CN102659396A - 一种低介电微波陶瓷介质材料及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种低介电常数εr=3~8微波陶瓷介质材料及其制备方法,它由主成分(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3、改性掺杂物及烧结促进剂三部分组成;1)所述的主成分是(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3固溶体,其中X=0.001~0.25;2)所述的改性掺杂物包括SrCO3、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、MnO2、CaO、La2O3、WO3等一种或一种以上混合物;3)所述的烧结促进剂包括Bi2O3、B2O3、ZnO、SiO2、Al2O3、Nb2O5等低熔点的氧化物以及低熔点的玻璃粉中的一种或一种以上混合物。经过合理配方,优化合成和球磨工艺,制备出的微波介质材料可以在较低温1340℃~1380℃温度范围内烧结,其所制作的微波电容具有优异的介电性能:εr=3~8,Qf>60000GHZ,τf(-40℃~25℃/25℃~125℃)≤20PPM/℃。

Description

一种低介电微波陶瓷介质材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种低介电常数εr=3~8微波陶瓷介质材料及其制备方法。 
背景技术
微波介质陶瓷,是指应用于微波频段(主要是UHF、SHF频段)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷,在现代通信中被广泛用作谐振器、滤波器、介质基片、介质天线、介质导波回路等。微波介质谐振器与金属空腔谐振器相比,具有体积小、质量轻、温度稳定性好、价格便宜等优点。 
随着微波通信的快速发展,微波通信系统迫切需要高性能的微波介质器件。目前移动通信的频率范围在800~2000MHz,相应的微波介质器件趋于成熟,但当频率向高端发展时,如卫星通信的频率位于K波段(12~40GHz),已开发的微波介质材料的εr较大(εr≥20)、Q·f值较小,无法制造出低损耗、合适尺寸的微波介质器件,因此有必要开发低介电常数、高Q·f值的微波介质材料。 
发明内容
本发明旨在提供一种低介电常数εr=3~8微波陶瓷介质材料及其制备方法,该微波介质材料采用了固相法合成获得(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3固溶体作为主材料,其中X=0.001~0.25,并通过加入烧结促进剂和改性掺杂物改性组成。制备出的微波介质材料可以在1340℃~1380℃温度范围内烧结,所制作的微波电容具有优异微波介电性能:εr=3~8,Qf > 60000GHZ,τf(-40℃~25℃/25℃~125℃) ≤20PPM/℃,满足现代通信设备的可移动性、多功能性和微型化。 
本发明是这样实现的,所述一种低介电常数εr=3~8微波陶瓷介质材料,其特征在于:所述微波陶瓷介质材料由主成分(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3、改性掺杂物及烧结促进剂三部分组成; 
1)所述的主成分是(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3固溶体,其中X=0.001~0.25;
2)所述的改性掺杂物包括SrCO3、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、MnO2、CaO、La2O3、WO3等一种或一种以上混合物;按重量百分比计组成为:0~1.5wt%的SrCO3、0~1 wt%的Zr02、0~0.5 wt%的Ta2O5、0~1.0 wt%的Nb2O5、0~0.3wt%的MnO2、0~0.3 wt%的La2O3、0~0.5 wt%的CaO 、0~1wt%的WO3
3)所述的烧结促进剂包括Bi2O3、B2O3、ZnO、SiO2、Al2O3、Nb2O5等低熔点的氧化物以及低熔点的玻璃粉中的一种或一种以上混合物;按重量百分比计组成为:0~1wt%的Bi2O3,0~0.5wt%的B2O3,0.25~1wt%的ZnO,0~1wt%的SiO2,0~0.8wt%的Al2O3
按重量百分比计,所述的主成分(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3固溶体是91~98wt%,改性掺杂物是1.5~5wt%,烧结促进剂是0.5~4wt%。 
本发明所述一种低介电常数εr=3~8微波陶瓷介质材料的制备方法,其特征是: 
1)主成分(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3的制备:采用高纯BaCO3、TiO2、Mg(OH)2、SiO2原材料,按X=0.001~0.25分别称重,混合置于球磨机中,按粉料:水=1:(1~1.5)比例加入去离子水,球磨6~10小时,烘干,在1180℃~1350℃下预烧2.5H,粉碎后获得本发明的(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3固溶体;
2)按照组成为91~98wt%的主成分(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3,0~1.5wt%的SrCO3、0~1 wt%的Zr02、0~0.5 wt%的Ta2O5、0~1.0 wt%的Nb2O5、0~0.3wt%的MnO2、0~0.3 wt%的La2O3、0~0.5 wt%的CaO 、0~1wt%的WO3, 0~1wt%的Bi2O3,0~0.5wt%的B2O3,0.25~1wt%的ZnO,0~1wt%的SiO2,0~0.8wt%的Al2O3称量各种材料,混合置于球磨机中进行球磨混合,要求粉体平均颗粒尺寸小于0.7微米为好;然后加粘合剂喷雾造粒,最后获得本发明的微波介质材料。
本发明的有益效果是,采用高纯BaCO3、TiO2、MgCO3、Mg(OH)2、SiO2等原材料,固相法合成获得(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3固溶体,其中X=0.001~0.25,并通过加入少量的烧结促进剂和改性掺杂物,经过合理配方,优化合成和球磨工艺,制备出的微波介质材料可以在较低温1340℃~1380℃温度范围内烧结,其所制作的微波电容具有优异的介电性能:εr=3~8,Qf > 60000GHZ,τf(-40℃~25℃/25℃~125℃) ≤20PPM/℃。 
具体实施方式
本发明所述一种低介电常数εr=3~8微波陶瓷介质材料及其制备方法,下面根据上述的发明内容,结合实施例对本发明作进一步的描述。 
(1)以分析纯的原材料BaCO3、TiO2、Mg(OH)2、SiO2按表1的组成比例,按发明内容中1所述的主材料制备过程经球磨、干燥、预烧、粉碎、过滤、等工序后制得(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3。 
表1  主材料(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3的实施例配方 
(2)按表2的组成,主材料用(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3,其中X=0.001~0.25添加分析纯的SrCO3、ZrO2、Ta2O5、Nb205、MnO2、CaO、 La2O3、WO3、Bi2O3、B2O3、Al2O3、ZnO、SiO2,加入去离子水于球磨机中进行球磨混合,烘干后制得本发明的微波陶瓷介质材料粉末。
表2  本发明的实施例试样化学组成 
Figure 674428DEST_PATH_IMAGE002
(3)制备微波电容试样的过程:在(2)中所述的微波介质材料中加入PVA基粘合剂造粒,施加15MPa的压强制成厚8.5毫米、直径15毫米的圆片型坯体,然后设定温度曲线在空气气氛炉中升温至1340℃~1380℃烧结,获得微波电容,用网络分析仪测试微波电容的各项电性能,测试结果列于表3中。
表3  本发明的实施例试样的烧结条件及电性能测试结果 
Figure 256588DEST_PATH_IMAGE003
由表3可以看出,本发明的实施例试样在1340~1380℃的温度范围内烧结,其所制作的微波电容具有优异微波介电性能:εr=3~8,Qf > 60000GHZ,τf(-40℃~25℃/25℃~125℃) ≤20PPM/℃,满足现代通信设备的可移动性、多功能性和微型化。

Claims (3)

1.一种低介电常数εr=3~8微波陶瓷介质材料,其特征在于:所述微波陶瓷介质材料由主成分(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3、改性掺杂物及烧结促进剂三部分组成;
1)所述的主成分是(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3固溶体,其中X=0.001~0.25;
2)所述的改性掺杂物包括SrCO3、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、MnO2、CaO、La2O3、WO3等一种或一种以上混合物;按重量百分比计组成为:0~1.5wt%的SrCO3、0~1 wt%的Zr02、0~0.5 wt%的Ta2O5、0~1.0 wt%的Nb2O5、0~0.3wt%的MnO2、0~0.3 wt%的La2O3、0~0.5 wt%的CaO 、0~1wt%的WO3
3)所述的烧结促进剂包括Bi2O3、B2O3、ZnO、SiO2、Al2O3、Nb2O5等低熔点的氧化物以及低熔点的玻璃粉中的一种或一种以上混合物;按重量百分比计组成为:0~1wt%的Bi2O3,0~0.5wt%的B2O3,0.25~1wt%的ZnO,0~1wt%的SiO2,0~0.8wt%的Al2O3
2.根据权利要求1所述一种低介电常数εr=3~8微波陶瓷介质材料,其特征是:按重量百分比计,所述的主成分(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3固溶体是91~98wt%,改性掺杂物是1.5~5wt%,烧结促进剂是0.5~4wt%。
3.一种低介电常数εr=3~8微波陶瓷介质材料的制备方法,其特征是:
1)主成分(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3的制备:采用高纯BaCO3、TiO2、Mg(OH)2、SiO2原材料,按X=0.001~0.25分别称重,混合置于球磨机中,按粉料:水=1:(1~1.5)比例加入去离子水,球磨6~10小时,烘干,在1180℃~1350℃下预烧2.5H,粉碎后获得本发明的(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3固溶体;
2)按照组成为91~98wt%的主成分(1-X)Mg2SiO4-XBaTiO3,0~1.5wt%的SrCO3、0~1 wt%的Zr02、0~0.5 wt%的Ta2O5、0~1.0 wt%的Nb2O5、0~0.3wt%的MnO2、0~0.3 wt%的La2O3、0~0.5 wt%的CaO 、0~1wt%的WO3, 0~1wt%的Bi2O3,0~0.5wt%的B2O3,0.25~1wt%的ZnO,0~1wt%的SiO2,0~0.8wt%的Al2O3称量各种材料,混合置于球磨机中进行球磨混合,要求粉体平均颗粒尺寸小于0.7微米为好;然后加粘合剂喷雾造粒,最后获得本发明的微波介质材料。
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Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102964121A (zh) * 2012-12-11 2013-03-13 北京元六鸿远电子技术有限公司 具有ba温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法
CN103539449A (zh) * 2013-10-07 2014-01-29 桂林理工大学 可低温烧结的微波介电陶瓷BiNbW2O10及其制备方法
CN104446477A (zh) * 2014-12-08 2015-03-25 苏州艾福电子通讯有限公司 微波介质陶瓷粉及其方法、微波介质陶瓷、微波元器件
CN105347781A (zh) * 2015-12-01 2016-02-24 电子科技大学 一种陶瓷材料及其制备方法
CN105384430A (zh) * 2015-12-07 2016-03-09 电子科技大学 陶瓷材料及其制备方法
CN106542821A (zh) * 2016-10-18 2017-03-29 陕西科技大学 一种Bi2O3‑B2O3‑ZnO玻璃添加Ba0.4Sr0.6TiO3基储能陶瓷及其制备方法
CN107935594A (zh) * 2018-01-08 2018-04-20 张家港保税区灿勤科技有限公司 低介电常数超高品质因数微波介质陶瓷的制备方法
CN108439969A (zh) * 2018-06-29 2018-08-24 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 一种低介电常数温度稳定型微波介质及其制备方法
CN108585850A (zh) * 2018-06-15 2018-09-28 济南大学 一种超低温烧结微波介质陶瓷及制备方法
CN109133912A (zh) * 2017-06-27 2019-01-04 深圳光启高等理工研究院 一种微波介质陶瓷及其制备方法
CN109231976A (zh) * 2018-11-01 2019-01-18 咸阳澳华致冷科技有限公司 一种低热导率高强度陶瓷基板材料及其制备方法
CN109336577A (zh) * 2018-11-01 2019-02-15 咸阳澳华致冷科技有限公司 一种陶瓷基板材料及其制备方法
CN110372347A (zh) * 2018-04-12 2019-10-25 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种低损耗低介电常数微波陶瓷材料及其制备方法
CN111138176A (zh) * 2020-01-06 2020-05-12 山东国瓷功能材料股份有限公司 一种硅酸镁基微波介质陶瓷材料及其制备方法与应用
CN111377707A (zh) * 2018-12-31 2020-07-07 深圳市大富科技股份有限公司 微波介质陶瓷材料和介质陶瓷块的制备方法
CN112028617A (zh) * 2020-09-08 2020-12-04 中物院成都科学技术发展中心 5g基站用低成本高品质因素微波介质陶瓷及其制备方法
CN112174653A (zh) * 2020-10-23 2021-01-05 厦门松元电子有限公司 一种高Qf低介电常数的微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN112279632A (zh) * 2020-10-31 2021-01-29 林玉婷 一种微波介电陶瓷及其制备方法
CN112830775A (zh) * 2021-03-01 2021-05-25 南宁国人射频通信有限公司 一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法
CN112919894A (zh) * 2021-03-10 2021-06-08 嘉兴佳利电子有限公司 一种频率稳定型低介微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN114804857A (zh) * 2021-01-28 2022-07-29 山东国瓷功能材料股份有限公司 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法
TWI798814B (zh) * 2020-12-28 2023-04-11 大陸商山東國瓷功能材料股份有限公司 一種毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料及其製備方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006114489A (ja) * 2004-09-14 2006-04-27 Nagoya Institute Of Technology 誘電体メタマテリアル、および磁性体メタマテリアル
CN1832169A (zh) * 2005-03-08 2006-09-13 株式会社半导体能源研究所 无线芯片以及具有该无线芯片的电子设备
KR100788494B1 (ko) * 2006-02-09 2007-12-24 세종대학교산학협력단 수산화 아파타이트 소결체의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006114489A (ja) * 2004-09-14 2006-04-27 Nagoya Institute Of Technology 誘電体メタマテリアル、および磁性体メタマテリアル
CN1832169A (zh) * 2005-03-08 2006-09-13 株式会社半导体能源研究所 无线芯片以及具有该无线芯片的电子设备
KR100788494B1 (ko) * 2006-02-09 2007-12-24 세종대학교산학협력단 수산화 아파타이트 소결체의 제조 방법

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102964121A (zh) * 2012-12-11 2013-03-13 北京元六鸿远电子技术有限公司 具有ba温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法
CN103539449A (zh) * 2013-10-07 2014-01-29 桂林理工大学 可低温烧结的微波介电陶瓷BiNbW2O10及其制备方法
CN103539449B (zh) * 2013-10-07 2015-11-25 桂林理工大学 可低温烧结的微波介电陶瓷BiNbW2O10及其制备方法
CN104446477A (zh) * 2014-12-08 2015-03-25 苏州艾福电子通讯有限公司 微波介质陶瓷粉及其方法、微波介质陶瓷、微波元器件
CN104446477B (zh) * 2014-12-08 2016-04-27 苏州艾福电子通讯股份有限公司 微波介质陶瓷粉及其方法、微波介质陶瓷、微波元器件
CN105347781A (zh) * 2015-12-01 2016-02-24 电子科技大学 一种陶瓷材料及其制备方法
CN105384430A (zh) * 2015-12-07 2016-03-09 电子科技大学 陶瓷材料及其制备方法
CN106542821A (zh) * 2016-10-18 2017-03-29 陕西科技大学 一种Bi2O3‑B2O3‑ZnO玻璃添加Ba0.4Sr0.6TiO3基储能陶瓷及其制备方法
CN109133912A (zh) * 2017-06-27 2019-01-04 深圳光启高等理工研究院 一种微波介质陶瓷及其制备方法
CN109133912B (zh) * 2017-06-27 2022-09-16 深圳光启高等理工研究院 一种微波介质陶瓷及其制备方法
CN107935594A (zh) * 2018-01-08 2018-04-20 张家港保税区灿勤科技有限公司 低介电常数超高品质因数微波介质陶瓷的制备方法
CN110372347A (zh) * 2018-04-12 2019-10-25 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种低损耗低介电常数微波陶瓷材料及其制备方法
CN110372347B (zh) * 2018-04-12 2021-10-01 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种低损耗低介电常数微波陶瓷材料及其制备方法
CN108585850A (zh) * 2018-06-15 2018-09-28 济南大学 一种超低温烧结微波介质陶瓷及制备方法
CN108585850B (zh) * 2018-06-15 2020-11-13 济南大学 一种超低温烧结微波介质陶瓷及制备方法
CN108439969A (zh) * 2018-06-29 2018-08-24 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 一种低介电常数温度稳定型微波介质及其制备方法
CN109231976B (zh) * 2018-11-01 2021-03-19 咸阳澳华致冷科技有限公司 一种低热导率高强度陶瓷基板材料及其制备方法
CN109336577A (zh) * 2018-11-01 2019-02-15 咸阳澳华致冷科技有限公司 一种陶瓷基板材料及其制备方法
CN109336577B (zh) * 2018-11-01 2021-03-23 咸阳澳华致冷科技有限公司 一种陶瓷基板材料及其制备方法
CN109231976A (zh) * 2018-11-01 2019-01-18 咸阳澳华致冷科技有限公司 一种低热导率高强度陶瓷基板材料及其制备方法
CN111377707A (zh) * 2018-12-31 2020-07-07 深圳市大富科技股份有限公司 微波介质陶瓷材料和介质陶瓷块的制备方法
CN111138176A (zh) * 2020-01-06 2020-05-12 山东国瓷功能材料股份有限公司 一种硅酸镁基微波介质陶瓷材料及其制备方法与应用
CN111138176B (zh) * 2020-01-06 2022-01-25 山东国瓷功能材料股份有限公司 一种硅酸镁基微波介质陶瓷材料及其制备方法与应用
CN112028617A (zh) * 2020-09-08 2020-12-04 中物院成都科学技术发展中心 5g基站用低成本高品质因素微波介质陶瓷及其制备方法
CN112174653A (zh) * 2020-10-23 2021-01-05 厦门松元电子有限公司 一种高Qf低介电常数的微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN112279632A (zh) * 2020-10-31 2021-01-29 林玉婷 一种微波介电陶瓷及其制备方法
TWI798814B (zh) * 2020-12-28 2023-04-11 大陸商山東國瓷功能材料股份有限公司 一種毫米波天線模組用低溫共燒陶瓷材料及其製備方法
CN114804857A (zh) * 2021-01-28 2022-07-29 山东国瓷功能材料股份有限公司 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法
CN114804857B (zh) * 2021-01-28 2023-03-14 山东国瓷功能材料股份有限公司 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法
CN112830775A (zh) * 2021-03-01 2021-05-25 南宁国人射频通信有限公司 一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法
CN112919894A (zh) * 2021-03-10 2021-06-08 嘉兴佳利电子有限公司 一种频率稳定型低介微波介质陶瓷材料及其制备方法

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