CN106328793B - 发光器件和具有该发光器件的照明模块 - Google Patents

发光器件和具有该发光器件的照明模块 Download PDF

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Abstract

一种发光器件，包括：具有开口的第一支持部件；在所述第一支持部件的所述开口中设置的第二支持部件；在所述第一支持部件与所述第二支持部件之间设置的粘合部件；在所述第二支持部件上设置的第一引线电极；在所述第一支持部件和所述第二支持部件中的至少一者上设置的第二引线电极；在所述第一引线电极上设置的发光芯片，所述发光芯片电连接至所述第二引线电极；以及在所述第二支持部件下设置的传导层，其中，所述第一支持部件包括树脂材料，所述第二支持部件包括陶瓷材料，并且所述第一引线电极设置在所述发光芯片与所述第二支持部件之间。

Description

发光器件和具有该发光器件的照明模块
技术领域
本发明涉及一种发光器件、一种用于该发光器件的制造方法以及一种具有该发光器件的照明模块。
背景技术
发光器件包括发光二极管。发光二极管是能够将电能转换成光的半导体器件，并且作为取代荧光灯和白炽灯的下一代光源而受到关注。
发光二极管使用半导体器件来产生光，因此，与通过加热钨丝发光的白炽灯或通过允许经高压放电产生的紫外光与荧光物质相撞来产生光的荧光灯相比，发光二极管仅消耗很少的电力。
发光二极管愈来愈多地用作照明装置的光源，诸如室内室外灯具、液晶显示器、电子板和街灯。
发明内容
实施例提供一种具有新型的散热结构的发光器件。
实施例提供一种发光器件，其中，设置有发光芯片的第二支持部件设置在第一支持部件的内部或开口中。
实施例提供一种发光器件，其中，具有低热阻的第二支持部件设置在第一支持部件的内部或开口中，并且，发光芯片设置在该第二支持部件上。
实施例提供一种发光器件，其中，第一支持部件和设置有发光芯片的第二支持部件使用粘合部件来彼此粘合。
实施例提供一种发光器件，其中，由树脂材料制成的第一支持部件和由陶瓷材料制成的第二支持部件使用粘合部件彼此粘合，并且，一个或多个发光芯片设置在该第二支持部件上，实施例还提供一种具有该发光器件的照明模块。
实施例提供一种发光器件，其中，引线电极设置在第二支持部件与发光芯片之间，实施例还提供一种具有该发光器件的照明模块。
实施例提供一种发光器件，其中，在第一支持部件中的粘合层的一部分被粘合至第二支持部件，实施例还提供一种关于该发光器件的制造方法。
在一个实施例中，一种发光器件包括：具有开口的第一支持部件；在所述第一支持部件的开口中设置的第二支持部件；在所述第一支持部件与所述第二支持部件之间设置的粘合部件；在所述第二支持部件上设置的第一引线电极；在所述第一支持部件和所述第二支持部件中的至少一者上设置的第二引线电极；在所述第一引线电极上设置的发光芯片，所述发光芯片电连接至所述第二引线电极；以及在所述第二支持部件下设置的传导层，其中，所述第一支持部件包括树脂材料，所述第二支持部件包括陶瓷材料，并且，所述第一引线电极设置在所述发光芯片与所述第二支持部件之间。
在另一实施例中，一种发光模块包括：具有开口的第一支持部件；在所述第一支持部件的开口中设置的第二支持部件；在所述第一支持部件与所述第二支持部件之间设置的粘合部件；在所述第二支持部件上设置的第一引线电极；在所述第一支持部件与所述第二支持部件中的至少一者上设置的第二引线电极；在所述第一引线电极上设置的多个发光芯片，所述发光芯片电连接至所述第二引线电极；在所述第一引线电极和所述第二引线电极上设置的保护层；以及由金属材料制成的传导层，所述传导层位于所述第一支持部件和所述第二支持部件下，其中，所述第一支持部件包括树脂材料，所述第二支持部件包括陶瓷材料，并且，所述多个发光芯片设置在所述第一引线电极与所述第二支持部件之间。
在又另一实施例中，一种用于制造发光器件的方法包括：提供具有粘合层的第一支持部件和在不同的树脂层之间的粘合层，所述第一支持部件包括在其中的开口；将由陶瓷材料制成的第二支持部件插入到所述第一支持部件的开口中；如果所述第一支持部件被压紧，会使得所述粘合层的一部分移至所述开口中并被粘合至所述第二支持部件；在所述第一支持部件和所述第二支持部件上形成引线电极；以及在所述引线电极上设置发光芯片，所述引线电极设置在所述支持部件上，其中，所述粘合层设置在所述第二支持部件的顶部边缘部分和底部边缘部分上，以粘合至所述引线电极。
一个或多个实施例的细节在以下附图和详细描述中阐述。其他特征从以下详细描述、附图和权利要求中可以一目了然。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件的平面图；
图2是沿图1中的发光器件的线A-A截取的截面图；
图3是示出图1中的发光器件的另一实例的视图；
图4示出图2中的发光器件的第一修改；
图5示出图2中的发光器件的第二修改；
图6示出图2、图4和图5中的每种发光器件的粘合部件的详细配置；
图7是示出在图2、图4和图5中的每种发光器件中的位于粘合部件上的引线电极的表面状态的视图；
图8是示出在图2、图4和图5中的每种发光器件中的随着粘合部件厚度增加的引线电极的表面状态的视图；
图9示出图5中的发光器件的粘合部件的第一修改；
图10示出图5中的发光器件的粘合部件的第二修改；
图11示出图5中的发光器件的粘合部件的第三修改；
图12示出图5中的发光器件的粘合部件的第四修改；
图13示出图5中的发光器件的粘合部件的第五修改；
图14示出图5中的发光器件的粘合部件的第六修改；
图15示出图5中的发光器件的粘合部件的第七修改；
图16示出图5中的发光器件的粘合部件的第八修改；
图17示出图5中的发光器件的粘合部件的第九修改；
图18是示出根据第二实施例的具有发光器件的照明模块的视图；
图19是图18中的照明模块的侧截面图；
图20示出图18中的照明模块的第一修改；
图21示出图18中的照明模块的第二修改；
图22至图28是示出图2中的发光器件的制造过程的视图；
图29是示出根据实施例的发光芯片的实例的视图；
图30是示出根据该实施例的发光芯片的另一实例的视图。
具体实施方式
在对于实施例的以下描述中，应理解，当将一层(膜)、区域、图案或结构称作在基板、另一层(膜)、区域、垫或图案“上”或“下”时，其可以“直接地”或“间接地”位于该另一层(膜)、区域、图案或结构上，或者还可以存在一个或多个中间层。将参考附图描述每一层的此类位置关系。
下文将参考附图详细描述示例性实施例。实施例的技术目的不限于上述技术问题，且本领域技术人员可以通过以下公开清楚地理解上文未提及的技术问题。在附图中，类似的部件和部分由类似的附图标记来标注，且对于这些部件和部分的描述会避免重复。
图1是示出根据第一实施例的发光器件的平面图。图2是沿图1中的发光器件的线A-A截取的截面图。
参见图1和图2，发光器件100包括：发光芯片101；具有开口150的第一支持部件110；位于第一支持部件110的开口150中的第二支持部件131，第二支持部件131设置在发光芯片101下；设置在第二支持部件131与发光芯片101之间的第一引线电极161；设置在第一支持部件110和第二支持部件131中的至少一者上的第二引线电极163；以及设置在第一支持部件110和第二支持部件131下的传导层(conductive layer)165。
发光芯片101可以在从可见光波段(visable ray band)至紫外(UV)波段(ultraviolet band)的范围内选择性地发光。发光芯片101可以包括例如UVLED、红色LED、蓝色LED、绿色LED、黄绿LED和白色LED中的至少一者。
发光芯片(light emitting chip)101可以包括水平芯片的结构(structure ofhorizontal chip)和垂直芯片(structure of vertical chip)的结构中的至少一种，在水平芯片的结构中，芯片中的两个电极设置为彼此相邻，在垂直芯片的结构中，芯片中的两个电极设置在彼此相对的侧处(at sides opposite to each other)。
当发光芯片101是垂直芯片(vertical chip)时，发光芯片101可以连接至第一引线电极161且通过导线105连接至第二引线电极163。在另一实例中，当发光芯片101是水平芯片(horizontal chip)时，发光芯片101可以通过导线105连接至第一引线电极161和第二引线电极163，但是本发明不限于此。当发光芯片101以倒装芯片(flip-chip)方式安装时，发光芯片101可以被倒装接合(flip-bonded)在第一引线电极161和第二引线电极163上。
第一支持部件110包括树脂材料，第二支持部件131包括非金属或陶瓷材料。第一支持部件110可以是树脂基板或绝缘基板，第二支持部件131可以是陶瓷基板或散热基板。
第一支持部件110可以包括树脂材料，例如氟树脂(FR)基(fluororesin-based)材料和复合环氧材料(CEM)中的至少一种。根据本实施例的发光器件100使用第一支持部件110，使得可以节省发光器件100的制造成本和材料成本并减少发光器件100的重量。
第二支持部件131可以包括比树脂材料来具有更高导热性和更低热阻(heatresistance)的材料。第二支持部件131可以由例如通过将金属元素(metal element)诸如硅(Si)、铝(Al)、钛(Ti)或锆(Zr)与氧、碳或氮键合(bonding)而形成的氧化物、碳化物或氮化物来形成。第二支持部件131可以包括氮化铝(AlN)材料。在另一实例中，第二支持部件131可以包括碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)、氮化硅(Si3O4)和氮化硼(BN)材料中的至少一种。AlN的热导率可以是70至250W/mK，BN的热导率可以是60至200W/mK，Si3N4的热导率可以是60至90W/mK，Si的热导率可以是150W/mK，SiC的热导率可以是270W/mK，Al2O3和ZrO2的热导率可以是20至30W/mK。第二支持部件131可以包括具有60W/mK或大于60W/mK的热导率的材料。
第一支持部件110包括如图2所示的开口150。开口150的俯视图形状(top-viewshape)可以包括多边形形状和圆形或椭圆形形状中的至少一种。第二支持部件131可以设置在开口150中。因此，可以减少发光器件100的厚度并确保散热路径。第二支持部件131设置在第一支持部件110的内部，因此，第一支持部件110和第二支持部件130可以不堆叠。
如图1所示，第二支持部件131的横向长度Y2和纵向长度X2可以分别小于开口150的横向长度和纵向长度。第二支持部件131的横向长度Y2和纵向长度X2可以分别小于第一支持部件110的横向长度Y1和纵向长度X1。因此，第一支持部件110可以在第二支持部件131的周边处面向第二支持部件131。第一支持部件110围绕第二支持部件131。
在另一实例中，当如图3所示开口150的纵向长度等于或小于第二支持部件131的纵向长度X3时，第二支持部件131的两侧可以不面向第一支持部件110。下文中，为便于说明，将描述如图1所示第二支持部件131被插入到开口150中的结构。
参见图2，第一支持部件110可以包括至少一个树脂层111和113,以及在树脂层111和113的的顶部表面和底部表面中的至少一者上设置的金属层118和119。树脂层111和113可以形成为单层或多层。树脂层111和113可以形成为多层，并且可以包括例如，第一树脂层111和在第一树脂层111下设置的第二树脂层113。第一树脂层111和第二树脂层113可以彼此间隔开或者可以通过粘合部件彼此粘合。金属层118和119可以形成为单层或多层。金属层118和119可以形成为多层，并且可以包括在第一树脂层111的顶部表面上设置的第一金属层118和在第二树脂层113的底部表面上设置的第二金属层119。第一金属层118和第二金属层119中的每一者可以形成为单层或多层。
第一树脂层111和第二树脂层113可以包括相同的树脂材料，例如，FR基材料和CEM。第一金属层118和第二金属层119可以由选自由以下金属组成的组中的至少一种来形成：钛(Ti)、钯(Pd)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)和磷(P)，或者这些金属的选择性的合金。
根据图案形状，第一金属层118可以选择性地设置在第一支持部件110的顶部表面的一部分或全部上，但是本发明不限于此。第一金属层118可以被划分成选择性地连接至不同的引线电极161和163的电极图案P3和P4。根据图案形状，第二金属层119可以选择性地设置在第一支持部件110的一部分或全部上，但是本发明不限于此。
第一支持部件110可以包括在第一树脂层111与第二树脂层113之间的粘合层115，并且，粘合层115使得第一树脂层111和第二树脂层113通过粘合层彼此粘合。粘合层115可以包括硅、环氧树脂和半固化片(prepreg)中的至少一种。当第一树脂层111和第二树脂层113形成为单层时，可以移除粘合层115，但是本发明不限于此。
同时，金属层138和139可以形成在第二支持部件131的顶部表面和底部表面中的至少一者上。金属层138和139包括在第二支持部件131的顶部表面上设置的第三金属层138以及在第二支持部件131的底部表面上设置的第四金属层139。
第三金属层138和第四金属层139可以由选自由钛(Ti)、钯(Pd)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)和磷(P)以及这些材料的合金组成的组中的至少一者。第三金属层138和第四金属层139中的每一者均可以形成为单层或多层。具有第三金属层138和第四金属层139的第二支持部件131可以定义为陶瓷基板或散热基板。
第三金属层138可以与第二支持部件131的顶部边缘间隔开。第三金属层138可以被划分成至少两个电极图案P1和P2。所述至少两个图案P1和P2在第二支持部件131上接触第二支持部件131，并且可以电连接至发光芯片101。该至少两个电极图案P1和P2可以通过间隙109划分，但是本发明不限于此。间隙109的形状可以包括直线形状、弯折形状和弯曲形状中的至少一种。
至少两个电极图案P1和P2包括第一电极图案P1和第二电极图案P2，第一电极图案P1可以设置在发光芯片101与第二支持部件131之间。第一电极图案P1可以设置在第一引线电极161与第二支持部件131之间，第二电极图案P2可以设置在第二引线电极163与第二支持部件131之间。
第一电极图案P1和第二电极图案P2可以与第二支持部件131的顶部边缘间隔开。如果第一电极图案P1和第二电极图案P2存在于顶部边缘(top edge)处，第一电极图案P1和第二电极图案P2可以沿顶部边缘彼此连接，如图1所示，因此，可能会发生电短路。
第四金属层139可以与第二支持部件131的底部边缘(bottom edge)间隔开。当第四金属层139是电线时，第四金属层139可以与第二支持部件131的底部边缘间隔开，以防止在两者之间的电干扰。因此，尽管设计了使用第二支持部件131的第四金属层139的电图案(electrical patterns)，但是可以防止电短路。
第三金属层138的底部面积可以小于第二支持部件131的顶部面积。第四金属层139的顶部面积可以小于第二支持部件131的底部面积。因此，第三金属层138和第四金属层139的边缘部分可以与第一支持部件110间隔开。
第一支持部件110的厚度B1可以等于或厚于第二支持部件131的厚度B2。第二支持部件131和第三金属层138和第四金属层139的厚度的总和可以等于第一支持部件110的厚度B1，但是本发明不限于此。第二支持部件131的厚度B2形成为厚于第一树脂层111和第二树脂层113的厚度的总和，因此可以提供足够的散热表面。
同时，粘合部件151设置在第一支持部件110与第二支持部件131之间。粘合部件151被粘合至第一支持部件110和第二支持部件131同时被设置在第一支持部件110的开口150中。粘合部件151可以接触第一树脂层111和第二树脂层113和粘合层115。粘合部件151支持第二支持部件131同时设置在第一支持部件(support member)的开口150中。
粘合部件151的上部部分可以设置在第一金属层118与第三金属层138之间。粘合部件151的上部部分可以设置在等于或低于第一支持部件110的顶部表面的高度的高度处。如果粘合部件151的上部部分设置在高于第一支持部件110的顶部表面的高度的高度处，引线电极161和163的表面可以形成为粗糙的。
粘合部件151的下部部分可以设置在第二金属层119与第四金属层139之间。粘合部件151的下部部分可以设置在等于或高于第一支持部件110的底部表面的高度的高度处。如果粘合部件151的下部部分比第一支持部件110的底部表面更加突出(furtherprotruded)，传导层165的表面可以形成为粗糙的。
粘合部件151可以设置在第一支持部件110和第二支持部件131中的至少一者的顶部表面和底部表面中的至少一者上。粘合部件151可以包括在第二支持部件131的顶部边缘部分处设置的第一粘合部分153和在第二支持部件131的底部边缘部分处设置的第二粘合部分155中的任一者或两者。第一粘合部分153和第二粘合部分155可以从粘合部件151延伸或突出。
第一粘合部分153被粘合至第二支持部件131的顶部周边(circumference)，并且可以设置在第三金属层138的周边和引线电极161和163下。第一粘合部分153可以被粘合至第二支持部件131和引线电极161和163。
如图1所示，第一粘合部分153还可以在间隙109上暴露，但是本发明不限于此。第一粘合部分153的厚度可以等于或薄于第三金属层138的厚度。当第一粘合部分153的厚度厚于第三金属层138的厚度时，引线电极161和163的表面是不均匀的(uniform)。
第二粘合部分155被粘合至第二支持部件131的底部周边，并且可以设置在第四金属层139的周边。第二粘合部分155的厚度可以等于或薄于第四金属层139的厚度。当第二粘合部分155的厚度厚于第四金属层139的厚度时，在第二粘合部分155下设置的传导层165的表面是不均匀的。第二粘合部分155可以被粘合至第二支持部件131和传导层165。
粘合部件151可以由与粘合层115相同的材料制成，例如可以包括硅(silicon)、环氧树脂和半固化片中的至少一种。在另一实例中，粘合部件151可以由在上述材料中与粘合层115不同的材料形成。
同时，第一引线电极161设置在第二支持部件131上，并且第一引线电极161的一部分可以在第一支持部件110的第二区域，例如第一金属层118的第三电极图案P3上延伸。
第二引线电极163可以设置在第一支持部件110的第一区域，例如第一金属层118的第四电极图案P4上，并且，第二引线电极163的一部分可以在第二支持部件131的第二电极图案P2上延伸。第一支持部件110的第一区域和第二区域可以是彼此不同的区域。
第一引线电极161可以连接至第三金属层138的第一电极图案P1和第一金属层118的第三电极图案P3。第一引线电极161可以设置为与第二支持部件131、粘合部件151以及第一支持部件110的第二区域在垂向上重叠(vertically overlap)。
此处，发光芯片101与第一引线电极161和第二支持部件131在垂向上重叠，并且可以使用接合材料接合至第一引线电极161。当发光芯片101接合至第一引线电极161时，该接合材料包括导电材料，例如焊料。当不需要在发光芯片101与第一引线电极161之间的电连接时，该接合材料可以是绝缘材料，例如硅或环氧树脂材料。
第二引线电极163可以设置在第一支持部件110的第一区域、粘合部件151和第二支持部件131上。第二引线电极163可以连接至第三金属层138的第二电极图案P2和第一金属层118的第四电极图案P4。
第一引线电极161和第二引线电极163是焊盘，并且可以包括与第一至第四金属层118、119、138和139不同的金属。例如，第一引线电极161和第二引线电极163中的每一者可以使用选自以下材料组成的组中的至少一种以单层或多层形成：钛(Ti)、钯(Pd)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)和磷(P)，或其选择性的合金。
用于表面保护的保护层(未示出)可以设置在第一引线电极161和第二引线电极163上。该保护层可以包括阻焊材料。
同时，传导层(conductive layer)165设置在第二支持部件131下。传导层165在第二支持部件131下散发从第二支持部件131传导(conducted)的热量。传导层165可以在第一支持部件110下延伸。传导层165可以设置在第二金属层119和第四金属层139下。传导层165设置为使得其横向或纵向宽度宽于第二支持部件131的横向或纵向宽度，从而散发所传导的热量。传导层165的一部分可以在垂向上与粘合部件151重叠。
传导层165可以包括与第一至第四金属层118、119、138和139不同的金属。例如，传导层165可以使用选自由下列材料组成的组中的至少一种以单层或多层形成：钛(Ti)、钯(Pd)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)和磷(P)，或其选择性合金。传导层165可以包括与第一引线电极161和第二引线电极163相同的金属，但是本发明不限于此。
发光芯片101连接至第一引线电极161和第二引线电极163。发光芯片101可以使用导电粘合剂接合至第一引线电极161，并且可以通过导线105连接至第二引线电极163。发光芯片101通过接收从第一引线电极161和第二引线电极163供应的电力而受驱动而发光。从发光芯片101产生的热量可以传导至第一引线电极161、第二支持部件131和传导层165。
根据一实施例，发光芯片101可以在第二支持部件131上设置一个或多个，但是本发明不限于此。多个发光芯片101可串联或并联连接，但是本发明不限于此。
根据该实施例的发光器件100可以排除在设置发光芯片101的区域中在发光芯片101与第二支持部件131之间增加热阻(heat resistence)的材料，例如绝缘粘合剂。在根据该实施例的发光器件100中，由陶瓷材料制成的第二支持部件131设置在发光芯片101设置的区域中，从而改善散热效率。在根据该实施例的发光器件100中，由树脂材料制成的第一支持部件110设置在第二支持部件131的周边，使得与第一支持部件110的背面(rear face)的电连接可以通过在第一支持部件110上的电路图案或通孔来容易地实现。此外，可以进一步将其他控制部分设置在第一支持部件110上。
图4所示为图2中的发光器件的第一修改。在图4中，与上述组件相同的组件参考上述组件和其描述。
参见图4，该发光器件包括：发光芯片101；具有开口150的第一支持部件110；位于第一支持部件110的开口150中的第二支持部件131，第二支持部件131设置在发光芯片101下；在第二支持部件131与发光芯片101之间设置的第一引线电极161；在第一支持部件110和第二支持部件131中的至少一者上设置的第二引线电极163；在第一支持部件110和第二支持部件131下设置的传导层165；以及在发光芯片101上设置的透光层(lighttransmission layer)171。
透光层171可以设置在发光芯片101的表面上，例如发光芯片101的侧表面和顶部表面。透光层171可以包括树脂材料诸如硅(silicon)或环氧树脂。
透光层171的顶部表面可以位于高于导线105最高点的高度的位置，但是本发明不限于此。透光层171可以包括杂质，诸如荧光物质、分散剂或散射剂，但是本发明不限于此。
透光层171可以在垂向上与第二支持部件131重叠，并且，透光层171的一部分可以形成在第一引线电极161与第二引线电极163之间的间隙109中。透光层171可以设置在第二支持部件131和第一支持部件110之上，但是本发明不限于此。
图5所示为图2中的发光器件的第二修改。在图5中，与上述组件相同的组件参考上述组件及其描述。
参见图5，该发光器件包括：发光芯片101；具有开口150的第一支持部件110,；位于第一支持部件110的开口150中的第二支持部件131，第二支持部件131设置在发光芯片101下；在第二支持部件131与发光芯片101之间设置的第一引线电极161；在第一支持部件110和第二支持部件131中的至少一者上设置的第二引线电极163；在第一支持部件110和第二支持部件131下设置的导电层165；在发光芯片101上设置的荧光物质层173；以及在发光芯片101周边设置的反射部件175。
荧光物质层173设置在发光芯片101的顶部表面上。荧光物质层173可以进一步形成在发光芯片101的侧表面上，但是本发明不限于此。
荧光物质层173转换从发光芯片101发出的一部分光的波长。荧光物质层173包括在硅或环氧树脂中的荧光物质。该荧光物质可以包括红色、绿色、蓝色和黄色荧光物质中的至少一者，但是本发明不限于此。该荧光物质可以由例如选自YAG、TAG、硅酸盐、氮化物和氮氧基材料组成的组中的一种形成。
反射部件(reflecting member)175可以设置在发光芯片101和荧光物质层173的周边。反射部件175反射从发光芯片101入射的光，使得通过荧光物质层173来提取(extract)光。
反射部件175可以包括非金属或绝缘材料，并且可以由例如诸如硅或环氧树脂的树脂材料形成。反射部件175可以包括具有高于树脂材料的折射率的折射率的杂质。可以将诸如具有Al、Cr、Si、Ti、Zn和Zr中的至少一种的氧化物、氮化物、氟化物和硫化物的化合物中的至少一种添加到反射部件175。
反射部件175的顶部表面可以位于高于导线105最高点高度的位置。因此，反射部件175可以保护导线105。
反射部件175可以设置为在垂向上与第二支持部件131重叠，并且可以接触第一引线电极161和第二引线电极163。反射部件175可以通过由杂质进行的热传导从其表面散发热量。
根据一实施例，可以将光学透镜(optical lens)设置在一个或多个发光芯片101上，但是本发明不限于此。
图6所示为图2、图4和图5中的每种发光器件的粘合部件的详细配置。图7是示出在图2、图4和图5中的每种发光器件中的粘合部件上的引线电极的表面状态的视图。图8是示出在图2、图4和图5中的每种发光器件中随着粘合部件厚度增加的引线电极的表面状态的视图。
在根据该实施例的发光器件中，根据在第一支持部件110与第二支持部件131之间设置的粘合部件151的厚度D1(如图6所示)，可以在引线电极163中形成内凹部分(concaveportion)160或160A(如图7或图8所示)。如果引线电极163的内凹部分160A形成为更深(如图8所示)，引线电极163可能开路。
粘合部件151的厚度D1可以等于或小于300微米，例如在25微米至200微米的范围内。当粘合部件151的厚度D1在25微米至200微米的范围内时，可以在引线电极163的表面中形成精细的(fine)内凹部分160，如图7所示。内凹部分160的深度T2形成为等于或小于引线电极163的厚度T1的1/3，因此，引线电极163开路的故障不会发生。
如果粘合部件151的厚度小于25微米，在粘合部件151的方向中就不存在任何的应力减轻(stress relief)，因此，在热冲击测试中在第二支持部件131中可能会产生开裂。当粘合部件151的厚度D4超过300微米如图8所示，很难执行表面金属加工，并且在粘合部件151上的引线电极163使得内凹部分160A凹部到深度T3。因此，会发生引线电极163开路的故障。
由于粘合部件151的第一粘合部分153，可以防止在第二支持部件131的顶部边缘的电极图案P1与P2之间的电短路。第一粘合部分153可以具有等于或大于50微米的宽度D3，例如，在50微米至150微米的范围内。当第一粘合部分153的宽度D3小于该范围时，在相邻的图案P1与P2之间可能发生电干扰。当第一粘合部分153的宽度D3大于该范围时，第一粘合部分153可能对引线电极161和163的表面造成影响。
当在第二支持部件131的底部表面上形成电极图案时，第二粘合部件155可以防止在第二支持部件131的底部表面上的电极图案之间的电短路。第二粘合部分155的宽度D2可以形成为等于或宽于第一粘合部分153的宽度D3，并且第二粘合部分155可以具有等于或大于50微米的宽度，例如，在70微米至200微米的范围中。当第二粘合部分155的宽度D2小于该范围时，在相邻的图案P1与P2之间可能发生电干扰。当第二粘合部分155的宽度D2大于该范围时，第二粘合部分155可能对导电层165的表面产生影响。
图9至图17是对图2中的发光器件的其他修改。在图9至图17中，与上述组件相同的组件参考上述组件及其描述，相关详细描述将省略。
参见图9，粘合部件151设置在第一支持部件110与第二支持部件131之间，并且包括第一粘合部分153。第一粘合部分153粘合至第二支持部件131的顶部边缘部分，并且设置在第三金属层138与第一金属层118之间。第一粘合部分153可以防止第一电极图案P1和第二电极图案P2通过间隙109的区域彼此连接。
粘合部件151不包括第二粘合部分，并且，粘合部件151的下部部分可以设置在第二金属层119与第四金属层139之间。在此情况中，当传导层165不是电源供应层时，第四金属层139延伸直至第二粘合部分的区域，因此，可以改善由第四金属层139引起的热传导效率。
参见图10，粘合部件151具有包括第二粘合部分155而不含任何第一粘合部分的结构。当传导层165是电源供应层时，第二粘合部分155可以防止在第二支持部件131的底部边缘处的第四金属层139的电极图案之间的电短路。
粘合部件151的上部部分可以设置在第三金属层138与第一金属层118之间，并且，间隙109可以在第二支持部件131上将第三金属层138分割成第一图案P1和第二图案P2。因此，尽管粘合部件151的第一粘合部分被移除，间隙109可以防止在第二支持部件131上的电短路。
参见图11，第二支持部件131包括在其顶部边缘设置的第一凹部(recess)6A和在其底部边缘设置的第二凹部6B中的至少一者。第一凹部6A可以沿着第二支持部件131的顶部边缘设置，并且可以形成为从第二支持部件131的顶部表面成阶梯状(stepped from)。第二凹部6B可以沿着第二支持部件131的底部边缘形成，并且可以形成为从第二支持部件131的底部表面成阶梯状。
粘合部件151设置在第一支持部件110与第二支持部件131之间。第一粘合部分154可以设置在第一凹部6A中，并且，第二粘合部分155可以设置在第二凹部6B中。
第一粘合部分154可以设置在第三金属层138与第一金属层118之间，第二粘合部分155可以设置在第二金属层119与第四金属层139之间。第一粘合部分154可以具有增加的粘合面积(adhesive area)，因此可以防止在第二支持部件131的顶部表面上发生短路。
第一凹部6A和第二凹部6B的宽度可以等于第一粘合部分154和第二粘合部分155的宽度，并且可以在例如25微米至300微米的范围内。通过利用第一凹部6A和第二凹部6B的宽度，可以防止在相邻的电极图案之间的干扰。
参见图12，第二支持部件131包括在其上周边处设置的第一凹部6A，并且在第二支持部件131的下周边处设置的第二凹部可以省略。第一粘合部分153设置在第一凹部6A中，因此可以防止在第二支持部件131的上部部分处发生短路。另外，可以增加在引线电极161与163之间的粘合面积。
参见图13，第二凹部6B设置在第二支持部件131的下周边处，在第二支持部件131的上周边处设置的第一凹部可以省略。第二粘合部分155设置在第二凹部6B中，因此可以防止在第二支持部件131的下部部分处发生短路。另外，可以增加与传导层165的粘合面积。
参见图14，粘合部件151设置在第一支持部件110与在第一支持部件110的开口150中的第二支持部件131之间。粘合部件151的上部部分可以设置在第一金属层118与第三金属层138之间的区域中并设置在第一引线电极161与第二引线电极163下。粘合部件151的上部部分不包括任何单独的(separate)粘合部分，因此，间隙109可以将第三金属层138的电极图案P1与P2彼此分开。
粘合部件151的下部部分可以设置在第二金属层119与第四金属层139之间并在传导层165上的区域中。
参见图15，粘合部件151粘合在第一支持部件110与第二支持部件131之间，并且第一凹部6A设置在第二支持部件131的上周边处。粘合部件151的第一粘合部分154可以设置在第一凹部6A中。第二凹部6B设置在第二支持部件131的下周边处，并且，粘合部件151的第二粘合部分156可以设置在第二凹部6B中。突出部分15设置在第一凹部6A与第二凹部6B之间。
此处，与图11不同，粘合部件151可以没有从第二支持部件131的顶部表面向上突出也没有从第二支持部件131的底部表面向下突出。相应地，第一引线电极161和第二引线电极163的凸起projections)3A和3B突出到在第一金属层118与第三金属层138之间的区域以粘合至第一粘合部分154。传导层165的凸起5A和5B突出到在第二金属层119与第四金属层139之间的区域以粘合至第二粘合部分156。在该发光器件中，尽管第一粘合部分154没有从第二支持部件131的顶部表面向上突出，仍然可以防止由间隙109引起的电短路。
参见图16，粘合部件151可以设置在第一支持部件110与第二支持部件131之间。凹槽16从第二支持部件131的侧表面向内凹陷，并且，粘合部件151的突出部分152可以设置在凹槽16中。凹槽16的深度可以形成在散热效率不会降级且第二支持部件131的强度(strength)不会降级的范围内。
粘合部件151的上部部分可以从第二支持部件131的顶部表面向上突出，粘合部件151的下部部分可以从第二支持部件131的底部表面向下突出。
参见图17，粘合部件151设置在第一支持部件110与第二支持部件131之间，并且可以包括延伸到在第一支持部件110的内侧的顶部(top inside of the first supportmember)的第一粘合部分153A和延伸到第一支持部件110内侧的底部(bottom inside ofthe first support member)的第二粘合部分155A中的至少一者或两者。第一粘合部分153A可以延伸到与在第一支持部件110的顶部表面中的开口相邻的区域，以设置在第一金属层118与第三金属层138之间。第二粘合部分155A可以延伸到与在第一支持部件131的底部表面中的开口150相邻的区域，以设置在第二金属层119与第四金属层139之间。
在该发光器件中，粘合部件151的第一粘合部分153A和第二粘合部分155A没有设置在第二支持部件131上而是设置在第一支持部件110上，从而改善第二支持部件131的散热表面积。
在第二支持部件131上的第三金属层138可以通过间隙109划分成预定的电极图案P1和P2。因此，可以防止在第二支持部件131上的电极图案P1与P2之间发生短路。
图18是示出根据第二实施例的具有发光器件的照明模块的视图。图19是沿图18中的照明模块的线B-B截取的截面图。在图18和图19中，与上述组件相同的组件参考上述组件及其描述。
参见图18和图19，照明模块100A包括：多个发光芯片101；具有开口150的第一支持部件110；位于第一支持部件110的开口150中的第二支持部件131，第二支持部件131设置在发光芯片101下；在第二支持部件131上设置的第一引线电极161，第一引线电极161连接至发光芯片101；在第一支持部件110和第二支持部件131中的至少一者上设置的第二引线电极163；以及在第一支持部件110和第二支持部件131下设置的传导层165。根据一实施例，可以将光学透镜设置在多个发光芯片101上，但是本发明不限于此。
第一支持部件110和第二支持部件131可以由与上述材料相同的材料形成。
粘合部件151设置在第一支持部件110与第二支持部件131之间，并且可以允许第一支持部件110和第二支持部件131通过粘合部件151彼此粘合。
第一金属层118可以设置在第一支持部件110的顶部表面上，并且，第二金属层119可以设置在第一支持部件110的底部表面上。第一金属层118和第二金属层119中的每一者可以被划分成一个或多个区域作为一个或多个电极图案。
根据第三金属层138的图案形状，多个电极图案P1和P2可以设置在第二支持部件131上。发光芯片101可以分别设置在多个电极图案P1和P2中的第一电极图案P1上，第一电极图案P1可以电连接至各个发光芯片101。在多个电极图案P1和P2中的第二电极图案P2可以通过导线105连接至第一电极图案P1中的任一个。多个发光芯片101可以通过在第二支持部件131上的多个电极图案P1和P2串联或并联连接。
在第二支持部件131上设置的第一引线电极161可以在第一支持部件110的第二区域上延伸。第二引线电极163可以从第一支持部件110的第一区域延伸至第一支持部件110的顶部表面。第一引线电极161和第二引线电极(leadelectrode)163可以选择性地连接至电极图案P1和P2。
电极端子191和193可以形成在第一支持部件110上，并且可以在预定区域中设置至少一个孔181或至少一个通孔183。
传导层165设置在第二支持部件131下。传导层165可以在第一支持部件110下延伸。传导层165散发从第二支持部件131传导的热量。
可以在第一引线电极161和第二引线电极163上形成保护层188。保护层188保护第一引线电极161和第二引线电极163，并且可以由阻焊材料形成。
图20和图21图示图19中的照明模块的其他实例。
参见图20，照明模块另外包括下部散热板210。散热板210可以连接至在第一支持部件110和第二支持部件131下设置的传导层165。散热板210包括上板211和下部散热片(dissipation fins)213。上板211可以使用粘合剂粘合至传导层165，或者可以通过第一支持部件110的孔181固定至固定部件(fastening member)205。
连接器端子207被插入到通孔183中以被连接，连接器201可以电连接至第二引线电极163。
荧光物质层173设置在发光芯片101上。荧光物质层173转换从发光芯片101发出的一部分光的波长。反射部件175可以设置在发光芯片101的周边。反射部件175反射从发光芯片101侧方向上出射的光以通过荧光物质层173来提取。
参见图21，照明模块可以包括在第一支持部件110的第一引线电极161和第二引线电极163中的至少一者上设置的控制部分201。控制部分201可以是用于控制多个发光芯片101的驱动的无源或有源元件，但是本发明不限于此。
保护部件220可以设置在控制部分201上。保护部件220可以包括绝缘材料，例如环氧树脂或硅材料。
连接器202可以连接至该照明模块，但是本发明不限于此。
图22至图28是示出图2中的发光器件的制造过程的视图。
参见图22和图23，在第一树脂基板110A、粘合层115和第二树脂基板110B中形成开口150A，然后对齐第一树脂基板110A、粘合层115和第二树脂基板110B。第一树脂基板110A可以包括第一树脂层111和在第一树脂层111上设置的第一金属层118。第二树脂基板110B可以包括第二树脂层113和在第二树脂层113下设置的第二金属层119。
使粘合层115位于第一树脂基板110A与第二树脂基板110B之间，然后使第一树脂基板110A和第二树脂基板110B通过粘合层115彼此粘合。因此，可以将第一树脂基板110A和第二树脂基板110B形成为第一支持部件110，如图24所示。
此外，定位第二支持部件131然后将第二支持部件131插入到开口150A中。第二支持部件131包括陶瓷材料，并且可以将金属层138和139设置在第二支持部件131的顶部表面和底部表面中的至少一者上。第二支持部件131的金属层138和139可以包括电极图案，但是本发明不限于此。
第二支持部件131的顶部边缘部分R1和底部边缘部分R2可以分别是没有形成第三金属层138和第四金属层139的区域，但是本发明不限于此。
如果第二支持部件131设置在第一支持部件110的开口150A中如图24所示，第一支持部件110和第二支持部件131的顶部和底部分别使用顶部压板251和底部压板156来压紧(compress)，如图25所示。
此时，在第一树脂层111与第二树脂层113之间设置的粘合层115被压紧(compressed)，以移至开口150中，如图25所示。移动到开口150中的粘合材料作为粘合部件151将第一支持部件110与第二支持部件131彼此粘合。
粘合部件151延伸至第二支持部件131的顶部边缘部分和底部边缘部分以形成第一粘合部分153和第二粘合部分155。
参见图26，引线电极161A和传导层165通过镀工艺(plating process)分别形成在第一支持部件110和第二支持部件131的顶部表面和底部表面上。引线电极161A可以形成在第一支持部件110和第二支持部件131的顶部表面的整个区域中，或者可以选择性地形成在第一支持部件110和第二支持部件131的顶部表面上。
此处，可以在进行镀工艺之前在第一支持部件110中形成孔或通孔，但是本发明不限于此。
参见图26和图27，为了形成图案，引线电极161A被蚀刻以形成间隙109，从而将引线电极161划分成多个引线电极161和163。而且，可以通过蚀刻工艺将传导层165蚀刻成所需的图案形状，但是本发明不限于此。
参见图28，发光芯片101设置在第二支持部件131上设置的第一引线电极161上。可以使用接合材料将发光芯片101接合至第一引线电极161，并且发光芯片101可以电连接至第一引线电极161和第二引线电极163。
尽管已将发光芯片101是垂直型芯片的情况作为实例进行了说明，但是发光芯片101可以是水平型芯片，但是本发明不限于此。而且，发光芯片101可以以倒装芯片(flip-chip)安装，但是本发明不限于此。
可以将荧光物质层或透光层(light transmission layer)设置在发光芯片101上，并且可以将反射部件设置在发光芯片101的周边处。但是，本发明不限于此。
图29是示出根据一实施例的水平型发光芯片的实例的侧截面图。
参见图29，发光芯片包括基板311、缓冲层312、发光结构310、第一电极316和第二电极317。基板311包括由透光或非透光材料制成的基板。而且，基板311包括导电或绝缘基板。
缓冲层312减小在基板311和发光结构310的材料间的晶格常数差异，并且可以由氮化物半导体形成。没有掺杂掺杂剂的氮化物半导体可以进一步形成在缓冲层312与发光结构310之间，从而改善晶体(crystal)质量。
发光结构310包括第一导电半导体层313、有源层(active layer)314和第二导电半导体层315。
第一导电型半导体层313通过使用III-V族化合物半导体来实施。第一导电半导体层313包括掺杂有第一导电掺杂剂的半导体，例如组合物通式(compositional formula)为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)。第一导电半导体层313可以包括包含化合物半导体诸如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的至少一种的层的堆叠结构。第一导电半导体层313是n型半导体层，并且，第一导电掺杂剂可以包括作为n型掺杂剂的Si、Ge、Sn、Se和Te。
第一包覆层(clad layer)可以形成在第一导电半导体层313与有源层314之间。该第一包覆层可以由GaN基半导体形成，并且第一包覆层的能带隙(bandgap)可以形成为等于或大于有源层(active layer)314的能带隙。第一包覆层由第一导电类型(conducitvelayer)形成，并且用以限制(restrain)载流子。
有源层314设置在第一导电半导体层313上，并且选择性地包括单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构或量子点结构。有源层314包括阱层(well layer)和势垒层(barrier layer)的周期。该阱层可以包括InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组合物通式，该势垒层可以包括InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组合物通式。例如，阱层/势垒层可以通过使用InGaN/GaN、AlGaN/GaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、InAlGaN/AlGaN或InAlGaN/InAlGaN的堆叠结构来重复一种或多种周期性。该势垒层可以由具有高于该阱层的能带隙的能带隙的半导体材料形成。
第二导电半导体层315形成在有源层314上。第二导电半导体层315包括掺杂有第二导电掺杂剂的半导体，例如组合物通式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)。第二导电半导体层315可以由化合物半导体诸如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的任一种制成。第二导电半导体层315是p型半导体层，第二导电掺杂剂可以包括作为p型掺杂剂的Mg、Zn、Ca、Sr和Ba。
第二导电半导体层315可以包括超晶格结构，并且，该超晶格结构可以包括InGaN/GaN或AlGaN/GaN的超晶格结构。第二导电半导体层315的超晶格结构能够扩散在非正常电压中的电流以保护有源层314。
另外，发光结构310的导电类型可以逆转设置。例如，第一导电半导体层313可以制备为p型半导体层，第二导电半导体层315可以制备为n型半导体层。此外，具有与第二导电类型相反极性的第一导电半导体层可以进一步设置在第二导电半导体层315上。
发光结构310可以具有n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构以及p-n-p结结构中的一种。此处，p指的是p型半导体层，n指的是n型半导体层，“-”表示p型半导体层和n型半导体层彼此直接或间接接触。下文中，为便于描述，会将发光结构310的最上层描述为第二导电半导体层315。
第一电极316设置在第一导电半导体层313上。具有电流扩散层的第二电极317设置在第二导电半导体层315上。
图30是示出根据该实施例的发光芯片的另一实例的视图。在图30中，与图29中对应部分相同部分的描述会省略，仅作简要描述。
参见图30，在垂直型发光芯片中，在发光结构310下形成接触层321，在接触层321下形成反射层324。在反射层324下形成支持部件325，保护层323可以形成在反射层324和发光结构310的周边。
可以通过在第二导电半导体层315下形成接触层321和保护层323、反射层324和支持部件325，然后移除生长基板(growth substrate)来形成该发光芯片。
接触层321与发光结构310的底层例如第二导电半导体层315欧姆接触。接触层321可以选自金属氧化物材料、金属氮化物材料、绝缘材料和导电材料。例如，接触层321的材料可以由选自由下列材料组成的组中的材料来形成：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf以及这些材料的选择性组合。另外，接触层321的材料可以使用上述金属和透光导电材料诸如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO形成为多层。例如，接触层321的材料可以堆叠为诸如IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或AZO/Ag/Ni的结构。对应于电极316的用于阻挡电流的层可以进一步形成在接触层321内部。
保护层323可以选择性地由金属氧化物材料或绝缘材料形成。例如，该保护层可以选自以下材料中的一种来形成：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ZTO)、镓锌氧化物(GZO)、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3和TiO2。保护层323可以使用溅射技术或沉积技术来形成，并且诸如反射电极层324的金属可以防止发光结构310的层发生短路。
反射层324可以由例如选自下列材料组成的组中的材料形成：Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf，以及这些材料的选择性组合。反射层324可以形成为其大小大于发光结构310的宽度，这样可以改善光反射效率。用于连结的金属层和用于热扩散的金属层可以进一步设置在反射层324与支持部件325之间，但是本发明不限于此。
支持部件325是基体基板(base substrate)，并且可以由诸如铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)或铜钨(Cu-W)的金属或载体晶圆(例如，Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC)的金属形成。连结层(conjunction layer)可以进一步形成在支持部件325与反射层324之间。该连结层能够允许两个层彼此粘合。上述发光芯片仅是实例，且不限于上述特性。该发光芯片可以选择性地应用到发光器件的实施例，但是本发明不限于此。
所述实施例提供了一种具有新型散热结构的发光器件。所述实施例提供了一种发光器件，其中，用于设置发光芯片的由陶瓷材料制成的第二支持部件设置在由树脂材料制成的第一支持部件的开口中。在所述实施例中，金属层分别设置在用于设置发光芯片的由陶瓷材料制成的支持部件的顶部表面和底部表面上，从而改善散热效率。所述实施例提供了一种具有改善的散热效率的发光器件。在所述实施例中，由陶瓷材料制成的支持部件设置在由树脂材料制成的支持部件的开口中，使得发光器件可以具有纤薄的厚度(slickthickness)。在所述实施例中，可以改善发光器件和具有该发光器件的照明模块的可靠性。
尽管已经参考本发明数个说明性实施例描述了实施例，但是应理解，本领域技术人员可以在不偏离本发明原理的精神和范围内作出众多其他修改和实施例。更具体地，可以在本公开、附图和所附权利要求的范围内对主题组合布置的组成部分和/或布置进行各种变化和修改。除了在组成部分和/或布置中的变化和修改以外，替代使用对于本领域技术人员也是一目了然的。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
具有开口的第一支持部件；
在所述第一支持部件的所述开口中设置的第二支持部件；
在所述第一支持部件与所述第二支持部件之间设置的粘合部件；
在所述第一支持部件的第一区域和所述第二支持部件上设置的第一引线电极；
在所述第一支持部件的第二区域和所述第二支持部件上设置的第二引线电极；
在所述第一引线电极上设置的发光芯片，所述发光芯片电连接至所述第二引线电极；以及
在所述第二支持部件下设置的传导层，
其中，所述第一支持部件包括树脂材料，
所述第二支持部件包括陶瓷材料，
其中，所述第一支持部件的所述第一区域和所述第二区域是彼此不同的区域，
所述第一引线电极设置在所述发光芯片与所述第二支持部件之间，
其中，所述第一引线电极与所述第二支持部件以及所述粘合部件在垂向上重叠，
其中，所述第二引线电极与所述第二支持部件以及所述粘合部件在垂向上重叠，并且
其中，所述粘合部件包括粘合至所述第二支持部件的顶部边缘部分并与所述第一引线电极和所述第二引线电极相接触的部分。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述粘合部件还包括粘合至所述第二支持部件的底部边缘部分的另一粘合部分。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述粘合部件包括粘合至所述第一支持部件内侧的顶部的第一粘合部分和粘合至所述第一支持部件内侧的底部的第二粘合部分中的至少一者。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的发光器件，其中，所述开口的俯视图形状包括圆形形状或多边形形状，所述第一支持部件和所述粘合部件设置在所述第二支持部件的周边处，并且
其中，所述粘合部件的厚度在25微米至200微米的范围内。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的发光器件，其中，所述第一支持部件包括第一树脂层、在所述第一树脂层下设置的第二树脂层、在所述第一树脂层与所述第二树脂层之间设置的粘合层、在所述第一树脂层上设置的第一金属层以及在所述第二树脂层下设置的第二金属层，并且
所述粘合层连接至所述粘合部件。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述粘合层和所述粘合部件包括相同材料，并且
其中，所述粘合部件包括硅、环氧树脂和半固化片材料中的至少一种。
7.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述第二支持部件包括在所述第二支持部件的顶部表面上设置的第三金属层和在所述第二支持部件的底部表面上设置的第四金属层中的至少一者；并且
所述粘合部件设置在所述第三金属层和所述第四金属层中的至少一者的周边处。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第三金属层包括多个电极图案，并且与所述第二支持部件的顶部边缘间隔开。
9.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第二支持部件包括在所述第二支持部件的顶部边缘和底部边缘中的至少一者上的阶梯状的凹部，并且
其中，所述第一粘合部分的宽度在70微米至200微米的范围内。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述粘合部件的所述第一粘合部分和所述第二粘合部分中的至少一者设置在所述凹部中。
11.根据权利要求1至3中任意一项所述的发光器件，其中，所述传导层设置在所述第一支持部件和所述第二支持部件下，并且
其中，内凹部分形成在所述第二引线电极中。
12.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述第二支持部件的厚度薄于所述第一支持部件的厚度，而厚于所述第一树脂层和所述第二树脂层的厚度的总和。
13.根据权利要求1至3中任意一项所述的发光器件，其中，所述第二支持部件包括氮化铝、碳化硅、氧化铝、氧化锆、氮化硅和氮化硼中的至少一种。
14.根据权利要求1至3中任意一项所述的发光器件，其中，所述第一支持部件在其中包括孔和通孔中的至少一种。
15.根据权利要求1至3中任意一项所述的发光器件，包括在所述发光芯片上设置的荧光物质层以及在所述发光芯片的周边处设置的由树脂材料制成的反射部件。
16.一种照明模块，包括：
具有开口的第一支持部件；
在所述第一支持部件的所述开口中设置的第二支持部件；
在所述第一支持部件与所述第二支持部件之间设置的粘合部件；
在所述第一支持部件的第一区域和所述第二支持部件上设置的第一引线电极；
在所述第一支持部件的第二区域和所述第二支持部件上设置的第二引线电极；
在所述第一引线电极上设置的多个发光芯片，所述发光芯片电连接至所述第二引线电极；
在所述第一引线电极和所述第二引线电极上设置的保护层；以及
由金属材料制成的传导层，所述传导层设置在所述第一支持部件和所述第二支持部件下，
其中，所述第一支持部件包括树脂材料，
所述第二支持部件包括陶瓷材料，并且
其中，所述第一支持部件的所述第一区域和所述第二区域是彼此不同的区域，
其中，所述第一引线电极设置在所述多个发光芯片与所述第二支持部件之间，并且
其中，所述粘合部件包括粘合至所述第二支持部件的顶部边缘部分并与所述第一引线电极和所述第二引线电极相接触的部分。
17.根据权利要求16所述的照明模块，包括在所述传导层下设置的具有多个散热片的散热板。
18.根据权利要求16所述的照明模块，其中所述多个发光芯片串联连接，并且
其中，所述照明模块包括：
在所述多个发光芯片上设置的荧光物质层；以及
由树脂材料制成的反射部件，所述反射部件设置在所述发光芯片和所述荧光物质层的周边处。
19.根据权利要求16至18中任意一项所述的照明模块，其中，所述粘合部件还包括在所述第二支持部件的底部边缘部分处设置的另一粘合部分。
20.一种用于制造发光器件的方法，包括：
提供具有粘合层的第一支持部件和在不同的树脂层之间的粘合层，所述第一支持部件包括开口；
将由陶瓷材料制成的第二支持部件插入到所述第一支持部件的所述开口中；
当所述第一支持部件被压紧时，使得所述粘合层的一部分移至所述开口中并且被粘合至所述第二支持部件；以及
在所述第一支持部件和所述第二支持部件上形成引线电极；以及
在所述引线电极上设置发光芯片，
其中，所述粘合层设置在所述第二支持部件的顶部边缘部分处和底部边缘部分处，以粘合至所述引线电极。
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