CN106084604A - 半导体装置用薄膜、半导体装置的制造方法、及半导体装置 - Google Patents

半导体装置用薄膜、半导体装置的制造方法、及半导体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106084604A
CN106084604A CN201610282698.XA CN201610282698A CN106084604A CN 106084604 A CN106084604 A CN 106084604A CN 201610282698 A CN201610282698 A CN 201610282698A CN 106084604 A CN106084604 A CN 106084604A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thin film
back surface
semiconductor back
flip chip
chip type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610282698.XA
Other languages
English (en)
Inventor
高本尚英
木村龙
木村龙一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN106084604A publication Critical patent/CN106084604A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/02—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by a sequence of laminating steps, e.g. by adding new layers at consecutive laminating stations
    • B32B37/025—Transfer laminating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/0004—Cutting, tearing or severing, e.g. bursting; Cutter details
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/10—Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006—Delaminating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67282—Marking devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00—Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/08—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
    • B32B2310/0806—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B32B2310/0843—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using laser
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2333/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers
    • C08J2333/04—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters
    • C08J2333/06—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters of esters containing only carbon, hydrogen, and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C08J2333/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2461/00—Characterised by the use of condensation polymers of aldehydes or ketones; Derivatives of such polymers
    • C08J2461/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08J2461/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2463/00—Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/16—Applications used for films
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/20—Applications use in electrical or conductive gadgets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68377—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54406—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising alphanumeric information
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54433—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3512—Cracking
    • H01L2924/35121—Peeling or delaminating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

本发明提供半导体装置用薄膜、半导体装置的制造方法、及半导体装置，所述半导体装置用薄膜能够抑制卷取成卷状时向倒装芯片型半导体背面用薄膜的转印痕迹、并抑制被标记的各种信息的辨识性的降低。一种半导体装置用薄膜，其具备：多个带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜，其在隔离膜上隔开规定间隔地配置；和外侧片，其配置于带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的外侧，带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜为如下结构：具有切割带和倒装芯片型半导体背面用薄膜，将外侧片的宽度最窄的部分的长度设为G、将隔离膜的长边到切割带的长度设为F时，G在F的0.2倍～0.95倍的范围内。

Description

半导体装置用薄膜、半导体装置的制造方法、及半导体装置
技术领域
本发明涉及半导体装置用薄膜、半导体装置的制造方法、及半导体装置。
背景技术
近年来，更进一步要求半导体装置及其封装体的薄型化、小型化。因此，作为半导体装置及其封装体，广泛利用将半导体芯片等半导体元件倒装芯片连接在基板上而得到的倒装芯片型的半导体装置。该倒装芯片连接为以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的方式将半导体芯片固定于基板，进行电连接的方法。在这样的半导体装置等中，有时利用倒装芯片型半导体背面用薄膜保护半导体芯片的背面，防止半导体芯片的损伤等(例如，参见专利文献1)。
关于这样的倒装芯片型半导体背面用薄膜，有时例如如专利文献1所公开的那样以贴合有切割带的带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的形式提供。
带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜以如下方式使用。首先，在带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的倒装芯片型半导体背面用薄膜上贴附半导体晶圆。接着，在利用切割带保持之下将半导体晶圆及倒装芯片型半导体背面用薄膜切割。接着，将半导体芯片与倒装芯片型半导体背面用薄膜一起从切割带上剥离，并将其各自回收。
作为上述带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜，考虑到向半导体晶圆的贴附、切割时向环框的安装等的操作性，有时会与要贴附的半导体晶圆的形状(例如圆形)、环框的形状(例如圆形)相匹配、预先被切割成单个的带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜，以在长条的隔离膜上隔开规定间隔且可剥离地层叠的半导体装置用薄膜的形式提供。
如上所述的半导体装置用薄膜有时以卷绕成卷状的形态进行输送、保管。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-199541号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，半导体装置用薄膜的层叠有带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的部分的厚度(隔离膜和带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的总厚度)比未层叠的部分的厚度(仅隔离膜的厚度)厚。因此，将半导体装置用薄膜卷绕成卷状时，有时其它倒装芯片型半导体背面用薄膜的边缘被推压到1个倒装芯片型半导体背面用薄膜上，从而转印为卷绕痕迹。
倒装芯片型半导体背面用薄膜通常通过利用印刷方法、激光标记方法等各种标记方法来实施标记。因此，若卷绕痕迹被转印到倒装芯片型半导体背面用薄膜上，则有被标记的各种信息的辨识性降低的问题。
本发明是鉴于前述问题而作出的，其目的在于，提供一种半导体装置用薄膜、使用该半导体装置用薄膜的半导体装置的制造方法、及通过该半导体装置的制造方法制造的半导体装置，所述半导体装置用薄膜能够抑制将带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜隔开规定间隔地层叠于隔离膜上而得到的半导体装置用薄膜卷取成卷状时向倒装芯片型半导体背面用薄膜的转印痕迹，并抑制被标记的各种信息的辨识性的降低。
用于解决问题的方案
本申请发明人等发现通过采用下述结构能够解决前述课题，从而完成了本发明。
即，本发明的半导体装置用薄膜的特征在于，其具备：
长条的隔离膜；
多个带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜，其在前述隔离膜上隔开规定间隔地配置成1列；和
外侧片，其配置于前述带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的外侧，并且，以含盖前述隔离膜的长边的方式层叠于前述隔离膜上，其中，
前述带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜为如下结构：具有切割带、和以不超出前述切割带的方式层叠于前述切割带上的倒装芯片型半导体背面用薄膜，
前述隔离膜与前述带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜是以前述隔离膜和前述倒装芯片型半导体背面用薄膜作为贴合面来层叠的，
将前述外侧片的宽度最窄的部分的长度设为G、将前述隔离膜的长边到前述切割带的长度设为F时，前述G在前述F的0.2倍～0.95倍的范围内。
根据前述结构，在带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的外侧存在外侧片。即，在隔离膜上的未层叠有带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的部分存在外侧片。因此，带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜存在的部分和不存在的部分的厚度差变小。因此，能够减少由带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜存在的部分与不存在的部分的高度差引起的卷绕痕迹的转印。
此外，前述G在前述F的0.2倍～0.95倍的范围内。即，外侧片与带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的间隙在一定的范围内。前述G为前述F的0.2倍以上，前述间隙窄至一定程度，因此能够减少卷绕痕迹的转印。另一方面，前述G为前述F的0.95倍以下，因此能够抑制在卷绕成卷状时产生褶皱。此外，将带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜从隔离膜上剥离时，不会被外侧片卡住，能够容易地进行剥离。
在前述结构中，前述G优选为2mm以上。
前述G为2mm以上时，能够使外侧片和带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的间隙更窄。因此，能够进一步减少卷绕痕迹的转印。
在前述结构中，优选的是，将前述隔离膜的长边到前述倒装芯片型半导体背面用薄膜的长度设为E时，前述E在前述F的1倍～5倍的范围内。
前述E在前述F的1倍～5倍的范围内时，前述倒装芯片型半导体背面用薄膜的俯视的尺寸与前述切割带相同、或者虽比其小但仍具有一定程度的大小。因此，能够减少向背面保护薄膜的卷绕痕迹。
在前述结构中，前述倒装芯片型半导体背面用薄膜的厚度优选在5～100μm的范围内。
前述倒装芯片型半导体背面用薄膜的厚度为5μm以上时，能够保护晶圆背面，提高强度。另一方面，前述倒装芯片型半导体背面用薄膜的厚度为100μm以下时，能够控制与隔离膜的剥离。
在前述结构中，优选卷绕成卷状。
由于即使卷绕成卷状也难以在倒装芯片型半导体背面用薄膜上残留卷绕痕迹，因此若卷绕成卷状，则容易输送、保存该半导体装置用薄膜。
此外，本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，其包括以下工序：
将带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜从前述半导体装置用薄膜上剥离的工序；
在剥离的前述带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的倒装芯片型半导体背面用薄膜上粘贴半导体晶圆的工序；
对前述倒装芯片型半导体背面用薄膜进行激光标记的工序；
切割前述半导体晶圆从而形成半导体元件的工序；
将前述半导体元件与前述倒装芯片型半导体背面用薄膜一起从前述粘合剂层剥离的工序；以及
将前述半导体元件倒装芯片连接在被粘物上的工序。
根据前述方案，由于使用前述半导体装置用薄膜，因此抑制了卷绕痕迹向倒装芯片型半导体背面用薄膜的转印。因此，对该倒装芯片型半导体背面用薄膜实施的激光标记的辨识性变得良好。
此外，本发明的半导体装置的特征在于，通过前述半导体装置的制造方法制造。
根据前述方案，由于前述半导体装置使用前述半导体装置用薄膜来制造，因此抑制了卷绕痕迹向倒装芯片型半导体背面用薄膜的转印。因此，对该倒装芯片型半导体背面用薄膜实施的激光标记的辨识性变得良好。
附图说明
图1为本发明的一个实施方式的半导体装置用薄膜的俯视示意图。
图2为图1中示出的半导体装置用薄膜的X-X剖视图。
图3的(a)～(e)为示出使用了本发明的一个实施方式的半导体装置用薄膜的半导体装置的制造方法的一例的剖视示意图。
附图标记说明
10 半导体装置用薄膜
11 卷芯
12 隔离膜
13 带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜
14 切割带
16 倒装芯片型半导体背面用薄膜
18 外侧片
24 半导体晶圆
26 半导体元件
28 被粘物
36 激光
具体实施方式
下面边参照附图边对本实施方式的半导体装置用薄膜进行说明。图1为本发明的一个实施方式的半导体装置用薄膜的俯视示意图，图2为图1中示出的半导体装置用薄膜的X-X剖视图。
(半导体装置用薄膜)
如图1所示，本实施方式的半导体装置用薄膜10在圆柱状的卷芯11上被卷绕成卷状。但本发明的半导体装置用薄膜可以不卷绕成卷状。但是，从输送、保存时能够容易地邮寄、保存的观点出发，优选卷绕成卷状。如后所述，半导体装置用薄膜10抑制了卷绕痕迹向倒装芯片型半导体背面用薄膜16的转印，因此即使卷绕成卷状，也会抑制被标记的各种信息的辨识性的降低。
半导体装置用薄膜10的卷取例如通过如下方式进行：将应当卷取的半导体装置用薄膜10的卷绕起始端缘粘接于卷芯11，然后，使卷芯11沿卷取方向旋转。
以下，首先对构成半导体装置用薄膜10的各层的位置关系及形状进行说明。
半导体装置用薄膜10具备长条的隔离膜12、多个带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13以及外侧片18。需要说明的是，在本实施方式中，带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13为圆形。但是，在本发明中，带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的形状不限定于圆形。
作为隔离膜12的宽度A，根据带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13的大小而不同，例如在290mm～390mm的范围内。
此外，隔离膜12的长度(长边的长度)优选具有能够隔开规定间隔地配置2片以上带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13的长度，通常具有能够配置10片～500片的长度。作为具体的长度，例如为3～200m左右。
带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13在隔离膜12上沿隔离膜12的长度方向隔开规定间隔地配置成1列。具体而言，作为1个带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13与相邻的带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13的距离D，可列举出270mm～390mm。
带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13以不含盖隔离膜12的长边的方式配置在隔离膜12的宽度方向偏中央。本实施方式中，以所有的带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13的中心位于隔离膜12的宽度方向中央线上的方式配置。
带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13具有切割带14和层叠于切割带14上的倒装芯片型半导体背面用薄膜16。
倒装芯片型半导体背面用薄膜16以俯视时不超出切割带14的方式层叠于切割带14上。本实施方式中，切割带14的中心和倒装芯片型半导体背面用薄膜16的中心在俯视时一致。
隔离膜12与带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13是以隔离膜12和倒装芯片型半导体背面用薄膜16作为贴合面来层叠的。
倒装芯片型半导体背面用薄膜16的厚度与构成半导体装置用薄膜10的各层的尺寸无关，优选在5～100μm的范围内、更优选在7～80μm的范围内、进一步优选在10～50μm的范围内。倒装芯片型半导体背面用薄膜16的厚度为5μm以上时，能够保护晶圆背面，提高强度。另一方面，倒装芯片型半导体背面用薄膜16的厚度为100μm以下时，能够控制与隔离膜的剥离。
作为切割带14的直径B，例如在260mm～380mm的范围内。此外，作为倒装芯片型半导体背面用薄膜16的直径C，例如在199mm～350mm的范围内。
外侧片18配置于带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13的外侧(隔离膜12的宽度方向的外侧)。此外，外侧片18以含盖隔离膜12的长边的方式层叠于隔离膜12上。
根据半导体装置用薄膜10，在隔离膜12上的未层叠有带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13的部分存在外侧片18。因此，带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13存在的部分和不存在的部分的厚度的差变小。因此，能够减少由带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13存在的部分与不存在的部分的高度差引起的卷绕痕迹的转印。
在本实施方式中，对于外侧片18而言，配置有带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13的部分的外侧的部分18a的宽度(相当于外侧片18的宽度最窄的部分的长度G)最窄。并且，1个带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13与相邻的带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13之间的部分21外侧的部分18b的宽度(相当于图1的长度H)比部分18a宽。
在半导体装置用薄膜10中，将外侧片18的宽度最窄的部分(本实施方式中为18a)的长度设为G、将隔离膜12的长边到切割带14的长度设为F时，前述G在前述F的0.2倍～0.95倍的范围内、优选为0.3倍～0.9倍。前述G在前述F的0.2倍～0.95倍的范围内是指，外侧片18和带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13的间隙24的宽度在一定的范围内。由于前述G为前述F的0.2倍以上，间隙24窄至一定程度，因此能够减少卷绕痕迹的转印。另一方面，由于前述G为前述F的0.95倍以下，因此能够抑制卷绕成卷状时产生褶皱。此外，将带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13从隔离膜12剥离时，不会被外侧片18卡住，能够容易地进行剥离。
前述G与构成半导体装置用薄膜10的各层的尺寸无关，优选为2mm以上。前述G为2mm为以上时，能够使外侧片18与带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13的间隙更窄。因此，能够进一步减少卷绕痕迹的转印。
将隔离膜12的长边到倒装芯片型半导体背面用薄膜16的长度设为E时，前述E优选在前述F的1倍～5倍的范围内、更优选2～4倍。
前述E在前述F的1倍～5倍的范围内时，倒装芯片型半导体背面用薄膜16的俯视的尺寸与切割带14相同、或者虽然比其小但仍具有一定程度的大小。因此，能够减少向背面保护薄膜的卷绕痕迹。
作为前述A～前述H的更具体的尺寸的组合的一例，例如，可列举出以下尺寸。
前述A：290～390mm
前述B：270～370mm
前述C：200～340mm
前述D：280～380mm
前述E：10～40mm
前述F：5～40mm
前述G：2～30mm
前述H：0～180mm
切割带14具有基材14a和在基材14a上形成的粘合剂层14b。切割带14与倒装芯片型半导体背面用薄膜16是以粘合剂层14a作为贴合面来贴合的。此外，将切割带14与倒装芯片型半导体背面用薄膜16贴合时，在有倒装芯片型半导体背面用薄膜16不存在的部分的情况下，该部分与隔离膜12贴合。
外侧片18具有基材18a和在基材18a上形成的粘合剂层18b。在本实施方式中，基材18a优选与基材14a同一材质和同一厚度。此外，粘合剂层18b优选与粘合剂层18a同一材质和同一厚度。需要说明的是，外侧片18只要贴附于隔离膜12即可，对其构成材料没有特别限定。但是，从抑制卷绕痕迹的观点出发，外侧片18的厚度优选为切割带14的0.5倍～5倍左右。此外，从卷绕痕迹抑制的观点出发，外侧片18的厚度优选为带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13的0.8倍～2倍左右。
以上，对构成半导体装置用薄膜10的各层的位置关系及形状进行了说明。
接着，对构成半导体装置用薄膜10的各层的构成材料进行说明。
(倒装芯片型半导体背面用薄膜)
倒装芯片型半导体背面用薄膜16(半导体背面用薄膜16)优选包含热固性树脂和热塑性树脂而形成。
作为前述热塑性树脂，例如可列举出：天然橡胶；丁基橡胶；异戊二烯橡胶；氯丁二烯橡胶；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；乙烯-丙烯酸共聚物；乙烯-丙烯酸酯共聚物；聚丁二烯树脂；聚碳酸酯树脂；热塑性聚酰亚胺树脂；6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂；苯氧树脂；丙烯酸类树脂；PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)等饱和聚酯树脂；聚酰胺酰亚胺树脂；或氟树脂等。热塑性树脂可以单独使用或组合使用2种以上。这些热塑性树脂当中，特别优选离子性杂质少、耐热性高且能够确保半导体元件的可靠性的丙烯酸类树脂。
作为前述丙烯酸类树脂，没有特别限定，可列举出以具有碳数30以下(优选碳数4～18、进一步优选碳数6～10、特别优选碳数8或9)的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1种或2种以上作为成分的聚合物等。即，本发明中，丙烯酸类树脂是指也包括甲基丙烯酸类树脂的广义的意思。作为前述烷基，例如可列举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。
此外，作为用于形成前述丙烯酸树脂的其它单体(烷基的碳数为30以下的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的单体)，没有特别限定，例如可列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等这样的含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等这样的酸酐单体；(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯或(4-羟基甲基环己基)-甲基丙烯酸酯等这样的含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等这样的含磺酸基单体；2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等这样的含磷酸基单体；丙烯腈、丙烯酰吗啉等。需要说明的是，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，本发明的(甲基)全部为同样的意思。
其中，从提高半导体背面用薄膜16的耐热性的观点出发，优选由含有丙烯腈、丙烯酰吗啉等作为单体成分的材料形成的丙烯酸类树脂。
作为前述热固性树脂，除了环氧树脂、酚醛树脂以外，还可列举出氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、热固性聚酰亚胺树脂等。热固性树脂可以单独使用或组合使用2种以上。作为热固性树脂，含腐蚀半导体元件的离子性杂质等少的环氧树脂特别适宜。此外，作为环氧树脂的固化剂，可以适当地使用酚醛树脂。
作为环氧树脂，没有特别限定，例如可以使用：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、三羟苯基甲烷型环氧树脂、四酚基乙烷(Tetraphenylolethane)型环氧树脂等二官能环氧树脂、多官能环氧树脂、或乙内酰脲型环氧树脂、三缩水甘油基异氰脲酸酯型环氧树脂或缩水甘油胺型环氧树脂等环氧树脂。
作为环氧树脂，在前述例示当中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟苯基甲烷型环氧树脂、四酚基乙烷型环氧树脂。这是因为这些环氧树脂富有与作为固化剂的酚醛树脂的反应性，耐热性等优异。
进而，前述酚醛树脂是作为前述环氧树脂的固化剂起作用的物质，例如可列举出：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂；甲阶型酚醛树脂、聚对氧苯乙烯(polyoxystyrene)等聚氧苯乙烯等。酚醛树脂可以单独使用或组合使用2种以上。这些酚醛树脂当中，特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是因为能够提高半导体装置的连接可靠性。
对于环氧树脂和酚醛树脂的配混比例，例如，适宜的为，以相对于前述环氧树脂成分中的环氧基1当量，酚醛树脂中的羟基为0.5当量～2.0当量的方式进行配混。更适宜的为0.8当量～1.2当量。即，这是因为：两者的配混比例脱离前述范围时，没有进行充分的固化反应，环氧树脂固化物的特性变得容易劣化。
在本发明中，可以使用环氧树脂和酚醛树脂的热固化促进催化剂。作为热固化促进催化剂，没有特别限制，可以从公知的热固化促进催化剂中适宜选择而使用。热固化促进催化剂可以单独使用或组合使用2种以上。作为热固化促进催化剂，例如可以使用：胺系固化促进剂、磷系固化促进剂、咪唑系固化促进剂、硼系固化促进剂、磷-硼系固化促进剂等。
作为半导体背面用薄膜16，适宜的为由含有环氧树脂和酚醛树脂的树脂组合物、含有环氧树脂、酚醛树脂及丙烯酸类树脂的树脂组合物形成。这些树脂的离子性杂质少、耐热性高，因此能够确保半导体元件的可靠性。
半导体背面用薄膜16对半导体晶圆的背面(电路非形成面)有粘接性(密合性)是重要的。半导体背面用薄膜16例如可以由含有作为热固性树脂的环氧树脂的树脂组合物形成。为了使半导体背面用薄膜16预先进行一定程度的交联，在制作时，可以添加与聚合物的分子链末端的官能团等反应的多官能性化合物作为交联剂。由此，能够提高在高温下的粘接特性、实现耐热性的改善。
作为前述交联剂，没有特别限制，可以使用公知的交联剂。具体而言，例如除了异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂以外，还可列举出：尿素系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮杂环丙烷系交联剂、胺系交联剂等。作为交联剂，适宜的为异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂。此外，前述交联剂可以单独使用或组合使用2种以上。
作为前述异氰酸酯系交联剂，例如可列举出：1,2-亚乙基二异氰酸酯、1,4-亚丁基二异氰酸酯、1,6-六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯、氢化二甲苯二异氰酸酯等脂环族多异氰酸酯类；2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、亚二甲苯基二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯类等，此外，也可以使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加成物[日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名“CORONATE L”]、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加成物[日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名“CORONATE HL”]等。此外，作为前述环氧系交联剂，例如可列举出：N,N,N’,N’-四缩水甘油基-间二甲苯二胺、二缩水甘油基苯胺、1,3-双(N,N-缩水甘油基氨基甲基)环己烷、1,6-己二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、山梨糖醇聚缩水甘油醚、丙三醇聚缩水甘油醚、季戊四醇聚缩水甘油醚、聚丙三醇聚缩水甘油醚、山梨醇酐聚缩水甘油醚、三羟甲基丙烷聚缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基-三(2-羟基乙基)异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚、双酚S二缩水甘油醚、以及分子内具有2个以上环氧基的环氧系树脂等。
需要说明的是，对交联剂的用量没有特别限制，可以根据交联的程度适宜选择。具体而言，作为交联剂的用量，例如，优选的是，相对于聚合物成分(特别是具有分子链末端的官能团的聚合物)100重量份，通常为7重量份以下(例如0.05重量份～7重量份)。交联剂的用量相对于聚合物成分100重量份大于7重量份时，粘接力降低，因此不优选。需要说明的是，从聚集力提高的观点出发，交联剂的用量优选为相对于聚合物成分100重量份为0.05重量份以上。
需要说明的是，在本发明中，也可以代替使用交联剂或在使用交联剂的同时通过电子射线、紫外线等的照射实施交联处理。
半导体背面用薄膜16通常含有着色剂。由此，半导体背面用薄膜16被着色，能够发挥优异的标记性及外观性，能够制成具有付加价值的外观的半导体装置。这样，由于着色的半导体背面用薄膜具有优异的标记性，因此，能够利用印刷方法、激光标记方法等各种标记方法借助半导体背面用薄膜在半导体元件或使用该半导体元件的半导体装置的非电路面侧的面实施标记、赋予文字信息、图形信息等各种信息。特别是，通过控制着色的颜色，能够以优异的辨识性辨识通过标记赋予的信息(文字信息、图形信息等)。此外，由于半导体背面用薄膜被着色，因此能够容易地将切割带与半导体背面用薄膜区分，能够提高操作性等。进而，例如，作为半导体装置，也可以用颜色将产品分类。在使半导体背面用薄膜有色时(不是无色·透明的情况)，作为通过着色而呈现的颜色，没有特别限制，例如，优选为黑色、蓝色、红色等深色，特别适宜的为黑色。
在本实施方式中，深色基本上是指L*a*b*色度体系中规定的L*为60以下(0～60)[优选为50以下(0～50)、进一步优选为40以下(0～40)]的深的颜色。
此外，黑色基本上是指L*a*b*色度体系中规定的L*为35以下(0～35)[优选为30以下(0～30)、进一步优选为25以下(0～25)]的黑色系颜色。需要说明的是，在黑色中，L*a*b*色度体系中规定的a*、b*分别可以根据L*的值来适宜选择。作为a*、b*，例如，两者均优选为-10～10、更优选为-5～5、特别适宜为-3～3的范围(尤其是0或基本为0)。
需要说明的是，在本实施方式中，L*a*b*色度体系中规定的L*、a*、b*通过使用色彩色差计(商品名“CR-200”美能达公司制造；色彩色差计)进行测定来求出。需要说明的是，L*a*b*色度体系为国际照明委员会(CIE)在1976年推荐的颜色空间，是指被称作CIE1976(L*a*b*)色度体系的颜色空间。此外，L*a*b*色度体系在日本工业标准中由JIS Z 8729规定。
在半导体背面用薄膜16中，可以使用对应于目标颜色的着色剂。作为这样的着色剂，可以适宜地使用黑色系着色材料、蓝色系着色材料、红色系着色材料等各种深色系着色材料，特别适宜为黑色系着色材料。作为前述着色剂，颜料、染料等均可。前述着色剂可以单独使用或组合使用2种以上。需要说明的是，作为染料，酸性染料、反应染料、直接染料、分散染料、阳离子染料等任意形态的染料均可使用。此外，对颜料的形态也没有特别限制，可以从公知的颜料中适宜选择来使用。
尤其是作为前述着色剂使用染料时，在半导体背面用薄膜16中，染料通过溶解而呈均匀或基本均匀地分散的状态，因此能够容易制造着色浓度均匀或基本均匀的半导体背面用薄膜16(进而带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜10)。因此，作为前述着色剂使用染料时，能够使带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的半导体背面用薄膜的着色浓度均匀或基本均匀，能够使标记性、外观性提高。
作为黑色系着色材料，没有特别限制，例如，可以从无机的黑色系颜料、黑色系染料中适宜选择。此外，作为黑色系着色材料，也可以为将青色系着色材料(蓝绿色系着色材料)、品红色系着色材料(紫红色系着色材料)及黄色系着色材料(黄色系着色材料)混合而得到的着色材料混合物。黑色系着色材料可以单独使用或组合使用2种以上。当然。黑色系着色材料也可以与黑色以外的颜色的着色材料组合使用。
具体而言，作为黑色系着色材料，例如可列举出：炭黑(炉黑、槽法炭黑、乙炔黑、热裂炭黑、灯黑等)、石墨(graphite)、氧化铜、二氧化锰、偶氮系颜料(甲亚胺偶氮黑(azomethine azo black)等)、苯胺黑、苝黑、钛黑、花青黑、活性炭、铁氧体(非磁性铁氧体、磁性铁氧体等)、铁磁体、氧化铬、氧化铁、二硫化钼、铬络合物、复合氧化物系黑色色素、蒽醌系有机黑色色素等。
在本发明中，作为黑色系着色材料，也可以利用：C.I.溶剂黑3、同7、同22、同27、同29、同34、同43、同70、C.I.直接黑17、同19、同22、同32、同38、同51、同71、C.I.酸性黑1、同2、同24、同26、同31、同48、同52、同107、同109、同110、同119、同154、C.I.分散黑1、同3、同10、同24等黑色系染料；C.I.颜料黑1、同7等黑色系颜料等。
作为这样的黑色系着色材料，例如市售有商品名“Oil Black BY”、商品名“OilBlack BS”、商品名“OilBlack HBB”、商品名“Oil Black 803”、商品名“OilBlack 860”、商品名“Oil Black 5970”、商品名“Oil Black 5906”、商品名“OilBlack 5905”(ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD.制造)等。
作为黑色系着色材料以外的着色材料，例如可列举出：青色系着色材料、品红色系着色材料、黄色系着色材料等。作为青色系着色材料，例如可列举出：C.I.溶剂蓝25、同36、同60、同70、同93、同95；C.I.酸性蓝6、同45等青色系染料；C.I.颜料蓝1、同2、同3、同15、同15：1、同15：2、同15：3、同15：4、同15：5、同15：6、同16、同17、同17：1、同18、同22、同25、同56、同60、同63、同65、同66；C.I.还原蓝4；同60、C.I.颜料绿7等青色系颜料等。
此外，在品红色系着色材料中，作为品红色系染料，例如可列举出：C.I.溶剂红1、同3、同8、同23、同24、同25、同27、同30、同49、同52、同58、同63、同81、同82、同83、同84、同100、同109、同111、同121、同122；C.I.分散红9；C.I.溶剂紫8、同13、同14、同21、同27；C.I.分散紫1；C.I.碱性红1、同2、同9、同12、同13、同14、同15、同17、同18、同22、同23、同24、同27、同29、同32、同34、同35、同36、同37、同38、同39、同40；C.I.碱性紫1、同3、同7、同10、同14、同15、同21、同25、同26、同27、28等。
在品红色系着色材料中，作为品红色系颜料，例如可列举出：C.I.颜料红1、同2、同3、同4、同5、同6、同7、同8、同9、同10、同11、同12、同13、同14、同15、同16、同17、同18、同19、同21、同22、同23、同30、同31、同32、同37、同38、同39、同40、同41、同42、同48：1、同48：2、同48：3、同48：4、同49、同49：1、同50、同51、同52、同52：2、同53：1、同54、同55、同56、同57：1、同58、同60、同60：1、同63、同63：1、同63：2、同64、同641、同67、同68、同81、同83、同87、同88、同89、同90、同92、同101、同104、同105、同106、同108、同112、同114、同122、同123、同139、同144、同146、同147、同149、同150、同151、同163、同166、同168、同170、同171、同172、同175、同176、同177、同178、同179、同184、同185、同187、同190、同193、同202、同206、同207、同209、同219、同222、同224、同238、同245；C.I.颜料紫3、同9、同19、同23、同31、同32、同33、同36、同38、同43、同50；C.I.还原红1、同2、同10、同13、同15、同23、同29、同35等。
此外，作为黄色系着色材料，例如可列举出：C.I.溶剂黄19、同44、同77、同79、同81、同82、同93、同98、同103、同104、同112、同162等黄色系染料；C.I.颜料橙31、同43；C.I.颜料黄1、同2、同3、同4、同5、同6、同7、同10、同11、同12、同13、同14、同15、同16、同17、同23、同24、同34、同35、同37、同42、同53、同55、同65、同73、同74、同75、同81、同83、同93、同94、同95、同97、同98、同100、同101、同104、同108、同109、同110、同113、同114、同116、同117、同120、同128、同129、同133、同138、同139、同147、同150、同151、同153、同154、同155、同156、同167、同172、同173、同180、同185、同195；C.I.还原黄1、同3、同20等黄色系颜料等。
青色系着色材料、品红色系着色材料、黄色系着色材料等各种着色材料各自可以单独使用或组合使用2种以上。需要说明的是，组合使用2种以上青色系着色材料、品红色系着色材料、黄色系着色材料等各种着色材料时，作为这些着色材料的混合比例(或配混比例)，没有特别限制，可以根据各着色材料的种类、目标颜色等适宜选择。
在半导体背面用薄膜16中，可以根据需要适宜地配混其它添加剂。作为其它添加剂，例如可列举出：填充剂(填料)、阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕捉剂、以及增量剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂等。
作为前述填充剂，无机填充剂、有机填充剂均可，但适宜的为无机填充剂。通过无机填充剂等填充剂的配混，能够实现半导体背面用薄膜16的施涂、导热性的提高、弹性模量的调节等。需要说明的是，作为半导体背面用薄膜16，可以是导电性的，也可以是非导电性的。作为前述无机填充剂，例如可列举出：二氧化硅、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化硅等陶瓷类、铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯、焊锡等金属、或合金类、及由碳等形成的各种无机粉末等。填充剂可以单独使用或组合使用2种以上。作为填充剂，其中，二氧化硅、特别是熔融二氧化硅是适宜的。需要说明的是，无机填充剂的平均粒径优选在0.1μm～80μm的范围内。无机填充剂的平均粒径例如可以通过激光衍射型粒度分布测定装置来测定。
前述填充剂(特别是无机填充剂)的配混量优选相对于有机树脂成分100重量份为80重量份以下(0重量份～80重量份)，特别适宜的为0重量份～70重量份。
此外，作为前述阻燃剂，例如可列举出：三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。阻燃剂可以单独使用或组合使用2种以上。作为前述硅烷偶联剂，例如可列举出：β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。硅烷偶联剂可以单独使用或组合使用2种以上。作为前述离子捕捉剂，例如可列举出水滑石类、氢氧化铋等。离子捕捉剂可以单独使用或组合使用2种以上。
半导体背面用薄膜16例如可以利用如下惯用的方法来形成：将环氧树脂等热固性树脂、根据需要而添加的丙烯酸类树脂等热塑性树脂、根据需要而添加的溶剂、其它添加剂等混合，制备树脂组合物，形成薄膜状的层。
需要说明的是，半导体背面用薄膜16由含有环氧树脂等热固性树脂的树脂组合物形成时，对于半导体背面用薄膜16，在应用于半导体晶圆前的阶段，热固性树脂为未固化或部分固化的状态。在这种情况下，在应用于半导体晶圆后(具体而言，通常为在倒装芯片接合工序中固化封装材料时)，使半导体背面用薄膜16中的热固性树脂完全或基本完全固化。
这样，即使半导体背面用薄膜16含有热固性树脂，该热固性树脂也为未固化或部分固化的状态，因此对于半导体背面用薄膜16的凝胶率没有特别限制，例如，可以从50重量％以上的范围中适宜选择、优选为70重量％以上、特别适宜为90％重量％以上。半导体背面用薄膜的凝胶率的测定方法可以通过以下的测定方法进行测定。凝胶率为50重量％以上时，能够减少卷绕痕迹。
<凝胶率的测定方法>
从半导体背面用薄膜采样约1.0g并进行精密称量(试样的重量)，用网状片包住该样品后，在约50ml的乙醇中于室温下浸渍1周。然后，将不溶于溶剂的成分(网状片的内容物)从乙醇中取出，使其在130℃下干燥约2小时，称量干燥后的不溶于溶剂的成分(浸渍·干燥后的重量)，由下述式(a)算出凝胶率(重量％)。
凝胶率(重量％)＝[(浸渍·干燥后的重量)/(试样的重量)]×100(a)
需要说明的是，半导体背面用薄膜的凝胶率可以通过树脂成分的种类、其含量、交联剂的种类、其含量、以及加热温度、加热时间等来控制。
在本发明中，半导体背面用薄膜为由含有环氧树脂等热固性树脂的树脂组合物形成的薄膜状物时，能够有效地发挥对半导体晶圆的密合性。
半导体背面用薄膜16的未固化状态的23℃下的拉伸贮能模量优选为0.5GPa以上、更优选为0.75GPa以上、特别适宜为1GPa以上。前述拉伸贮能模量为1GPa以上时，能够减少卷绕痕迹。此外，若前述拉伸贮能模量为1Ga以上，则在将半导体芯片与半导体背面用薄膜16一起从切割带14的粘合剂层14b剥离后，将半导体背面用薄膜16载置于支撑体上进行输送等时，能够有效地抑制或防止半导体背面用薄膜粘贴于支撑体。此外，前述支撑体例如称为载带中的盖带、底带等。
半导体背面用薄膜的未固化状态的前述拉伸贮能模量(23℃)可以通过树脂成分(热塑性树脂、热固性树脂)的种类、其含量、二氧化硅填料等填充材料的种类、其含量等来控制。
需要说明的是，半导体背面用薄膜16为多个层层叠而成的层叠薄膜时(半导体背面用薄膜具有层叠的形态时)，作为其层叠形态，例如，可例示出包含晶圆粘接层(不含着色剂的层)和激光标记层(不含着色剂的层)的层叠形态等。此外，也可以在这样的晶圆粘接层和激光标记层之间设置其它层(中间层、遮光层、增强层、着色层、基材层、电磁波屏蔽层、导热层、粘合层等)。需要说明的是，晶圆粘接层为对晶圆发挥优异的密合性(粘接性)的层，是与晶圆的背面接触的层。另一方面，激光标记层为发挥优异的激光标记性的层，是在对半导体芯片的背面进行激光标记时利用的层。
此外，前述拉伸贮能模量是指，不层叠于切割带14地制作未固化状态的半导体背面用薄膜16，用Rheometrics公司制造的动态粘弹性测量装置“SolidAnalyzer RS A2”，在拉伸模式下，以样品宽度：10mm、样品长度：22.5mm、样品厚度：0.2mm，在频率：1Hz、升温速度：10℃/分钟、氮气气氛下，以规定的温度(23℃)进行测定而得到的拉伸贮能模量的值。
优选的是，半导体背面用薄膜16由隔离膜(剥离衬垫)来保护(未图示)。隔离膜具有作为直到供于实用为止保护半导体背面用薄膜的保护材料的功能。隔离膜在将半导体晶圆粘贴于半导体背面用薄膜上时被剥离。作为隔离膜，也可以使用聚乙烯、聚丙烯、利用氟系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜(聚对苯二甲酸乙二醇酯等)、纸等。需要说明的是，隔离膜可以通过以往公知的方法形成。此外，对隔离膜的厚度等也没有特别限制。
此外，对半导体背面用薄膜16的可见光(波长：400nm～800nm)的透光率(可见光透过率)没有特别限制，例如，优选为20％以下(0％～20％)的范围、更优选为10％以下(0％～10％)、特别优选为5％以下(0％～5％)。半导体背面用薄膜16的可见光透过率大于20％时，有因光线通过而给半导体元件带来不良影响的担心。此外，前述可见光透过率(％)可以通过半导体背面用薄膜16的树脂成分的种类、其含量、着色剂(颜料、染料等)的种类、其含量、无机填充材料的含量等来控制。
半导体背面用薄膜的可见光透过率(％)可以如下地测定。即，制作厚度(平均厚度)20μm的半导体背面用薄膜单体。接着，以规定的强度对半导体背面用薄膜照射波长：400nm～800nm的可见光[装置：岛津制作所制造的可见光发生装置(商品名“ABSORPTION SPECTRO PHOTOMETR”)]，测定透过的可见光的强度。进而，根据可见光透过半导体背面用薄膜前后的强度变化，可以求出可见光透过率的值。需要说明的是，也可以根据厚度不为20μm的半导体背面用薄膜的可见光透过率(％；波长：400nm～800nm)的值导出厚度：20μm的半导体背面用薄膜的可见光透过率(％；波长：400nm～800nm)。此外，虽然在本发明中求出了厚度20μm的半导体背面用薄膜的情况的可见光透过率(％)，但并不表示本发明的半导体背面用薄膜被限定为厚度20μm的膜。
此外，作为半导体背面用薄膜16，优选其吸湿率低。具体而言，前述吸湿率优选为1重量％以下、更优选为0.8重量％以下。通过使前述吸湿率为1重量％以下，能够提高激光标记性。此外，例如，在回流焊工序中，还能够抑制或防止在半导体背面用薄膜16和半导体元件之间产生空隙等。需要说明的是，前述吸湿率为根据将半导体背面用薄膜16在温度85℃、相对湿度85％RH的气氛下放置168小时前后的重量变化算出的值。半导体背面用薄膜16由含有热固性树脂的树脂组合物形成时，前述吸湿率是指热固化后的半导体背面用薄膜在温度85℃、相对湿度85％RH的气氛下放置168小时时的值。此外，前述吸湿率例如可以通过改变无机填料的添加量来调整。
此外，作为半导体背面用薄膜16，优选挥发组分的比率少。具体而言，加热处理后的半导体背面用薄膜16的重量减少率(重量减少量的比率)优选为1重量％以下、更优选为0.8重量％以下。加热处理的条件例如为加热温度250℃、加热时间1小时。通过使前述重量减少率为1重量％以下，能够提高激光标记性。此外，例如，在回流焊工序中，能够抑制或防止在倒装芯片型的半导体装置产生裂纹。前述重量减少率例如可以通过添加能减少无铅焊料回流焊时的裂纹产生的无机物来调整。需要说明的是，半导体背面用薄膜16由含有热固性树脂的树脂组合物形成时，前述重量减少率是指对热固化后的半导体背面用薄膜在加热温度250℃、加热时间1小时的条件下进行加热时的值。
对半导体背面用薄膜16的厚度没有特别限定，例如，可以从2μm～200μm左右的范围中适宜选择。进而前述厚度优选为4μm～160μm左右、更优选为6μm～100μm左右、特别优选为10μm～80μm左右。
(切割带)
切割带14是在基材14a上形成粘合剂层14b而构成的。这样，切割带14只要具有基材14a和粘合剂层14b层叠而得到的结构即可。基材(支撑基材)可以用作粘合剂层等的支撑母体。优选的是基材14a具有辐射线透过性。作为基材14a，例如可以使用：纸等纸类基材；布、无纺布、毡、网等纤维类基材；金属箔、金属板等金属类基材；塑料的薄膜、片等塑料类基材；橡胶片等橡胶类基材；发泡片等发泡体、它们的层叠体[特别是塑料系基材与其它基材的层叠体、塑料薄膜(或片)彼此的层叠体等]等的适宜的薄层体。本发明中，作为基材，可以适宜地使用塑料的薄膜、片等塑料类基材。作为这样的塑料材料的原材料，例如可列举出：聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物等烯烃系树脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物等以乙烯为单体成分的共聚物；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；丙烯酸类树脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；聚酰胺(尼龙)、全芳香族聚酰胺(芳纶)等酰胺系树脂；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素系树脂；有机硅树脂；氟树脂等。
此外，作为基材14a的材料，可列举出前述树脂的交联体等聚合物。前述塑料薄膜可以不拉伸使用，也可以根据需要使用实施了单轴或双轴的拉伸处理的塑料薄膜。根据通过拉伸处理等赋予了热收缩性的树脂片，通过在切割后使该基材14a热收缩，能够减小粘合剂层14b与晶圆背面用薄膜16的粘接面积，实现半导体芯片的回收的容易化。
对于基材14a的表面，为了提高与相邻层的密合性、保持性等，可以实施惯用的表面处理，如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、离子化辐射线处理等化学处理或物理处理；利用底涂剂(例如后述的粘合物质)的涂布处理。
基材14a可以适宜地选择同种或异种的物质来使用，可以根据需要使用多种混合而得到的物质。基材14a为单层或2种以上的多层。
对基材14a的厚度(层叠体时为总厚)没有特别限制，可以根据强度、柔软性、使用目的等适宜选择，例如，通常为1000μm以下(例如1μm～1000μm)、优选为10μm～500μm、进一步优选为20μm～300μm、特别是30μm～200μm左右，但不限定于这些。
需要说明的是，在基材14a中，可以在不损害本发明的效果等的范围含有各种添加剂(着色剂、填充剂、增塑剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂、阻燃剂等)。
粘合剂层14b由粘合剂形成，具有粘合性。作为这样的粘合剂，没有特别限制，可从公知的粘合剂中适宜选择。具体而言，作为粘合剂，例如可以从丙烯酸类粘合剂、橡胶系粘合剂、乙烯基烷基醚系粘合剂、有机硅系粘合剂、聚酯系粘合剂、聚酰胺系粘合剂、氨基甲酸酯系粘合剂、氟系粘合剂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系粘合剂、在这些粘合剂中配混融点约200℃以下的热熔融性树脂而得到的蠕变特性改良型粘合剂等公知的粘合剂(例如参见日本特开昭56-61468号公报、日本特开昭61-174857号公报、日本特开昭63-17981号公报、日本特开昭56-13040号公报等)中适宜选择具有前述特性的粘合剂来使用。此外，作为粘合剂，也可以使用辐射线固化型粘合剂(或能量射线固化型粘合剂)、热膨胀性粘合剂。粘合剂可以单独使用或组合使用2种以上。
作为前述粘合剂，可以适当地使用丙烯酸类粘合剂、橡胶系粘合剂，特别适宜的是丙烯酸类粘合剂。作为丙烯酸类粘合剂，可列举出以将(甲基)丙烯酸烷基酯的1种或2种以上用作单体成分而得到的丙烯酸系聚合物(均聚物或共聚物)为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂。
作为前述丙烯酸类粘合剂中的(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸烷基酯等。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，适宜的是烷基的碳数为4～18的(甲基)丙烯酸烷基酯。需要说明的是，(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基为直链状或支链状均可。
需要说明的是，出于内聚力、耐热性、交联性等的改性的目的，前述丙烯酸类聚合物可以根据需要含有对应于可与前述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体成分(共聚性单体成分)的单元。作为这样的共聚性单体成分，例如可列举出：(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等含酸酐基单体；(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸羟基丁酯、(甲基)丙烯酸羟基己酯、(甲基)丙烯酸羟基辛酯、(甲基)丙烯酸羟基癸酯、(甲基)丙烯酸羟基月桂酯、甲基丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基团单体；(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺等(N-取代)酰胺系单体；(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸-N,N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸缩水甘油基等含环氧基丙烯酸系单体；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯系单体；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯基酯系单体；异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃系单体；乙烯基醚等乙烯基醚系单体；N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑烷、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺类、N-乙烯基己内酰胺等含氮单体；N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体；N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体；N-(甲基)丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧代六亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-8-氧代八亚甲基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺系单体；(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸四氢糠基酯、氟(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯等具有杂环、卤原子、硅原子等的丙烯酸酯系单体；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、丁基二(甲基)丙烯酸酯、己基二(甲基)丙烯酸酯等多官能单体等。这些共聚性单体成分可以使用1种或2种以上。
作为粘合剂使用辐射线固化型粘合剂(或能量射线固化型粘合剂)时，作为辐射线固化型粘合剂(组合物)，例如，可列举出：将聚合物侧链或主链中或者主链末端具有自由基反应性碳-碳双键的聚合物用作基础聚合物的内在型的辐射线固化型粘合剂；在粘合剂中配混有紫外线固化性的单体成分、低聚物成分的辐射线固化型粘合剂等。此外，作为粘合剂使用热膨胀性粘合剂时，作为热膨胀性粘合剂，例如，可列举出含有粘合剂和发泡剂(特别是热膨胀性微球)的热膨胀性粘合剂等。
本发明中，在粘合剂层14b中，可以在不损害本发明的效果的范围内含有各种添加剂(例如增粘树脂、着色剂、增稠剂、增量剂、填充剂、增塑剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联剂等)。
作为前述交联剂，没有特别限制，可以使用公知的交联剂。具体而言，作为交联剂，可列举出：异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、以及尿素系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮杂环丙烷系交联剂、胺系交联剂等，适宜的为异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂。交联剂可以单独使用或组合使用2种以上。需要说明的是，对交联剂的用量没有特别限制。
作为前述异氰酸酯系交联剂，例如可列举出：1,2-亚乙基二异氰酸酯、1,4-亚丁基二异氰酸酯、1,6-六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯、氢化二甲苯二异氰酸酯等脂环族多异氰酸酯类；2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、亚二甲苯基二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯类等，此外，也可以使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加成物[日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名“CORONATE L”]、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加成物[日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名“CORONATE HL”]等。此外，作为前述环氧系交联剂，例如可列举出：N,N,N’,N’-四缩水甘油基-间二甲苯二胺、二缩水甘油基苯胺、1,3-双(N,N-缩水甘油基氨基甲基)环己烷、1,6-己二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、山梨糖醇聚缩水甘油醚、丙三醇聚缩水甘油醚、季戊四醇聚缩水甘油醚、聚丙三醇聚缩水甘油醚、山梨醇酐聚缩水甘油醚、三羟甲基丙烷聚缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基-三(2-羟基乙基)异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚、双酚S二缩水甘油醚、以及分子内具有2个以上环氧基的环氧系树脂等。
需要说明的是，在本发明中，也可以代替使用交联剂或在使用交联剂的同时通过电子射线、紫外线等的照射实施交联处理。
粘合剂层14b例如可以利用如下惯用的方法来形成：将粘合剂(压敏粘接剂)、根据需要而添加的溶剂、其它添加剂等混合，形成为片状的层。具体而言，例如，可以通过如下方法形成粘合剂层14b：将含有粘合剂及根据需要而添加的溶剂、其它添加剂的混合物涂布在基材14a上的方法；在适当的隔离膜(剥离纸等)上涂布前述混合物从而形成粘合剂层14b并将其转印(转移)到基材14a上的方法等。
对粘合剂层14b的厚度没有特别限制，例如为5μm～300μm(优选为5μm～200μm、进一步优选为5μm～100μm、特别优选为7μm～50μm)左右。粘合剂层14b的厚度在前述范围内时，能够发挥适度的粘合力。需要说明的是，粘合剂层14b可以为单层、多层中的任一种。
需要说明的是，作为带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13的厚度(半导体背面用薄膜的厚度和由基材14a及粘合剂层14b形成的切割带14的厚度的总厚)，例如，可以选自7μm～11300μm的范围，优选为17μm～1600μm(进一步优选为28μm～1200μm)。
需要说明的是，在带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13中，通过控制倒装芯片型半导体背面用薄膜的厚度与切割带的粘合剂层的厚度的比、倒装芯片型半导体背面用薄膜的厚度与切割带的厚度(基材和粘合剂层的总厚)的比，能够提高切割工序时的切割性、拾取工序时的拾取性等，能够在半导体晶圆的切割工序～半导体芯片的倒装芯片接合工序期间有效地利用带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13。
(隔离膜)
作为隔离膜12，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、被氟系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂表面涂布的塑料薄膜、纸等。
作为隔离膜12的厚度，优选为5～500μm、更优选为10～200μm。通过使隔离膜12的厚度为5μm以上，能够稳定的地进行带制造，通过设定为500μm以下，能够控制隔离膜剥离。
(半导体装置用薄膜的制造方法)
以图1中示出的半导体装置用薄膜为例子对本实施方式的半导体装置用薄膜的制造方法进行说明。
首先，在隔离膜12的单面的整面形成倒装芯片型半导体背面用薄膜16。具体而言，可列举出将倒装芯片型半导体背面用薄膜16形成用的树脂组合物溶液直接涂布到隔离膜12上进行干燥的方法。
接着，自倒装芯片型半导体背面用薄膜16侧形成到达隔离膜12的程度的深度的缺口Y1(未图示)。该缺口Y1的俯视的形状为与预计要贴附的半导体晶圆的形状(在图中为圆形)相对应的形状。缺口可以使用模具、刀具来形成。
接着，将倒装芯片型半导体背面用薄膜16的缺口外侧的部分剥离、去除。由此，成为多个倒装芯片型半导体背面用薄膜16在隔离膜12上隔开规定间隔地层叠的状态。
接着，从层叠有倒装芯片型半导体背面用薄膜16的面侧，以覆盖倒装芯片型半导体背面用薄膜16的方式使切割带14贴合在隔离膜12整面上。此时，以切割带14的粘合剂层14b与倒装芯片型半导体背面用薄膜16或隔离膜12为贴合面的方式来贴合。
接着，自切割带14的基材14a侧形成到达隔离膜12的程度的深度的缺口Y2(未图示)。该缺口Y2为圆形，中心与倒装芯片型半导体背面用薄膜16的中心相同，直径可以设定为与倒装芯片型半导体背面用薄膜16相同或比其大。需要说明的是，如本实施方式这样将缺口的直径设定为比倒装芯片型半导体背面用薄膜16大的情况下，可在该部分贴附切割环。缺口可以使用模具、刀具来形成。
此外，在缺口Y2的隔离膜12的宽度方向外侧沿长边形成缺口Y3(未图示)。缺口Y3自切割带14的基材14a侧形成为到达隔离膜12的程度的深度。该缺口Y3可以以配置有倒装芯片型半导体背面用薄膜16的部分的外侧部分比未配置倒装芯片型半导体背面用薄膜16的部分的外侧部分窄的方式形成。具体而言，配置有倒装芯片型半导体背面用薄膜16的部分的外侧的缺口Y3为距缺口Y2的距离恒定的圆弧状，未配置有倒装芯片型半导体背面用薄膜16的部分的外侧的缺口Y3可以为沿长边方向连接前述圆弧状部分的端部到另一个圆弧状部分的端部而成的直线。
接着，将处于缺口Y2的外侧且处于缺口Y3的内侧的切割带14从隔离膜12上剥离、去除。
通过以上操作，能够得到图1中所示的半导体装置用薄膜10。
(半导体装置的制造方法)
以下，边参照图3边对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。图3为示出使用半导体装置用薄膜10时的半导体装置的制造方法的剖视示意图。
本实施方式的半导体装置的制造方法至少包括以下工序：
将带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13从半导体装置用薄膜10上剥离的工序；
在剥离的带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13的倒装芯片型半导体背面用薄膜16上粘贴半导体晶圆24的工序；
对倒装芯片型半导体背面用薄膜16进行激光标记的工序；
切割半导体晶圆24从而形成半导体元件26的工序；
将半导体元件26与倒装芯片型半导体背面用薄膜16一起从粘合剂层14b剥离的工序；以及
将半导体元件16倒装芯片连接在被粘物28上的工序。
[剥离工序]
首先，将带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13从半导体装置用薄膜10上剥离。
[安装工序]
接着，如图3的(a)所示，在带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13的倒装芯片型半导体背面用薄膜16上粘贴半导体晶圆24，使其粘接保持并固定。此时倒装芯片型半导体背面用薄膜16处于未固化状态(包括半固化状态)。此外，带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13被粘贴在半导体晶圆24的背面。半导体晶圆24的背面是指与电路面相反侧的面(也称为非电路面、非电极形成面等)。对粘贴方法没有特别限定，优选利用压接的方法。压接通常利用压接辊等推压单元边推压边进行。
接着，为了使倒装芯片型半导体背面用薄膜16对半导体晶圆24的固定牢固，根据需要进行烘烤(加热)。该烘烤例如在80～150℃、0.1～24小时的条件下进行。
[激光标记工序]
接着，如图3的(b)所示，使用激光标记用的激光36，从切割带14侧对倒装芯片型半导体背面用薄膜16进行激光标记。作为激光标记的条件，没有特别限定，优选在强度：0.3W～2.0W的条件下对倒装芯片型半导体背面用薄膜16照射激光[波长：532nm]。此外，优选以此时的加工深度(深度)为2μm以上的方式进行照射。对前述加工深度的上限没有特别限制，例如，可以选自2μm～25μm的范围，优选为3μm以上(3μm～20μm)、更优选为5μm以上(5μm～15μm)。通过使激光标记的条件在前述数值范围内，可发挥优异的激光标记性。
需要说明的是，倒装芯片型半导体背面用薄膜16的激光加工性可以通过构成树脂成分的种类、其含量、着色剂的种类、其含量、交联剂的种类、其含量、填充材料的种类、其含量等来控制。
[切割工序]
接着，如图3的(c)所示，进行半导体晶圆24的切割。由此，将半导体晶圆24切断成规定的尺寸，进行单片化(小片化)，制造半导体芯片26。切割例如按照常规方法从半导体晶圆24的电路面侧进行。此外，在本工序中，例如，可以采用使切入进行至切割带14的被称作全切割的切断方式等。作为本工序中使用切割装置，没有特别限定，可以使用以往公知的装置。此外，半导体晶圆24被具有半导体背面用薄膜的带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13以优异的密合性粘接固定，因此在能够抑制芯片碎裂、芯片飞溅的同时，还能够抑制半导体晶圆24的破损。
需要说明的是，进行带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13的扩展时，该扩展可以使用以往公知的扩展装置进行。扩展装置具有能够借助切割环将带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13向下方按下的圆环状的外环、和直径小于外环且支撑切割带一体型半导体背面用薄膜的内环。通过该扩展工序，在后述的拾取工序中，能够抑制相邻的半导体芯片彼此接触而破损的情况。
[拾取工序]
为了回收粘接固定于带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13上的半导体芯片26，如图3的(d)所示，进行半导体芯片26的拾取，将半导体芯片26与倒装芯片型半导体背面用薄膜16一起从切割带14上剥离。作为拾取的方法，没有特别限定，可以采用以往公知的各种方法。例如，可列举出从带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜13的基材14a侧用针形件将各个半导体芯片26上顶，通过拾取装置拾取被顶起的半导体芯片26的方法等。
需要说明的是，作为构成粘合剂层14b的粘合剂使用辐射线固化型粘合剂(或能量射线固化型粘合剂)时，优选照射紫外线后进行拾取。由此，能够容易地进行拾取。特别是在前述激光标记工序中，有时在倒装芯片型半导体背面用薄膜16与粘合剂层14b的界面会产生气泡。因此，优选的是，作为构成粘合剂层14b的粘合剂使用辐射线固化型粘合剂(或能量射线固化型粘合剂)，在激光标记工序的阶段将粘合剂层14b与倒装芯片型半导体背面用薄膜16牢固地贴附，预先抑制气泡的产生，在拾取时，照射辐射线(或能量射线)，使粘合力降低，从而容易地进行拾取。需要说明的是，拾取的半导体芯片26的背面被倒装芯片型半导体背面用薄膜16保护。
[倒装芯片连接工序]
拾取的半导体芯片26如图3的(e)所示通过倒装芯片接合方式(倒装芯片安装方式)固定于基板等被粘物上。具体而言，将半导体芯片26以半导体芯片26的电路面(也称为表面、电路图案形成面、电极形成面等)与被粘物28相对的方式，通过常规方法固定于被粘物28上。例如，使在半导体芯片26的电路面侧形成的凸块51与被粘在被粘物28的连接焊盘上的接合用的导电材料(焊锡等)61接触，边按压边使导电材料熔融，由此，能够确保半导体芯片26和被粘物28的电导通，并将半导体芯片26固定于被粘物28(倒装芯片接合工序)。此时，在半导体芯片26和被粘物28之间形成空隙，该空隙间距离通常为30μm～300μm左右。需要说明的是，将半导体芯片26倒装芯片接合(倒装芯片连接)在被粘物28上后，重要的是对半导体芯片26与被粘物28的相对面、间隙进行清洗，将封装材料(封装树脂等)填充到该间隙进行封装。
作为被粘物28，可以使用引线框、电路基板(布线电路基板等)等各种基板。作为这样的基板的材质，没有特别限定，可列举出陶瓷基板、塑料基板。作为塑料基板，例如可列举出：环氧基板、双马来酰亚胺三嗪基板、聚酰亚胺基板等。
在倒装芯片接合工序中，作为凸块、导电材料的材质，没有特别限定，例如可列举出：锡-铅系金属材料、锡-银系金属材料、锡-银-铜系金属材料、锡-锌系金属材料、锡-锌-铋系金属材料等焊锡类(合金)、金系金属材料、铜系金属材料等。
需要说明的是，在倒装芯片接合工序中，使导电材料熔融，将半导体芯片26的电路面侧的凸块和被粘物28的表面的导电材料连接，作为该导电材料熔融时的温度，通常为260℃左右(例如250℃～300℃)。本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜利用环氧树脂等形成半导体背面用薄膜，由此能够制成具有即使是该倒装芯片接合工序中的高温也能耐受的耐热性的薄膜。
在本工序中，优选进行半导体芯片26与被粘物28的相对面(电极形成面)、间隙的清洗。作为该清洗中使用的清洗液，没有特别限制，例如可列举出有机系的清洗液、水系的清洗液。本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜中的半导体背面用薄膜具有对清洗液的耐溶剂性，对这些清洗液实质上没有溶解性。因此，如前所述，作为清洗液，可以使用各种清洗液，可以不需要特別的清洗液而通过以往的方法来清洗。
接着，进行用于封装倒装芯片接合的半导体芯片26和被粘物28之间的间隙的封装工序。封装工序用封装树脂进行。作为此时的封装条件，没有特别限定，通常通过在175℃下进行60秒～90秒的加热来进行封装树脂的热固化(回流焊)，但本发明不限定于此，例如可以在165℃～185℃下进行数分钟的固化。在该工序的热处理中，不仅是封装树脂，倒装芯片型半导体背面用薄膜16的倒装芯片型半导体背面用薄膜16的热固化也可以同时进行。在这种情况下，不必新追加用于使倒装芯片型半导体背面用薄膜16热固化的工序。但是，在本发明中不限定于该例子，也可以在封装树脂的热固化前，另外进行使倒装芯片型半导体背面用薄膜16热固化的工序。
作为前述封装树脂，只要是具有绝缘性的树脂(绝缘树脂)就没有特别限制，可以从公知的封装树脂等封装材料中适宜选择来使用，更优选具有弹性的绝缘树脂。作为封装树脂，例如可列举出含有环氧树脂的树脂组合物等。作为环氧树脂，可列举出前述中例示的环氧树脂等。此外，对于由含有环氧树脂的树脂组合物形成的封装树脂，作为树脂成分，除了环氧树脂以外，还可以包含环氧树脂以外的热固性树脂(酚醛树脂等)、热塑性树脂等。需要说明的是，作为酚醛树脂，也可以作为环氧树脂的固化剂来利用，作为这样的酚醛树脂，可列举出前述中例示的酚醛树脂等。
此外，在上述实施方式中，对填充液状的封装材料(封装树脂等)来封装半导体芯片26和被粘物28之间的空隙的情况进行了说明，但本发明不限定于该例子，也可以使用片状树脂组合物。对于用片状树脂组合物封装半导体芯片和被粘物之间的空隙的方法，例如可以采用日本特开2001-332520号公报等以往公知的方法。因此，省略此处的详细说明。
在上述实施方式中，对切割后使倒装芯片型半导体背面用薄膜16热固化的情况进行了说明。但是，本发明不限定于该例子，也可以在切割工序前使倒装芯片型半导体背面用薄膜16热固化。在这种情况下，即使利用该热固化的工序中的热将切割带一体型半导体背面用薄膜加热，也会抑制切割带和倒装芯片型半导体背面用薄膜之间的剥离力的上升。因此，拾取工序中的剥离不良得到抑制。
需要说明的是，在前述封装工序之后，可以根据需要进行热处理(回流焊工序)。作为该热处理条件，没有特别限定，可以根据半导体技术协会(JEDEC)规定的标准进行。例如，可以在温度(上限)为210～270℃的范围、以其时间为5～50秒的方式进行。通过该工序，能够将半导体封装体安装到基板(母板等)上。
使用本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜制造的半导体装置为以倒装芯片安装方式安装的半导体装置，因此与以芯片接合安装方式安装的半导体装置相比，呈薄型化、小型化的形状。因此，可以适当地用作各种电子设备·电子部件或它们的材料·构件。具体而言，作为利用本发明的倒装芯片安装的半导体装置的电子设备，可列举出：所谓的“移动电话”、“PHS”、小型计算机(例如所谓的“PDA”(便携信息终端)、所谓的“笔记本电脑”、所谓的“Netbook(商标)”、所谓的“可穿戴计算机”等)、“移动电话”及计算机一体化的小型的电子设备、所谓的“数字照相机(商标)”、所谓的“数字摄像机”、小型电视机、小型游戏机、小型数字音频播放器、所谓的“电子记事本”、所谓的“电子辞典”、所谓的“电子书”用电子设备终端、小型数码型手表等移动型电子设备(可携带的电子设备)等，当然，也可以为移动型以外(安装型等)的电子设备(例如所谓的“台式电脑”、薄型电视、记录·再现用电子设备(硬盘记录器、DVD播放器等)、投影仪、微型机械等)等。此外，作为电子部件或电子设备·电子部件的材料·构件，例如，可列举出所谓的“CPU”的构件、各种存储装置(所谓的“存储器”、硬盘等)的构件等。
实施例
以下，例示性地详细说明本发明适宜的实施例。但是，对于该实施例中记载的材料、配混量等，只要没有特别限定性的记载，就不表示将本发明的要旨仅限定于这些。需要说明的是，以下的份是指重量份。
<半导体背面用薄膜的制作>
相对于以丙烯酸丁酯-丙烯腈为主成分的丙烯酸酯系聚合物(商品名“SG-P3”、Nagase ChemteX Corporation制造)100份，将环氧树脂(DIC公司制造、HP-4700)53份、酚醛树脂(明和化成株式会社制造、MEH-7851H)69份、球状二氧化硅(ADMATECHS CO.,LTD.制造、SE-2050-MCV)153份、染料(ORIPAS B-35，Orient Chemical Industries Co.,Ltd.制造)7份溶解于甲乙酮，调整至浓度为23.6重量％。
将该粘接剂组合物的溶液涂布到作为剥离衬垫的由经有机硅脱模处理的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜上后，在130℃下干燥2分钟，由此制作厚度25μm的半导体背面用薄膜A。
<半导体背面用薄膜的凝胶率的测定>
从半导体背面用薄膜A采样约1.0g并进行精密称量(试样的重量)，用网状片包住该样品后，在约50ml的乙醇中于室温下浸渍1周。然后，将不溶于溶剂的组分(网状片的内容物)从乙醇中取出，使其在130℃下干燥约2小时，称量干燥后的不溶于溶剂的组分(浸渍·干燥后的重量)，由下述式(a)算出凝胶率(重量％)。其结果，凝胶率为95重量％。
凝胶率(重量％)＝[(浸渍·干燥后的重量)/(试样的重量)]×100(a)
<半导体背面用薄膜在23℃下的拉伸贮能模量的测定>
半导体背面用薄膜A的弹性模量采用以下值：不层叠切割带地制作半导体背面用薄膜A，用Rheometric公司制造的动态粘弹性测量装置“SolidAnalyzer RS A2”，在拉伸模式下，以样品宽度：10mm、样品长度：22.5mm、样品厚度：0.2mm，在频率：1Hz、升温速度：10℃/分钟、氮气气氛下、以规定的温度(23℃)进行测定而得到的拉伸贮能模量E’的值。其结果，在23℃下的拉伸贮能模量为4.1GPa。
<切割带的准备>
作为切割带A，准备日东电工株式会社制造的V-8AR。需要说明的是，V-8AR为包含厚度65μm的基材(材质：氯乙烯)和厚度10μm的粘合剂层的切割带。
<隔离膜的准备>
作为隔离膜A，准备Mitsubishi Polyester Film Corporation制造的DiafoilMRA38。需要说明的是，隔离膜A的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯，厚度为38μm。
<半导体装置用薄膜的制作>
使用隔离膜A、切割带A、及半导体背面用薄膜A，通过上述实施方式中记载的方法，制作如图1、图2所示的半导体装置用薄膜。此时，在实施例1～3和比较例1～2中，仅使A～H的尺寸不同，制成半导体装置用薄膜。各实施例、比较例中的A～H的尺寸如下。
(实施例1)
A：390mm
B：370mm
C：330mm
D：380mm
E：30mm
F：10mm
G：9.5mm
H：45mm
贴附在隔离膜A上的带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的片数：50片
(实施例2)
A：390mm
B：370mm
C：330mm
D：380mm
E：30mm
F：10mm
G：5mm
H：45mm
贴附在隔离膜A上的带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的片数：50片
(实施例3)
A：390mm
B：370mm
C：330mm
D：380mm
E：30mm
F：10mm
G：2mm
H：45mm
贴附在隔离膜A上的带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的片数：50片
(比较例1)
A：390mm
B：370mm
C：330mm
D：380mm
E：30mm
F：10mm
G：1mm
H：45mm
贴附在隔离膜A上的带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的片数：50片
(比较例2)
A：390mm
B：370mm
C：330mm
D：380mm
E：30mm
F：10mm
G：0mm
H：45mm
贴附在隔离膜A上的带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的片数：50片
(卷绕痕迹评价)
将实施例及比较例的半导体装置用薄膜卷取在直径8.9cm的卷芯上。此时施加到半导体装置用薄膜的卷取张力为15N/m。然后，在室温(25℃)下保存一周。
保存后，将自开始卷绕起计数的第1片带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜(距卷芯最近的薄膜)剥离。接着，用触针式表面形状测定仪对剥离的带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的半导体背面用薄膜所带的卷绕痕迹的最大深度进行测定。卷绕痕迹的最大深度为1μm以下时记为〇、超过1μm时记为×，进行评价。将结果示于表1。
[表1]
实施例1 实施例2 实施例3 比较例1 比较例2
卷绕痕迹的最大深度(μm) 0.6 0.6 0.7 2 2
卷绕痕迹评价 ○ ○ ○ × ×

Claims (7)

1.一种半导体装置用薄膜，其特征在于，具备：
长条的隔离膜；
多个带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜，其在所述隔离膜上隔开规定间隔地配置成1列；和
外侧片，其配置于所述带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的外侧，并且，以含盖所述隔离膜的长边的方式层叠于所述隔离膜上，其中，
所述带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜为如下结构：具有切割带、和以不超出所述切割带的方式层叠于所述切割带上的倒装芯片型半导体背面用薄膜，
所述隔离膜与所述带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜是以所述隔离膜和所述倒装芯片型半导体背面用薄膜作为贴合面来层叠的，
将所述外侧片的宽度最窄的部分的长度设为G、将所述隔离膜的长边到所述切割带的长度设为F时，所述G在所述F的0.2倍～0.95倍的范围内。
2.根据权利要求1所述的半导体装置用薄膜，其特征在于，所述G为2mm以上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置用薄膜，其特征在于，将所述隔离膜的长边到所述倒装芯片型半导体背面用薄膜的长度设为E时，所述E在所述F的1倍～5倍的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体装置用薄膜，其特征在于，所述倒装芯片型半导体背面用薄膜的厚度在5～100μm的范围内。
5.根据权利要求1所述的半导体装置用薄膜，其特征在于，所述半导体装置用薄膜被卷取成卷状。
6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
将带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜从权利要求1～5中任一项所述的半导体装置用薄膜上剥离的工序；
在剥离的所述带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的倒装芯片型半导体背面用薄膜上粘贴半导体晶圆的工序；
对所述倒装芯片型半导体背面用薄膜进行激光标记的工序；
切割所述半导体晶圆从而形成半导体元件的工序；
将所述半导体元件与所述倒装芯片型半导体背面用薄膜一起从所述粘合剂层剥离的工序；以及
将所述半导体元件倒装芯片连接在被粘物上的工序。
7.一种半导体装置，其特征在于，通过权利要求6所述的半导体装置的制造方法制造。
CN201610282698.XA 2015-04-30 2016-04-29 半导体装置用薄膜、半导体装置的制造方法、及半导体装置 Pending CN106084604A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-092992 2015-04-30
JP2015092992A JP2016213236A (ja) 2015-04-30 2015-04-30 半導体装置用フィルム、及び、半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106084604A true CN106084604A (zh) 2016-11-09

Family

ID=57205197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610282698.XA Pending CN106084604A (zh) 2015-04-30 2016-04-29 半导体装置用薄膜、半导体装置的制造方法、及半导体装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20160322251A1 (zh)
JP (1) JP2016213236A (zh)
KR (1) KR20160129753A (zh)
CN (1) CN106084604A (zh)
TW (1) TW201700675A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111629892A (zh) * 2018-01-24 2020-09-04 琳得科株式会社 长条层叠片的卷料
CN111655470A (zh) * 2018-01-24 2020-09-11 琳得科株式会社 长条层叠片及其卷料
CN112111236A (zh) * 2019-06-21 2020-12-22 琳得科株式会社 保护膜形成用复合片、及带保护膜的半导体芯片的制造方法
CN112289700A (zh) * 2020-12-08 2021-01-29 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种硅片检测方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6954067B2 (ja) * 2017-12-07 2021-10-27 昭和電工マテリアルズ株式会社 電子部品の製造方法、仮保護用樹脂ロール、及び仮保護用樹脂フィルム
JP2019151745A (ja) * 2018-03-02 2019-09-12 日東電工株式会社 剥離材付き接着シートの巻回体
TWI700347B (zh) * 2018-09-25 2020-08-01 宏凌先進科技有限公司 應用於濺鍍製程的半導體封裝遮蔽膠料及其遮蔽與濺鍍製程
TW202100686A (zh) * 2019-03-15 2021-01-01 日商琳得科股份有限公司 附支撐片的膜狀燒成材料、輥體、積層體、以及裝置之製造方法
US11538787B2 (en) * 2020-10-30 2022-12-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method and system for manufacturing a semiconductor package structure

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007288170A (ja) * 2006-03-20 2007-11-01 Hitachi Chem Co Ltd ダイボンドダイシングシート
CN102146265A (zh) * 2009-12-24 2011-08-10 日东电工株式会社 半导体背面用切割带集成膜
US20120025404A1 (en) * 2010-07-28 2012-02-02 Nitto Denko Corporation Film for flip chip type semiconductor back surface
JP2014135337A (ja) * 2013-01-09 2014-07-24 Lintec Corp 半導体ウエハ加工用シートおよびその製造方法
CN104054161A (zh) * 2012-01-18 2014-09-17 日东电工株式会社 倒装芯片型半导体装置的制造方法
WO2014157426A1 (ja) * 2013-03-27 2014-10-02 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5456440B2 (ja) 2009-01-30 2014-03-26 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルム
CN109620830A (zh) * 2011-05-16 2019-04-16 建新公司 使用甲氨蝶呤诱导免疫耐受性
CN104685609B (zh) * 2012-10-05 2018-06-08 琳得科株式会社 带有保护膜形成层的切片及芯片的制造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007288170A (ja) * 2006-03-20 2007-11-01 Hitachi Chem Co Ltd ダイボンドダイシングシート
CN102146265A (zh) * 2009-12-24 2011-08-10 日东电工株式会社 半导体背面用切割带集成膜
US20120025404A1 (en) * 2010-07-28 2012-02-02 Nitto Denko Corporation Film for flip chip type semiconductor back surface
CN104054161A (zh) * 2012-01-18 2014-09-17 日东电工株式会社 倒装芯片型半导体装置的制造方法
JP2014135337A (ja) * 2013-01-09 2014-07-24 Lintec Corp 半導体ウエハ加工用シートおよびその製造方法
WO2014157426A1 (ja) * 2013-03-27 2014-10-02 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111629892A (zh) * 2018-01-24 2020-09-04 琳得科株式会社 长条层叠片的卷料
CN111655470A (zh) * 2018-01-24 2020-09-11 琳得科株式会社 长条层叠片及其卷料
CN112111236A (zh) * 2019-06-21 2020-12-22 琳得科株式会社 保护膜形成用复合片、及带保护膜的半导体芯片的制造方法
CN112111236B (zh) * 2019-06-21 2023-10-10 琳得科株式会社 保护膜形成用复合片、及带保护膜的半导体芯片的制造方法
CN112289700A (zh) * 2020-12-08 2021-01-29 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种硅片检测方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201700675A (zh) 2017-01-01
JP2016213236A (ja) 2016-12-15
KR20160129753A (ko) 2016-11-09
US20160322251A1 (en) 2016-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101794724B (zh) 切割带集成晶片背面保护膜
CN106084604A (zh) 半导体装置用薄膜、半导体装置的制造方法、及半导体装置
CN106206396B (zh) 半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法
CN105666976B (zh) 半导体背面用切割带集成膜在激光标识中的应用
CN102876245B (zh) 半导体装置用粘接膜及切割带一体型半导体背面用膜
CN102373019B (zh) 半导体背面用切割带集成膜及用于生产半导体器件的方法
CN105153954B (zh) 倒装芯片型半导体背面用膜及其用途
CN104465515B (zh) 切割带集成晶片背面保护膜
CN101901775B (zh) 半导体背面用切割带集成膜
CN102376616B (zh) 倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件
CN101794722B (zh) 切割带集成晶片背面保护膜
CN102347263B (zh) 半导体背面用切割带集成膜和生产半导体器件的方法
CN102947930B (zh) 倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件
CN106057722B (zh) 倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜
CN105086863A (zh) 切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法
CN105086865A (zh) 切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法
CN102146265B (zh) 半导体背面用切割带集成膜
CN106206375A (zh) 半导体背面用薄膜及其用途
CN105047597B (zh) 半导体背面用切割带集成膜
CN104054161A (zh) 倒装芯片型半导体装置的制造方法
CN107665853A (zh) 切割带一体型半导体背面用薄膜、和半导体装置的制造方法
CN102376611B (zh) 半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、用于生产半导体器件的方法和半导体器件
CN101924055A (zh) 半导体背面用切割带集成膜
CN102376615B (zh) 倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20161109

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication