CN102819086B - 透镜促动器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种透镜促动器,将连接可动单元的保持架和基体的引线的直径设为30μm以上低于70μm,将引线的纵弹性率设为100GPa以上低于500GPa。即使多个OIS线圈中流过的电流较小引线也具有可挠性,因此能够得到适用于省电化的透镜促动器。
Description
技术领域
本发明主要涉及在照相机、便携电话等中用到的透镜促动器。
背景技术
近年来,提出了在照相机、便携电话等中使用具备抖动修正机构的透镜促动器。所谓抖动修正机构是为了抑制因摄影时的手抖等引起的影像或图像的紊乱而以机械方式抑制透镜振动的机构。
利用图5和图6说明现有的透镜促动器。
图5是现有的透镜促动器20的立体剖视图。图6是透镜促动器20的分解立体图。
透镜促动器20具备:可动单元1、四个线圈保持体2A~2D、下盖3、四根引线4、上盖5。透镜促动器20中,当产生手抖等时可动单元1进行摇动从而抑制影像或图像的紊乱。
可动单元1具备:磁石保持架11、透镜在内部上下移动的自动聚焦单元12、摄像体13。
八个磁石14在自动聚焦单元12的内部排列成上下两级进行固定。比磁石14略大的四个磁石15被固定在磁石保持架11的前后左右的外侧面。
自动聚焦单元12具备固定透镜的圆孔12A,收纳在磁石保持架11的内侧。AF(Auto Focus)线圈16在自动聚焦单元12的内部配置在与磁石14相对的位置。
在可动单元1中,磁石14与AF线圈16之间因流经AF线圈16的电流而产生电磁力,透镜可在自动聚焦单元12的内部上下移动。
在摄像体13的上面配置摄像元件17。摄像元件17是CCD(ChargeCoupled Device)图像传感器或CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor)图像传感器等的半导体元件。
摄像元件17配置在圆孔12A的中心下方。通过使透镜在上下方向移动,能够进行使摄像元件17所拍摄的影像或图像自动对焦的自动聚焦控制。
引线4的一端连接于下盖3的四角,另一端连接于可动单元1的磁石保持架11的上面的四角。引线4在下盖3上以可摇动的方式保持可动单元1。
再者,引线4一般使用直径为70μm以上不足110μm的金属线,可动单元1随着引线4的变形而摇动。此外,引线4的材料可适用铍青铜或磷青铜。
线圈保持体2A~2D配置在可动单元1的前后左右。OIS(Optical ImageStabilization)线圈18以与磁石15相对的状态配置。
在透镜促动器20中产出手抖等的抖动时,OIS线圈18中流过电流。OIS线圈18与磁石15之间产生的电磁力使可动单元1摇动。
通过使可动单元1摇动,来进行对由摄像元件17拍摄的影像或图像的抖动进行修正的抖动修正控制。
发明内容
优选的方式中的透镜促动器具备连接保持架和基体的多个引线,将引线的直径设为30μm以上低于70μm,将引线的纵弹性率设为100GPa以上低于500GPa。由此,即使流经OIS线圈的电流较小引线也会弯曲,因此能够提供可省电的透镜促动器。
附图说明
图1是实施方式1中的透镜促动器的剖视图。
图2是实施方式1中的透镜促动器的分解立体图。
图3是实施方式1中的透镜促动器的部分立体图。
图4是实施方式1的透镜促动器中使用的可动单元的分解立体图。
图5是现有的透镜促动器的立体剖视图。
图6是现有的透镜促动器的分解立体图。
具体实施方式
(实施方式1)
图1是实施方式1中的透镜促动器70的剖视图。图2是透镜促动器70的分解立体图。图3是从透镜促动器70中拆除了上盖36、挠性印刷布线板35之后的部分立体图。
透镜促动器70具备:可动单元31、与可动单元31相对地至少在二个方向上配置的多个OIS(Optical Image Stabilization)线圈52A及52D、固定OIS线圈52A及52D的基体51、连接可动单元31和基体51的多个引线34A及34B。
托架45因在AF(Auto Focus)线圈46A与磁石48A之间产生的电磁力而在光轴方向上移动,可动单元31因在OIS线圈52A及52D与磁石48A及48D之间产生的电磁力而在垂直于光轴方向的方向上移动,引线34A及34B的直径为30μm以上低于70μm,引线34A及34B的纵弹性率为100GPa以上低于500GPa。
此外,可动单元31具备:以保持透镜的方式构成的托架45、以透镜的光轴方向为中心来卷绕于托架45而配置的AF线圈46A、在与光轴方向垂直的方向上相对AF线圈46A进行配置的磁石48A、固定磁石48A~48D的保持架。
由此,因为即便OIS线圈中流过的电流较小但引线也会弯曲,所以能够提供省电的透镜促动器。
透镜促动器70具备:可动单元31、线圈单元32、下盖33、引线34A~34D、挠性印刷布线板35、上盖36。
透镜促动器70中,例如与透镜保持面平行的左右方向(Y轴方向)的宽度为5mm~20mm,与透镜保持面平行的前后方向(X轴方向)的纵深为5mm~20mm,与透镜保持面垂直的上下方向(Z轴方向)的高度为2mm~10mm,左右方向的宽度和前后方向的纵深是大致相同的尺寸。
首先,从可动单元31的结构开始说明。图4表示可动单元31的部分分解立体图。
如图1及图4所示,可动单元31具备:透镜保持架41、磁石保持架42、下弹簧43和上弹簧44。
透镜保持架41具备:托架45、在托架45的外周配置成上下两级的AF线圈46A及46B。
托架45是在中央具备圆孔45A的方形筒状,将玻璃中加入了聚碳酸酯等的绝缘树脂作为材料。圆孔45A的直径既可以是固定的,也可以是变化的。还可以在圆孔45A的内侧具备用于固定透镜的螺纹等。
AF线圈46A及46B,是线直径Φ40μm~Φ60μm的漆包线等的线圈线以圆孔45A的中心轴方向作为轴来卷绕于托架45而形成的。
磁石保持架42具备保持架47、磁石48A~48D、磁石49A~49D。
保持架47是在中央具有角孔47A的方形筒状,以玻璃中加入聚碳酸酯等的绝缘树脂作为材料。向四方伸出的保持架侧凸缘部47B设置在保持架47的底面侧,成为略V字状的槽的保持架侧卡合部47C被设置在保持架侧凸缘部47B。
对于长方体形状且稍大型的磁石48A~48D、同样为长方体形状且稍小型的磁石49A~49D,配置在保持架47的前后左右方向的侧面,磁石48A~48D配置在上方,磁石49A~49D空出规定的间隔配置在下方,由接合剂(未图示)等进行固定。
磁石48A~48D和磁石49A~49D的各自的内侧面侧的磁极被磁化成彼此不同的磁极,各自的外侧面侧的磁极也被磁化成彼此不同的磁极。例如,磁石48A~48D的内侧面被S极磁化,磁石49A~49D的内侧面被N极磁化。伴随于此,磁石48A~48D的外侧面被N极磁化,磁石49A~49D的外侧面被S极磁化。
按照使在上下方向配置的磁石48A~48D和磁石49A~49D的内侧面的磁极彼此不同的方式来进行磁化。此外,按照使磁石48A~48D和磁石49A~49D的外侧面的磁极彼此不同的方式进行磁化。因此,磁场的辐射方向被整流,能够产生更强的磁场。
磁石48A~48D、磁石49A~49D是以钕、铁、硼作为主成分的稀土类磁石即钕磁石等。尽管也可以是钕磁石以外的磁石,但由于钕磁石的磁力较大,因此能够降低流经AF线圈46A、46B的电流,在省电方面是有利的。优选使用钕磁石的保持力为500kA/m~3000kA/m、残留磁通密度为1.3~1.5T的磁石。
由于磁石48A~48D的内侧面被S极磁化,磁石49A~49D的内侧面被N极磁化,因此在各磁石48A~48D之间、磁石49A~49D之间,彼此引起斥力。为了与斥力对抗,优选在保持架47中,在磁石48A~48D、磁石49A~49D的外侧设置与磁石48A~48D、磁石49A~49D相接的侧壁。
在保持架47的角孔47A中收纳透镜保持架41。AF线圈46A及46B分别与磁石48A~48D及磁石49A~49D相对。
在可动单元31中,因AF线圈46A及46B中流经电流,由此在AF线圈46A与磁石48A~48D之间、及AF线圈46B与磁石49A~49D之间产生电磁力。电磁力可使透镜保持架41相对于磁石保持架42在上下方向移动。
下弹簧43,是外周部43A和内周部43B以弯曲状的多个弹簧部43C连接的导电金属制的板簧。上弹簧44是外周部44A和内周部44B以弯曲状的多个弹簧部44C连接的导电金属制的板簧。
外周部43A和外周部44A被固定在磁石保持架42,内周部43B和内周部44B被固定在透镜保持架41。在AF线圈46A及46B中没有电流流过的情况下,透镜保持架41相对于磁石保持架42能恢复至规定位置。
当AF线圈46A及46B中流过电流时,透镜保持架41相对于磁石保持架42可在上下方向移动。并且,由于施加于透镜保持架41的重力和下弹簧43以及上弹簧44的弹簧力与电磁力之间的平衡,使得透镜保持架41停止。在AF线圈46A及46B中没有电流流过的情况下,透镜保持架41相对于磁石保持架42恢复至规定位置。
接下来,利用图1~图3说明可动单元31以外的构成要素。
线圈单元32具备基体51、OIS线圈52A~52D。基体51是在中央具备角孔51A的方形筒状,以绝缘树脂等作为材料。基体51在前后左右的侧壁具有T字状的槽51B,在上面具有向四方突出的多个基体侧凸缘部51C。在基体侧凸缘部51C分别设置孔51D。
OIS线圈52A~52D,通过接合剂(未图示)等固定在槽51B的上半部分。OIS线圈52A~52D,是线直径Φ40μm~Φ60μm的线圈线以前后方向或者左右方向为轴进行卷绕而形成的。作为形成OIS线圈52A~52D的线圈线,优选聚亚胺酯铜线、聚酯铜线、聚酰胺系铜线等的漆包线。
OIS线圈52A~52D的固定方法包括:例如形成树脂制的线轴并且在线轴的周围直接卷绕一根线圈线的方法、在形成空芯线圈之后利用接合剂等将其安装于基体51的方法。从小型化的方面考虑优选形成空芯线圈的方案。优选使用自熔接的漆包线、通过热风或者酒精使线圈线彼此熔接使形状稳定的方式。
作为OIS线圈52A~52D,可采用印刷线圈。所谓印刷线圈是通过进行制膜及图案化来形成的线圈。
制膜包括蒸镀、溅射、离子镀覆、无电解镀覆、电解镀覆等的形成方法。
图案化例如包括组合了基于光刻的掩膜形成和蚀刻的形成方法。铜薄膜上通过光刻形成掩膜并进行了电解镀覆之后,通过蚀刻等除去图案以外的部分的铜。蚀刻既可以是干法蚀刻,也可以是湿法蚀刻。
在制作印刷线圈时,也可以在制作铜薄膜并进行了图案化之后再进行电解镀覆。
印刷线圈可以形成在印刷基板上,在该情况下,由于在组装时印刷线圈不会变形,因此可提高组装性。
引线34A~34D是导电金属制的引线。引线34A~34D也被称为悬置线。可动单元31收纳在基体51的角孔51A中。引线34A~34D的上端卡合于基体51的孔51D,下端卡合于保持架47的保持架侧卡合部47C。按照磁石48A~48D与OIS线圈52A~52D相对的状态,可动单元31被收纳在基体51的角孔51A中。
可动单元31经由引线34A~34D与线圈单元32连接。可动单元31被引线34A~34D保持,在线圈单元32内在前后左右能够维持水平的同时移动。
磁石48A~48D的外周部与OIS线圈52A~52D相对。当OIS线圈52A~52D中流过电流时,可动单元31因磁石48A~48D与OIS线圈52A~52D之间产生的电磁力而在线圈单元32内移动。
挠性印刷布线板35,在端面配备具有多个端子的连接器61,其具有柔软性。在挠性印刷布线板35的内部配置多个布线(未图示)。挠性印刷布线板35以立体形式被弯折多次,沿着基体51的四方的侧面及上面弯曲。两个磁场检测元件62A及62B配置在挠性印刷布线板35的两个内侧面。这两个侧面与基体51的内侧面相接。
磁场检测元件62A及62B是例如利用霍尔效应来检测磁场强度的霍尔元件。当磁石49B接近磁场检测元件62A或者磁石49C接近磁场检测元件62B时,由各自的磁场检测元件62A或者62B所检测的磁场变强。当磁石49B远离磁场检测元件62A或者磁石49C远离磁场检测元件62B时,由各自的磁场检测元件62A或者62B所检测的磁场变弱。
在可动单元31在线圈单元32内移动时,磁场检测元件62B检测可动单元31的前后方向的位置,磁场检测元件62A检测可动单元31的左右方向的位置。
AF线圈46A及46B经由下弹簧43、上弹簧44、引线34A~34D等与设置于挠性印刷布线板35的连接器61的端子电导通。构成OIS线圈52A~52D的线圈线的端部与挠性印刷布线板35连接,从而设置于挠性印刷布线板35的连接器61的端子与OIS线圈52A~52D电导通。再者,OIS线圈52A与52C、或者52B与52D也可以在彼此串联连接的状态下,被连接成与设置在挠性布线板35的连接器61的端子电导通。
AF线圈46A及46B、OIS线圈52A~52D都经由设置于连接器61的端子流过电流。
下盖33是在中央配备圆孔33A的、例如由铝、锌白铜等的非磁性材料形成的金属板,下盖33通过接合剂(未图示)等固定在基体51的下面。
上盖36在中央配备圆孔36A,由铝、锌白铜等的非磁性材料形成为下面开放的方形。在上盖36与下盖33之间,收纳可动单元31、线圈单元32、引线34A~34D、挠性印刷布线板35。上盖36通过熔接等固定于下盖33。圆孔36A、圆孔45A、圆孔33A连通,从透镜促动器70的上面至下面形成贯通孔。
由于上盖36和下盖33都由非磁性材料形成,因此抑制了对AF线圈46A与磁石48A~48D之间、AF线圈46B与磁石49A~49D之间、或者OIS线圈52A~52D与磁石48A~48D及磁石49A~49D之间产生的电磁力带来的影响。因此,能够使透镜促动器70稳定地工作。
在这样构成的透镜促动器70的、透镜保持架41的圆孔45A中保持透镜(未图示),在下方配置CCD图像传感器、CMOS图像传感器等摄像元件(未图示),安装于照相机、便携电话等的电子设备。
AF线圈46A及46B、OIS线圈52A~52D经由连接器61的端子等与设备的电路(未图示)连接。
当对例如电子设备的快门用的按钮(未图示)进行轻轻的按压操作时,从电路施加电压从而在AF线圈46A及46B中流过电流,在透镜保持架41及透镜保持架41的圆孔45A中所保持的透镜在上下方向移动,进行自动聚焦控制,自动地进行影像或者图像的对焦。
此外,在进一步对快门用的按钮进行押压操作来进行摄影时,发生了手抖等的情况下,电路由在电子设备内另行设置的角速度传感器(未图示)等来检测振动。电路控制在OIS线圈52A~52D中流过的电流,来使可动单元31在前后或者左右方向移动,以进行抖动修正控制。
为了电子设备的薄型化,优选透镜促动器70的高度为4mm以下。优选引线34A~34D的长度为2.5mm以上3.2mm以下。引线34A~34D的长度上限受透镜促动器70的高度限制。引线34A~34D的长度下限受到对因下落引起的冲击的耐性所限制。这是因为:当引线34A~34D过短时,为了实现希望的弹簧常数而减小直径,承受不住因下落引起的冲击。
从弹簧特性(滞后性、耐久性、强度等)的观点考虑,优选引线34A~34D的材料为铜合金或者钨或者钨合金。优选在通过引线34A~34D进行供电时导电率大的铜合金。作为钨的化合物,存在掺杂钨(掺杂了氧化钾等的钨)、铼钨(铼和钨的合金)等。
在使用铜合金时,从弹簧特性的观点考虑,优选铜、磷青铜、铍青铜、含有铜、镍以及锡的铜合金(CuNiSn合金)。从下落强度的观点出发,优选铍青铜、或者CuNiSn合金。
与铜合金的抗拉强度相比,钨或钨的化合物的抗拉强度约为2倍以上的值。作为引线34A~34D的材料使用钨或钨的化合物的情况下,能够提高透镜促动器70的下落时的强度。
无论使用铜合金、钨或钨的化合物的哪一个,为了减小在对引线34A~34D通电时的电阻,可以对引线34A~34D的表面进行银或铜的镀覆。
无论使用铜合金、钨或钨的化合物的哪一个,都优选该引线34A~34D的纵弹性率为100GPa以上低于500GPa。
从引线34A~34D的加工性的观点考虑,优选引线34A~34D的材料为铜合金,优选此时的引线34A~34D的纵弹性率为100GPa以上低于150GPa。使用铍青铜或者CuNiSn合金时的纵弹性率大致为110GPa以上低于140GPa。
在引线34A~34D的材料中使用钨或者钨的化合物时,优选其纵弹性率为350GPa以上低于500GPa。进一步优选纵弹性率在350GPa~450GPa的范围内。
以下,说明引线34A~34D的直径的范围。
由引线34A~34D的直径来决定引线34A~34D的弹簧常数。由四根引线34A~34D支撑可动单元31时的合计弹簧常数的值,优选包含在根据以下理由决定的范围内。
根据引线34A~34D的弹簧常数和可动单元31的质量来确定透镜促动器70的共振频率。在此,为了正确地进行抖动修正控制,优选共振频率为50Hz以上,根据该观点确定弹簧常数的下限。另一方面,弹簧常数的上限根据用于进行抖动修正控制的可动单元31的移动量来确定。
可动单元31的重量包含在大致0.3g以上0.7g以下的范围中。用于进行抖动修正控制的可动单元31的移动量,由进行抖动修正控制的補正角度和焦距来决定。在焦距为6mm以下、補正角度为±0.5°以上的情况下,可动单元31的移动量约为60μm以上。
在上述条件中,用于为了正确地进行抖动修正控制使共振频率为50Hz以上、使可动单元31的移动量为60μm以上的、引线34A~34D的直径的合适值,在使用铜合金的情况下和使用钨或者钨的化合物的情况下略有不同。
在使用铜合金的情况下,引线34A~34D的直径为40μm以上低于70μm较合适。从加工性的观点出发,进一步优选引线34A~34D的直径为50μm以上低于70μm。在假设进行运动图像摄影等而为了增大抖动修正控制的效果将可动单元31的移动量设定为80μm以上时,优选引线34A~34D的直径为66μm以下。
由于可动单元31具备磁石48A~48D、磁石49A~49D,因此其重量大致为0.5g以上。如果是该重量,则优选引线34A~34D的直径为68μm以下。
在可动单元31的重量为0.5g以上从而将可动单元31的移动量设定为80μm以上的情况下,优选引线34A~34D的直径为62μm以下。
在上述中说明了引线34A~34D的根数为四根的情况,但是在引线的根数多于四根的情况下,优选直径是小于上述范围的值。特别是以八根引线进行支撑的情况下,优选引线直径包含在61μm以下的范围内。
另一方面,在使用钨或者钨的化合物的情况下,引线34A~34D的直径为30μm以上低于60μm较合适。从加工性的观点考虑,进一步优选40μm以上低于60μm。
如上述,通过选择引线34A~34D的直径,作为在便携电话等的电子设备上搭载的照相机的透镜促动器70,能处于更为合适的状态。
在搭载于电子设备的照相机的透镜促动器70中,当透镜出现倾斜时,在端部由于焦点虚化的现象而产生画质劣化。一般,在需要抖动修正控制的例如8M像素以上的高清照相机中,优选将透镜倾斜抑制在约0.25°以内。
假设在透镜促动器70中,如果引线34A~34D以外的部分是完全的刚体,则在包含透镜的可动单元31在与引线34A~34D正交的方向上移动时,透镜几乎不会发生倾斜。
但是,为了确保下落强度,实际中引线34A~34D的端部所连接的可动单元31、线圈单元32具有弹性。作为使引线34A~34D的端部所连接的部分具有弹性的构造的例子,考虑在下弹簧43或者上弹簧44的四角设置突起部并在该突起部连接引线的构造。当引线34A~34D的端部所连接的可动单元31、线圈单元32具有弹性时,因进行抖动修正控制的驱动力、使照相机倾斜时受到的重力等所产生的旋转方向的力的力矩,透镜会产生倾斜。
透镜的倾斜也会因部件的尺寸偏差、组装偏差而产生。因此,为了使透镜的倾斜总和在约0.25°以下,优选使因旋转方向的力的力矩而产生的透镜的倾斜在0.05°以内。
引线34A~34D的直径按照可抑制该透镜的倾斜的方式来确定。为了减小透镜的倾斜,优选在可动单元31移动时的上下方向、即光轴方向的弹簧常数大,与其相比向垂直于光轴方向的前后左右方向的弹簧常数小。
追加了因进行手抖动修正的驱动力或者使照相机倾斜时所施加的重力等而产生的旋转方向的力的力矩、或者部件的尺寸偏差和组装偏差,来选择引线34A~34D的直径。
引线34A~34D的连接位置并不限于上述位置,也可以构成为引线34A~34D的上端连接于可动单元31,引线34A~34D的下端连接于线圈单元32。
OIS线圈并不限于与磁石48A~48D的侧面相对的位置,也可以在与磁石48A~48D的上面或者下面相对的位置配置OIS线圈。
例示了可动单元31具备磁石48A~48D及49A~49D,基体51具备OIS线圈52A~52D的结构,但也可以构成为磁石配置于基体51、OIS线圈配置于可动单元31的结构。
由透镜促动器70拍摄的影像或者图像既可以是静止图像也可以是运动图像。
磁石48A~48D、49A~49D也可以配置在上盖36的四角。磁石并不限于上下两级的结构,也可以是例如不具有磁石49A~49D的一级的结构、或者三段以上的结构。此外,也可以构成为以环状的一个磁石围绕第1线圈46A。
磁场检测元件62A、62B可以配置在与任意的磁石48A~48D、49A~49D的上面或下面相对的位置。
检测可动单元31的位置的单元,也可以采用利用红外线反射的光反射器等磁场检测以外的方法。
引线的根数并不限于四根,三根以上即可。
自动聚焦机构也可以不具有AF线圈46A、46B、磁石48A~48D。例如自动聚焦机构可以具有形状记忆合金、或压电元件、或者静电促动器。
此外,抖动修正机构也可以不具有OIS线圈52A~52D和磁石48A~48D。例如抖动修正机构具有形状记忆合金、或压电元件、或者静电促动器。
Claims (6)
1.一种透镜促动器,具备:
可动单元,其具有构成为保持透镜的托架、以所述透镜的光轴方向为中心卷绕于所述托架进行配置的AF线圈、在与所述光轴方向垂直的方向上与所述AF线圈相对地配置的磁石、固定所述磁石的保持架;
多个OIS线圈,其在与所述光轴方向垂直的方向上与所述可动单元相对地被在至少两个方向上配置;
基体,其固定所述OIS线圈;和
多个引线,其连接所述可动单元和所述基体,
所述托架因在所述AF线圈与所述磁石之间产生的电磁力而在所述光轴方向上移动,所述可动单元因在所述OIS线圈与所述磁石之间产生的电磁力而在与所述光轴方向垂直的方向上移动,
所述引线的直径为30μm以上低于70μm,所述引线的纵弹性率为100GPa以上低于500GPa。
2.根据权利要求1所述的透镜促动器,其中,
所述引线的材料包含钨或钨的化合物,所述引线的直径为30μm以上低于60μm,所述引线的纵弹性率为350GPa以上低于500GPa。
3.根据权利要求1所述的透镜促动器,其中,
所述引线的材料为铜合金,所述引线的直径为40μm以上低于70μm,所述引线的纵弹性率为100GPa以上低于150GPa。
4.一种透镜促动器,具备:
可动单元,其具有构成为保持透镜的托架、以所述透镜的光轴方向为中心卷绕于所述托架进行配置的AF线圈、在所述AF线圈的外侧在与所述光轴方向垂直的至少两个方向上配置的多个OIS线圈、固定所述OIS线圈的保持架;
磁石,其在与所述光轴方向垂直的方向上与所述可动单元相对地配置;
基体,其固定所述磁石;和
多个引线,其连接所述可动单元和所述基体,
所述托架因在所述AF线圈与所述磁石之间产生的电磁力而在所述光轴方向上移动,所述可动单元因在所述OIS线圈与所述磁石之间产生的电磁力而在与所述光轴方向垂直的方向上移动,
所述引线的直径为30μm以上低于70μm,所述引线的纵弹性率为100GPa以上低于500GPa。
5.根据权利要求4所述的透镜促动器,其中,
所述引线的材料包含钨或钨的化合物,所述引线的直径为30μm以上低于60μm,所述引线的纵弹性率为350GPa以上低于500GPa。
6.根据权利要求4所述的透镜促动器,其中,
所述引线的材料为铜合金,所述引线的直径为40μm以上低于70μm,所述引线的纵弹性率为100GPa以上低于150GPa。
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