CN102651326A - 一种半导体整流桥的制备方法 - Google Patents
一种半导体整流桥的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102651326A CN102651326A CN2012101554833A CN201210155483A CN102651326A CN 102651326 A CN102651326 A CN 102651326A CN 2012101554833 A CN2012101554833 A CN 2012101554833A CN 201210155483 A CN201210155483 A CN 201210155483A CN 102651326 A CN102651326 A CN 102651326A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- underframe
- welding
- rectification chip
- rectifier bridge
- boat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Rectifiers (AREA)
Abstract
本发明涉及一种半导体整流桥的制备方法,依次包括如下工序:将放有下框架的下焊接舟放置在点胶机上;使用点胶机在下框架的凸点和平台分别点涂上焊接粘连剂;使用固晶机的吸嘴直接将整流芯片中将正极向上的整流芯片放置在下框架平台上,负极向上的整流芯片放置在下框架凸点上;采用两种整流芯片常温下同时固晶;利用点胶机在固好晶的整流芯片上涂上焊接粘连剂;将上框架对准下框架放置,再将上焊接舟盖在下焊接舟上合模;将合模的焊接舟放入焊接炉焊接;最后取出焊接后为一个整体的具有整流芯片的上、下框架,通过模压机浇注整流桥环氧树脂,形成半导体整流桥。本发明制备方法制造半导体整流桥废品率低,提高了产品质量,合格率高。
Description
技术领域
本发明涉及半导体整流桥,特别是一种半导体整流桥的制备方法。
背景技术
目前半导体整流桥的制备方法,主要是在下焊接舟上放置下框架;在下框架内依次放入焊片;整流芯片;再放入焊片;然后放上框架上焊接舟合模;将合模后的焊接舟放入焊接炉,使整流芯片与框架形成欧姆接触;取出焊接好的具有整流芯片的框架,再通过模压机浇注整流桥环氧树脂,最终形成半导体整流桥,其中在放置整流芯片的焊接过程中,国内大多采用手工筛选整流芯片的方式来使整流芯片正极向上或负极向上。然后放置在框架预定位置。这种方法在筛选整流芯片时利用整流芯片正负极形状不一,通过上下左右晃动将整流芯片的凸面嵌入筛选盘。但在晃动中会造成整流芯片的损伤,且由于是一大批芯片进行晃动,有一定的认错率,使整流芯片的一致性得不到保证,一般认错率在1%∽2%者,这样直接影响了产品质量,也造成极大的浪费。
发明内容
本发明的目的是提供一种可以使整流芯片能直接准确焊接在框架上,大大提高了整流芯片的可靠性的半导体整流桥的制备方法。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是一种半导体整流桥的制备方法,其创新在于:所述半导体整流桥包括粘结为整体的上框架、下框架和整流芯片,所述上框架和下框架均设有凸点和平台,所述整流芯片粘结在上框架和下框架之间,其制备方法依次包括如下工序:
①将下框架放置在下焊接舟上;
②将放有下框架的下焊接舟放置在点胶机上;
③使用点胶机在下框架的凸点和平台分别点涂上焊接粘连剂;
④将装有点好焊接粘连剂的下框架的下焊接舟,放入固晶机的料盒,固晶机推动料盒将焊接舟推入固晶位,所述固晶机设有吸嘴摆臂,使用固晶机设有的吸嘴摆臂直接将放置在芯片环处的整流芯片中正极向上的整流芯片吸起,放置在下框架平台上,负极向上的整流芯片,取出并放置在下框架凸点上,采用两种整流芯片常温下同时固晶,一种正极向上,一种为负极向上。将正极向上的整流芯片固晶在下框架平台上,将负极向上的整流芯片固晶在下框架凸点上;
⑤将固好晶的整流芯片、下框架及下焊接舟从固晶机的料盒中取出,放置在点胶机上,在整流芯片上涂上焊接粘连剂;
⑥从点胶机上取出下焊接舟,将上框架对准下框架放置完好,再将上焊接舟盖在下焊接舟上,合模完毕;
⑦将合模的焊接舟放入焊接炉,控制温度在330℃~360℃,时间为20~60秒,使整流芯片与上、下框架形成欧姆接触,使整流芯片粘结在上框架和下框架之间;
⑧取出焊接后为一个整体的具有整流芯片的上、下框架,再通过模压机浇注整流桥环氧树脂,最终形成半导体整流桥。
所述焊接粘连剂为焊锡膏Pb92.5Sn5Ag2.5。
所述点胶机为Ts-300B点胶机。
所述固晶机为DB382ml固晶机。
采用本发明的制备方法制造的半导体整流桥,由于采用了将下框架放置在下焊接舟上;将放有下框架的下焊接舟放置在点胶机上;使用点胶机在下框架的凸点和平台分别点涂上焊接粘连剂;将装有点好焊接粘连剂的下框架的下焊接舟,放入固晶机的料盒,固晶机推动料盒将焊接舟推入固晶位,所述固晶机设有吸嘴摆臂,使用固晶机设有的吸嘴摆臂直接将放置在芯片环处的整流芯片中正极向上的整流芯片吸起,放置在下框架平台上,负极向上的整流芯片,取出并放置在下框架凸点上,采用两种整流芯片常温下同时固晶,一种正极向上,一种为负极向上。将正极向上的整流芯片固晶在下框架平台上,将负极向上的整流芯片固晶在下框架凸点上。
将固好晶的整流芯片、下框架及下焊接舟从固晶机的料盒中取出,放置在点胶机上,在整流芯片上涂上焊接粘连剂;从点胶机上取出下焊接舟,将上框架对准下框架放置完好,再将上焊接舟盖在下焊接舟上,合模完毕;将合模的焊接舟放入焊接炉,控制温度在330℃~360℃,时间为20~60秒,使整流芯片与上、下框架形成欧姆接触,使整流芯片粘结在上框架和下框架之间;取出焊接后为一个整体的具有整流芯片的上、下框架,再通过模压机浇注整流桥环氧树脂,最终形成半导体整流桥。由于使用固晶机设有的吸嘴摆臂直接将放置在芯片环处的整流芯片中正极向上的整流芯片吸起,放置在下框架平台上,负极向上的整流芯片,取出并放置在下框架凸点上,采用两种整流芯片常温下同时固晶,一种正极向上,一种为负极向上。将正极向上的整流芯片固晶在下框架平台上,将负极向上的整流芯片固晶在下框架凸点上;因此使整流芯片直接准确焊接在框架上,减少了中间环节,大大提高了芯片的可靠性,降低了废品率,提高产品的合格率。提高了产品质量。
具体实施方式
以下结合具体的实施例对本发明的半导体整流桥的制备方法作进一步详细说明。
一种DB107半导体整流桥的制备方法,其创新点在于::所述半导体整流桥包括粘结为整体的上框架、下框架和整流芯片,所述上框架和下框架均设有凸点和平台,所述整流芯片粘结在上框架和下框架之间,其制备方法依次包括如下工序:
①将下框架放置在下焊接舟上;
②将放有下框架的下焊接舟放置在Ts-300B点胶机上;
③使用Ts-300B点胶机在下框架的凸点和平台分别点涂上焊锡膏Pb92.5Sn5Ag2.5;
④将装有点涂上焊锡膏Pb92.5Sn5Ag2.5的下框架的下焊接舟,放入DB382ml固晶机的料盒,DB382ml固晶机推动料盒将焊接舟推入固晶位,使用固晶机设有的吸嘴摆臂直接将放置在芯片环处的整流芯片中正极向上的整流芯片吸起,放置在下框架平台上,负极向上的整流芯片,取出并放置在下框架凸点上,采用两种整流芯片常温下同时固晶,一种正极向上,一种为负极向上。将正极向上的整流芯片固晶在下框架平台上,将负极向上的整流芯片固晶在下框架凸点上;
⑤将固好晶的整流芯片、下框架及下焊接舟从DB382ml固晶机的料盒中取出,放置在Ts-300B点胶机上,在整流芯片上涂上焊接粘连剂;
⑥从Ts-300B点胶机上取出下焊接舟,将上框架对准下框架放置完好,再将上焊接舟盖在下焊接舟上,合模完毕;
⑦将合模的焊接舟放入焊接炉,控制温度在330℃~360℃,时间为20~60秒,使整流芯片与上、下框架形成欧姆接触,使整流芯片粘结在上框架和下框架之间;
⑧取出焊接后为一个整体的具有整流芯片的上、下框架,再通过模压机浇注整流桥环氧树脂,最终形成半导体整流桥。
采用本发明的制备方法制造的半导体整流桥,由于利用了固晶机设有的吸嘴摆臂直接将放置在芯片环处的整流芯片中正极向上的整流芯片吸起,放置在下框架平台上,负极向上的整流芯片,取出并放置在下框架凸点上,因此使放置在框架上的芯片一致性好,降低了废品率,提高了产品质量。采用两种整流芯片常温下同时固晶,一种正极向上,一种为负极向上。将正极向上的整流芯片固晶在下框架平台上,将负极向上的整流芯片固晶在下框架凸点上,大大提高产品的合格率。
Claims (5)
1.一种半导体整流桥的制备方法,其特征在于:所述半导体整流桥包括粘结为整体的上框架、下框架和整流芯片,所述上框架和下框架均设有凸点和平台,所述整流芯片粘结在上框架和下框架之间,其制备方法依次包括如下工序:
①将下框架放置在下焊接舟上;
②将放有下框架的下焊接舟放置在点胶机上;
③使用点胶机在下框架的凸点和平台分别点涂上焊接粘连剂;
④将装有点好焊接粘连剂的下框架的下焊接舟,放入固晶机的料盒,固晶机推动料盒将焊接舟推入固晶位,所述固晶机设有吸嘴摆臂,使用固晶机设有的吸嘴摆臂直接将放置在芯片环处的整流芯片中正极向上的整流芯片吸起,放置在下框架平台上,负极向上的整流芯片,取出并放置在下框架凸点上,采用两种整流芯片常温下同时固晶,一种正极向上,一种为负极向上。
2.将正极向上的整流芯片固晶在下框架平台上,将负极向上的整流芯片固晶在下框架凸点上;
⑤将固好晶的整流芯片、下框架及下焊接舟从固晶机的料盒中取出,放置在点胶机上,在整流芯片上涂上焊接粘连剂;
⑥从点胶机上取出下焊接舟,将上框架对准下框架放置完好,再将上焊接舟盖在下焊接舟上,合模完毕;
⑦将合模的焊接舟放入焊接炉,控制温度在330℃~360℃,时间为20~60秒,使整流芯片与上、下框架形成欧姆接触,使整流芯片粘结在上框架和下框架之间;
⑧取出焊接后为一个整体的具有整流芯片的上、下框架,再通过模压机浇注整流桥环氧树脂,最终形成半导体整流桥。
3.根据权利要求1所述的半导体整流桥的制备方法,其特征在于:所述焊接粘连剂为焊锡膏Pb92.5Sn5Ag2.5。
4.根据权利要求1所述的半导体整流桥的制备方法,其特征在于:所述点胶机为Ts-300B点胶机。
5.根据权利要求1所述的半导体整流桥的制备方法,其特征在于:所述固晶机为DB382ml固晶机。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210155483.3A CN102651326B (zh) | 2012-05-18 | 2012-05-18 | 一种半导体整流桥的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210155483.3A CN102651326B (zh) | 2012-05-18 | 2012-05-18 | 一种半导体整流桥的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102651326A true CN102651326A (zh) | 2012-08-29 |
CN102651326B CN102651326B (zh) | 2014-10-15 |
Family
ID=46693301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210155483.3A Active CN102651326B (zh) | 2012-05-18 | 2012-05-18 | 一种半导体整流桥的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102651326B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103474359A (zh) * | 2013-09-10 | 2013-12-25 | 南通康比电子有限公司 | D2pak整流二极管生产焊接工艺 |
CN104465410A (zh) * | 2013-09-16 | 2015-03-25 | 瑞安市固特威汽车配件有限公司 | 整流桥的制备工艺 |
CN105390407A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-03-09 | 浙江泰莱姆微电子科技有限公司 | 一种整流桥的制作工艺以及专用模具 |
CN106001824A (zh) * | 2016-05-11 | 2016-10-12 | 山东迪电子科技有限公司 | 一种半导体整流桥焊接制备方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108666226A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-10-16 | 扬州乔恒电子有限公司 | 改进型半导体整流桥生产工艺流程 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050218482A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-06 | Peter Chou | Top finger having a groove and semiconductor device having the same |
CN101373932A (zh) * | 2007-08-25 | 2009-02-25 | 绍兴旭昌科技企业有限公司 | 微型表面贴装单相全波桥式整流器及其制造方法 |
JP2009130044A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
CN101524786A (zh) * | 2009-04-24 | 2009-09-09 | 邓华鲜 | 整流桥多层烧结焊接工艺 |
CN201413823Y (zh) * | 2009-05-21 | 2010-02-24 | 绍兴旭昌科技企业有限公司 | 表面贴装双芯片二极管整流器件 |
CN201639498U (zh) * | 2010-04-22 | 2010-11-17 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 一种桥式整流器 |
CN201708705U (zh) * | 2010-05-11 | 2011-01-12 | 扬州扬杰电子科技有限公司 | 高耐压低反向电流整流桥堆 |
CN201937484U (zh) * | 2010-11-02 | 2011-08-17 | 上海上斯电子有限公司 | 超薄型表面贴装桥式整流器 |
-
2012
- 2012-05-18 CN CN201210155483.3A patent/CN102651326B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050218482A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-06 | Peter Chou | Top finger having a groove and semiconductor device having the same |
CN101373932A (zh) * | 2007-08-25 | 2009-02-25 | 绍兴旭昌科技企业有限公司 | 微型表面贴装单相全波桥式整流器及其制造方法 |
JP2009130044A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
CN101524786A (zh) * | 2009-04-24 | 2009-09-09 | 邓华鲜 | 整流桥多层烧结焊接工艺 |
CN201413823Y (zh) * | 2009-05-21 | 2010-02-24 | 绍兴旭昌科技企业有限公司 | 表面贴装双芯片二极管整流器件 |
CN201639498U (zh) * | 2010-04-22 | 2010-11-17 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 一种桥式整流器 |
CN201708705U (zh) * | 2010-05-11 | 2011-01-12 | 扬州扬杰电子科技有限公司 | 高耐压低反向电流整流桥堆 |
CN201937484U (zh) * | 2010-11-02 | 2011-08-17 | 上海上斯电子有限公司 | 超薄型表面贴装桥式整流器 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103474359A (zh) * | 2013-09-10 | 2013-12-25 | 南通康比电子有限公司 | D2pak整流二极管生产焊接工艺 |
CN104465410A (zh) * | 2013-09-16 | 2015-03-25 | 瑞安市固特威汽车配件有限公司 | 整流桥的制备工艺 |
CN105390407A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-03-09 | 浙江泰莱姆微电子科技有限公司 | 一种整流桥的制作工艺以及专用模具 |
CN105390407B (zh) * | 2015-12-18 | 2018-02-23 | 浙江泰莱姆微电子科技有限公司 | 一种整流桥的制作工艺以及专用模具 |
CN106001824A (zh) * | 2016-05-11 | 2016-10-12 | 山东迪电子科技有限公司 | 一种半导体整流桥焊接制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102651326B (zh) | 2014-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102651326B (zh) | 一种半导体整流桥的制备方法 | |
CN102629604B (zh) | 一种bt基板的悬梁式ic芯片堆叠封装件及其生产方法 | |
CN102263078A (zh) | 一种wlcsp封装件 | |
CN102263070A (zh) | 一种基于基板封装的wlcsp封装件 | |
WO2012068763A1 (zh) | 一种无载体栅格阵列ic芯片封装件及其制备方法 | |
WO2008117736A1 (ja) | インターポーザ基板、それを利用したlsiチップ及び情報端末装置、インターポーザ基板製造方法、並びにlsiチップ製造方法 | |
CN109216532A (zh) | 一种紫外led石英透镜装配结构及方法 | |
CN207052626U (zh) | 一种倒装led光源 | |
CN102522391A (zh) | 一种具有接地环的e/LQFP堆叠封装件及其生产方法 | |
CN104538376A (zh) | 一种带有铜柱的pop封装结构及其制备方法 | |
CN104576608A (zh) | 一种膜塑封pop封装结构及其制备方法 | |
CN102231376B (zh) | 多圈排列无载体双ic芯片封装件及其生产方法 | |
CN102842558A (zh) | 一种基于锡膏层的wlcsp多芯片堆叠式封装件及其封装方法 | |
CN105140374A (zh) | 一种免打线led封装结构及其制备方法 | |
CN102842560A (zh) | 一种wlcsp多芯片堆叠式封装件及其封装方法 | |
CN205723615U (zh) | 一种基于ncsp封装技术的封装装置 | |
CN204906329U (zh) | 一种射频声表面波滤波器倒装焊结构 | |
CN210722996U (zh) | 一种无需焊线的半导体芯片封装结构 | |
CN104124222B (zh) | 一种微型超薄单向整流桥器件及其加工工艺 | |
CN103296153A (zh) | Led芯片封装方法 | |
CN202196776U (zh) | 一种扁平无载体无引线引脚外露封装件 | |
CN202394966U (zh) | 一种具有接地环的e/LQFP堆叠封装件 | |
CN204375738U (zh) | 圆片级封装结构 | |
CN101546713B (zh) | 塑封直列式功率整流器的制作方法 | |
CN203055902U (zh) | 一种引线框架增加辅助贴膜引脚的封装件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 213022 Changzhou, North New District, Jiangsu Yangtze River Road, No. 19 Patentee after: Changzhou Galaxy century microelectronics Limited by Share Ltd Address before: No. 19 Changjiang North Road, Xinbei District, Jiangsu, Changzhou Patentee before: Changzhou Galaxy Century Micro-Electronics Co., Ltd. |