热仪测定的反应放热峰温度±80℃温度范围内的反应放热量而言，在25℃的条件下保存4周之后的反应放热量相对于保存前的反应放热量为0.8～1倍的范围，
所述半导体装置用粘接膜的未固化状态下的23℃下的拉伸储能模量为1GPa～50GPa。
2.根据权利要求1所述的半导体装置用粘接膜，其特征在于，其相对于树脂成分的总量以0.008～0.25重量％的比率含有热固化促进催化剂。
3.根据权利要求2所述的半导体装置用粘接膜，其特征在于，所述热固化性树脂为环氧树脂，且所述热固化促进催化剂为咪唑系热固化促进催化剂。
4.根据权利要求2所述的半导体装置用粘接膜，其特征在于，所述热固化促进催化剂为磷-硼系固化促进催化剂。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体装置用粘接膜，其特征在于，所述半导体装置用粘接膜是倒装芯片型半导体背面用膜，其用于形成于被倒装芯片连接到被粘物上的半导体元件背面上。
6.一种切割带一体型半导体背面用膜，其特征在于，其是权利要求5所述的倒装芯片型半导体背面用膜层叠在切割带上的切割带一体型半导体背面用膜，
所述切割带是在基材上层叠有粘合剂层的结构，
所述倒装芯片型半导体背面用膜层叠在所述切割带的粘合剂层上。
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