CN204906329U - 一种射频声表面波滤波器倒装焊结构 - Google Patents

一种射频声表面波滤波器倒装焊结构 Download PDF

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金中
何西良
曾祥君
杨正兵
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Abstract

本实用新型公开了一种射频声表面波滤波器倒装焊结构,包括芯片和陶瓷基板,所述陶瓷基板上设有镀金焊盘,所述焊盘上设有锡膏层,在焊盘周围的陶瓷基板上设有绝缘层;在芯片的焊接面植有金球,所述芯片通过金球与锡膏层相焊接的方式与陶瓷基板紧固连接在一起。本实用新型加工更加方便,生产效率更高,并且生产成本更低。

Description

一种射频声表面波滤波器倒装焊结构
技术领域
本实用新型涉及射频声表面波滤波器,尤其涉及一种射频声表面波滤波器倒装焊结构。
背景技术
目前,射频声表面波滤波器的芯片与基板主要采用锡球倒装工艺进行芯片与基板的连接,但锡球倒装焊接需要对晶圆进行锡球植球操作,锡球会接触到晶圆表面,需要在后期安装焊接完成后,对助焊剂进行清洗,不仅非常麻烦,影响生产效率,并且会污染芯片表面。为此,也有人采用金球倒装焊接工艺,但由于焊盘也为纯金,因此,金球倒装焊接工艺对于倒装焊机要求很高,需要热压超声,从而造成生产成本增加;并且由于热压超声功率较高,在焊接过程中也容易造成芯片损坏,影响成品效率。
实用新型内容
针对现有技术存在的上述不足,本实用新型的目的在于怎样解决射频声表面波滤波器的芯片与基板焊接加工麻烦,生产效率低,且生产成本高的问题,提供一种射频声表面波滤波器倒装焊结构,加工更加方便,生产效率更高,并且生产成本更低。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是这样的:一种射频声表面波滤波器倒装焊结构,包括芯片和陶瓷基板,所述陶瓷基板上设有镀金焊盘,其特征在于:所述焊盘上设有锡膏层,在焊盘周围的陶瓷基板上设有绝缘层;在芯片的焊接面植有金球,所述芯片通过金球与锡膏层相焊接的方式与陶瓷基板紧固连接在一起。
进一步地,所述绝缘层的厚度大于焊盘的厚度。
进一步地,所述锡膏层由免清洗锡膏制成。
与现有技术相比,本实用新型具有如下优点:
1、结构简单,通过金球与锡膏相连形成稳固的金锡结合结构,能够基本达到金球热压倒装焊接的效果,并且不会对会芯片表面造成污染,从而使加工更加方便,并且提高生产效率。
2、采用金球与锡膏焊接的方式,无需采用专用的焊机(热压超声焊机),从而大大降低了器件的制作成本,并且能够更好的避免芯片被损坏,从而提高成品率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中:1—芯片,2—陶瓷基板,3—焊盘,4—锡膏层,5—绝缘层,6—金球。
具体实施方式
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明。
实施例:参见图1,一种射频声表面波滤波器倒装焊结构,包括芯片1和陶瓷基板2;所述陶瓷基板2上设有镀金焊盘3。所述焊盘3上设有锡膏层4,在焊盘3周围的陶瓷基板2上(除焊盘3以外的其他位置)设有绝缘层5;所述绝缘层5的厚度大于焊盘3的厚度,从而使焊盘3处形成一凹坑,形成限制区域,防止锡膏层4熔化后溢出对芯片1造成污染。在实际生产过程中,所述锡膏层4由免清洗锡膏制成,从而进一步避免锡膏对芯片1造成污染和损坏。
在芯片1的焊接面植有金球6,所述芯片1通过金球6与锡膏层4相焊接的方式与陶瓷基板2紧固连接在一起。通过金球6与锡膏相连形成稳固的金锡结合结构,不会对会芯片1表面造成污染,从而使加工更加方便,并且提高生产效率。
在本实用新型加工过程中,首先在焊盘3周围设置绝缘层5,再在焊盘3上设置锡膏层4,然后将已经植好金球6的芯片1倒装在基板上,并使金球6与锡膏接触,最后利用普通倒装焊机即可完成焊接施工。不仅方便、快捷,并且能够有效降低成本,并提高生产效率和成品率。
最后需要说明的是,以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制技术方案,本领域的普通技术人员应当理解,那些对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本技术方案的宗旨和范围,均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。

Claims (3)

1.一种射频声表面波滤波器倒装焊结构,包括芯片和陶瓷基板,所述陶瓷基板上设有镀金焊盘,其特征在于:所述焊盘上设有锡膏层,在焊盘周围的陶瓷基板上设有绝缘层;在芯片的焊接面植有金球,所述芯片通过金球与锡膏层相焊接的方式与陶瓷基板紧固连接在一起。
2.根据权利要求1所述的一种射频声表面波滤波器倒装焊结构,其特征在于:所述绝缘层的厚度大于焊盘的厚度。
3.根据权利要求1所述的一种射频声表面波滤波器倒装焊结构,其特征在于:所述锡膏层由免清洗锡膏制成。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106301279A (zh) * 2016-10-31 2017-01-04 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种薄膜体声波滤波器封装结构及封装方法
CN110416248A (zh) * 2019-08-06 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106301279A (zh) * 2016-10-31 2017-01-04 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种薄膜体声波滤波器封装结构及封装方法
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