TWI581323B - A film for a semiconductor device, a film for a flip chip type, and a thin film for a monolithic semiconductor - Google Patents

A film for a semiconductor device, a film for a flip chip type, and a thin film for a monolithic semiconductor Download PDF

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TWI581323B
TWI581323B TW101125433A TW101125433A TWI581323B TW I581323 B TWI581323 B TW I581323B TW 101125433 A TW101125433 A TW 101125433A TW 101125433 A TW101125433 A TW 101125433A TW I581323 B TWI581323 B TW I581323B
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Goji Shiga
Naohide Takamoto
Fumiteru Asai
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Nitto Denko Corp
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Description

半導體裝置用接著膜、覆晶型半導體背面用膜、及切晶帶一體型半導體背面用膜
本發明係關於一種半導體裝置用接著膜、覆晶型半導體背面用膜及切晶帶一體型半導體背面用膜。覆晶型半導體背面用膜用於半導體晶片等半導體元件之背面之保護、及強度提高等。
近年來，更進一步尋求半導體裝置及其封裝之薄型化、小型化。因此，作為半導體裝置及其封裝，廣泛利用半導體晶片等半導體元件藉由覆晶焊接法(flip chip bonding)安裝於基板上之(覆晶連接之)覆晶型半導體裝置。該覆晶連接係以半導體晶片之電路面與基板之電極形成面對向之形態而固定者。於此種半導體裝置等中，有半導體晶片之背面由保護膜保護，防止半導體晶片之損傷等之情形。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-166451號公報
[專利文獻2]日本專利特開2008-006386號公報
[專利文獻3]日本專利特開2007-261035號公報
[專利文獻4]日本專利特開2007-250970號公報
[專利文獻5]日本專利特開2007-158026號公報
[專利文獻6]日本專利特開2004-221169號公報
[專利文獻7]日本專利特開2004-214288號公報
[專利文獻8]日本專利特開2004-142430號公報
[專利文獻9]日本專利特開2004-072108號公報
[專利文獻10]日本專利特開2004-063551號公報
然而，為了利用上述保護膜保護半導體晶片之背面，對於切割步驟中獲得之半導體晶片，必需追加用以於其背面貼附保護膜之新的步驟。其結果，步驟數增加，製造成本等增加。另外，由於近年來之薄型化，於半導體晶片之拾取步驟中，有於半導體晶片上產生損傷之情形。因此，於拾取步驟之前，為了增加半導體晶圓或半導體晶片之機械強度，要求增強該等。另外，對於上述保護膜之類之於半導體晶片上貼附使用之膜而言，有於長期保存後使用之情形。而且，要求即便於此種長期保存之後亦具有與製造時同樣之物性(例如拉伸儲存模數或接著力)。即，例如若長期保存後接著力降低，則無法貼附於半導體晶圓上，若長期保存後，拉伸儲存模數增高，則於接著膜上發生破裂或缺口，無法較佳地使用。
本發明係鑒於上述問題方面而成，其目的在於，提供一種即便於長期保存後亦能具有與製造時同樣之物性的半導體裝置用接著膜、覆晶型半導體背面用膜以及切晶帶一體型半導體背面用膜。
本申請案發明人等為了解決上述先前之問題方面而進行研究，結果發現，將於25℃之條件下保存4週之後的半導 體裝置用接著膜之反應發熱量設定於相對於保存前之反應發熱量的一定範圍內，藉此，即便於長期保存之後，亦能具有與製造時同樣之物性，從而完成本發明。
即，本發明之半導體裝置用接著膜之特徵在於，其含有熱硬化性樹脂，以示差掃描熱量計測定之反應發熱峰溫度之±80℃溫度範圍內之反應發熱量，於25℃之條件下保存4週之後，相對於保存前之反應發熱量為0.8~1倍之範圍。
根據上述構成，於25℃之條件下保存4週之後的半導體裝置用接著膜之反應發熱量相對於保存前之反應發熱量為0.8~1倍的範圍內，即便於保存4週之後亦可抑制硬化反應之進行。因此，可防止硬化反應進行所伴隨之膜之硬化或接著性的降低，即便於長期保存之後，亦能具有與保存前(剛製造之後)同樣之物性。其結果，可較佳地用於半導體裝置之製造。
於上述構成中，相對於樹脂成分之總量，較佳為以0.008~0.25重量%之比率含有熱硬化促進觸媒。若熱硬化促進觸媒之上述比率為0.008重量%以上，則可較佳地使熱硬化性樹脂熱硬化。另外，若熱硬化促進觸媒之上述比率為0.25重量%以下之比率，則可抑制長期保存時之硬化反應之進行。
於上述構成中，較佳為上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂，且上述熱硬化促進觸媒為咪唑系熱硬化促進觸媒。咪唑系硬化促進觸媒通常對環氧樹脂實際上具有非溶解性。因此，對於熱硬化性樹脂為環氧樹脂之接著膜而言，若使用 咪唑系硬化促進觸媒，可更抑制保存時之硬化之進行。
於上述構成中，亦較佳為上述熱硬化促進觸媒為磷-硼系硬化促進觸媒。磷-硼系硬化促進觸媒通常對於環氧樹脂或苯酚樹脂實際上具有非溶解性。因此，若於含有環氧樹脂或苯酚樹脂之接著膜中使用磷-硼系硬化促進觸媒，則可更抑制保存時之硬化之進行。
於上述構成中，較佳為上述半導體裝置用接著膜為用以形成於被黏著體上覆晶連接之半導體元件之背面的覆晶型半導體背面用膜。
本發明之覆晶型半導體背面用膜由於形成於被黏著體上覆晶連接之半導體元件之背面上，藉此實現保護該半導體元件之功能。再者，上述半導體元件之背面係指與形成有電路之面相反側之面。
另外，本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜係上述覆晶型半導體背面用膜積層於切晶帶上之切晶帶一體型半導體背面用膜，且上述切晶帶係於基材上積層有黏著劑層之結構，上述覆晶型半導體背面用膜積層於上述切晶帶之黏著劑層上。
上述構成之切晶帶一體型半導體背面用膜由於切晶帶與覆晶型半導體背面用膜一體地形成，因此，亦可供給至將半導體晶圓切割而製作半導體元件之切割步驟或其後之拾取步驟。即，亦可於切割步驟之前使切晶帶貼附於半導體晶圓背面時，貼附上述半導體背面用膜，因此，無需僅貼附半導體背面用膜之步驟(半導體背面用膜貼附步驟)。其 結果，可實現步驟數之減少。而且，由於半導體背面用膜保護半導體晶圓或藉由切割形成之半導體元件之背面，因此，於切割步驟或其以後之步驟(拾取步驟等)中，可減輕或防止該半導體元件之損傷。其結果，實現覆晶型半導體裝置之製造良率之提高。
一面參照圖1一面說明本發明之一實施形態，但本發明並不限定於該等例。圖1係表示本實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜之一例的截面示意圖。再者，於本說明書中，圖中省略無需說明之部分，另外，為了易於說明，有進行放大或縮小等而圖示之部分。
(切晶帶一體型半導體背面用膜)
如圖1所示，切晶帶一體型半導體背面用膜1為具備於基材31上設置有黏著劑層32之切晶帶3、及於上述黏著劑層上設置之覆晶型半導體背面用膜(以下有稱為「半導體背面用膜」之情形)2的構成。覆晶型半導體背面用膜2相當於本發明之半導體裝置用接著膜。另外，本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜，如圖1所示，可為於切晶帶3之黏著劑層32上僅於與半導體晶圓之貼附部分對應之部分33上形成有半導體背面用膜2的構成，亦可為於黏著劑層32之整個面上形成有半導體背面用膜的構成，另外，亦可為於大於與半導體晶圓之貼附部分對應之部分33且小於黏著劑層32之整個面之部分上形成有半導體背面用膜的構成。再者，半導體背面用膜2之表面(於晶圓之背面上貼附之一側 的表面)於直至貼附於晶圓背面之期間可用隔離膜等保護。
(覆晶型半導體背面用膜)
半導體背面用膜2具有膜狀之形態。半導體背面用膜2通常於作為製品之切晶帶一體型半導體背面用膜之形態下，為未硬化狀態(包括半硬化狀態)，於將切晶帶一體型半導體背面用膜貼附於半導體晶圓上之後經熱硬化。
半導體背面用膜2於25℃之條件下保存4週之後的反應發熱量相對於保存前之反應發熱量為0.8~1倍之範圍內。半導體背面用膜2於25℃之條件下保存4週之後的上述反應發熱量相對於保存前之反應發熱量較佳為0.82~1倍，更佳為0.83~1倍。於25℃之條件下保存4週之後之半導體背面用膜2的反應發熱量相對於保存前之反應發熱量為0.8~1倍之範圍內，即便於保存4週之後，亦可抑制硬化反應之進行。因此，可防止硬化反應之進行所伴隨之膜的硬化或接著性之降低，即便於長期保存之後，亦能具有與保存前(剛製造後)同樣之物性。其結果，可較佳地用於覆晶連接之半導體裝置的製造。上述反應發熱量可藉由實施例中記載之方法來獲得。
上述半導體背面用膜較佳為至少由熱硬化性樹脂來形成，進而更佳為至少由熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂來形成。藉由至少由熱硬化性樹脂來形成，半導體背面用膜可有效地發揮作為接著劑層之功能。
作為上述熱塑性樹脂，例如可列舉：天然橡膠、丁基橡 膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET(聚對苯二甲酸乙二酯)或PBT(聚對苯二甲酸丁二酯)等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂或氟樹脂等。熱塑性樹脂可單獨使用或將兩種以上組合使用。該等熱塑性樹脂之中，特別較佳為離子性雜質較少且耐熱性較高、可確保半導體元件之可靠性之丙烯酸系樹脂。
作為上述丙烯酸系樹脂，並無特別限定，可列舉以具有碳數30以下(較佳為碳數4~18，更佳為碳數6~10，特別較佳為碳數8或9)之直鏈或支鏈烷基之丙烯酸或甲基丙烯酸酯之一種或兩種以上作為成分的聚合物等。即，於本發明中，丙烯酸系樹脂廣義上之意思亦包括甲基丙烯酸系樹脂。作為上述烷基，例如，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。
另外，對用以形成上述丙烯酸系樹脂之其他單體(烷基之碳數為30以下之丙烯酸或甲基丙烯酸烷基酯以外之單體)並無特別限定，例如，可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸或丁烯酸等各種含羧基之單體，順丁烯 二酸酐或衣康酸酐等各種酸酐單體，(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己基)-甲酯等各種含羥基單體，苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等各種含磺酸基單體，或2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等各種含磷酸基之單體等。其中，(甲基)丙烯酸係指丙烯酸及/或甲基丙烯酸，本發明之(甲基)全部為相同之意思。
另外，作為上述熱硬化性樹脂，除了環氧樹脂、苯酚樹脂以外，亦可列舉：胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。熱硬化性樹脂可單獨使用或將兩種以上併用使用。作為熱硬化性樹脂，尤其，較佳為腐蝕半導體元件之離子性雜質等之含量較少的環氧樹脂。另外，作為環氧樹脂之硬化劑，可較佳使用苯酚樹脂。
作為環氧樹脂並無特別限定，例如，可使用雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、芴型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂等二官 能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或乙內醯脲型環氧樹脂、異氰脲酸三縮水甘油酯型環氧樹脂或縮水甘油胺型環氧樹脂等環氧樹脂。
作為環氧樹脂，於上述例示之中，特別較佳為酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂。其原因在於，該等環氧樹脂富有與作為硬化劑之苯酚樹脂之反應性，耐熱性等優異。
進而，上述苯酚樹脂作為上述環氧樹脂之硬化劑起作用，例如，可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型苯酚樹脂，甲酚型苯酚樹脂，聚對羥基苯乙烯(polyparaoxy styrene)等聚羥基苯乙烯(polyoxy styrene)等。苯酚樹脂可單獨使用或將兩種以上併用使用。該等苯酚樹脂之中，特別較佳為苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。其原因在於，能夠提高半導體裝置之連接可靠性。
環氧樹脂與苯酚樹脂之調配比率較佳為以例如相對於上述環氧樹脂成分中之環氧基1當量，苯酚樹脂中之羥基為0.5當量~2.0當量之方式進行調配。更佳之調配比率為0.8當量~1.2當量。其原因在於，即，若兩者之調配比率偏離上述範圍時，則不進行充分之硬化反應，環氧樹脂硬化物之特性容易劣化。
作為上述熱硬化性樹脂之含量，相對於半導體背面用膜中之全部樹脂成分，較佳為5重量%以上且90重量%以下， 更佳為10重量%以上且85重量%以下，進而較佳為15重量%以上且80重量%以下。藉由將上述含量設定為5重量%以上，可容易地將熱硬化收縮量設定為2體積%以上。另外，於使密封樹脂熱硬化時，可使半導體背面用膜充分熱硬化，可使其可靠地接著固定於半導體元件之背面上，而製造無剝離之覆晶型半導體裝置。另一方面，藉由將上述含量設定為90重量%以下，可抑制封裝(PKG：覆晶型半導體裝置)之翹曲。
作為環氧樹脂與苯酚樹脂之熱硬化促進觸媒，並無特別限制，可自公知之熱硬化促進觸媒中適當選擇。熱硬化促進觸媒可單獨使用或將兩種以上組合使用。作為熱硬化促進觸媒，例如可使用胺系硬化促進觸媒、磷系硬化促進觸媒、咪唑系硬化促進觸媒、硼系硬化促進觸媒、磷-硼系硬化促進觸媒等。其中，較佳為咪唑系硬化促進觸媒或磷-硼系硬化促進觸媒。咪唑系硬化促進觸媒通常對於環氧樹脂實際上具有非溶解性。因此，對於熱硬化性樹脂為環氧樹脂之半導體背面用膜或不含苯酚樹脂之半導體背面用膜，若使用咪唑系硬化促進觸媒，則可更抑制保存時之硬化之進行。另外，磷-硼系硬化促進觸媒通常對於環氧樹脂或苯酚樹脂實際上具有非溶解性。因此，即便為含有環氧樹脂或苯酚樹脂之半導體背面用膜，若使用磷-硼系硬化促進觸媒，則可更抑制保存時之硬化之進行。
作為上述胺系硬化促進劑(胺系硬化促進觸媒)並無特別限定，例如，可列舉：單乙醇胺三氟硼酸鹽(Stella Chemifa(股)製造)、雙氰胺(Nacalai Tesque(股)製造)等。
作為上述磷系硬化促進劑(磷系硬化促進觸媒)並無特別限定，例如，可列舉：三苯基膦、三丁基膦、三(對甲基苯基)磷、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦等三有機基膦，四苯基溴化鏻(商品名：TPP-PB)、甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MB)、甲基三苯基氯化鏻(商品名：TPP-MC)、甲氧基甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MOC)、苄基三苯基氯化鏻(商品名：TPP-ZC)等(均為北興化學(股)製造)。另外，作為上述三苯基膦系化合物，較佳為對於環氧樹脂實際上顯示非溶解性之化合物。若對於環氧樹脂為非溶解性，則可抑制保存時硬化之進行。作為具有三苯基膦結構且對於環氧樹脂實際上顯示非溶解性之熱硬化觸媒，例如，可列舉甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MB)等。再者，上述「非溶解性」意指包含三苯基膦系化合物之熱硬化觸媒對於包含環氧樹脂之溶劑為不溶性，更詳細而言，意指於溫度10~40℃之範圍內不會溶解10重量%以上。
作為上述咪唑系硬化促進劑(咪唑系硬化觸媒)，可列舉：2-甲基咪唑(商品名：2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名：C11-Z)、2-十七烷基咪唑(商品名：C17Z)、1,2-二甲基咪唑(商品名：1.2DMZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名：2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名：2PZ)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名：2P4MZ)、1-苄基-2-甲基咪唑(商品名：1B2MZ)、1-苄基-2-苯基咪唑(商品名：1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名：2MZ-CN)、1-氰乙基-2-十一烷基 咪唑(商品名：C11Z-CN)、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸鹽(商品名：2PZCNS-PW)、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑-(1')]-乙基-均三(商品名：2MZ-A)、2,4-二氰基-6-[2'-十一烷基咪唑-(1')]-乙基-均三(商品名：C11Z-A)、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑-(1')]-乙基-均三(商品名：2E4MZ-A)、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑-(1')]-乙基-均三異氰脲酸加合物(商品名：2MA-OK)、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(商品名：2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑(商品名：2P4MHZ-PW)等(均為四國化成工業(股)製造)。
作為上述硼系硬化促進劑(硼系硬化促進觸媒)並無特別限定，例如可列舉三氯硼烷等。
作為上述磷-硼系硬化促進劑(磷-硼系硬化促進觸媒)，並無特別限定，例如可列舉：四苯基鏻四苯基硼酸鹽(商品名：TPP-K)、四苯基鏻四-對三硼酸鹽(商品名：TPP-MK)、苄基三苯基鏻四苯基硼酸鹽(商品名：TPP-ZK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名：TPP-S)等(均為北興化學(股)製造)。
上述熱硬化促進觸媒之比率相對於樹脂成分之總量較佳為0.008~0.25重量%，更佳為0.0083~0.23重量%，進而較佳為0.0087~0.22重量%。若熱硬化促進觸媒之上述比率為0.01重量%以上，則可使熱硬化性樹脂適當地熱硬化。另外，若熱硬化促進觸媒之上述比率為0.25重量%以下之比率，則可抑制長期保存時之硬化反應之進行。
此處，半導體背面用膜可為單層，亦可為積層有複數層之積層膜，於半導體背面用膜為積層膜之情形時，熱硬化促進觸媒之上述比率相對於積層膜整體之樹脂成分之總量只要為0.01~0.25重量%即可。
作為上述半導體背面用膜，較佳為由含有環氧樹脂及苯酚樹脂之樹脂組合物或含有環氧樹脂、苯酚樹脂及丙烯酸系樹脂之樹脂組合物形成。該等樹脂由於離子性雜質較少且耐熱性較高，因此可確保半導體元件之可靠性。
半導體背面用膜2，對於半導體晶圓之背面(非電路形成面)具有接著性(密著性)較為重要。半導體背面用膜2例如可藉由含有作為熱硬化性樹脂之環氧樹脂的樹脂組合物來形成。為了預先使半導體背面用膜2一定程度交聯，較佳為製作時預先添加作為交聯劑之與聚合物之分子鏈末端之官能基等反應的多官能性化合物。藉此，可提高高溫下之接著特性，實現耐熱性之改善。
半導體背面用膜對半導體晶圓之接著力(23℃，剝離角度180度，剝離速度300 mm/分鐘)較佳為0.5 N/20 mm~15 N/20 mm之範圍，更佳為0.7 N/20 mm~10 N/20 mm之範圍。藉由設定為0.5 N/20 mm以上，能以優異之密著性貼附於半導體晶圓或半導體元件上，防止浮起等之發生。另外，亦可防止於切割半導體晶圓時晶片飛濺之發生。另一方面，藉由設定為15 N/20 mm以下，可自切晶帶上容易地剝離。
作為上述交聯劑，並無特別限制，可使用公知之交聯 劑。具體而言，例如，除異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑以外，可列舉：脲系交聯劑、金屬醇鹽系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等。作為交聯劑，較佳為異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑。另外，上述交聯劑可單獨使用或將兩種以上組合使用。
作為上述異氰酸酯系交聯劑，例如，可列舉：1,2-亞乙基二異氰酸酯、1,4-亞丁基二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯等低級脂肪族聚異氰酸酯類；亞環戊基二異氰酸酯、亞環己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯、氫化二甲苯二異氰酸酯等脂環族聚異氰酸酯類；2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯類等，此外，亦可使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚物加合物(日本聚胺酯工業(股)製造，商品名「CORONATE L」)、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚物加合物(日本聚胺酯工業(股)製造，商品名「CORONATE HL」)等。另外，作為上述環氧系交聯劑，例如可列舉：N,N,N',N'-四縮水甘油基-間二甲苯二胺、二縮水甘油基苯胺、1,3-雙(N,N-縮水甘油基胺基甲基)環己烷、1,6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘 油醚、甘油聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、山梨糖醇酐聚縮水甘油醚、三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥基乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚、雙酚-S-二縮水甘油醚以及分子內具有2個以上環氧基之環氧系樹脂等。
再者，交聯劑之使用量並無特別限制，可根據交聯程度適當選擇。具體而言，作為交聯劑之使用量，例如相對於100重量份聚合物成分(尤其是具有分子鏈之末端官能基之聚合物)較佳為通常7重量份以下(例如0.05重量份~7重量份)。若交聯劑之使用量相對於100重量份聚合物成分多於7重量份，則接著力降低，故而不佳。再者，就提高凝聚力之觀點而言，交聯劑之使用量相對於100重量份聚合物成分較佳為0.05重量份以上。
再者，於本發明中，亦可代替使用交聯劑，或者亦可使用交聯劑並且藉由照射電子束或紫外線等實施交聯處理。
上述半導體背面用膜較佳為進行著色。藉此，可發揮優異之標記性及外觀性，可形成具有附加價值之外觀之半導體裝置。如此，由於著色之半導體背面用膜具有優異之標記性，因此，經由半導體背面用膜，藉由利用印刷方法或雷射標記方法等各種標記方法，可於半導體元件或使用該半導體元件之半導體裝置之非電路面側的面上實施標記，賦予文字資訊或圖形資訊等各種資訊。尤其，藉由控制著色之顏色，可以優異之可見性視覺感知藉由標記賦予之資 訊(文字資訊、圖形資訊等)。另外，由於半導體背面用膜經著色，因此，可容易地區別切晶帶與半導體背面用膜，可提高操作性等。進而，例如作為半導體裝置，亦可根據不同之製品利用顏色進行區分。半導體背面用膜為有色之情形時(非無色．透明之情形)，作為藉由著色呈現之顏色，並無特別限制，例如，較佳為黑色、藍色、紅色等深色，尤其較佳為黑色。
於本實施形態中，所謂深色基本上意指用L＊a＊b＊表色系統規定之L＊為60以下(0~60)[較佳為50以下(0~50)，進而較佳為40以下(0~40)]之深色。
另外，所謂黑色基本上意指用L＊a＊b＊表色系統規定之L＊為35以下(0~35)[較佳為30以下(0~30)，進而較佳為25以下(0~25)]的黑色系顏色。再者，於黑色中，用L＊a＊b＊表色系統規定之a＊或b＊分別可根據L＊值來適當選擇。作為a＊或b＊，例如，二者均較佳為-10~10，更佳為-5~5，特別較佳為-3~3之範圍(尤其為0或大致為0)。
再者，於本實施形態中，用L＊a＊b＊表色系統規定之L＊、a＊、b＊係藉由使用色彩色差計(商品名「CR-200」Minolta公司製造；色彩色差計)測定而求出。再者，L＊a＊b＊表色系統係國際照明委員會(CIE)於1976年推薦之色度空間，意指稱為CIE1976(L＊a＊b＊)表色系統之色度空間。另外，L＊a＊b＊表色系統於日本工業標準中由JIS Z 8729規定。
於將半導體背面用膜著色時，可根據目標顏色使用色材(著色劑)。作為此種色材，可較佳使用黑色系色材、藍色 系色材、紅色系色材等各種深色系色材，尤其較佳為黑色系色材。作為色材，可為顏料、染料等中之任一種。色材可單獨使用或將兩種以上組合使用。再者，作為染料，可使用酸性染料、反應染料、直接染料、分散染料、陽離子染料等中之任一形態之染料。另外，對顏料之形態亦無特別限制，可自公知之顏料中適當選擇使用。
尤其，若使用染料作為色材，則由於成為染料藉由溶解而均勻或大致均勻地分散於半導體背面用膜中之狀態，因此，可容易地製造著色濃度均勻或大致均勻的半導體背面用膜(進而切晶帶一體型半導體背面用膜)。因此，若使用染料作為色材，則切晶帶一體型半導體背面用膜中之半導體背面用膜可使著色濃度均勻或大致均勻，並可提高標記性或外觀性。
作為黑色系色材並無特別限制，例如，可自無機黑色系顏料、黑色系染料中適當選擇。另外，作為黑色系色材，可為青色系色材(藍綠色系色材)、品紅系色材(紅紫色系色材)以及黃色系色材(黃系色材)混合而成之色材混合物。黑色系色材可單獨使用或將兩種以上組合使用。當然，黑色系色材亦可與黑色以外之顏色之色材併用使用。
具體而言，作為黑色系色材，例如，可列舉：碳黑(爐黑、槽黑、乙炔黑、熱裂碳黑、燈黑等)、石墨(graphite)、氧化銅、二氧化錳、偶氮系顏料(偶氮甲鹼偶氮黑等)、苯胺黑、苝黑、鈦黑、花青黑、活性碳、鐵氧體(非磁性鐵氧體、磁性鐵氧體等)、磁鐵礦、氧化鉻、氧 化鐵、二硫化鉬、鉻錯合物、複合氧化物系黑色色素、蒽醌系有機黑色色素等。
於本發明中，作為黑色系色材，亦可利用C.I.(Colour Index，染料索引)溶劑黑3、C.I.溶劑黑7、C.I.溶劑黑22、C.I.溶劑黑27、C.I.溶劑黑29、C.I.溶劑黑34、C.I.溶劑黑43、C.I.溶劑黑70，C.I.直接黑17、C.I.直接黑19、C.I.直接黑22、C.I.直接黑32、C.I.直接黑38、C.I.直接黑51、C.I.直接黑71，C.I.酸性黑1、C.I.酸性黑2、C.I.酸性黑24、C.I.酸性黑26、C.I.酸性黑31、C.I.酸性黑48、C.I.酸性黑52、C.I.酸性黑107、C.I.酸性黑109、C.I.酸性黑110、C.I.酸性黑119、C.I.酸性黑154，C.I.分散黑1、C.I.分散黑3、C.I.分散黑10、C.I.分散黑24等黑色系染料；C.I.顏料黑1、C.I.顏料黑7等黑色系顏料等。
作為此種黑色系色材，例如，市售有商品名「Oil Black BY」、商品名「Oil Black BS」、商品名「Oil Black HBB」、商品名「Oil Black 803」、商品名「Oil Black 860」、商品名「Oil Black 5970」、商品名「Oil Black 5906」、商品名「Oil Black 5905」(Orient Chemical Industries股份有限公司製造)等。
作為黑色系色材以外之色材，例如，可列舉：青色系色材、品紅系色材、黃色系色材等。作為青色系色材，例如，可列舉：C.I.溶劑藍25、C.I.溶劑藍36、C.I.溶劑藍60、C.I.溶劑藍70、C.I.溶劑藍93、C.I.溶劑藍95；C.I.酸性藍6、C.I.酸性藍45等青色系染料；C.I.顏料藍1、C.I.顏 料藍2、C.I.顏料藍3、C.I.顏料藍15、C.I.顏料藍15：1、C.I.顏料藍15：2、C.I.顏料藍15：3、C.I.顏料藍15：4、C.I.顏料藍15：5、C.I.顏料藍15：6、C.I.顏料藍16、C.I.顏料藍17、C.I.顏料藍17：1、C.I.顏料藍18、C.I.顏料藍22、C.I.顏料藍25、C.I.顏料藍56、C.I.顏料藍60、C.I.顏料藍63、C.I.顏料藍65、C.I.顏料藍66；C.I.還原藍(vat blue)4、C.I.還原藍60；C.I.顏料綠7等青色系顏料等。
另外，於品紅系色材中，作為品紅系染料，例如，可列舉：C.I.溶劑紅1、C.I.溶劑紅3、C.I.溶劑紅8、C.I.溶劑紅23、C.I.溶劑紅24、C.I.溶劑紅25、C.I.溶劑紅27、C.I.溶劑紅30、C.I.溶劑紅49、C.I.溶劑紅52、C.I.溶劑紅58、C.I.溶劑紅63、C.I.溶劑紅81、C.I.溶劑紅82、C.I.溶劑紅83、C.I.溶劑紅84、C.I.溶劑紅100、C.I.溶劑紅109、C.I.溶劑紅111、C.I.溶劑紅121、C.I.溶劑紅122；C.I.分散紅9；C.I.溶劑紫8、C.I.溶劑紫13、C.I.溶劑紫14、C.I.溶劑紫21、C.I.溶劑紫27；C.I.分散紫1；C.I.鹼性紅1、C.I.鹼性紅2、C.I.鹼性紅9、C.I.鹼性紅12、C.I.鹼性紅13、C.I.鹼性紅14、C.I.鹼性紅15、C.I.鹼性紅17、C.I.鹼性紅18、C.I.鹼性紅22、C.I.鹼性紅23、C.I.鹼性紅24、C.I.鹼性紅27、C.I.鹼性紅29、C.I.鹼性紅32、C.I.鹼性紅34、C.I.鹼性紅35、C.I.鹼性紅36、C.I.鹼性紅37、C.I.鹼性紅38、C.I.鹼性紅39、C.I.鹼性紅40；C.I.鹼性紫1、C.I.鹼性紫3、C.I.鹼性紫7、C.I.鹼性紫10、C.I.鹼性紫14、C.I.鹼性紫15、C.I.鹼性紫21、C.I.鹼性紫25、C.I.鹼性紫26、C.I. 鹼性紫27、C.I.鹼性紫28等。
於品紅系色材中，作為品紅系顏料，例如，可列舉：C.I.顏料紅1、C.I.顏料紅2、C.I.顏料紅3、C.I.顏料紅4、C.I.顏料紅5、C.I.顏料紅6、C.I.顏料紅7、C.I.顏料紅8、C.I.顏料紅9、C.I.顏料紅10、C.I.顏料紅11、C.I.顏料紅12、C.I.顏料紅13、C.I.顏料紅14、C.I.顏料紅15、C.I.顏料紅16、C.I.顏料紅17、C.I.顏料紅18、C.I.顏料紅19、C.I.顏料紅21、C.I.顏料紅22、C.I.顏料紅23、C.I.顏料紅30、C.I.顏料紅31、C.I.顏料紅32、C.I.顏料紅37、C.I.顏料紅38、C.I.顏料紅39、C.I.顏料紅40、C.I.顏料紅41、C.I.顏料紅42、C.I.顏料紅48：1、C.I.顏料紅48：2、C.I.顏料紅48：3、C.I.顏料紅48：4、C.I.顏料紅49、C.I.顏料紅49：1、C.I.顏料紅50、C.I.顏料紅51、C.I.顏料紅52、C.I.顏料紅52：2、C.I.顏料紅53：1、C.I.顏料紅54、C.I.顏料紅55、C.I.顏料紅56、C.I.顏料紅57：1、C.I.顏料紅58、C.I.顏料紅60、C.I.顏料紅60：1、C.I.顏料紅63、C.I.顏料紅63：1、C.I.顏料紅63：2、C.I.顏料紅64、C.I.顏料紅64：1、C.I.顏料紅67、C.I.顏料紅68、C.I.顏料紅81、C.I.顏料紅83、C.I.顏料紅87、C.I.顏料紅88、C.I.顏料紅89、C.I.顏料紅90、C.I.顏料紅92、C.I.顏料紅101、C.I.顏料紅104、C.I.顏料紅105、C.I.顏料紅106、C.I.顏料紅108、C.I.顏料紅112、C.I.顏料紅114、C.I.顏料紅122、C.I.顏料紅123、C.I.顏料紅139、C.I.顏料紅144、C.I.顏料紅146、C.I.顏料紅147、C.I.顏料紅149、C.I.顏料紅150、C.I.顏料紅151、 C.I.顏料紅163、C.I.顏料紅166、C.I.顏料紅168、C.I.顏料紅170、C.I.顏料紅171、C.I.顏料紅172、C.I.顏料紅175、C.I.顏料紅176、C.I.顏料紅177、C.I.顏料紅178、C.I.顏料紅179、C.I.顏料紅184、C.I.顏料紅185、C.I.顏料紅187、C.I.顏料紅190、C.I.顏料紅193、C.I.顏料紅202、C.I.顏料紅206、C.I.顏料紅207、C.I.顏料紅209、C.I.顏料紅219、C.I.顏料紅222、C.I.顏料紅224、C.I.顏料紅238、C.I.顏料紅245；C.I.顏料紫3、C.I.顏料紫9、C.I.顏料紫19、C.I.顏料紫23、C.I.顏料紫31、C.I.顏料紫32、C.I.顏料紫33、C.I.顏料紫36、C.I.顏料紫38、C.I.顏料紫43、C.I.顏料紫50；C.I.還原紅1、C.I.還原紅2、C.I.還原紅10、C.I.還原紅13、C.I.還原紅15、C.I.還原紅23、C.I.還原紅29、C.I.還原紅35等。
另外，作為黃色系色材，例如，可列舉：C.I.溶劑黃19、C.I.溶劑黃44、C.I.溶劑黃77、C.I.溶劑黃79、C.I.溶劑黃81、C.I.溶劑黃82、C.I.溶劑黃93、C.I.溶劑黃98、C.I.溶劑黃103、C.I.溶劑黃104、C.I.溶劑黃112、C.I.溶劑黃162等黃色系染料；C.I.顏料橙31、C.I.顏料橙43；C.I.顏料黃1、C.I.顏料黃2、C.I.顏料黃3、C.I.顏料黃4、C.I.顏料黃5、C.I.顏料黃6、C.I.顏料黃7、C.I.顏料黃10、C.I.顏料黃11、C.I.顏料黃12、C.I.顏料黃13、C.I.顏料黃14、C.I.顏料黃15、C.I.顏料黃16、C.I.顏料黃17、C.I.顏料黃23、C.I.顏料黃24、C.I.顏料黃34、C.I.顏料黃35、C.I.顏料黃37、C.I.顏料黃42、C.I.顏料黃53、C.I.顏料黃55、 C.I.顏料黃65、C.I.顏料黃73、C.I.顏料黃74、C.I.顏料黃75、C.I.顏料黃81、C.I.顏料黃83、C.I.顏料黃93、C.I.顏料黃94、C.I.顏料黃95、C.I.顏料黃97、C.I.顏料黃98、C.I.顏料黃100、C.I.顏料黃101、C.I.顏料黃104、C.I.顏料黃108、C.I.顏料黃109、C.I.顏料黃110、C.I.顏料黃113、C.I.顏料黃114、C.I.顏料黃116、C.I.顏料黃117、C.I.顏料黃120、C.I.顏料黃128、C.I.顏料黃129、C.I.顏料黃133、C.I.顏料黃138、C.I.顏料黃139、C.I.顏料黃147、C.I.顏料黃150、C.I.顏料黃151、C.I.顏料黃153、C.I.顏料黃154、C.I.顏料黃155、C.I.顏料黃156、C.I.顏料黃167、C.I.顏料黃172、C.I.顏料黃173、C.I.顏料黃180、C.I.顏料黃185、C.I.顏料黃195；C.I.還原黃1、C.I.還原黃3、C.I.還原黃20等黃色系顏料等。
青色系色材、品紅系色材、黃色系色材等各種色材可分別單獨使用或將兩種以上組合使用。再者，於使用2種以上之青色系色材、品紅系色材、黃色系色材等各種色材之情形時，作為該等色材之混合比率(或者調配比率)，並無特別限制，可根據各種色材之種類或目標顏色等適當選擇。
於使半導體背面用膜2著色之情形時，對其著色形式並無特別限制。例如，半導體背面用膜可為添加有著色劑之單層之膜狀物。另外，可為至少積層有至少由熱硬化性樹脂形成之樹脂層與著色劑層的積層膜。再者，於半導體背面用膜2為樹脂層與著色劑層之積層膜之情形時，作為積 層形態之半導體背面用膜2，較佳為具有樹脂層/著色劑層/樹脂層之積層形態。於該情形時，著色劑層兩側之2個樹脂層可為相同組成之樹脂層，亦可為不同組成之樹脂層。
半導體背面用膜2中根據需要可適當調配其他添加劑。作為其他添加劑，例如除填充劑(填料)、阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑以外，可列舉：增量劑、抗老化劑、抗氧化劑、界面活性劑等。
作為上述填充劑，可為無機填充劑、有機填充劑中之任一種，較佳為無機填充劑。藉由調配無機填充劑等填充劑，可使半導體背面用膜實現賦予導電性或熱傳導性之提高、彈性模數之調節等。再者，半導體背面用膜2可為導電性，亦可為非導電性。作為上述無機填充劑，例如可列舉：矽石、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、氮化矽等陶瓷類，鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊料等金屬或合金類以及其他包含碳等之各種無機粉末等。填充劑可單獨使用或者可將兩種以上併用使用。作為填充劑，其中，較佳為矽石，特別較佳為熔融矽石。再者，無機填充劑之平均粒徑較佳為0.1 μm~80 μm之範圍內。無機填充劑之平均粒徑例如可藉由雷射繞射型粒度分佈測定裝置來測定。
上述填充劑(尤其無機填充劑)之調配量相對於100重量份有機樹脂成分較佳為80重量份以下(0重量份~80重量份)，特別較佳為0重量份~70重量份。
另外，作為上述阻燃劑，例如，可列舉：三氧化銻、五 氧化銻、溴化環氧樹脂等。阻燃劑可單獨使用或將兩種以上併用使用。作為上述矽烷偶合劑，例如，可列舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。矽烷偶合劑可單獨使用或將兩種以上併用使用。作為上述離子捕捉劑，例如，可列舉：水滑石類、氫氧化鉍等。離子捕捉劑可單獨使用或將兩種以上併用使用。
半導體背面用膜2例如可利用將環氧樹脂等熱硬化性樹脂、及根據需要之丙烯酸系樹脂等熱塑性樹脂、及根據需要之溶劑或其他添加劑等加以混合，製備樹脂組合物，形成膜狀層之慣用方法來形成。具體而言，例如，可藉由將上述樹脂組合物塗佈於切晶帶之黏著劑層32上的方法，將上述樹脂組合物塗佈於適當之隔離膜(剝離紙等)上形成樹脂層(或接著劑層)並將其轉印(轉移)至黏著劑層32上的方法等，形成作為半導體背面用膜之膜狀層(接著劑層)。再者，上述樹脂組合物可為溶液，亦可為分散液。
再者，半導體背面用膜2藉由含有環氧樹脂等熱硬化性樹脂之樹脂組合物來形成時，半導體背面用膜於應用於半導體晶圓之前的階段中，熱硬化性樹脂為未硬化或部分硬化之狀態。於該情形時，應用於半導體晶圓上之後(具體而言，通常，於覆晶焊接步驟中將密封材料固化時)，使半導體背面用膜中之熱硬化性樹脂完全或大致完全硬化。
如此，半導體背面用膜即便含有熱硬化性樹脂，由於該熱硬化性樹脂為未硬化或部分硬化之狀態，因此，作為半 導體背面用膜之凝膠分率並無特別限制，例如，可自50重量%以下(0重量%~50重量%)之範圍內適當選擇，較佳為30重量%以下(0重量%~30重量%)，尤其較佳為10重量%以下(0重量%~10重量%)。半導體背面用膜之凝膠分率之測定方法可藉由以下之測定方法來測定。
<凝膠分率之測定方法>
自半導體背面用膜取樣約0.1 g，精確稱量(試樣之重量)，將該樣品用網狀片材包裹之後，於約50 ml之甲苯中，於室溫下浸漬1週。其後，將溶劑不溶成分(網狀片材之內容物)自甲苯中取出，於130℃下乾燥約2小時，稱量乾燥後之溶劑不溶成分(浸漬．乾燥後之重量)，由下式(a)算出凝膠分率(重量%)。
凝膠分率(重量%)=[(浸漬．乾燥後之重量)/(試樣之重量)]×100 (a)
再者，半導體背面用膜之凝膠分率可根據樹脂成分之種類或其含量、交聯劑之種類或其含量、加熱溫度或加熱時間等來控制。
於本發明中，半導體背面用膜為由含有環氧樹脂等熱硬化性樹脂之樹脂組合物形成之膜狀物之情形時，可有效地發揮對半導體晶圓之密著性。
再者，由於在半導體晶圓之切割步驟中使用切割水，因此，有半導體背面用膜吸濕，達到常態以上之含水率之情形。若於此種高含水率之狀態下，進行覆晶焊接，則有水蒸氣於半導體背面用膜2與半導體晶圓或其加工體(半導體)之接著界面上積存，發生浮起之情形。因此，作為半導體 背面用膜，藉由成為於雙面設置透濕性較高之核心材料之構成，水蒸汽擴散，可避免上述問題。就上述觀點而言，可使用於核心材料之單面或雙面形成有半導體背面用膜2、12之多層結構作為半導體背面用膜。作為上述核心材料，可列舉：膜(例如聚醯亞胺膜、聚酯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜等)、以玻璃纖維或塑膠製不織纖維強化之樹脂基板、矽基板或玻璃基板等。
對半導體背面用膜2之厚度(積層膜之情形時為總厚度)並無特別限定，例如，可自2 μm~200 μm左右之範圍內適當選擇。進而，上述厚度較佳為4 μm~160 μm左右，更佳為6 μm~100 μm左右，特別較佳為10 μm~80 μm左右。
上述半導體背面用膜2之未硬化狀態下之23℃下的拉伸儲存模數較佳為1 GPa以上(例如1 GPa~50 GPa)，更佳為2 GPa以上，特別較佳為3 GPa以上。若上述拉伸儲存模數為1 GPa以上，則將半導體晶片與半導體背面用膜2一併自切晶帶之黏著劑層32上剝離之後將半導體背面用膜2載置於支持體上進行輸送等時，可有效抑制或防止半導體背面用膜貼附於支持體上。再者，上述支持體係指例如載帶(carrier tape)中之頂帶(top tape)或底帶(bottom tape)等。 再者，於半導體背面用膜2藉由含有熱硬化性樹脂之樹脂組合物來形成之情形時，如上所述，熱硬化性樹脂通常為未硬化或部分硬化之狀態，因此，半導體背面用膜於23℃下之彈性模數通常係熱硬化性樹脂為未硬化狀態或部分硬 化狀態下之23℃下的彈性模數。
此處，半導體背面用膜2可為單層，亦可為積層有複數層之積層膜，於積層膜之情形時，上述未硬化狀態下之23℃下之拉伸儲存模數以積層膜整體計只要為1 GPa以上(例如1 GPa~50 GPa)之範圍即可。另外，半導體背面用膜之未硬化狀態下之上述拉伸儲存模數(23℃)可根據樹脂成分(熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂)之種類或其含量、矽石填料等填充材料之種類或其含量等來控制。再者，半導體背面用膜2為積層有複數層之積層膜之情形時(半導體背面用膜具有積層之形態之情形時)，作為其積層形態，例如可例示包含晶圓接著層與雷射標記層之積層形態等。另外，於此種晶圓接著層與雷射標記層之間可設置其他層(中間層、遮光層、增強層、著色層、基材層、電磁波屏蔽層、熱傳導層、黏著層等)。再者，晶圓接著層係對晶圓發揮優異之密著性(接著性)的層，為與晶圓之背面接觸的層。另一方面，雷射標記層係發揮優異之雷射標記性的層，係於半導體晶片之背面上進行雷射標記時利用的層。
再者，上述拉伸儲存模數為如下獲得之值：製作未於切晶帶3上積層之未硬化狀態之半導體背面用膜2，使用Rheometrics公司製造之動態黏彈性測定裝置「Solid Analyzer RS A2」，用拉伸模式，以樣品寬度：10 mm、樣品長度：22.5 mm、樣品厚度：0.2 mm、頻率：1 Hz、升溫速度：10℃/分鐘，於氮氣環境下，以規定之溫度(23℃)進行測定，獲得拉伸儲存模數值。
上述半導體背面用膜2較佳為至少一個面以隔離膜(剝離襯墊)保護(未圖示)。例如，於切晶帶一體型半導體背面用膜1之情形時，可僅於半導體背面用膜之一個面上設置隔離膜，另一方面，於與切晶帶並未一體化之半導體背面用膜之情形時，可於半導體背面用膜之單面或雙面設置隔離膜。隔離膜具有作為供至實用之前保護半導體背面用膜之保護材料之功能。另外，於切晶帶一體型半導體背面用膜1之情形時，隔離膜進而可用作將半導體背面用膜2轉印至切晶帶之基材上之黏著劑層32時的支持基材。隔離膜於將半導體晶圓貼附於半導體背面用膜上時被剝離。作為隔離膜，亦可使用藉由聚乙烯、聚丙烯、氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈之塑膠膜(聚對苯二甲酸乙二酯等)或紙等。再者，隔離膜可藉由先前公知之方法來形成。另外，對隔離膜之厚度等亦無特別限制。
於半導體背面用膜2並未積層於切晶帶3上之情形時，半導體背面用膜2可於使用一片雙面具有剝離層之隔離膜，以捲繞成捲筒狀之形態，藉由雙面具有剝離層之隔離膜來保護，亦可藉由至少一面具有剝離層之隔離膜來保護。
另外，對半導體背面用膜2之可見光(波長：400 nm~800 nm)之光線透射率(可見光透射率)並無特別限制，例如，較佳為20%以下(0%~20%)之範圍，更佳為10%以下(0%~10%)，特別較佳為5%以下(0%~5%)。若半導體背面用膜2之可見光透射率大於20%，則由於光線通過，有對 半導體元件產生不良影響之虞。另外，上述可見光透射率(%)可根據半導體背面用膜2之樹脂成分之種類或其含量、著色劑(顏料或染料等)之種類或其含量、無機填充材料之含量等來控制。
半導體背面用膜2之可見光透射率(%)可以如下方式進行測定。即，製作厚度(平均厚度)20 μm之半導體背面用膜2單體。繼而，對於半導體背面用膜2，以規定之強度照射波長：400 nm~800 nm之可見光線[裝置：島津製作所製造之可見光發生裝置(商品名「ABSORPTION SPECTRO PHOTOMETER」)]，測定透射之可見光線之強度。進而，可以由可見光線透射半導體背面用膜2前後之強度變化求出可見光透射率的值。再者，亦可由厚度並非20 μm之半導體背面用膜2之可見光透射率(%；波長：400 nm~800 nm)之值導出厚度：20 μm之半導體背面用膜2之可見光透射率(%；波長：400 nm~800 nm)。另外，於本發明中，求出厚度20 μm之半導體背面用膜2之情形時的可見光透射率(%)，但並非旨在將本發明之半導體背面用膜限定於厚度20 μm之膜。
另外，作為半導體背面用膜2，較佳為其吸濕率較低。具體而言，上述吸濕率較佳為1重量%以下，更佳為0.8重量%以下。藉由將上述吸濕率設定為1重量%以下，可提高雷射標記性。另外，例如，於再流(reflow)步驟中，亦可抑制或防止半導體背面用膜2與半導體元件之間發生空隙等。再者，上述吸濕率係由將半導體背面用膜2於溫度 85℃、相對濕度85% RH之環境下放置168小時前後之重量變化算出的值。半導體背面用膜2由含有熱硬化性樹脂之樹脂組合物形成之情形時，上述吸濕率係指對熱硬化後之半導體背面用膜於溫度85℃、相對濕度85% RH之環境下放置168小時之時的值。另外，上述吸濕率例如可藉由改變無機填料之添加量來調整。
另外，作為半導體背面用膜2，較佳為揮發成分之比率較少。具體而言，加熱處理後之半導體背面用膜2之重量減少率(重量減少量之比率)較佳為1重量%以下，更佳為0.8重量%以下。加熱處理之條件例如為加熱溫度250℃、加熱時間1小時。藉由將上述重量減少率設定為1重量%以下，可提高雷射標記性。另外，例如，於再流步驟中，可抑制或防止於覆晶型半導體裝置中發生裂紋。上述重量減少率例如可藉由添加可減少無鉛焊接再流時之裂紋發生的無機物來調整。再者，半導體背面用膜2由含有熱硬化性樹脂之樹脂組合物形成之情形時，上述重量減少率係指於加熱溫度250℃、加熱時間1小時之條件下對熱硬化後之半導體背面用膜加熱時的值。
(切晶帶)
上述切晶帶3藉由於基材31上形成黏著劑層32來構成。如此，切晶帶3只要具有基材31與黏著劑層32積層之構成即可。基材(支持基材)可用作黏著劑層等之支持母體。上述基材31較佳為具有放射線透射性。作為上述基材31，例如，可使用紙等紙系基材；布、不織布、氈、網等纖維系 基材；金屬箔、金屬板等金屬系基材；塑膠膜或塑膠片等塑膠系基材；橡膠片等橡膠系基材；發泡片等發泡體或該等之積層體[尤其，塑膠系基材與其他基材之積層體或塑膠膜(或片)彼此之積層體等]等適當之薄層體。於本發明中，作為基材，可適當地使用塑膠膜或片等塑膠系基材。作為此種塑膠之原料，例如，可列舉：聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物等烯烴系樹脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物等以乙烯為單體成分之共聚物；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯；丙烯酸系樹脂；聚氯乙烯(PVC)；聚胺基甲酸酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；聚醯胺(尼龍)、全芳香族聚醯胺(whole aromatic polyamides)(芳族聚醯胺)等醯胺系樹脂；聚醚醚酮(PEEK)；聚醯亞胺；聚醚醯亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素系樹脂；矽酮樹脂；氟樹脂等。
另外，作為基材31之材料，可列舉上述樹脂之交聯體等聚合物。上述塑膠膜可以未延伸使用，根據需要可使用實施單軸或雙軸延伸處理之塑膠膜。根據藉由延伸處理等賦予熱收縮性之樹脂片，由於在切割後使該基材31熱收縮，藉此使黏著劑層32與半導體背面用膜2之接著面積減少，可實現半導體晶片之回收的容易化。
為了提高與鄰接之層之密著性、保持性等，基材31之表 面可實施慣用之表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離放射線處理等化學或物理處理，利用底塗劑(例如下述黏著物質)的塗佈處理。
上述基材31可適當選擇使用同種或不同種之材料，根據需要可使用多種之摻和物。另外，為了對基材31賦予抗靜電能力，可於上述基材31上設置包含金屬、合金、該等之氧化物等的厚度30~500 Å左右之導電性物質的蒸鍍層。基材31可為單層或兩種以上之複數層。
基材31之厚度(積層體之情形時為總厚度)並無特別限制，可根據強度或柔軟性、使用目的等適當選擇，例如，一般為1000 μm以下(例如1 μm~1000 μm)，較佳為10 μm~500 μm，進而較佳為20 μm~300 μm，特別較佳為30 μm~200 μm左右，但並不限定於該等。
再者，於基材31中，於不損害本發明之效果等之範圍內，可含有各種添加劑(著色劑、填充劑、塑化劑、抗老化劑、抗氧化劑、界面活性劑、阻燃劑等)。
上述黏著劑層32由黏著劑來形成，具有黏著性。作為此種黏著劑，並無特別限制，可自公知之黏著劑中適當選擇。具體而言，作為黏著劑，例如，可自丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、矽酮系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、聚胺基甲酸酯系黏著劑、氟系黏著劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系黏著劑、於該等黏著劑中調配熔點約200℃以下之熱熔融性樹脂之蠕變特性改良型黏著劑等公知的黏著劑(例如，參照日本 專利特開昭56-61468號公報、日本專利特開昭61-174857號公報、日本專利特開昭63-17981號公報、日本專利特開昭56-13040號公報等)中適當選擇使用具有上述特性之黏著劑。另外，作為黏著劑，可使用放射線硬化型黏著劑(或能量射線硬化型黏著劑)或熱膨脹性黏著劑。黏著劑可單獨使用或將兩種以上組合使用。
作為上述黏著劑，可較佳地使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑，尤其較佳為丙烯酸系黏著劑。作為丙烯酸系黏著劑，可列舉將使用一種或兩種以上(甲基)丙烯酸烷基酯作為單體成分之丙烯酸系聚合物(均聚物或共聚物)作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑。
作為上述丙烯酸系黏著劑中之(甲基)丙烯酸烷基酯，例如，可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯 等(甲基)丙烯酸烷基酯等。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，較佳為烷基之碳數為4~18之(甲基)丙烯酸烷基酯。再者，(甲基)丙烯酸烷基酯之烷基可為直鏈狀或支鏈狀中之任一種。
再者，上述丙烯酸系聚合物為了改良凝聚力、耐熱性、交聯性等，根據需要，可含有對應於能夠與上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚之其他單體成分(共聚性單體成分)的單元。作為此種共聚性單體成分，例如，可列舉：(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等含羧基單體；順丁烯二酸酐、衣康酸酐等含酸酐基單體；(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸羥基丁酯、(甲基)丙烯酸羥基己酯、(甲基)丙烯酸羥基辛酯、(甲基)丙烯酸羥基癸酯、(甲基)丙烯酸羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基單體；(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺等(N-取代)醯胺系單體；(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯等(甲基)丙烯酸胺基烷基酯系單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙 酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含環氧基丙烯酸系單體；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯系單體；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯系單體；異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴系單體；乙烯醚等乙烯醚系單體；N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌、乙烯基吡、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基羧醯胺類、N-乙烯基己內醯胺等含氮單體；N-環己基順丁烯二醯亞胺、N-異丙基順丁烯二醯亞胺、N-月桂基順丁烯二醯亞胺、N-苯基順丁烯二醯亞胺等順丁烯二醯亞胺系單體；N-甲基衣康醯亞胺、N-乙基衣康醯亞胺、N-丁基衣康醯亞胺、N-辛基衣康醯亞胺、N-2-乙基己基衣康醯亞胺、N-環己基衣康醯亞胺、N-月桂基衣康醯亞胺等衣康醯亞胺系單體；N-(甲基)丙烯醯氧基亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-6-氧基六亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-8-氧基八亞甲基琥珀醯亞胺等琥珀醯亞胺系單體；(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯、矽酮(甲基)丙烯酸酯等具有雜環、鹵素原子、矽原子等之丙烯酸酯系單體；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新 戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚胺基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、丁基二(甲基)丙烯酸酯、己基二(甲基)丙烯酸酯等多官能單體等。該等共聚性單體成分可使用一種或兩種以上。
使用放射線硬化型黏著劑(或能量射線硬化型黏著劑)作為黏著劑之情形時，作為放射線硬化型黏著劑(組合物)，例如，可列舉使用於聚合物側鏈或者主鏈中或主鏈末端具有自由基反應性碳-碳雙鍵之聚合物作為基礎聚合物的內在型放射線硬化型黏著劑，或於黏著劑中調配有紫外線硬化性之單體成分或低聚物成分之放射線硬化型黏著劑等。另外，使用熱膨脹性黏著劑作為黏著劑之情形時，作為熱膨脹性黏著劑，例如可列舉含有黏著劑與發泡劑(尤其熱膨脹性微球)之熱膨脹性黏著劑等。
於本發明中，於黏著劑層32中，於不損害本發明之效果的範圍內可含有各種添加劑(例如賦黏樹脂、著色劑、增黏劑、增量劑、填充劑、塑化劑、抗老化劑、抗氧化劑、界面活性劑、交聯劑等)。
作為上述交聯劑並無特別限制，可使用公知之交聯劑。具體而言，作為交聯劑，除異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑以外，可列舉：脲系交聯劑、金屬醇鹽系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、唑啉系交 聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等，較佳為異氰酸酯系交聯劑或環氧系交聯劑。交聯劑可單獨使用或將兩種以上組合使用。再者，交聯劑之使用量並無特別限制。
作為上述異氰酸酯系交聯劑，例如，可列舉：1,2-亞乙基二異氰酸酯、1,4-亞丁基二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯等低級脂肪族聚異氰酸酯類；亞環戊基二異氰酸酯、亞環己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯、氫化二甲苯二異氰酸酯等脂環族聚異氰酸酯類；2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯-二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯類等，此外，亦可使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚物加合物(日本聚胺酯工業(股)製造，商品名「CORONATE L」)、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚物加合物(日本聚胺酯工業(股)製造，商品名「CORONATE HL」)等。另外，作為上述環氧系交聯劑，例如可列舉：N,N,N',N'-四縮水甘油基-間二甲苯二胺、二縮水甘油基苯胺、1,3-雙(N,N-縮水甘油基胺基甲基)環己烷、1,6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、山梨糖醇酐聚縮水甘油醚、三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥基乙基)異氰脲酸酯、間 苯二酚二縮水甘油醚、雙酚S二縮水甘油醚以及分子內具有2個以上環氧基之環氧系樹脂等。
再者，於本發明中，亦可代替使用交聯劑，或者使用交聯劑並且藉由照射電子束或紫外線等實施交聯處理。
黏著劑層32例如可利用將黏著劑(感壓接著劑)與根據需要之溶劑或其他添加劑等混合形成片狀層之慣用方法來形成。具體而言，例如可藉由將含有黏著劑及根據需要之溶劑或其他添加劑之混合物塗佈於基材31上的方法，將上述混合物塗佈於適當之隔離膜(剝離紙等)上形成黏著劑層32並將其轉印(轉移)至基材31上的方法等，形成黏著劑層32。
對黏著劑層32之厚度並無特別限制，例如為5 μm~300 μm(較佳為5 μm~200 μm，進而較佳為5 μm~100 μm，特別較佳為7 μm~50 μm)左右。若黏著劑層32之厚度在上述範圍內，則可發揮適度之黏著力。再者，黏著劑層32可為單層、複數層中之任一種。
上述切晶帶3之黏著劑層32對覆晶型半導體背面用膜2之接著力(23℃，剝離角度180度，剝離速度300 mm/分鐘)較佳為0.02 N/20 mm~10 N/20 mm之範圍，更佳為0.05 N/20 mm~5 N/20 mm之範圍。藉由將上述接著力設定為0.02 N/20 mm以上，於切割半導體晶圓時可防止半導體元件晶片飛濺。另一方面，藉由將上述接著力設定為10 N/20 mm以下，拾取半導體元件時，可防止該半導體元件之剝離變得困難或發生糊劑殘餘。
再者，於本發明中，可使覆晶型半導體背面用膜2或切晶帶一體型半導體背面用膜1具有抗靜電能力。藉此，可防止於其接著時及剝離時等中之靜電產生或由此帶來之半導體晶圓等帶電所引起的電路破壞等。抗靜電能力之賦予可用將抗靜電劑或導電性物質添加至基材31、黏著劑層32或半導體背面用膜2中的方法，向基材31附設包含電荷遷移錯合物(charge transfer complex)或金屬膜等之導電層的方法等適當之方式進行。作為該等方式，較佳為不容易產生使半導體晶圓變質之虞之雜質離子的方式。作為為了賦予導電性、提高熱傳導性等而調配之導電性物質(導電填料)，可列舉：銀、鋁、金、銅、鎳、導電性合金等球狀、針狀、鱗片(flake)狀金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、無定形碳黑、石墨等。然而，上述半導體背面用膜2就能夠不漏電之觀點而言，較佳為非導電性。
另外，覆晶型半導體背面用膜2或切晶帶一體型半導體背面用膜1可以捲繞成捲筒狀之形態形成，亦可以片材(膜)積層之形態形成。例如，具有捲繞成捲筒狀之形態之情形時，半導體背面用膜2或半導體背面用膜2與切晶帶3之積層體可根據需要於用隔離膜保護之狀態下捲繞成捲筒狀，作為捲繞成捲筒狀之狀態或形態之半導體背面用膜2或切晶帶一體型半導體背面用膜1來製作。再者，作為捲繞成捲筒狀之狀態或形態之切晶帶一體型半導體背面用膜1，可由基材31、及於上述基材31之一個面上形成的黏著劑層32、及於上述黏著劑層32上形成之半導體背面用膜以及於 上述基材31的另一個面上形成之剝離處理層(背面處理層)來構成。
再者，作為切晶帶一體型半導體背面用膜1之厚度(半導體背面用膜之厚度與包含基材31及黏著劑層32之切晶帶之厚度的總厚度)，可自例如8 μm~1500 μm之範圍內選擇，較佳為20 μm~850 μm(進而較佳為31 μm~500 μm，特別較佳為47 μm~330 μm)。
再者，於切晶帶一體型半導體背面用膜1中，藉由控制半導體背面用膜2之厚度與切晶帶3之黏著劑層32之厚度之比、或半導體背面用膜2之厚度與切晶帶3之厚度(基材31及黏著劑層32之總厚度)之比，可提高切割步驟時之切割性、拾取步驟時之拾取性等，可於半導體晶圓之切割步驟~半導體晶片之覆晶焊接步驟中有效地利用切晶帶一體型半導體背面用膜1。
(切晶帶一體型半導體背面用膜之製造方法)
以下以圖1所示之切晶帶一體型半導體背面用膜1為例來說明本實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜的製造方法。首先，基材31可藉由先前公知之製膜方法來製膜。作為該製膜方法，例如，可列舉：壓延製膜法、有機溶劑中之流延法(casting method)、密閉系統中之膨脹擠出法、T型模頭擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。
繼而，將黏著劑組合物塗佈於基材31上，使其乾燥(根據需要進行加熱交聯)，形成黏著劑層32。作為塗佈方式，可列舉：輥塗、絲網塗覆、凹版塗覆等。再者，可將 黏著劑層組合物直接塗佈於基材31上，而於基材31上形成黏著劑層32，另外，可將黏著劑組合物塗佈於表面進行剝離處理之剝離紙等上，形成黏著劑層32，然後，將該黏著劑層32轉印至基材31上。藉此製作於基材31上形成有黏著劑層32之切晶帶3。
另一方面，將用以形成半導體背面用膜2之形成材料塗佈於剝離紙上，使其乾燥後之厚度為特定厚度，進而於特定條件下乾燥(於必需熱硬化之情形等時，根據需要，實施加熱處理進行乾燥)，形成塗佈層。藉由將該塗佈層轉印至上述黏著劑層32上，於黏著劑層32上形成半導體背面用膜2。再者，即便藉由於上述黏著劑層32上直接塗佈用以形成半導體背面用膜2之形成材料之後，於特定條件下乾燥(於必需熱硬化等之情形時，根據需要，實施加熱處理進行乾燥)，亦能於黏著劑層32上形成半導體背面用膜2。藉由以上所述，可獲得本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜1。再者，於形成半導體背面用膜2時進行熱硬化之情形時，以達到部分硬化狀態之程度進行熱硬化較為重要，較佳為不進行熱硬化。
本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜1可於包括覆晶焊接步驟之半導體裝置之製造時較佳地使用。即，本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜1於製造覆晶安裝之半導體裝置時使用，於半導體晶片之背面上貼附有切晶帶一體型半導體背面用膜1之半導體背面用膜2之狀態或形態下，製造覆晶安裝之半導體裝置。因此，本發明之切晶帶一體 型半導體背面用膜1可用於覆晶安裝之半導體裝置(半導體晶片以覆晶焊接方式固定於基板等被黏著體上之狀態或形態之半導體裝置)。
再者，半導體背面用膜2與切晶帶一體型半導體背面用膜1同樣地可用於覆晶安裝之半導體裝置(半導體晶片以覆晶焊接方式固定於基板等被黏著體上之狀態或形態之半導體裝置)。
(半導體晶圓)
作為半導體晶圓，只要為公知或慣用之半導體晶圓，則無特別限制，可自各種材料之半導體晶圓中適當選擇使用。於本發明中，作為半導體晶圓，可適當地使用矽晶圓。
(半導體裝置之製造方法)
以下一面參照圖2一面來說明本實施形態之半導體裝置之製造方法。圖2為使用上述切晶帶一體型半導體背面用膜1之情形時之半導體裝置之製造方法的截面示意圖。
對於上述半導體裝置之製造方法，可使用上述切晶帶一體型半導體背面用膜1來製造半導體裝置。具體而言，其至少包括以下步驟：將半導體晶圓貼附於上述切晶帶一體型半導體背面用膜上之步驟、切割上述半導體晶圓之步驟、拾取由切割獲得之半導體元件的步驟、以及將上述半導體元件覆晶連接於被黏著體上之步驟。
再者，於半導體背面用膜2之情形時，藉由按照使用切晶帶一體型半導體背面用膜1之情形時之半導體裝置之製 造方法的方法，可製造半導體裝置。例如，可使半導體背面用膜2與切晶帶貼合，用作與切晶帶一體化之切晶帶一體型半導體背面用膜，從而製造半導體裝置。於該情形時，使用半導體背面用膜2之半導體裝置之製造方法成為於上述切晶帶一體型半導體背面用膜之製造方法的步驟中進而包括將半導體背面用膜與切晶帶以半導體背面用膜與切晶帶之黏著劑層接觸之形態貼合之步驟的製造方法。
另外，上述半導體背面用膜2亦可不與切晶帶一體化，而貼附於半導體晶圓上。於該情形時，使用半導體背面用膜2之半導體裝置之製造方法成為將上述切晶帶一體型半導體背面用膜之製造方法中的於切晶帶一體型半導體背面用膜上貼附半導體晶圓之步驟改變為於半導體晶圓上貼附半導體背面用膜的步驟、以半導體背面用膜與切晶帶之黏著劑層接觸之形式於貼附於半導體晶圓上之半導體背面用膜上貼合切晶帶之步驟的製造方法。
另外，半導體背面用膜2亦可貼附於將半導體晶圓單片化之半導體晶片上使用。於該情形時，使用半導體背面用膜2之半導體裝置之製造方法例如可為至少包括以下步驟之製造方法：將切晶帶貼附於半導體晶圓上之步驟、切割上述半導體晶圓之步驟、拾取由切割獲得之半導體元件的步驟、將上述半導體元件覆晶連接於被黏著體上之步驟、以及於半導體元件上貼附半導體背面用膜之步驟。
[安裝步驟]
首先，如圖2(a)所示，適當地剝離切晶帶一體型半導體 背面用膜1之半導體背面用膜2上任意設置之隔離膜，將半導體晶圓4貼附於該半導體背面用膜2上，使其接著保持並固定(安裝步驟)。此時，上述半導體背面用膜2為未硬化狀態(包含半硬化狀態)。另外，切晶帶一體型半導體背面用膜1貼附於半導體晶圓4之背面上。半導體晶圓4之背面意指與電路面相反側之面(亦稱為非電路面、非電極形成面等)。對貼附方法並無特別限定，較佳為壓接方法。壓接通常一面藉由壓接輥等擠壓機構進行擠壓一面進行。
[切割步驟]
繼而，如圖2(b)所示，進行半導體晶圓4之切割。藉此，將半導體晶圓4切斷為特定之尺寸，實現單片化(小片化)，製造半導體晶片5。切割例如依據常法自半導體晶圓4之電路面側進行。另外，於本步驟中，例如，可採用切入至切晶帶一體型半導體背面用膜1之稱為完全切割之切斷方式等。作為本步驟中採用之切割裝置並無特別限定，可使用先前公知之裝置。另外，半導體晶圓4藉由具有半導體背面用膜之切晶帶一體型半導體背面用膜1而以優異之密著性接著固定，因此，能夠抑制晶片缺口或晶片飛濺，並且，亦可抑制半導體晶圓4之破損。再者，若半導體背面用膜2由含有環氧樹脂之樹脂組合物形成，則即便藉由切割切斷，亦能抑制或防止於其切斷面上半導體背面用膜之接著劑層之糊劑溢出的發生。其結果，可抑制或防止切斷面彼此再附著(黏連(blocking))，可更好地進行下述拾取。
再者，進行切晶帶一體型半導體背面用膜1之擴展之情形時，該擴展可使用先前公知之擴展裝置來進行。擴展裝置具有可經由切割環將切晶帶一體型半導體背面用膜1向下方壓下之環形外環，與直徑小於外環並支持切晶帶一體型半導體背面用膜之內環。藉由該擴展步驟，於下述拾取步驟中，可防止相鄰之半導體晶片彼此接觸而破損。
[拾取步驟]
為了回收切晶帶一體型半導體背面用膜1上接著固定之半導體晶片5，如圖2(c)所示，進行半導體晶片5之拾取，將半導體晶片5與半導體背面用膜2一併自切晶帶3上剝離。作為拾取方法並無特別限定，可採用先前公知之各種方法。例如，可列舉用針狀物自切晶帶一體型半導體背面用膜1之基材31側頂出各個半導體晶片5，藉由拾取裝置拾取頂出之半導體晶片5的方法等。再者，拾取之半導體晶片5之背面由半導體背面用膜2保護。
[覆晶連接步驟]
拾取之半導體晶片5如圖2(d)所示藉由覆晶焊接方式(覆晶安裝方式)固定於基板等被黏著體上。具體而言，以半導體晶片5之電路面(亦稱為表面、電路圖案形成面、電極形成面等)與被黏著體6對向之形態，按照常法使半導體晶片5固定於被黏著體6上。例如，使形成於半導體晶片5之電路面側之凸塊51與黏著於被黏著體6之連接墊上之接合用導電材料(焊料等)61接觸，一面擠壓一面使導電材料熔融，藉此可確保半導體晶片5與被黏著體6之電氣導通並使 半導體晶片5固定於被黏著體6上(覆晶焊接步驟)。此時，半導體晶片5與被黏著體6之間形成空隙，該空隙間距通常為30 μm~300 μm左右。再者，重要為，將半導體晶片5於被黏著體6上覆晶焊接(覆晶連接)之後，清洗半導體晶片5與被黏著體6之對向面或間隙，將密封材料(密封樹脂等)填充於該間隙中進行密封。
作為被黏著體6，可使用引線框或電路基板(配線電路板等)各種基板。作為此種基板之材質並無特別限定，可列舉：陶瓷基板或塑膠基板。作為塑膠基板，例如可列舉：環氧基板、雙順丁烯二醯亞胺三基板、聚醯亞胺基板等。
於覆晶焊接步驟中，作為凸塊或導電材料之材質並無特別限定，例如，可列舉：錫-鉛系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系金屬材料、錫-鋅系金屬材料、錫-鋅-鉍系金屬材料等焊料類(合金)或金系金屬材料、銅系金屬材料等。
再者，於覆晶焊接步驟中，使導電材料熔融，使半導體晶片5之電路面側之凸塊與被黏著體6之表面之導電材料連接，作為該導電材料之熔融時之溫度，通常為260℃左右(例如250℃~300℃)。本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜利用環氧樹脂等形成半導體背面用膜，藉此可具有亦能耐受於該覆晶焊接步驟中之高溫的耐熱性。
於本步驟中，較佳為進行半導體晶片5與被黏著體6之對向面(電極形成面)或間隙的清洗。對該清洗中使用之清洗 液並無特別限制，例如，可列舉：有機系清洗液或水系清洗液。本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜中之半導體背面用膜具有對清洗液之耐溶劑性，對該等清洗液實際上並不具有溶解性。因此，如上所述，作為清洗液，可使用各種清洗液，無需特殊之清洗液，可按照先前之方法來清洗。
繼而，進行用以密封覆晶焊接之半導體晶片5與被黏著體6之間之間隙的密封步驟。密封步驟使用密封樹脂進行。作為此時之密封條件並無特別限定，通常，藉由於175℃下進行60秒鐘~90秒鐘之加熱，進行密封樹脂之熱硬化，但本發明並非限定於此，例如，可於165℃~185℃下進行數分鐘固化。於該步驟之熱處理中，不僅密封樹脂，半導體背面用膜2之熱硬化亦同時進行。藉此，密封樹脂及半導體背面用膜2雙方隨著熱硬化之進行而發生硬化收縮。其結果，起因於密封樹脂之硬化收縮而於半導體晶片5上施加之應力能夠因半導體背面用膜2發生硬化收縮而抵消或緩和。另外，藉由該步驟，可使半導體背面用膜2完全或大致完全熱硬化，能夠使其以優異之密著性貼附於半導體元件之背面上。進而，本發明之半導體背面用膜2即便為未硬化狀態，亦於該密封步驟時能與密封材料一併熱硬化，因此，無需新追加用以使半導體背面用膜2熱硬化之步驟。
作為上述密封樹脂只要為具有絕緣性之樹脂(絕緣樹脂)，則無特別限制，可自公知之密封樹脂等密封材料中 適當選擇使用，更佳為具有彈性之絕緣樹脂。作為密封樹脂，例如，可列舉：包含環氧樹脂之樹脂組合物等。作為環氧樹脂，可列舉上述例示之環氧樹脂等。另外，作為由包含環氧樹脂之樹脂組合物而成之密封樹脂，作為樹脂成分，除環氧樹脂以外可含有除環氧樹脂以外之熱硬化性樹脂(苯酚樹脂等)或熱塑性樹脂等。再者，作為苯酚樹脂，亦可用作環氧樹脂之硬化劑，作為此種苯酚樹脂，可列舉上述例示之苯酚樹脂等。
使用上述切晶帶一體型半導體背面用膜1或半導體背面用膜2製造之半導體裝置(覆晶安裝之半導體裝置)由於在半導體晶片之背面貼附半導體背面用膜，因此能夠以優異之可見性實施各種標記。尤其，標記方法即便為雷射標記方法，亦能以優異之對比度實施標記，可良好地感知藉由雷射標記法實施之各種資訊(文字資訊、圖像資訊等)。再者，進行雷射標記時，可利用公知之雷射標記裝置。另外，作為雷射，可利用氣體雷射、固體雷射、液體雷射等各種雷射。具體而言，作為氣體雷射並無特別限制，可利用公知之氣體雷射，較佳為二氧化碳雷射(CO2雷射)、準分子雷射(ArF雷射、KrF雷射、XeCl雷射、XeF雷射等)。另外，作為固體雷射並無特別限制，可利用公知之固體雷射，較佳為YAG雷射(Nd：YAG雷射等)、YVO4雷射。
使用本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜或半導體背面用膜製造之半導體裝置係以覆晶安裝方式安裝之半導體裝置，因此，與用黏晶(die bonding)安裝方式安裝之半導 體裝置相比，可形成薄型化、小型化之形狀。因此，可較佳用作各種電子設備．電子零件或該等之材料．零件。具體而言，作為利用本發明之覆晶安裝之半導體裝置的電子設備，可列舉所謂「移動電話」或「PHS」、小型計算機(例如所謂「PDA」(個人數位助理)、所謂「筆記型電腦」、所謂的「Net Book(商標)」、所謂「可佩戴式計算機(wearable computer)」等)、「行動電話」及計算機一體化之小型電子設備、所謂「Digital Camera(數字照相機，商標)」、所謂「數字攝像機」、小型電視機、小型遊戲機、小型數字音響播放器、所謂「電子記事薄」、所謂「電子辭典」、所謂「電子書籍」用電子設備終端、小型數字類型鐘錶等移動型電子設備「便攜式電子設備」等，當然，亦可為除了移動型以外(固定型等)的電子設備(例如所謂「台式電腦」、薄型電視、錄像．播放用電子設備(硬碟錄像機、DVD播放器等)、投影儀、微型機等)等。另外，作為電子零件或電子設備．電子零件之材料．零件，例如，可列舉所謂「CPU」之零件、各種記憶裝置(所謂「記憶體」、硬碟等)零件等。
於上述實施形態中說明本發明之半導體裝置用接著膜用於覆晶型之半導體裝置之製造的情況，即，用以於被黏著體上覆晶連接之半導體元件之背面上形成之覆晶型半導體背面用膜的情況。然而，本發明之半導體裝置用接著膜不限定於該例，可用於覆晶型半導體裝置以外之半導體裝置之製造。例如，本發明之半導體裝置用接著膜可用作黏晶 膜。
[實施例]
以下使用實施例來詳細說明本發明，但本發明於不超出其主旨之範圍內不受以下實施例限定。另外，各例中，除非另有規定，份均為重量基準。
(實施例1)
<覆晶型半導體背面用膜之製作>
相對於100份環氧樹脂(商品名「HP4032D」，DIC股份有限公司製造)，將40份苯氧基樹脂(商品名「EP4250」，JER股份有限公司製造)、90份苯酚樹脂(商品名「MEH-8000」，明和化成股份有限公司製造)、1137份球狀矽石(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造)、20份染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)、0.02份熱硬化促進觸媒(商品名「2PHZ-PW」，四國化成製造)溶解於甲基乙酮中，製備固體成分濃度23.6重量%之樹脂組合物之溶液(有稱為「樹脂組合物溶液A」之情形)。
將上述樹脂組合物溶液A塗佈於經矽酮脫模處理之厚度為50 μm之包含聚對苯二甲酸乙二酯膜的脫模處理膜上，於130℃下乾燥2分鐘。藉此，製作厚度60 μm之覆晶型半導體背面用膜。
(實施例2)
除了將熱硬化促進觸媒之含量設為0.5份以外，與實施例1同樣地製作實施例2之覆晶型半導體背面用膜。
(實施例3)
將作為熱硬化促進觸媒之磷-硼系觸媒(商品名「TPP-K」)之含量設為0.5份，除此以外，與實施例1同樣地製作實施例3之覆晶型半導體背面用膜。
(實施例4)
<覆晶型半導體背面用膜之製作>
相對於100份環氧樹脂(商品名「HP4032D」，DIC股份有限公司製造)將40份苯氧基樹脂(商品名「EP4250」，JER股份有限公司製造)、1137份球狀矽石(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造)、20份染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industrries股份有限公司製造)、0.3份熱硬化促進觸媒(商品名「2PHZ-PW」，四國化成製造)溶解於甲基乙基酮中，製備固體成分濃度23.6重量%之樹脂組合物之溶液(有稱為「樹脂組合物溶液B」之情形)。將上述樹脂組合物溶液B塗佈於經矽酮脫模處理之厚度為50 μm之包含聚對苯二甲酸乙二酯膜之脫模處理膜上，於130℃下乾燥2分鐘。藉此，製作厚度60 μm之覆晶型半導體背面用膜。
(比較例1)
除了將熱硬化促進觸媒之含量設定為0.6份以外，與實施例1同樣地，製作比較例1之覆晶型半導體背面用膜。
(評價)
藉由下述方法測定實施例1~4及比較例1中製作之覆晶型 半導體背面用膜之反應發熱量、熱硬化前之拉伸儲存模數、伸長率。測定係於覆晶型半導體背面用膜之剛製作之後及保存4週之後進行。另外，藉由下述方法評價保存4週之後的覆晶型半導體背面用膜。
<發熱量之測定方法>
將各實施例及比較例之覆晶型半導體背面用膜沖裁成直徑4 mm之圓形狀，以示差掃描熱量計(TA Instrument製造，DSC Q2000)以0.5℃/分鐘之速度自-50℃升溫至300℃，測定所觀察到之反應發熱峰溫度之±80℃之溫度範圍內的反應發熱量。反應發熱量於覆晶型半導體背面用膜之剛製作之後及於25℃之條件下保存4週之後進行。圖3為藉由示差掃描熱量測定所獲得之典型示差熱量曲線圖。具體而言，上述反應發熱量係算出圖3所示之基線B及示差掃描熱量曲線所包圍之區域的面積，將其作為反應發熱量。結果示於表1、表2中。再者，表2中亦一併表示保存後之反應發熱量相對於保存前之反應發熱量的比率。
<熱硬化前之拉伸儲存模數之測定>
製作單片之覆晶型半導體背面用膜，使用Rheometrics公司製造之動態黏彈性測定裝置「Solid Analyzer RS A2」測定覆晶型半導體背面用膜之熱硬化前之23℃下的拉伸儲存模數。熱硬化前之拉伸儲存模數於覆晶型半導體背面用膜剛製作之後及於25℃之條件下保存4週之後進行。測定用樣品為樣品寬度：10 mm、樣品長度：22.5 mm、樣品厚度：0.2 mm。測定條件為：拉伸模式、頻率：1 Hz、升溫 速度：10℃/分鐘、氮氣環境下、23℃。結果示於表1、表2中。
<熱硬化前之伸長率之測定>
製作單片之覆晶型半導體背面用膜，使用Rheometrics公司製造之動態黏彈性測定裝置「Solid Analyzer RS A2」來測定覆晶型半導體背面用膜之伸長率。熱硬化前之伸長率於覆晶型半導體背面用膜剛製作之後及於25℃之條件下保存4週之後進行。測定用樣品為樣品寬度：10 mm、樣品長度：20 mm、樣品厚度：0.2 mm。測定使用上述動態黏彈性測定裝置，以上下卡盤間距為10 mm之方式夾持樣品，於50 mm/s之拉伸速度下進行，所得斷裂伸長率值為伸長率。結果示於表1、表2中。
<常溫保存穩定性>
目視觀察於25℃之條件下保存4週之後的半導體背面用膜上是否有破裂或缺口。繼而，將半導體晶圓(直徑8英吋，厚度200 μm；矽鏡面晶圓)貼合於25℃之條件下保存4週之後的半導體背面用膜上。再者，貼合條件如下所述。將並未發現破裂或缺口，能夠晶圓安裝者評價為○，將發現破裂或缺口或無法晶圓安裝者評價為×。結果示於表2中。
[貼合條件]
貼附裝置：商品名「MA-3000III」日東精機股份有限公司製造
貼附速度：10 mm/min
貼附壓力：0.15 MPa
貼附時之平台溫度：70℃
(結果)
如表1、表2可知，實施例之半導體背面用膜具有良好之常溫保存性。另外，保存前與保存後之拉伸儲存模數及伸長率之變化少於比較例。
1‧‧‧切晶帶一體型半導體背面用膜
2‧‧‧半導體背面用膜
3‧‧‧切晶帶
4‧‧‧半導體晶圓
5‧‧‧半導體晶片
6‧‧‧被黏著體
31‧‧‧基材
32‧‧‧黏著劑層
33‧‧‧與半導體晶圓之貼附部分對應之部分
51‧‧‧於半導體晶片5之電路面側形成之凸塊(bump)
61‧‧‧黏著於被黏著體6之連接墊(connecting pad)上 之接合用導電材料
圖1為本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜之一例的截面示意圖。
圖2(a)-(d)為使用本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜的半導體裝置之製造方法之一例的截面示意圖。
圖3為藉由示差掃描熱量測定法所獲得之典型示差熱量曲線的圖。
1‧‧‧切晶帶一體型半導體背面用膜
2‧‧‧半導體背面用膜
3‧‧‧切晶帶
31‧‧‧基材
32‧‧‧黏著劑層
33‧‧‧與半導體晶圓之貼附部分對應之部分

Claims (6)

  1. 一種半導體裝置用接著膜，其特徵在於，其含有熱硬化性樹脂，以示差掃描熱量計測定之反應發熱峰溫度之±80℃溫度範圍內之反應發熱量，於25℃之條件下保存4週之後，相對於保存前之反應發熱量為0.8~1倍之範圍，且未硬化狀態下之23℃下的拉伸儲存模數為1GPa~50GPa。
  2. 如請求項1之半導體裝置用接著膜，其中相對於樹脂成分之總量，以0.008~0.25重量%之比率含有熱硬化促進觸媒。
  3. 如請求項2之半導體裝置用接著膜，其中上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂，且上述熱硬化促進觸媒為咪唑系熱硬化促進觸媒。
  4. 如請求項2之半導體裝置用接著膜，其中上述熱硬化促進觸媒為磷-硼系硬化促進觸媒。
  5. 如請求項1至4中任一項之半導體裝置用接著膜，其中上述半導體裝置用接著膜係用以形成於被黏著體上覆晶連接之半導體元件背面上之覆晶型半導體背面用膜。
  6. 一種切晶帶一體型半導體背面用膜，其特徵在於，其係如請求項5之覆晶型半導體背面用膜積層於切晶帶上者，且上述切晶帶係基材上積層有黏著劑層之結構，上述覆晶型半導體背面用膜積層於上述切晶帶之黏著劑層上。
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