CN102751432A - 包括uv发光二极管的发光器件封装 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种包括UV发光二极管的发光器件封装，其包括陶瓷本体、紫外线发光二极管、支撑构件和玻璃膜。所述陶瓷本体限定了腔体。所述紫外线发光二极管布置在所述腔体内。所述支撑构件布置在所述本体上，并且包围所述腔体。所述玻璃膜接合至所述支撑构件并且覆盖所述腔体。由于该发光器件封装包括陶瓷本体以有效地散热，并且玻璃膜直接附着至陶瓷本体以减少组件数量，从而简化了该发光器件封装的制造工艺，并减小了其制造成本。

Description

包括UV发光二极管的发光器件封装
相关申请的交叉引用
本申请要求于2011年4月20日递交、申请号为10-2011-0036931的韩国专利申请的优先权，其通过引用而被整体并入于此。
技术领域
本公开内容涉及一种包括紫外线发光二极管的发光器件封装。
背景技术
通过使用化合物半导体材料，例如基于GaAs的材料、基于AlGaAs的材料、基于GaN的材料、基于InGaN的材料以及基于InGaAlP的材料等，发光二极管(LED)可以构成发光源。
这种发光二极管被封装为发出各种颜色光束的发光器件封装。发光器件封装用作用于显示多种颜色的各种领域的光源，例如，照明显示(lightingdisplay)、字符显示以及图像显示。
特别地，紫外线(UV)LED发出波长范围从大约245nm到405nm的射线。在这些射线中，短波长的射线具有灭菌和净化功能，而长波长的射线可以用在曝光装置或固化装置中。
然而，UV LED在发光的同时产生大量的热，这造成了缺陷并且降低了运行可靠性。此外，当增大UV LED的封装尺寸以改善散热效率时，对集成效率和经济效率造成了不利影响。
发明内容
实施例提供一种具有改进结构的发光器件封装。
实施例提供了一种具有适当散热效率并且与各种器件兼容(而无论是何种波长)的紫外线发光器件封装。
在一个实施例中，一种发光器件封装包括陶瓷本体、紫外线发光二极管、支撑构件和玻璃膜。所述陶瓷本体限定了腔体。所述紫外线发光二极管布置在所述腔体内。所述支撑构件布置在所述本体上，并且包围所述腔体。所述玻璃膜接合至所述支撑构件，并且覆盖所述腔体。
在附图和以下的描述中阐释了一个或多个实施例的细节。从说明书和附图以及权利要求中，其他的特征将变得清晰。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的透视图。
图2是沿着图1的线I-I’截取的剖视图。
图3是示出图1的发光二极管的剖视图。
图4是沿着图1的线II-II’截取的剖视图。
图5的a和b是示出由图4的虚线圈所限定部分的例子的透视图。
图6是示出根据第二实施例的发光器件封装的剖视图。
图7是示出根据第三实施例的发光器件封装的剖视图。
图8是示出根据第四实施例的发光器件封装的剖视图。
图9是示出根据第五实施例的发光器件封装的剖视图。
图10是示出根据第六实施例的发光器件封装的剖视图。
图11是示出根据第七实施例的发光器件封装的透视图。
具体实施方式
以下，以使得本发明所属领域的普通技术人员可以容易地实现本发明技术理念的方式，将参照附图详细描述本发明的优选实施例。然而，本公开内容可以以不同形式具体实现，并且不应当被理解为限于本文所列出的实施例。
在该说明书中，当描述包括(或包含或具有)一些元件时，应当被理解为可以只包括(或包含或具有)这些元件，或者如果没有特别限定则可以包括(或包含或具有)其他元件以及这些元件。
在附图中，为了清楚，将省略对于描述本公开内容不必要的任何内容，并且为了清楚示出层和区域的目的，厚度被放大。附图中相似的附图标记指代相似的元件，因而将省略其描述。
在该说明书中，应当理解，当提到层、膜、区域或板位于另一层、膜、区域或板“之上”时，它能够直接位于其他层、区域或板上，或者也可以有介入的层、膜、区域或板。另一方面，还应当理解，当提到层、膜、区或板“直接”位于另一个“之上”时，可以没有介入的层、膜、区和板。
以下，现将参照图1至图5描述根据第一实施例的发光器件封装。
图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的透视图。图2是沿着图1的线I-I’截取的剖视图。图3是示出图1的发光二极管的剖视图。图4是沿着图1的线II-II’截取的剖视图。图5的a和b是示出由图4的虚线圈所限定部分的例子的透视图。
参见图1到图3，发光器件封装100包括：本体10；布置在本体10上的至少一个发光二极管20；以及布置在本体10上并且电连接至发光二极管20的第一和第二电极31和32。
而且，发光器件封装100包括用于保护发光二极管20的透光膜80和用于支撑透光膜80的支撑构件95。
本体10是通过堆叠由陶瓷材料形成的绝缘层10a、10b、10c和10d而形成的。本体10可以由低温共烧陶瓷(LTCC)或高温共烧陶瓷(HTCC)形成，其是通过对绝缘层10a、10b、10c和10d(它们之间可以布置金属图案)进行共烧而获得的。
本体10的绝缘层10a、10b、10c和10d可以由氮化物或氧化物形成，氮化物改善导热性。
绝缘层10a、10b、10c和10d可以由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3或AlN形成，优选地由AlN形成。
本体10的上开口可以由腔体15形成。
腔体15可以由绝缘层10a、10b、10c和10d来限定。如图2和图4所示，第一绝缘层10a是没有图案的基底绝缘层，第二和第三绝缘层10b和10c具有中心开口，发光二极管20安装在该中心开口中。布置在第三绝缘层10c上的第四绝缘层10d具有比第三绝缘层10c的开口大的开口，从而形成腔体15。
然而，用于安装发光二极管20的腔体15的形状不限于此，因而可以根据绝缘层10a、10b、10c和10d的设计而变化。
腔体15可以具有杯形或凹形的容器形状，并且可以经由在绝缘层10a、10b、10c和10d之间穿孔(punching)而形成，因而，腔体15具有与底表面垂直的侧表面。
从平面图上看，腔体15可以具有圆形、四边形、多边形或椭圆形的形状。
第一电极31和第二电极32可以布置在绝缘层10a、10b、10c和10d之间。第一电极31和第二电极32作为正电极和负电极彼此电隔离以向发光二极管20供电。根据发光二极管20的设计，可以设置除了第一电极31和第二电极32之外的其他电极，但是本公开内容不限于此。
第一电极31和第二电极32可以具有多层层叠结构。例如，第一电极31和第二电极32可以是通过顺序堆叠钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)和金(Au)而形成的Ti/Cu/Ni/Au层。
即，第一电极31和第二电极32的最下层是由有效连附至绝缘层10a、10b、10c和10d的材料形成的，例如，钛(Ti)、铬(Cr)和钽(Ta)；第一电极31和第二电极32的最上层是由具有优秀导电性的材料形成的，例如配线所有效连结(attach)至的金(Au)；并且在最下层和最上层之间可以布置由铂(Pt)、镍(Ni)或铜(Cu)形成的扩散阻挡层。然而，本公开内容不限于此。
第一电极31和第二电极32被图案化并且布置在绝缘层10a、10b、10c和10d之间，然后与绝缘层10a、10b、10c和10d一起被烧结。
第一电极31暴露在第三绝缘层10c上，并且经由穿过第三绝缘层10c的孔(via)连接至布置在第二绝缘层10b上的金属图案，从而使得第一电极31能够沿着本体10的侧表面被连接至布置在本体10底表面上的第一焊垫(pad)31a。
第二电极32在透过第二绝缘层10b暴露出的第一绝缘层10a上延伸，并且沿着本体10的侧表面被连接至布置在本体10底表面上的第二焊垫32a。
电流经由第一和第二焊垫31a和32a而被施加至第一和第二电极31和32。在第一和第二电极31和32在绝缘层10a、10b、10c和10d之间彼此隔离的条件下，第一和第二电极31和32的构造不限于此。
参见图2，虚设电极(dummy electrode)33可以布置在第三绝缘层10c上以电连接至第二电极32。该虚设电极33可以电连接至除了发光二极管20之外的器件。
第二电极32布置在第一绝缘层10a的暴露部分上，即，位于腔体15的底部上，因而起到了安装焊垫(发光二极管20安装在该安装焊垫上)的作用。
第一电极31可以经由配线22电连接至发光二极管20的顶表面。
在本体10上可以形成阴极标志(cathode mark)(未示出)，以将第一和第二电极31和32彼此区分开来，但是本发明不限于此。
在本体10的顶表面上的第一和第二电极31和32上方可以布置反射层(未示出)。
发光二极管20可以安装在本体10上腔体15内。
根据发光器件封装100的设计，在本体10上可以安装至少一个发光二极管20。当设置了多个发光器件封装100时，可以设置多个用于向发光器件封装100供电的电极，并且可以设置多个反射层，然而本公开内容不限于此。
发光二极管20可以直接安装在绝缘层10a、10b、10c或10d上，或者可以电连附至第一或第二电极31或32。
发光二极管20可以是波长范围从大约245nm到405nm的紫外线发光二极管。即，发光二极管20可以发出具有大约280nm的短波长的紫外射线或者具有大约365nm或385nm的长波长的紫外射线。
可以使用配线接合方法、裸片接合(die bonding)方法或倒装接合(flipbonding)方法来安装发光二极管20，可以根据芯片类型和芯片的电极位置来选择安装方法。
发光二极管20可以包括III-V族化合物半导体，例如AlInGaN、InGaN、GaN、GaAs、InGaP、AlInGaP、InP以及InGaAs等。
发光二极管20可以经由导电粘合剂连附至第二电极32，并且可以经由配线22电连接至第一电极31。
发光二极管20被称作垂直发光器件，并且如图3所示包括导电支撑衬底21、接合层23、第二导电类型半导体层25、有源层27以及第一导电类型半导体层29。
导电支撑衬底21可以包括金属或导电半导体衬底。
III-V族氮化物半导体层布置在导电支撑衬底21上。在这种情况下，可以使用电子束蒸发器、物理气相沉积(PVD)装置、化学气相沉积(CVD)装置、等离子体激光沉积(PLD)装置、包括双类型热蒸发器的溅射装置、或金属有机化学气相沉积(MOCVD)装置作为半导体生长装置，但是本公开内容不限于此。
接合层23可以布置在导电支撑构件21上。接合层23将导电支撑衬底21连附至III-V族氮化物半导体层。可以使用电镀方法(plating method)而不是接合方法来形成导电支撑衬底21。在这种情况下，可以移除接合层23。
第二导电类型半导体层25布置在接合层23上，并且经由接合层23和导电支撑衬底21电连接至第二电极32。
第二导电类型半导体层25可以由III-V族化合物半导体形成，例如，可以由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一种形成。第二导电类型半导体层25可以掺杂有包括Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的第二导电类型掺杂物作为P型掺杂物。
例如，通过提供包括NH3、TMGa(或TEGa)以及诸如Mg之类的p型掺杂物的气体，可以将第二导电类型半导体层25形成为具有一定厚度的p型GaN层。
第二导电类型半导体层25在某个区域具有电流扩展结构(currentspreading structure)。电流扩展结构包括半导体层，所述半导体层中的水平电流扩展速度高于垂直电流扩展速度。
例如，电流扩展结构可以包括掺杂浓度或导电性不同的多个半导体层。
第二导电类型半导体层25可以将载流子(carrier)均匀地扩散进入布置在其上的层中，例如，扩散进入有源层27中。
有源层27布置在第二导电类型半导体层25上。有源层27可以具有单量子阱结构或多量子阱(MQW)结构。有源层27可以选择性地包括InGaN/GaN周期(period)、AlGaN/InGaN周期、InGaN/InGaN周期以及AlGaN/GaN周期。
在第二导电类型半导体层25和有源层27之间可以布置第二导电类型覆层(clad layer)(未示出)。第二导电类型覆层可以由p型基于GaN的半导体形成。第二导电类型覆层可以由带隙比阱层的带隙高的材料形成。
第一导电类型半导体层29布置在有源层27上。第一导电类型半导体层29可以是掺杂有第一导电类型掺杂物的n型半导体层。n型半导体层可以由化合物半导体形成，例如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN或AlInN等。作为n型掺杂物的第一导电类型掺杂物可以包括Si、Ge、Sn、Se和Te中的至少一种。
例如，通过提供包括NH3、TMGa(或TEGa)以及诸如Si之类的n型掺杂物的气体，可以将第一导电类型半导体层29形成为具有一定厚度的n型GaN层。
第二导电类型半导体层25可以形成为p型半导体层，第一导电类型半导体层29可以包括n型半导体层。发光结构可以具有n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构以及p-n-p结结构中的一种。以下，以第一导电类型半导体层29是最上层的半导体层为例。
在第一导电类型半导体层29上可以布置第一电极和电极层(未示出)中的至少一个。该电极层可以包括基于氧化物或氮化物的透光层，例如，可以由从如下材料中选出的材料形成：ITO(氧化铟锡)、ITON(氮氧铟锡)、IZO(铟锌氧化物)、IZON(氮氧铟锌)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IrOx、RuOx以及NiO。电极层可以起到用于扩展电流的电流扩展层的作用。
电极层可以是反射电极层，该反射电极层可以由从如下材料中选择的材料形成：Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、及它们的组合。第一电极可以包括具有单层或多层结构的金属层。例如，金属层可以由如下材料中的至少一种形成：Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、及它们的合金。
在本体10上可以安装多个发光二极管20。
发光二极管20可以安装在第二电极32上并且电连接至第二电极32，并且可以经由配线22电连接至第一电极31。
例如，配线22的一端可以接合至第一电极31，配线22的另一端可以接合至发光二极管20，但是本公开内容不限于此。
腔体15可以填充有惰性气体，以替代密封材料。即，腔体15可以填充有例如氮气等的惰性气体，以保护发光二极管20不受例如水分和氧气等环境条件的影响。
透光膜80作为硬玻璃膜布置在本体10上方以覆盖腔体15。
透光膜80可以由透明材料形成，例如LiF、MgF2、CaF2、BaF2、Al2O3、SiO2以及光学玻璃(N-BK7○R)。SiO2的例子可以是石英晶体和UV熔凝硅石(UV Fused Silica)。
而且，透光膜80可以由低铁玻璃形成。
支撑构件95布置在第四绝缘层10d上作为本体10的最上层，以支撑透光膜80。
支撑构件95布置在本体10上，以在透光膜80与对应于本体10的腔体15的一部分之间形成一定的空间。
支撑构件95和第四绝缘层10d可以由相同材料一体形成。可替代地，支撑构件95可以由与第四绝缘层10d不同的材料(例如金属)形成，并且可以附着至第四绝缘层10d。
支撑构件95可以是布置在第四绝缘层10d上的环形或框架形支撑构件，以包围第四绝缘层10d的开口区域。
透光膜80可以经由粘合剂附着至支撑构件95的顶表面，而不使用激光或焊接，从而简化了其制造工艺并减小了成本。
以下，将参照图4和图5描述根据第一实施例的将透光膜80附着至支撑构件95的方法。
参见图4，发光器件封装100包括穿过支撑构件95的顶表面和透光膜80的接合销91。
详细地讲，在支撑构件95中布置有支撑凹部11以容纳接合销91，透光膜80包括与支撑凹部11对齐的玻璃孔81以容纳接合销91。
参见图4，接合销91包括销头85和销体87。销头85的直径大于销体87的直径，销体87可以具有直径在离开销头85的方向上减小的圆锥形状。
销头85的直径大于玻璃孔81的直径，销体87装配在玻璃孔81和支撑凹部11中，从而将透光膜80接合至支撑构件95。
尽管如图4所示销头85具有半球形状，然而销头85也可以具有平的顶表面，并且可以具有圆形或多边形截面。
参见图5中的a，接合销91的销体87a具有直径在离开销头85的方向上减小的圆锥形状。在圆锥形状的表面上形成有螺纹突出部，并且在支撑凹部11和玻璃孔81的侧表面内形成有与该螺纹突出部耦合的螺纹凹部，从而能够将接合销91旋拧至支撑凹部11和玻璃孔81。
参见图5中的b，接合销91的销体87b可以具有直径从销头85至其端部保持不变的圆柱体形状。在圆柱体形状的表面上形成有螺纹突出部，在支撑凹部11和玻璃孔81的侧表面内形成有与该螺纹突出部耦合的螺纹凹部，从而能够将接合销91旋拧至支撑凹部11和玻璃孔81。
像这样，接合销91的形状可以变化，并且接合销91经由透光膜80接合至支撑构件95，从而将透光膜80接合至支撑构件95。
在透光膜80和支撑构件95的顶表面之间可以涂敷粘合剂(未示出)，该粘合剂可以是Ag膏、UV粘合剂、无Pb(无铅)低温玻璃、丙烯酸粘合剂或陶瓷粘合剂。
本体10由陶瓷形成从而将由于UV波长导致的热散发，而不会增大发光器件封装100的尺寸。因此，无论从发光二极管20发出的光的波长是多少，发光器件封装100均可以具有恒定的封装结构，因而能够与用于发出不同波长的各种光束的各种发光二极管兼容。
以下，将参照图6描述根据第二实施例的发光器件封装。
参见图6，发光器件封装100A包括：由陶瓷形成的本体10；布置在本体10上的至少一个发光二极管20；以及布置在本体10上并且电连接至发光二极管20的第一和第二电极(未示出)。
而且，发光器件封装100A包括用于保护发光二极管20的透光膜80和用于支撑透光膜80的支撑构件95A。
由于发光器件封装100A的本体10、绝缘层10a、10b、10c和10d、发光二极管20以及电极在结构上与图1至图3的发光器件封装100的相似，因而将省略其描述。
参见图6，支撑构件95A设置有玻璃凹部(glass recess)96，透光膜80滑入(slid)玻璃凹部96中。
玻璃凹部96布置在邻近本体10的支撑构件95A的侧内壁中，并且高度等于或大于透光膜80的厚度。
透光膜80沿着玻璃凹部96横向滑入以密封腔体15。
在玻璃凹部96内可以涂敷粘合剂(未示出)。
该粘合剂可以是Ag膏、UV粘合剂、无Pb低温玻璃、丙烯酸粘合剂或陶瓷粘合剂。
像这样，玻璃凹部96就布置在了支撑构件95A的侧内壁中，从而使得透光膜80滑入并利用其间涂敷的粘合剂接合至支撑构件95A，从而改善了其接合力。
以下，将参照图7描述根据第三实施例的发光器件封装。
参见图7，发光器件封装100B包括：由陶瓷形成的本体10；布置在本体10上的至少一个发光二极管20；以及布置在本体10上并且电连接至发光二级管20的第一和第二电极(未示出)。
而且，发光器件封装100B包括用于保护发光二极管20的透光膜80和用于支撑透光膜80的支撑构件95B。
由于发光器件封装100B的本体10、绝缘层10a、10b、10c和10d、发光二极管20以及电极在结构上与图1至图3的发光器件封装100的相似，因而将省略其描述。
参见图7，发光器件封装100B还包括接合至透光膜80并旋拧至支撑构件95B的玻璃壳(glass case)88。
玻璃壳88包括上侧内阶梯(upper inner step)结构和接合至支撑构件95B的下侧外阶梯结构，透光膜80位于该上侧内阶梯结构上。
在下侧外阶梯结构的侧壁中布置有旋拧至支撑构件95B的螺纹凹部。
支撑构件95B包括接合至玻璃壳88的上侧阶梯结构，并且在上侧阶梯结构的侧壁上布置有螺纹突出部97，以与玻璃壳88的螺纹凹部啮合。
通过将与透光膜80一体形成的玻璃壳88旋拧至支撑构件95B，透光膜80可以接合至支撑构件95B。
玻璃壳88和透光膜80可以同时由相同的材料一体形成，或者玻璃壳88可以是接合至透光膜80的金属构件。
只是通过将透光膜80所附着的玻璃壳88旋拧至支撑构件95B，就能够容易地将透光膜80接合至发光器件封装100B。
以下，将参照图8描述根据第四实施例的发光器件封装。
参见图8，发光器件封装100C包括：由陶瓷形成的本体10；布置在本体10上的至少一个发光二极管20；以及布置在本体10上并且电连接至发光二极管20的第一和第二电极(未示出)。
而且，发光器件封装100C包括用于保护发光二极管20的透光膜80和用于支撑透光膜80的支撑构件95C。
由于发光器件封装100C的本体10、绝缘层10a、10b、10c和10d、发光二极管20以及电极在结构上与图1到图3的发光器件封装100的相似，因而将省略其描述。
参见图8，发光器件封装100C还包括：从支撑构件95C的顶表面突出出来的多个接合突出部98，以及布置在透光膜80中的多个接合凹部82。接合凹部82与接合突出部98对齐，并容纳接合突出部98。
接合突出部98可以由与支撑构件95C相同的材料形成。
接合突出部98被陷入在接合凹部82中，从而使得透光膜80能够密封腔体15。在透光膜80和支撑构件95C的顶表面之间涂敷粘合剂92。
粘合剂92可以是Ag膏、UV粘合剂、无Pb低温玻璃、丙烯酸粘合剂或陶瓷粘合剂。
像这样，用涂敷在透光膜80和支撑构件95C之间的粘合剂92，透光膜80就被支撑构件95C所连固(caught by)，从而改善了其接合力。
以下，将参照图9描述根据第五实施例的发光器件封装。
参见图9，发光器件封装100D包括：由陶瓷形成的本体10；布置在本体10上的至少一个发光二极管20；以及布置在本体10上并且电连接至发光二极管20的第一和第二电极(未示出)。
而且，发光器件封装100D包括用于保护发光二极管20的透光膜80和用于支撑透光膜80的支撑构件95D。
由于发光器件封装100D的本体10、绝缘层10a、10b、10c和10d、发光二极管20以及电极在结构上与图1到图3的发光器件封装100的相似，因而将省略其描述。
参见图9，发光器件封装100D包括连附孔83，其布置在本体10上的透光膜80中，并且形成在与支撑构件95D的顶表面接触的区域中。
在透光膜80和支撑构件95D的顶表面之间涂敷有粘合剂84。
该粘合剂84可以是Ag膏、UV粘合剂、无Pb低温玻璃、丙烯酸粘合剂或陶瓷粘合剂。涂敷粘合剂84，然后按压透光膜80和支撑构件95D。因此，连附孔83被粘合剂84填充，然后粘合剂84被固化。
因而，利用透光膜80和支撑构件95D之间的粘合剂84，透光膜80附着到支撑构件95D，并且同时，连附孔83物理接合至粘合剂84，从而改善了透光膜80和支撑构件95D的接合力。
尽管在透光膜80中布置了连附孔83，然而，在透光膜80中还可以布置被粘合剂84填充的连附凹部，因而本公开内容不限于连附孔83。
图10是示出了根据第六实施例的发光器件封装的截面图。
参见图10，发光器件封装100E包括：由陶瓷形成的本体10；布置在本体10上的至少一个发光二极管20；以及布置在本体10上并且电连接至发光二极管20的第一和第二电极(未示出)。
而且，发光器件封装100E包括用于保护发光二极管20的透光膜80和用于支撑透光膜80的支撑构件95E。
由于发光器件封装100E的本体10、绝缘层10a、10b、10c和10d、发光二极管20以及电极在结构上与图1到图3的发光器件封装100的相似，因而将省略其描述。
参见图10，发光器件封装100E包括位于本体10内腔体15之下的散热孔14，以将热从发光二极管20转移至散热构件90。
散热孔14从腔体15的底部穿过本体10直到散热构件90，并且可以布置在发光二极管20之下。
散热构件90可以由导热性比本体10高的材料形成。可以通过在烧结第一绝缘层10a之前在构成第一绝缘层10a的陶瓷中穿孔来形成散热孔14。
尽管通过对流，热能够经由散热孔14内的空间被转移，但是散热孔14也可以由导热性比本体10的导热性高的材料填充。
根据图4到图9的实施例中的一个实施例，透光膜80可以连附至支撑构件95E。可替代地，如图10所示，在透光膜80上可以布置玻璃突出部86，并且在支撑构件95E的顶表面上可以布置与玻璃突出部86对齐的凹部99，从而使得通过将玻璃突出部86装配在凹部99中而能够将透光膜80连附至支撑构件95E。
在这种情况下，在透光膜80和支撑构件95E的顶表面之间可以涂敷粘合剂87，进而改善了透光膜80和支撑构件95E之间的接合力。
图11是示出了根据第七实施例的发光器件封装的透视图。
参见图11，发光器件封装100F包括：由陶瓷形成的本体10；布置在本体10上的至少一个发光二极管20；以及布置在本体10上并且电连接至发光二极管20的第一和第二电极31和32。
而且，发光器件封装100F包括用于保护发光二极管20的透光膜80和用于支撑透光膜80的支撑构件95。
由于发光器件封装100F的本体10、绝缘层10a、10b、10c和10d、发光二极管20以及电极31和32在结构上与图1到图3的发光器件封装100的相似，因而将省略其描述。
发光二极管20可以是波长范围从大约245nm到405nm的紫外线发光二极管。即，发光二极管20可以发出具有大约280nm的短波长的紫外射线，或者具有大约365nm或385nm的长波长的紫外射线。
作为紫外线发光二极管的发光二极管20可以经由导电粘合剂连附至第二电极32，并且可以经由配线22电连接至第一电极31。可以使用配线接合方法、裸片接合方法或倒装接合方法来安装发光二极管20，可以根据芯片的类型和芯片的电极位置来选择接合方法。
发光器件封装100F还包括腔体15内的彩色发光二极管30和齐纳(Zener)二极管35，彩色发光二极管30和齐纳二极管35电连接至发光二极管20。
彩色发光二极管30可以是蓝色、绿色或红色发光二极管，并且可以与发光二极管20一起安装在第二电极32上，从而使得彩色发光二极管30能够电连接至第二电极32。此外，彩色发光二极管30可以经由配线(未示出)连接至第一电极31。
当彩色发光二极管30并联连接至发光二极管20时，彩色发光二极管30和发光二极管20以相同的方式运行。此时，彩色发光二极管30发出彩色光，从而能够通过裸眼感知(perceive)到发光二极管20是否在运行。
可替代地，彩色发光二极管30可以从单独的电极(未示出)接收电力以执行脉冲类型发光操作，在该脉冲类型发光操作中，光只在发光二极管20开始运行时的开始点发出。
逆向电流(reverse current)可以被导引至布置在腔体15内的齐纳二极管35以保护发光二极管20。齐纳二极管35布置在虚设电极33上，并且可以从单独的端子接收电力。
彩色发光二极管30、齐纳二极管35以及发光二极管20可以布置在腔体15内。根据图4到图10的实施例中的一个实施例，透光膜80可以接合至本体10。
根据实施例，紫外线发光器件封装包括用来有效地散热的陶瓷本体，并且玻璃膜直接附着至陶瓷本体以减少组件数量，从而简化了紫外线发光器件封装的制造工艺，并减小了其制造成本。
陶瓷本体经由粘合剂和螺丝构件接合至玻璃膜，而没有使用激光或焊接，从而提高了组装效率。
此外，紫外线发光器件封装能够与用于发出波长范围从大约245nm到405nm的紫外射线的各种发光二极管兼容。
尽管对实施例的描述中结合了其多个示例性实施例，但应当理解的是，在本公开内容的原理的精神和范围之内，本领域技术人员完全可以设计出许多其它变化和实施例。尤其是，可以在该公开、附图和所附权利要求的范围内对组件和/或附件组合设置中的排列进行多种变化和改进。除组件和/或排列的变化和改进之外，其他可选择的应用对于本领域技术人员而言也是显而易见的。

Claims (25)

1.一种紫外线发光器件封装，包括：
本体，包括用于限定腔体的多个陶瓷绝缘层；
紫外线发光二极管，位于所述腔体内；
第一电极和第二电极，在所述本体上彼此分开，并且电连接至所述紫外线发光二极管；
支撑构件，布置在所述本体上，并且包围所述腔体；以及
玻璃膜，接合至所述支撑构件，并且覆盖所述腔体，
其中，上面布置有所述第一电极的陶瓷绝缘层不同于上面布置有所述第二电极的陶瓷绝缘层。
2.根据权利要求1所述的紫外线发光器件封装，其中，所述腔体具有侧阶梯结构，
所述第一电极暴露于所述腔体的侧阶梯结构，并且
所述第二电极暴露于所述腔体的底部。
3.根据权利要求2所述的紫外线发光器件封装，其中，所述多个陶瓷绝缘层包括：
第一绝缘层，暴露于所述腔体的底部；
第二绝缘层，位于所述第一绝缘层上；以及
第三绝缘层，暴露出所述第二绝缘层的一部分。
4.根据权利要求3所述的紫外线发光器件封装，其中，所述第一电极和第二电极连接至包围所述本体的外表面并且布置在所述本体的底表面上的焊垫。
5.根据权利要求4所述的紫外线发光器件封装，其中，所述第一电极和第二电极具有多层层叠结构。
6.根据权利要求5所述的紫外线发光器件封装，其中，所述第一电极和第二电极是与所述陶瓷绝缘层交替地形成的。
7.根据权利要求6所述的紫外线发光器件封装，其中，所述支撑构件包括位于所述支撑构件的顶表面上的至少一个接合突出部，并且
所述玻璃膜包括至少一个接合凹部，所述接合突出部装配在所述接合凹部中。
8.根据权利要求6所述的紫外线发光器件封装，其中，所述支撑构件包括位于所述支撑构件的顶表面中的至少一个接合凹部，并且
所述玻璃膜包括至少一个接合突出部，所述接合突出部装配在所述接合凹部中。
9.根据权利要求6所述的紫外线发光器件封装，还包括用于固定所述玻璃膜和所述支撑构件的至少一个固定销。
10.根据权利要求9所述的紫外线发光器件封装，其中，所述玻璃膜包括至少一个通孔，所述固定销穿过所述通孔。
11.根据权利要求10所述的紫外线发光器件封装，其中，所述固定销包括：
销头，该销头的直径大于所述玻璃膜的通孔的直径；以及
销体，从所述销头延伸，并且装配在所述通孔中。
12.根据权利要求11所述的紫外线发光器件封装，其中，所述销体包括位于所述销体外表面上的螺纹突出部。
13.根据权利要求12所述的紫外线发光器件封装，其中，所述销体从所述销头延伸，并且所述销体的直径保持不变。
14.根据权利要求6所述的紫外线发光器件封装，其中，在所述支撑构件的顶表面与所述玻璃膜之间布置有粘合构件。
15.根据权利要求14所述的紫外线发光器件封装，其中，所述粘合构件包括紫外线粘合剂。
16.根据权利要求15所述的紫外线发光器件封装，其中，所述玻璃膜包括填充有所述粘合构件的至少一个连附孔。
17.根据权利要求6所述的紫外线发光器件封装，其中，所述支撑构件包括位于所述支撑构件内表面中的凹部，并且
所述玻璃膜滑入所述凹部中。
18.根据权利要求6所述的紫外线发光器件封装，其中，所述本体包括至少一个散热孔，所述散热孔从所述腔体的底部延伸至所述本体的底表面。
19.根据权利要求1所述的紫外线发光器件封装，其中，所述支撑构件与所述本体一体形成。
20.根据权利要求1所述的紫外线发光器件封装，还包括彩色发光二极管，位于所述本体的腔体内，用以显示所述紫外线发光二极管的运行。
21.根据权利要求6所述的紫外线发光器件封装，还包括玻璃壳，所述玻璃壳包围所述玻璃膜并且被旋拧至所述支撑构件。
22.根据权利要求6所述的紫外线发光器件封装，其中，所述本体是通过共烧所述多个陶瓷绝缘层而形成的。
23.根据权利要求6所述的紫外线发光器件封装，还包括位于所述本体的腔体内的齐纳二极管；
其中，流至所述紫外线发光二极管的过电流流至所述齐纳二极管。
24.根据权利要求23所述的紫外线发光器件封装，还包括布置在所述本体上的虚设电极。
25.根据权利要求24所述的紫外线发光器件封装，其中，所述齐纳二极管连接至所述虚设电极。
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