CN102693717B - 乐器用振动传感器及拾音鞍 - Google Patents
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Abstract
一种乐器用振动传感器，其具备基板，与所述基板叠合的第一电极膜，与所述第一电极膜叠合的压电膜，与所述压电膜叠合的第二电极膜，与所述第二电极膜叠合的绝缘膜，与所述绝缘膜叠合且与所述第一电极膜结合，由导电性材料构成且通过所述绝缘膜与所述第二电极膜绝缘的屏蔽膜。
Description
本申请基于2011年3月24日提出申请的日本国专利申请第2011-65215号主张优先权，在此引用其内容。
技术领域
本发明涉及一种乐器用振动传感器及拾音鞍。
背景技术
目前，已知有具备用于将吉他等的弦的振动转换为电信号的振动传感器，同时支承弦的拾音鞍(例如国际公开WO2008/117483A1)。与在鞍和乐器主体之间夹持振动传感器的情况相比，通过在鞍中内置振动传感器，不损害乐器的外观，另外，能够将弦振动稳定地转换为电信号。WO2008/117483A1所记载的拾音鞍的振动传感器以在两片电极板中夹入压电元件并用线缠绕暂时固定的状态，通过粘接剂粘接在构成拾音鞍的外壳的外形部件上。另外，在WO2008/117483A1中，公开有为了屏蔽振动传感器不受振动传感器的输出中产生干扰的电磁波影响，在外形部件上粘接振动传感器之前，在振动传感器的表面粘接或涂布绝缘屏蔽剂的技术。
但是，在如WO2008/117483A1所记载的那样，将压电元件和电极板以用线缠绕暂时固定的状态粘接于外形部件上，在这种情况下，压电元件和电极板之间产生导电不稳定的可能性较高。特别是由于在演奏时施加大的力，从而压电元件和电极板的接触状态变化的可能性极高。另外，为了防止这种情况，若将导电性粘接剂等导电性材料插入压电元件和电极板之间，则流动的导电性材料可能会使夹持压电元件的两片电极板发生短路。
另外，如WO2008/117483A1所记载那样，包含电极板的固定及绝缘屏蔽剂的粘接及涂布的制造方法需要手工作业的工序较多，制造成本较高。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的之一是提供一种得到稳定的输出特性且耐久性高的乐器用振动传感器及拾音鞍。
为了解决上述课题，本发明的乐器用振动传感器具备：基板；第一电极膜，其与所述基板叠合；压电膜，其与所述第一电极膜叠合；第二电极膜，其与所述压电膜叠合；绝缘膜，其与所述第二电极膜叠合；屏蔽膜，其与所述绝缘膜叠合且与所述第一电极膜结合，由导电性材料构成且通过所述绝缘膜与所述第二电极膜绝缘。
压电膜与两片电极膜直接结合，因此，压电膜和电极膜的结合力较高。因此，即使在演奏时施加大的力，压电膜和电极膜的接触状态也不容易变化。因而，根据本发明，能够实现得到稳定的输出特性且耐久性高的乐器用传感器。而且，通过使用薄膜形成技术，能够制造各层的位置精度较高、价格低廉，而薄且小型的这样的乐器用传感器。而且，绝缘膜及屏蔽膜也使用薄膜形成技术，从而能够叠层在第二电极膜的上方。即，根据本发明，能够提高S/N及耐久性，同时能够抑制制造成本。
本发明的乐器用振动传感器，也可以进一步具备：绝缘膜，其与所述第二电极膜叠合且与所述第二电极膜直接结合；屏蔽膜，其与所述绝缘膜叠合且与所述绝缘膜、所述压电膜和所述第一电极膜直接结合，该屏蔽膜由导电性材料构成且通过所述绝缘膜与所述第二电极膜绝缘。与所述压电膜的所述屏蔽膜直接结合的端面也可以是倾斜的。具体而言，所述压电膜的端面可以以所述压电膜朝所述基板方向扩展的方式倾斜。所述第一电极膜的端面的至少一部分可以位于比所述压电膜的倾斜的端面更内侧的位置，所述第二电极膜可以沿所述压电膜的倾斜端面到达所述基板。在采用该结构的情况下，所述压电膜的端面倾斜，因此，不会产生端面在垂直的情况下可引起的屏蔽膜的台阶覆盖性变差，能够提高屏蔽膜和基底的紧密结合的强度，同时能够防止屏蔽膜的断线。
本发明的乐器用振动传感器可以在所述基板的背面形成由磁性体构成的膜。在采用该结构的情况下，电磁干扰的屏蔽效果提高。另外，基板的背面是指相当于叠层有第一电极膜、压电膜、第二电极膜、绝缘膜及屏蔽膜的面的背侧的面。另外，所述第一电极膜、所述第二电极膜或所述屏蔽膜的至少一部分也可以由磁性体构成。在采用该结构的情况下，电磁干扰的屏蔽效果进一步提高。
所述基板也可以由陶瓷、Si、Si化合物、氧化锆、玻璃、玻璃陶瓷构成。氧化锆韧性较高，因此，乐器用振动传感器的耐久性进一步提高，另外，容易将乐器用振动传感器以弯曲的状态固定于鞍等振动部件上。另外，氧化锆的耐热性、弯曲强度较高。因此，既可承受制造工序中的高温的热量，也能够承受由所层叠的材料的热膨胀率的不同引起的翘曲。另外，即使使基板变薄，在制造工序中也不易断裂，因此，能够实现基板很薄的乐器用振动传感器，在鞍上的固定位置、固定方向的自由度得以扩大。所述氧化锆也可以为部分稳定氧化锆。部分稳定氧化锆含有例如钇，其韧性、耐热性提高。
为了解决上述课题，本发明的拾音鞍具备支承弦的鞍、固定于所述鞍上的上述乐器用振动传感器。根据本发明，能够实现乐器用振动传感器不显眼，且得到稳定输出特性的拾音鞍。另外，固定乐器用振动传感器的位置可以在鞍的内侧也可以在外侧。
在所述鞍上也可以以弯曲的状态固定有所述乐器用振动传感器。在采用该结构的情况下，乐器用振动传感器可以固定在任何形状的区域。因而，能够得到良好的输出特性，且能够在不显眼的区域在鞍上固定乐器用振动传感器。
拾音鞍也可以具备形成于所述鞍上且收纳所述乐器用振动传感器的传感器收纳部、将所述传感器收纳部中除所述乐器用振动传感器之外的区域填埋的填充材料。所述乐器用振动传感器可以以所述基板弯曲的状态收纳于所述传感器收纳部。例如支承所述弦的所述鞍的上面可以为曲面，所述乐器用振动传感器也可以固定于所述鞍的上面。在采用该结构的情况下，弦的振动传播至乐器用振动传感器的衰减变小，因此，能够提高灵敏度并加快响应。
附图说明
图1A是表示本发明的乐器用振动传感器的第一实施例的剖面图；
图1B是图1A所示的乐器用振动传感器的平面图；
图1C是表示图1A所示的乐器用振动传感器的变形例的剖面图；
图2A及图2B是表示本发明的乐器用振动传感器的第二实施例的剖面图及平面图；
图3A及图3B是表示本发明的拾音鞍的第一实施例的剖面图及平面图。
图4是表示本发明的拾音鞍的第二实施例的侧面图；
图5是表示本发明的拾音鞍的第三实施例的侧面图；
图6A、图6C、图6E、图6G、图6I及图6K是表示本发明的拾音鞍的第一实施例的制造方法的侧面图；
图6B、图6D、图6F、图6H及图6J是表示本发明的拾音鞍的第一实施例的制造方法的剖面图；
图7A、图7C、图7E、图7G及图7I是表示本发明的拾音鞍的第二实施例的制造方法的侧面图；
图7B、图7D、图7F、图7H及图7J是表示本发明的拾音鞍的第二实施例的制造方法的剖面图；
图8A、图8B及图8D是表示本发明的拾音鞍的第二实施例的制造方法的变形例的侧面图；
图8C及图8E是表示本发明的拾音鞍的第二实施例的制造方法的变形例的剖面图；
图9是表示本发明的一实施例的吉他的立体图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施例进行以下说明。另外，对各图中对应的构成要素标注相同的符号，省略重复的说明。
<乐器用振动传感器的实施例>
图1A及图1B表示本发明的乐器用振动传感器的第一实施例。图1A为沿着图1B的A-A线的剖面图。乐器用振动传感器10为用于检测例如图9所示的吉他1的弦振动的传感器。乐器用振动传感器10为应用丝网印刷技术或半导体制造技术等薄膜技术制造的叠层结构体。因此，构成乐器用振动传感器10的基板11、第一电极膜12、压电膜13、第二电极膜14、绝缘膜15、屏蔽膜16无需使用粘接剂等而是通过直接结合而一体化。乐器用振动传感器10的外形尺寸可配合鞍20的形状任意设定。例如，检测吉他的六根弦振动的乐器用振动传感器10的厚度设定为0.1mm～3mm，乐器用振动传感器10的宽度设定为1mm～8mm，乐器用振动传感器10的长度设定为3mm～80mm左右即可。
基板11为例如厚度0.2mm的板状部件。对于基板11，要求具有承受乐器演奏时施加的载荷的耐久性、和承受对压电膜13进行的热处理等制造工序中的热负荷的耐热性。例如，硅、玻璃、玻璃陶瓷、金属等可作为基板11的材料。作为基板11的材质特别优选氧化锆(ZrO2)、例如含有钇的部分稳定氧化锆。氧化锆耐热性较高，因此，能够充分承受压电膜13的热处理。另外，在用氧化锆形成基板11情况下，基板11的韧性变高，因此，耐久性变高的同时，也可以以弯曲状态使用乐器用振动传感器10。
叠合于基板11的上表面的第一电极膜12为例如厚度2μm的导电膜。第一电极膜12由白金(Pt)等金属构成。第一电极膜12通过丝网印刷法、溅射法等薄膜形成技术形成。因此，第一电极膜12与基板11的上表面直接结合。在第一电极膜12的上表面的端部形成有电极焊盘17a，其用于连接接地电位的导线(地线)。电极焊盘17a由例如铝(Al)等构成。另外，可以将第一电极膜12自身作为电极焊盘而在第一电极膜12上直接连接导线，从而代替在第一电极膜12上形成电极焊盘的。
叠合于第一电极膜12的上表面的压电膜13为由例如厚度35μm的压电材料构成的膜。压电膜13由PZT(锆钛酸铅)等压电材料构成。压电膜13使用溶胶-凝胶法、溅射法、CVD法、丝网印刷法等薄膜形成技术形成于第一电极膜12的表面。因此，压电膜13与第一电极膜12的上表面直接结合。通过由丝网印刷法形成压电膜13，能够使压电膜13的端面倾斜。若使压电膜13的端面倾斜，则将压电膜13的端面和第一电极膜12的上表面作为基底面形成的层的台阶覆盖性提高，紧密结合强度提高。
叠合于压电膜13的上表面的第二电极膜14为例如厚度2μm的导电膜。第二电极膜14在与压电膜13的上表面相同、或比压电膜13的上表面还狭窄的区域形成。第二电极膜14由金(Au)、铝(Al)等金属构成。第二电极膜14通过丝网印刷法、溅射法等薄膜形成技术形成。因此，第二电极膜14与压电膜13的上表面直接结合。在第二电极膜14的上表面的端部形成有用于连接导线的电极焊盘17b。电极焊盘17b由例如铝(Al)等构成。另外，可以将第二电极膜14自身作为电极焊盘，在第二电极膜14上直接连接导线，从而代替在第二电极膜14上形成电极焊盘的结构。
叠合于第二电极膜14的上表面的绝缘膜15覆盖除形成有电极焊盘17b的端部区域之外的第二电极膜14的全部上表面。绝缘膜15由例如厚度40μm的聚酰亚胺等绝缘材料形成。绝缘膜15通过丝网印刷法、旋涂法、层压法、CVD法、溅射法、蒸镀法、蒸镀聚合法等薄膜形成技术形成。因此，绝缘膜15与第二电极膜14的上表面直接结合。
叠合于绝缘膜15的上表面的屏蔽膜16由例如厚度2μm的铝等导电性材料构成。屏蔽膜16覆盖乐器用振动传感器10的大部分上表面，与接地的第一电极膜12结合。因此，屏蔽膜16与接地的第一电极膜12一同发挥电磁屏蔽的作用。屏蔽膜16通过溅射法、CVD法、丝网印刷法、镀覆法等薄膜形成技术形成。因此，屏蔽膜16与绝缘膜15、压电膜13及第一电极膜12直接结合。另外，在图1A中绝缘膜15的一个端部形成于与压电膜13的端部相同的位置，但不限于此。绝缘膜15的该端部也可以比压电膜13的该端部还靠后。
另外，也可以如图1C所示的乐器用振动传感器10a那样通过绝缘膜15a覆盖压电膜13a的端面。
如上所述，构成乐器用振动传感器10的基板11上的各层通过薄膜形成技术形成，因此，直接结合的层之间的紧密结合强度较高。因而，在演奏中即使施加大的载荷，压电膜13和第一电极膜12或压电膜13和第二电极膜14也不易发生剥离。因此，能够防止乐器用振动传感器10中所述电极的剥离及由此产生的所述电极之间的短路。另外，通过使用薄膜形成技术一体形成屏蔽膜16，能够提高S/N，同时能够抑制制造成本。因而，能够实现可靠性高的乐器用振动传感器10，其能够承受在存在大量干扰的演奏会场等中使用。
另外，基板11上的各层的图案也可以使用光刻技术得到尺寸精度和对准精度高的精细图案。因此，乐器用振动传感器10小型化是容易的。因而，能够容易得到不显眼的乐器用振动传感器10。
下面，参照图2A及图2B对本发明的乐器用振动传感器的第二实施例进行说明。图2A为沿着图2B的A-A线的剖面图。在该第二实施例的乐器用振动传感器10b中，为了提高相对于由磁场引起的干扰的磁屏蔽的效果，在基板的背面侧形成有由磁性体构成的膜。
具体而言，在图2A所示的乐器用振动传感器10b中，在基板11的背面形成有铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)等具有磁性的金属、组合它们得到的合金，或包含具有磁性的金属的合金的膜，由此形成磁屏蔽膜18。若在磁屏蔽膜18上连接地线则能够防止电磁波干扰。若只为防止电磁波干扰，则可以将磁屏蔽膜18设为非磁性的金属。另外，通过将第一电极膜12b、第二电极膜14b或屏蔽膜16b设为磁性体，能够得到更大的磁屏蔽效果。特别是由于坡莫合金这样的软磁性体的磁屏蔽效果较高，所以优选。另外，也可以将屏蔽膜设为铜(Cu)等非磁性金属膜和坡莫合金等磁性膜两层。通过铜膜能够防止电磁波干扰，通过坡莫合金能够得到磁屏蔽的效果。
如图2A及图2B所示，在乐器用振动传感器10b中，沿压电膜13的端面延长第二电极膜14b的图案至基板11。该情况下，第一电极膜12b的端面的至少一部分必须位于比第二电极膜14b沿着的压电膜13的端面更靠内侧的位置，从而使得第二电极膜14b与第一电极膜12b不直接接触。另外，该情况下，使压电膜13的端面倾斜，使得压电膜朝向基板11的方向扩展，从而得到防止第二电极膜14b的断线的效果。
在乐器用振动传感器10b中，基板11上的各层图案能够使用丝网印刷技术、光刻技术、或薄膜技术精密控制，因此，如图2B所示，按照弦的排列将第二电极膜14b分割为多个区域。从分割的各区域可分别取出信号。在乐器用振动传感器10b中，如图2A及图2B所示，将第一电极膜12b、第二电极膜14b本身作为电极焊盘直接连接导线，从而代替另行设置电极焊盘的结构。另外，按照弦的排列将压电膜及第二电极膜分割为多个区域，同时，也可以在压电膜的邻接的区域之间插入衰减材料。
<拾音鞍的实施例>
图3A及图3B、图4以及图5分别表示使用上述的乐器用振动传感器10的第一、第二及第三实施例的拾音鞍20a、20b及20c。图3A为沿着图3B的A-A线的剖面图。拾音鞍20a、20b、20c发挥支承图9所示的吉他1的弦乐器的弦31～36的鞍20的作用，并且，发挥将弦31～36的振动转换为电信号的拾音作用。支承多个弦31～36的鞍主体23、24、25的上表面形成为包含曲面的形状。与乐器用振动传感器10的电极焊盘17a、17b连接的导线21、22引出至鞍主体23的外部，与放大器等连接。
从鞍主体23引出导线21及22的位置可以从鞍主体23的底面，也可以从侧面。若从鞍主体23的底面引出导线21及23，则导线21及23变得不显眼。
参照图3A、图3B及图4，第一及第二实施例的拾音鞍20a及20b具备将乐器用振动传感器10收容于内部的鞍主体23、24。通过在鞍主体23、24收容乐器用振动传感器10，乐器用振动传感器10变得不显眼。在鞍主体23、24的内部形成有用于收容乐器用振动传感器10的空洞。乐器用振动传感器10以屏蔽膜16位于鞍主体23、24的上表面侧，基板11位于鞍主体23、24的下表面侧的姿势固定于鞍主体23、24上。在以这样的姿势固定乐器用振动传感器10时，第一电极膜12和第二电极膜14在y方向上对置，因此，通过乐器用振动传感器10检测弦31～36在y轴方向的振动。另外，也可以将屏蔽膜16配置成位于鞍主体23、24的下表面侧。
为了能够实现乐器用振动传感器10的小型化，可以将第一电极膜12和第二电极膜14以在x方向上对置的方式固定于鞍主体23、24上检测x方向的振动，也可以将第一电极膜12和第二电极膜14以在z方向上对置的方式固定于鞍主体23、24上检测z方向的振动。另外，也可以在x、y、z方向以外的任意方向上使第一电极膜12和第二电极膜14对置检测任意方向的振动。另外，也可以将乐器用振动传感器10分割为任意数量固定于鞍主体23、24上。即，可以将更小的乐器用振动传感器根据弦31～36的数量内置于鞍主体23、24内，通过不同的乐器用振动传感器10检测不同的弦的振动。
另外，若通过韧性(粘着强度)高的材料构成基板11，则如图4及图5所示，可将乐器用振动传感器10以弯曲的状态固定于鞍主体24、25上。例如图4所示，可以通过弯曲乐器用振动传感器10来分别调整从弦31～36至乐器用振动传感器10的距离d1～d6。弦31～36的振动传播至乐器用振动传感器10的时间和衰减的大小与从弦31～36至乐器用振动传感器10之间的距离d1～d6相关。通过拉近乐器用振动传感器10和弦31～36的距离，乐器用振动传感器10的响应变快，同时灵敏度变高。因而，若通过弯曲乐器用振动传感器10分别调整从弦31～36至乐器用振动传感器10的距离d1～d6，则能够每根弦分别调整乐器用振动传感器10的响应特性和灵敏度。
另外，如图5所示，在第三实施例的拾音鞍20c中，沿鞍主体25的上表面将乐器用振动传感器10以弯曲的状态固定，使乐器用振动传感器10和弦31～36直接接触。该情况下，如图5所示，优选以基板11与弦31～36接触的姿势将乐器用振动传感器10固定于鞍主体25的上表面。如上所述，通过拉近乐器用振动传感器10和弦31～36的距离，乐器用振动传感器10的响应变快，同时灵敏度变高。因而，若将乐器用振动传感器10固定于鞍主体25的上表面，使乐器用振动传感器10与弦31～36直接接触，则能够实现响应快灵敏度高的拾音鞍20c。
下面，参照图6A～图6K说明第一实施例的拾音鞍20a的制造方法。图6B为沿着图6A的6B-6B线的剖面图。同样，图6D、6F、6H及6J分别为沿着图6C的6D-6D线、图6E的6F-6F线、图6G的6H-6H线、及图6I的6J-6J线的剖面图。
首先，如图6A及图6B所示，在鞍主体23a的侧面形成有由凹部构成的传感器收纳部231。在传感器收纳部231也包含用于取出配线的区域。然后，如图6C及图6D所示，以能够检测例如y方向的振动的方式将乐器用振动传感器10收纳于传感器收纳部231。然后，如图6E、图6F所示，将形成于鞍主体23a上的传感器收纳部231和收纳于其中的乐器用振动传感器10的间隙用作为填充材料的树脂232填埋，完成内置乐器用振动传感器10的拾音鞍。树脂232采用与鞍主体23a一致的颜色，并且鞍主体23a的侧面和树脂232的表面平坦地相连，若以此形式完成，则即使内置乐器用振动传感器10也不会损害拾音鞍的外观。另外，形成于鞍主体上的传感器收纳部也可以贯穿鞍主体。
另外，如图6G、图6H所示，也可以在传感器收纳部231的一面将乐器用振动传感器10通过粘接材料等固定后，如图6I、图6J所示填入树脂232。该情况能够立即将鞍主体23和乐器用振动传感器10结合，因此，能够通过用乐器用振动传感器10高效地检测弦的振动。也可以在固定有乐器用振动传感器10的传感器收纳部231的一面形成细孔或凹凸。不需要的粘接材料等可以从细孔或凹陷流出，因此，以缩小乐器用振动传感器10和鞍主体23a的最小间隔的方式容易地将乐器用振动传感器10装入鞍主体23a。
另外，如图6K所示，也可以通过将导线21及22从鞍主体23a的底面引出而使其不显眼。
下面，参照图7A～图7J说明第二实施例的拾音鞍20b的制造方法。图7B为沿着图7A的7B-7B线的剖面图。同样，图7D、7F、7H及7J分别为沿着图7C的7D-7D线、图7E的7F-7F线、图7G的7H-7H线、及图7I的7J-7J线的剖面图。
如上所述，通过弯曲乐器用振动传感器10，能够调整从弦至乐器用振动传感器10的距离。因此，如图7A，图7B所示，沿与鞍主体23b的弦相接的面将传感器收纳部233形成为弯曲的形状。然后，如图7C、图7D所示，利用传感器收纳部233的侧面将乐器用振动传感器10以弯曲的状态收纳于传感器收纳部233。然后，如图7E、图7F所示，将传感器收纳部233的间隙用树脂232填埋。另外，如图7G、图7H所示，也可以在保持乐器用振动传感器10弯曲并收纳于传感器收纳部233的状态下，向传感器收纳部233的间隙不完全地填充树脂232。也可以将树脂232固化至乐器用振动传感器10能够保持弯曲状态的程度，然后将剩余的间隙用添补的树脂完全填埋。另外，如图7I、图7J所示，可以将乐器用振动传感器10固定在沿与鞍主体23b的弦相接触的面而弯曲的传感器收纳部233的面，然后用树脂232填埋间隙。传感器收纳部的形状不限于图7A所示的形状，即使为具有如S字形、波形等那样带拐点的曲面的形状，也能安装乐器用振动传感器10。
另外，如图8A所示，可以在将乐器用振动传感器10固定于支座234的曲面后，如图8B及图8C所示，在传感器收纳部231收纳支座234，并收纳乐器用振动传感器10，如图8D及图8E所示，用树脂232填埋间隙。图8C为沿着图8B的8C-8C线的剖面图，图8E为沿着图8D的8E-8E线的剖面图。
如图7C及图7G以及图8B所示，导线21、22从鞍主体23b的底面引出，在组装于乐器上时，被隐藏在鞍主体23b内，从外侧看不见。
本发明能够适用于在小提琴、大提琴等以及其它弦乐器上使用的乐器用振动传感器或拾音鞍。另外，振动传感器的尺寸能够按照拾音鞍及乐器主体的尺寸任意设定。
以上，虽然参照附图详述了该发明的实施方式，但具体结构不限于这些实施方式，也包含不脱离该发明的宗旨的范围的设计等。即，本发明的技术的范围不限于上述的实施例，能够在不脱离权利要求书所记载的本发明的宗旨的范围内增加各种变更。
Claims (13)
1.一种乐器用振动传感器，其具备：
基板；
第一电极膜，其与所述基板叠合且与所述基板结合；
压电膜，其与所述第一电极膜叠合且与所述第一电极膜结合；
第二电极膜，其与所述压电膜叠合且与所述压电膜结合；
绝缘膜，其与所述第二电极膜叠合且与所述第二电极膜结合；
屏蔽膜，其与所述绝缘膜叠合且与所述绝缘膜和所述第一电极膜结合，由导电性材料构成且通过所述绝缘膜与所述第二电极膜绝缘；
其中，所述压电膜的端面是倾斜的，并使得所述压电膜的截面形状朝向所述基板方向扩展；
其中，基板的材质为氧化锆。
2.如权利要求1所述的乐器用振动传感器，其中，
所述第一电极膜的端面的至少一部分位于比所述压电膜的倾斜的端面更内侧的位置，
所述第二电极膜沿所述压电膜的倾斜的端面到达所述基板。
3.如权利要求1～2中任一项所述的乐器用振动传感器，其中，
所述基板由陶瓷构成。
4.如权利要求1～2中任一项所述的乐器用振动传感器，其中，
所述基板由Si或Si化合物构成。
5.一种拾音鞍，其具备：
鞍，其支承弦；
乐器用振动传感器，其固定于所述鞍上，具备基板、与所述基板叠合且与所述基板结合的第一电极膜、与所述第一电极膜叠合且与所述第一电极膜结合的压电膜、与所述压电膜叠合且与所述压电膜结合的第二电极膜、与所述第二电极膜叠合且与所述第二电极膜结合的绝缘膜、与所述绝缘膜叠合且与所述绝缘膜和所述第一电极膜结合的屏蔽膜，所述屏蔽膜由导电性材料构成且通过所述绝缘膜与所述第二电极膜绝缘；
其中，所述压电膜的端面是倾斜的，并使得所述压电膜的截面形状朝向所述基板方向扩展；
其中，基板的材质为氧化锆。
6.如权利要求5所述的拾音鞍，其中，
在所述鞍上以弯曲的状态固定有所述乐器用振动传感器。
7.如权利要求5所述的拾音鞍，其中，具备：
传感器收纳部，其形成于所述鞍上，收纳所述乐器用振动传感器；
填充材料，其将所述传感器收纳部中除所述乐器用振动传感器之外的区域填埋。
8.如权利要求7所述的拾音鞍，其中，
所述乐器用振动传感器以所述基板弯曲的状态收纳于所述传感器收纳部。
9.如权利要求7所述的拾音鞍，其中，
所述乐器用振动传感器被固定于所述传感器收纳部的任一面。
10.一种乐器，其具备权利要求5～9中任一项所述的拾音鞍。
11.一种乐器用振动传感器的制造方法，其具备：
准备基板的工序；
通过薄膜形成法在所述基板上形成第一电极膜的工序；
通过薄膜形成法，在所述第一电极膜上且除所述第一电极膜的端部之外形成压电膜的工序；
通过薄膜形成法在所述压电膜上形成第二电极膜的工序；
通过薄膜形成法在所述第二电极膜上形成绝缘膜的工序；
通过薄膜形成法在所述绝缘膜上及所述第一电极膜的端部上形成由导电性材料构成的屏蔽膜的工序；
其中，所述压电膜的端面是倾斜的，并使得所述压电膜的截面形状朝向所述基板方向扩展；
其中，基板的材质为氧化锆。
12.一种拾音鞍的制造方法，其具备：
利用下述工序形成乐器用振动传感器的工序，所述工序包括，准备基板的工序、通过薄膜形成法在所述基板上形成第一电极膜的工序、通过薄膜形成法在所述第一电极膜上且除所述第一电极膜的端部之外形成压电膜的工序、通过薄膜形成法在所述压电膜上形成第二电极膜的工序、通过薄膜形成法在所述第二电极膜上形成绝缘膜的工序、通过薄膜形成法在所述绝缘膜上及所述第一电极膜的端部上形成由导电性材料构成的屏蔽膜的工序；
在拾音鞍主体中形成中空的传感器收纳部的工序；
将所述乐器用振动传感器收纳于所述传感器收纳部的工序；
用树脂对收纳有所述乐器用振动传感器的所述传感器收纳部的间隙进行填充的工序；
其中，所述压电膜的端面是倾斜的，并使得所述压电膜的截面形状朝向所述基板方向扩展；
其中，基板的材质为氧化锆。
13.如权利要求12所述的拾音鞍的制造方法，其中，
在将所述乐器用振动传感器收纳于所述传感器收纳部的工序中，所述乐器用振动传感器沿所述鞍主体的上面的形状弯曲并收纳于所述传感器收纳部。
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| JP2018152736A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | ヤマハ株式会社 | センサーユニット |
| US10379074B2 (en) * | 2017-12-21 | 2019-08-13 | NeoTek Energy, Inc. | System and method for shielded chemical sensing using a fine-line shielded sensing structure |
| GB202109957D0 (en) | 2021-07-09 | 2021-08-25 | Audio Inventions Ltd | A reed for a musical instrument |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998002869A1 (en) * | 1996-07-15 | 1998-01-22 | Markley, Donald, Dean | Pliable pickup for stringed instrument |
| US6023019A (en) * | 1994-03-11 | 2000-02-08 | Baggs; Lloyd R. | Flexible pickup circuit assembly for stringed instruments |
| CN2697778Y (zh) * | 2002-11-28 | 2005-05-04 | 雅马哈株式会社 | 适于弦乐器弦马用的压电变换器 |
| US6916979B2 (en) * | 2000-12-19 | 2005-07-12 | Emfitech Oy | Electromechanical transducer and method for manufacturing an electromechanical transducer |
| CN101908336A (zh) * | 2009-06-03 | 2010-12-08 | 雅马哈株式会社 | 电弦乐器的拾取单元 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0529518Y2 (zh) | 1985-05-29 | 1993-07-28 | ||
| JPS62111600A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-22 | Sony Corp | 圧電センサ−用基板の製造方法 |
| US5670733A (en) * | 1986-04-28 | 1997-09-23 | Fishman; Lawrence R. | Musical instrument transducer |
| JPH01126692U (zh) | 1987-12-28 | 1989-08-30 | ||
| US5123325A (en) * | 1991-04-05 | 1992-06-23 | Turner Robert A | Film piezoelectric pickup for stringed musical instruments |
| JPH0594896U (ja) * | 1992-05-22 | 1993-12-24 | ヤマハ株式会社 | 弦楽器用ピックアップ |
| JPH06235733A (ja) * | 1992-12-14 | 1994-08-23 | Clarion Co Ltd | 加速度センサ及び角速度センサ |
| JPH07239685A (ja) * | 1994-03-01 | 1995-09-12 | Yamaha Corp | 電気弦楽器のピックアップ装置 |
| FI961688A0 (fi) * | 1996-04-17 | 1996-04-17 | Nandorex Oy | Omvandlare foer straenginstrument |
| US6677514B2 (en) * | 1999-07-02 | 2004-01-13 | Fishman Transducers, Inc. | Coaxial musical instrument transducer |
| US6248947B1 (en) * | 2000-01-31 | 2001-06-19 | Pick-Up The World, Inc. | Transducer for musical instruments |
| JP3656609B2 (ja) * | 2002-03-18 | 2005-06-08 | ヤマハ株式会社 | 弦楽器用サドル及びこれを用いたピックアップ装置 |
| JP2004111939A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-04-08 | Ngk Insulators Ltd | 積層型圧電素子及びその製造方法 |
| US7157640B2 (en) * | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Baggs Lloyd R | Undersaddle pickup for stringed musical instrument |
| JP4251110B2 (ja) * | 2004-05-19 | 2009-04-08 | ヤマハ株式会社 | 撥弦楽器用ピックアップ装置と撥弦楽器 |
| TWI298482B (en) * | 2005-04-28 | 2008-07-01 | Yamaha Corp | Stringed musical instrument, transducer for the same and its mounting structure on the same |
| JP2007295280A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Toshiba Corp | 電子素子 |
| WO2008126205A1 (ja) | 2007-03-26 | 2008-10-23 | Takamine Gakki Co., Ltd. | 弦楽器用サドル及びギター |
| JP5036412B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2012-09-26 | エルメック電子工業株式会社 | 圧電センサおよび電子弦楽器 |
| JP5453791B2 (ja) * | 2008-12-05 | 2014-03-26 | ヤマハ株式会社 | 圧電体素子及びその製造方法、並びに該圧電体素子を用いた角速度センサ |
| JP5663901B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2015-02-04 | ヤマハ株式会社 | ピックアップ装置 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6023019A (en) * | 1994-03-11 | 2000-02-08 | Baggs; Lloyd R. | Flexible pickup circuit assembly for stringed instruments |
| WO1998002869A1 (en) * | 1996-07-15 | 1998-01-22 | Markley, Donald, Dean | Pliable pickup for stringed instrument |
| US6916979B2 (en) * | 2000-12-19 | 2005-07-12 | Emfitech Oy | Electromechanical transducer and method for manufacturing an electromechanical transducer |
| CN2697778Y (zh) * | 2002-11-28 | 2005-05-04 | 雅马哈株式会社 | 适于弦乐器弦马用的压电变换器 |
| CN101908336A (zh) * | 2009-06-03 | 2010-12-08 | 雅马哈株式会社 | 电弦乐器的拾取单元 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150812 Termination date: 20190322 |