CN108666226A - 改进型半导体整流桥生产工艺流程 - Google Patents

改进型半导体整流桥生产工艺流程 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种改进型半导体整流桥生产工艺流程，属于电力电子半导体器件领域，解决了传统整流桥生产工艺易出现虚焊、空焊现象的问题。主要利用高速电动旋转台高速旋转去除晶粒、P面焊片、N面焊片在存放过程中产生的氧化层。本发明巧妙将高速电动旋转台应用于半导体技术领域，利用其高速旋转的极细高密度金属刷去除晶粒表层及焊面表层的氧化层，使得晶粒与PN面焊片接触面积高达100％，有效杜绝整流桥生产过程中产生的空焊、虚焊现象，大幅度提高产品的使用寿命本发明工艺流程操作步骤简单，实现成本低，能为企业创造可观经济、社会效益，可广泛应用于半导体器件技术领域。

Description

改进型半导体整流桥生产工艺流程
技术领域
本发明属于电力电子半导体器件领域，具体地说，尤其涉及一种改进型半导体整流桥生产工艺流程。
背景技术
传统工艺如申请号为201610673533 .5、申请日为2016 .08 .15、发明名称为一种半导体整流桥的制备方法的中国专利。晶粒芯片在常温存放过程中其N面、P面会产生不同程度的氧化层，若不处理直接进入整流桥生产加工焊接工序中，会产生不同程度的空焊、虚焊，空焊、虚焊在生产过程中是无法检测出来的，尤其是虚焊，只有用户在使用一段时间后才能发现问题，而空焊直接导致电路不能构成回路而直接不能使用。整流桥在工作过程中或多或少会产生一定热量，产生的热量遇到虚焊的产品就会产生脱焊现象，很容易发生大电流击穿烧毁现象。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术存在的不足，提供了一种高使用寿命的改进型半导体整流桥生产工艺流程。
本发明是通过以下技术方案实现的：
s1:预先准备晶粒、P面焊片和N面焊片；
s2:将所述步骤s1中的P面焊片、N面焊片利用高速电动旋转台的极细高密度金属刷高速旋转去除其存放过程中产生的氧化层；
s3:将所述步骤s2中的 P面焊片装填进预焊板；
s4:所述晶粒具有P面和N面，同样利用高速电动旋转台的极细高密度金属刷高速旋转去除晶粒两面在存放过程中产生的氧化层；
s5:将经步骤s4处理后的晶粒通过分向筛盘进行分向以保证所述晶粒的P面朝上，并将分向后的晶粒倒扣置于经步骤b处理后的P面焊片上使得所述晶粒的P面紧贴所述P面焊片，将经步骤b处理后的N面焊片紧贴于所述晶粒的N面并与所述P面焊片包夹所述晶粒；
s5:将所述预焊板通过高温焊接炉进行预焊处理，从而获得预焊后的晶粒；
s6:将上框架和下框架并排置于框架盘上；
s7:将助焊溶剂涂抹到所述上框架和所述下框架上；
s8:将所述预焊后的晶粒装填至所述下框架上；
s9:将所述上框架翻转盖到所述下框架上，从而获得合片；
s10: 将所述合片置于石墨模具中并盖好石墨；
s11: 将放有所述合片的石墨模具通过焊接炉进行焊接处理，再经过封装和分解获得半导体整流桥。
优选地，所述P面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92％、锡5.8％和银2.2％；所述N面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92％、锡5.8％和银2 .2％。
优选地，所述预焊处理的峰值温度为300℃-380℃。
优选地，所述焊接处理的谷值温度为280℃-300℃。
优选地，所述预焊处理的时间为6min-10min。
优选地，所述助焊溶剂包括异丙醇和助焊剂，其中，所述异丙醇和所述助焊剂的质量比为60-68:30-36。
优选地，所述助焊溶剂采用排刷涂抹。
优选地，所述焊接处理的峰值温度为300℃-350℃。
优选地，所述焊接处理的谷值温度为280℃-300℃。
优选地，所述焊接处理的时间为8min-12min。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明巧妙将高速电动旋转台应用于半导体技术领域，利用其高速旋转的极细高密度金属刷去除晶粒表层及焊面表层的氧化层，使得晶粒与PN面焊片接触面积高达100％，有效杜绝整流桥生产过程中产生的空焊、虚焊现象，大幅度提高产品的使用寿命本发明工艺流程操作步骤简单，实现成本低，能为企业创造可观经济、社会效益，可广泛应用于半导体器件技术领域。
具体实施方式
下面对本发明进一步说明：
一种改进型半导体整流桥生产工艺流程，包括如下步骤：
s1:预先准备晶粒、P面焊片和N面焊片；
s2:将所述步骤s1中的P面焊片、N面焊片利用高速电动旋转台的极细高密度金属刷高速旋转去除其存放过程中产生的氧化层；
s3:将所述步骤s2中的 P面焊片装填进预焊板；
s4:所述晶粒具有P面和N面，同样利用高速电动旋转台的极细高密度金属刷高速旋转去除晶粒两面在存放过程中产生的氧化层；
s5:将经步骤s4处理后的晶粒通过分向筛盘进行分向以保证所述晶粒的P面朝上，并将分向后的晶粒倒扣置于经步骤b处理后的P面焊片上使得所述晶粒的P面紧贴所述P面焊片，将经步骤b处理后的N面焊片紧贴于所述晶粒的N面并与所述P面焊片包夹所述晶粒；
s5:将所述预焊板通过高温焊接炉进行预焊处理，从而获得预焊后的晶粒；
s6:将上框架和下框架并排置于框架盘上；
s7:将助焊溶剂涂抹到所述上框架和所述下框架上；
s8:将所述预焊后的晶粒装填至所述下框架上；
s9:将所述上框架翻转盖到所述下框架上，从而获得合片；
s10: 将所述合片置于石墨模具中并盖好石墨；
s11: 将放有所述合片的石墨模具通过焊接炉进行焊接处理，再经过封装和分解获得半导体整流桥。
优选地，所述P面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92％、锡5.8％和银2.2％；所述N面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92％、锡5.8％和银2 .2％。
优选地，所述预焊处理的峰值温度为300℃-380℃。
优选地，所述焊接处理的谷值温度为280℃-300℃。
优选地，所述预焊处理的时间为6min-10min。
优选地，所述助焊溶剂包括异丙醇和助焊剂，其中，所述异丙醇和所述助焊剂的质量比为60-68:30-36。
优选地，所述助焊溶剂采用排刷涂抹。
优选地，所述焊接处理的峰值温度为300℃-350℃。
优选地，所述焊接处理的谷值温度为280℃-300℃。
优选地，所述焊接处理的时间为8min-12min。
实施例1：
本发明改进型半导体整流桥生产工艺流程包括如下步骤：
s1:预先准备晶粒、P面焊片和N面焊片；
s2:将所述步骤s1中的P面焊片、N面焊片利用高速电动旋转台的极细高密度金属刷高速旋转去除其存放过程中产生的氧化层；所述P面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92％、锡5.8％和银2 .2％；所述N面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92％、锡5.8％和银2 .2％；
s3:将所述步骤s2中的 P面焊片装填进预焊板；
s4:所述晶粒具有P面和N面，同样利用高速电动旋转台的极细高密度金属刷高速旋转去除晶粒两面在存放过程中产生的氧化层；
s5:将经步骤s4处理后的晶粒通过分向筛盘进行分向以保证所述晶粒的P面朝上，并将分向后的晶粒倒扣置于经步骤b处理后的P面焊片上使得所述晶粒的P面紧贴所述P面焊片，将经步骤b处理后的N面焊片紧贴于所述晶粒的N面并与所述P面焊片包夹所述晶粒；
s5:将所述预焊板通过高温焊接炉进行预焊处理，从而获得预焊后的晶粒；所述预焊处理的峰值温度为300℃；其谷值温度为280℃；其预焊处理的时间为10min；所述助焊溶剂包括异丙醇和助焊剂，其中，所述异丙醇和所述助焊剂的质量比为60:31；所述助焊溶剂采用排刷涂抹；
s6:将上框架和下框架并排置于框架盘上；
s7:将助焊溶剂涂抹到所述上框架和所述下框架上；
s8:将所述预焊后的晶粒装填至所述下框架上；
s9:将所述上框架翻转盖到所述下框架上，从而获得合片；
s10:将所述合片置于石墨模具中并盖好石墨；
s11:将放有所述合片的石墨模具通过焊接炉进行焊接处理，再经过封装和分解获得半导体整流桥。所述焊接处理的峰值温度为300℃；所述焊接处理的谷值温度为280℃；焊接处理的时间为8min；
实施例2：
本发明改进型半导体整流桥生产工艺流程包括如下步骤：
s1:预先准备晶粒、P面焊片和N面焊片；
s2:将所述步骤s1中的P面焊片、N面焊片利用高速电动旋转台的极细高密度金属刷高速旋转去除其存放过程中产生的氧化层；所述P面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92％、锡5.8％和银2 .2％；所述N面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92％、锡5.8％和银2 .2％；
s3:将所述步骤s2中的 P面焊片装填进预焊板；
s4:所述晶粒具有P面和N面，同样利用高速电动旋转台的极细高密度金属刷高速旋转去除晶粒两面在存放过程中产生的氧化层；
s5:将经步骤s4处理后的晶粒通过分向筛盘进行分向以保证所述晶粒的P面朝上，并将分向后的晶粒倒扣置于经步骤b处理后的P面焊片上使得所述晶粒的P面紧贴所述P面焊片，将经步骤b处理后的N面焊片紧贴于所述晶粒的N面并与所述P面焊片包夹所述晶粒；
s5:将所述预焊板通过高温焊接炉进行预焊处理，从而获得预焊后的晶粒；所述预焊处理的峰值温度为360℃；其谷值温度为290℃；其预焊处理的时间为8min；所述助焊溶剂包括异丙醇和助焊剂，其中，所述异丙醇和所述助焊剂的质量比为60:31；所述助焊溶剂采用排刷涂抹；
s6:将上框架和下框架并排置于框架盘上；
s7:将助焊溶剂涂抹到所述上框架和所述下框架上；
s8:将所述预焊后的晶粒装填至所述下框架上；
s9:将所述上框架翻转盖到所述下框架上，从而获得合片；
s10:将所述合片置于石墨模具中并盖好石墨；
s11:将放有所述合片的石墨模具通过焊接炉进行焊接处理，再经过封装和分解获得半导体整流桥。所述焊接处理的峰值温度为320℃；所述焊接处理的谷值温度为290℃；焊接处理的时间为10min；
实施例3：
本发明改进型半导体整流桥生产工艺流程包括如下步骤：
s1:预先准备晶粒、P面焊片和N面焊片；
s2:将所述步骤s1中的P面焊片、N面焊片利用高速电动旋转台的极细高密度金属刷高速旋转去除其存放过程中产生的氧化层；所述P面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92％、锡5.8％和银2 .2％；所述N面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92％、锡5.8％和银2 .2％；
s3:将所述步骤s2中的 P面焊片装填进预焊板；
s4:所述晶粒具有P面和N面，同样利用高速电动旋转台的极细高密度金属刷高速旋转去除晶粒两面在存放过程中产生的氧化层；
s5:将经步骤s4处理后的晶粒通过分向筛盘进行分向以保证所述晶粒的P面朝上，并将分向后的晶粒倒扣置于经步骤b处理后的P面焊片上使得所述晶粒的P面紧贴所述P面焊片，将经步骤b处理后的N面焊片紧贴于所述晶粒的N面并与所述P面焊片包夹所述晶粒；
s5:将所述预焊板通过高温焊接炉进行预焊处理，从而获得预焊后的晶粒；所述预焊处理的峰值温度为380℃；其谷值温度为300℃；其预焊处理的时间为6min；所述助焊溶剂包括异丙醇和助焊剂，其中，所述异丙醇和所述助焊剂的质量比为60:31；所述助焊溶剂采用排刷涂抹；
s6:将上框架和下框架并排置于框架盘上；
s7:将助焊溶剂涂抹到所述上框架和所述下框架上；
s8:将所述预焊后的晶粒装填至所述下框架上；
s9:将所述上框架翻转盖到所述下框架上，从而获得合片；
s10:将所述合片置于石墨模具中并盖好石墨；
s11:将放有所述合片的石墨模具通过焊接炉进行焊接处理，再经过封装和分解获得半导体整流桥。所述焊接处理的峰值温度为350℃；所述焊接处理的谷值温度为300℃；焊接处理的时间为12min；
本发明巧妙将高速电动旋转台应用于半导体技术领域，利用其高速旋转的极细高密度金属刷去除晶粒表层及焊面表层的氧化层，使得晶粒与PN面焊片接触面积高达100％，有效杜绝整流桥生产过程中产生的空焊、虚焊现象，大幅度提高产品的使用寿命本发明工艺流程操作步骤简单，实现成本低，能为企业创造可观经济、社会效益，可广泛应用于半导体器件技术领域。
综上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发明权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的权利要求范围内。

Claims (10)

1.一种改进型半导体整流桥生产工艺流程，其特征在于，包括如下步骤：
s1:预先准备晶粒、P面焊片和N面焊片；
s2:将所述步骤s1中的P面焊片、N面焊片利用高速电动旋转台的极细高密度金属刷高速旋转去除其存放过程中产生的氧化层；
s3:将所述步骤s2中的P面焊片装填进预焊板；
s4:所述晶粒具有P面和N面，同样利用高速电动旋转台的极细高密度金属刷高速旋转去除晶粒两面在存放过程中产生的氧化层；
s5:将经步骤s4处理后的晶粒通过分向筛盘进行分向以保证所述晶粒的P面朝上，并将分向后的晶粒倒扣置于经步骤b处理后的P面焊片上使得所述晶粒的P面紧贴所述P面焊片，将经步骤b处理后的N面焊片紧贴于所述晶粒的N面并与所述P面焊片包夹所述晶粒；
s5:将所述预焊板通过高温焊接炉进行预焊处理，从而获得预焊后的晶粒；
s6:将上框架和下框架并排置于框架盘上；
s7:将助焊溶剂涂抹到所述上框架和所述下框架上；
s8:将所述预焊后的晶粒装填至所述下框架上；
s9:将所述上框架翻转盖到所述下框架上，从而获得合片；
s10:将所述合片置于石墨模具中并盖好石墨；
s11:将放有所述合片的石墨模具通过焊接炉进行焊接处理，再经过封装和分解获得半导体整流桥。
2.根据权利要求1所述的改进型半导体整流桥生产工艺流程,其特征在于：所述P面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92％、锡5.8％和银2.2％；所述N面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92％、锡5.8％和银2.2％。
3.根据权利要求1所述的改进型半导体整流桥生产工艺流程,其特征在于：所述预焊处理的峰值温度为300℃-380℃。
4.根据权利要求1所述的改进型半导体整流桥生产工艺流程,其特征在于：所述焊接处理的谷值温度为280℃-300℃。
5.根据权利要求1所述的改进型半导体整流桥生产工艺流程,其特征在于：所述预焊处理的时间为6min-10min。
6.根据权利要求1所述的改进型半导体整流桥生产工艺流程,其特征在于：所述助焊溶剂包括异丙醇和助焊剂，其中，所述异丙醇和所述助焊剂的质量比为60-68:30-36。
7.根据权利要求1所述的改进型半导体整流桥生产工艺流程,其特征在于：所述助焊溶剂采用排刷涂抹。
8.根据权利要求1-7所述的改进型半导体整流桥生产工艺流程,其特征在于：所述焊接处理的峰值温度为300℃-350℃。
9.根据权利要求1-7所述的改进型半导体整流桥生产工艺流程,其特征在于：所述焊接处理的谷值温度为280℃-300℃。
10.根据权利要求1-7所述的改进型半导体整流桥生产工艺流程,其特征在于：所述焊接处理的时间为8min-12min。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102049625A (zh) * 2010-11-17 2011-05-11 国家电网公司直流建设分公司 用于电网直流工程接地极设施的放热焊接工艺
CN102651326B (zh) * 2012-05-18 2014-10-15 常州银河世纪微电子有限公司 一种半导体整流桥的制备方法
CN106102339A (zh) * 2016-06-24 2016-11-09 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种深腔式微波组件的表面组装方法
CN106270880A (zh) * 2016-08-15 2017-01-04 扬州虹扬科技发展有限公司 一种半导体整流桥的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102049625A (zh) * 2010-11-17 2011-05-11 国家电网公司直流建设分公司 用于电网直流工程接地极设施的放热焊接工艺
CN102651326B (zh) * 2012-05-18 2014-10-15 常州银河世纪微电子有限公司 一种半导体整流桥的制备方法
CN106102339A (zh) * 2016-06-24 2016-11-09 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种深腔式微波组件的表面组装方法
CN106270880A (zh) * 2016-08-15 2017-01-04 扬州虹扬科技发展有限公司 一种半导体整流桥的制备方法

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