CN106270880A - 一种半导体整流桥的制备方法 - Google Patents

一种半导体整流桥的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种半导体整流桥的制备方法，涉及半导体整流桥领域。包括如下步骤：将P面焊片装填进预焊板；晶粒具有P面和N面，将晶粒通过分向筛盘进行分向以保证晶粒P面朝上，并倒扣置于P面焊片上使得晶粒P面紧贴P面焊片；将N面焊片紧贴晶粒N面并与P面焊片包夹晶粒；将预焊板进行预焊处理；将上、下框架并排置于框架盘上；将助焊溶剂涂抹到上框架和下框架上；将预焊后晶粒转换装填至下框架上；获得合片；将合片置于石墨模具中并盖好石墨；将石墨模具通过焊接炉进行焊接处理，再经过封装和分解获得半导体整流桥。本发明采用预焊工艺，提高材料冷热冲击能力，同时有益于晶粒表面锡合金层的生成，提高焊接牢度，降低焊接空洞比例。

Description

一种半导体整流桥的制备方法
技术领域
本发明涉及半导体整流桥技术领域，尤其涉及一种半导体整流桥的制备方法。
背景技术
目前半导体整流桥的制备方法，主要是通过下面的步骤完成：将上下框架固定在粘胶机台面上，将锡膏点涂到上下框架上；晶粒通过分向筛盘进行分向后，确保晶粒的P面向上，再用吸笔将晶粒转换到上框架和下框架上；然后将上框架翻转盖到下框架上；将晶粒装填到焊接舟中；将焊接舟放入焊接炉，使整流芯片与上框架和下框架形成欧姆接触；取出焊接好的具有整流芯片的框架，再通过模压机浇注整流桥环氧树脂，最终形成半导体整流桥。
但是，在上述的步骤中，存在诸多缺陷:由于锡膏呈粘稠状，其均匀一致性比较差、粘胶点容易出现偏移；材料焊接后，还会易出现淌锡、短路等异常；且锡膏使用中容易出现分层现象，因此锡膏对于温度和湿度要求比较高，一般是在室温20℃-35℃，相对湿度40％RH-60％RH的状态下使用，并且工作时间尽量不要超过12小时。
发明内容
本发明的目的是提供一种焊接点锡量一致且保证焊接牢度和低焊接空洞率的半导体整流桥的制备方法。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种半导体整流桥的制备方法，通过将晶粒和上框架以及下框架进行焊接从而获得半导体整流桥，包括如下步骤：
预先准备晶粒、P面焊片和N面焊片；
将所述P面焊片装填进预焊板；
所述晶粒具有P面和N面，将所述晶粒通过分向筛盘进行分向以保证所述晶粒的P面朝上，并将分向后的晶粒倒扣置于所述P面焊片上使得所述晶粒的P面紧贴所述P面焊片；
将所述N面焊片紧贴于所述晶粒的N面并与所述P面焊片包夹所述晶粒；
将所述预焊板通过高温焊接炉进行预焊处理从而获得预焊后的晶粒；
将所述上框架和所述下框架并排置于框架盘上；
将助焊溶剂涂抹到所述上框架和所述下框架上；
将所述预焊后的晶粒转换装填至所述下框架上；
将所述上框架翻转盖到所述下框架上，从而获得合片；
将所述合片置于石墨模具中并盖好石墨；
将放有所述合片的石墨模具通过焊接炉进行焊接处理，再经过封装和分解获得半导体整流桥。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进：
可选地，所述P面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92.5％、锡5％和银2.5％；
所述N面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92.5％、锡5％和银2.5％。
可选地，所述预焊处理的峰值温度为320℃-360℃。
可选地，所述预焊处理的谷值温度为292℃-300℃。
可选地，所述预焊处理的时间为8min-12min。
可选地，所述助焊溶剂包括异丙醇和助焊剂，其中，所述异丙醇和所述助焊剂的质量比为65-69:31-35。
可选地，所述助焊溶剂采用排刷涂抹。
可选地，所述焊接处理的峰值温度为320℃-360℃。
可选地，所述焊接处理的谷值温度为292℃-300℃。
可选地，所述焊接处理的时间为8min-12min。
本发明的有益效果：
1.本发明采用预焊的工艺，释放原物料自身应力，提高了材料冷热冲击能力，同时预焊工艺更有益于晶粒表面锡合金层的生成，提高了焊接牢度，降低了焊接空洞比例；
2.本发明通过预焊使得晶粒有焊锡保护，使焊接点锡量一致，在组装过程中，不易出现晶粒破裂和缺角的情况，降低了组装风险；
3.本发明使用异丙醇和助焊剂的助焊溶剂涂抹，利用助焊溶剂的粘黏性可以固定晶粒，防止晶粒偏移，同时助焊溶剂中的助焊剂成分，有利于去除原物料表面的氧化物，降低因材料氧化引起的焊接异常；
4.本发明通过助焊剂的使用，可以提升焊接界面活性，改善液态焊锡对被焊金属表面的润湿；
5.本发明采用焊片焊接，焊锡量准确，降低了焊接材料溢锡和虚焊的风险；
6.本发明的制备方法可以使焊接空洞标准控制在20％以内。
附图说明
图1是本发明实施例的半导体整流桥的制备方法的工艺流程图。
具体实施方式
以下对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
本发明采用预焊的工艺，释放原物料自身应力，提高了材料冷热冲击能力，同时预焊工艺更有益于晶粒表面锡合金层的生成，提高了焊接牢度，降低了焊接空洞比例。
本发明通过预焊使得晶粒有焊锡保护，在组装过程中，不易出现晶粒破裂和缺角的情况，降低了组装风险。
本发明使用异丙醇和助焊剂的助焊溶剂涂抹，利用助焊溶剂的粘黏性可以固定晶粒，防止晶粒偏移，同时助焊溶剂中的助焊剂成分，有利于去除原物料表面的氧化物，降低因材料氧化引起的焊接异常。
本发明能提升焊接界面活性，改善液态焊锡对被焊金属表面的润湿。
本发明采用焊片焊接，焊锡量准确，降低了焊接材料溢锡和虚焊的风险。
本发明的制备方法可以使焊接空洞标准控制在20％以内。
图1是本发明实施例的半导体整流桥的制备方法的工艺流程图。参见图1，本发明实施例提供了一种半导体整流桥的制备方法，通过将晶粒和上框架以及下框架进行焊接从而获得半导体整流桥，包括如下步骤：
步骤S1、预先准备晶粒、P面焊片和N面焊片。由于P面焊片的焊接面较小，因此P面焊锡量较少，在选择P面焊片和N面焊片时，P面焊片的面积要小于N面焊片。
步骤S2、将所述P面焊片装填进所述预焊板。其中，所述P面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92.5％、锡5％和银2.5％；
步骤S3、所述晶粒具有P面和N面，将所述晶粒通过分向筛盘进行分向以保证所述晶粒的P面朝上，并将分向后的晶粒倒扣置于所述P面焊片上使得所述晶粒的P面紧贴所述P面焊片。
步骤S4、将所述N面焊片紧贴于所述晶粒的N面并与所述P面焊片包夹所述晶粒。其中，所述N面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92.5％、锡5％和银2.5％；
步骤S5、将所述预焊板通过高温焊接炉进行预焊处理从而获得预焊后的晶粒，其中，所述预焊处理的峰值温度为320℃-360℃，所述预焊处理的谷值温度为292℃-300℃，所述预焊处理的时间为8min-12min；
步骤S6、将所述上框架和所述下框架并排置于框架盘上；
步骤S7、采用排刷将助焊溶剂涂抹到所述上框架和所述下框架上，其中，所述助焊溶剂包括异丙醇和助焊剂，其中，所述异丙醇和所述助焊剂的质量比为65-69:31-35；
步骤S8、将所述预焊后的晶粒转换装填至所述下框架上；
步骤S9、将所述上框架翻转盖到所述下框架上，从而获得合片；
步骤S10、将所述合片置于石墨模具中并盖好石墨；
步骤S11、将放有所述合片的石墨模具通过焊接炉进行焊接处理，再经过封装和分解获得半导体整流桥。其中，所述焊接处理的峰值温度为320℃-360℃，所述焊接处理的谷值温度为292℃-300℃，所述焊接处理的时间为8min-12min。
下面将通过具体的实施例来对本发明进行说明。
实施例1
本实施例按如下方式制备半导体整流桥：
1、预先准备晶粒、P面焊片和N面焊片；
2、将所述P面焊片装填进预焊板，其中，所述P面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92.5％、锡5％和银2.5％；
3、所述晶粒具有P面和N面，将所述晶粒通过分向筛盘进行分向以保证所述晶粒的P面朝上，并将分向后的晶粒倒扣置于所述P面焊片上使得所述晶粒的P面紧贴所述P面焊片；
4、将所述N面焊片紧贴于所述晶粒的N面并与所述P面焊片包夹所述晶粒，其中，所述N面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92.5％、锡5％和银2.5％；
5、将所述预焊板通过高温焊接炉进行预焊处理从而获得预焊后的晶粒，其中，所述预焊处理的峰值温度为320℃，所述预焊处理的谷值温度为292℃，所述预焊处理的时间为8min；
6、将所述上框架和所述下框架并排置于框架盘上；
7、采用排刷将助焊溶剂涂抹到所述上框架和所述下框架上，其中，所述助焊溶剂包括异丙醇和助焊剂，其中，所述异丙醇和所述助焊剂的质量比为65:31；
8、将所述预焊后的晶粒转换装填至所述下框架上；
9、将所述上框架翻转盖到所述下框架上，从而获得合片；
10、将所述合片置于石墨模具中并盖好石墨；
11、将放有所述合片的石墨模具通过焊接炉进行焊接处理，其中，所述焊接处理的峰值温度为320℃，所述焊接处理的谷值温度为292℃，所述焊接处理的时间为8min。
实施例2
本实施例按如下方式制备半导体整流桥：
1、预先准备晶粒、P面焊片和N面焊片；
2、将所述P面焊片装填进预焊板，其中，所述P面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92.5％、锡5％和银2.5％；
3、所述晶粒具有P面和N面，将所述晶粒通过分向筛盘进行分向以保证所述晶粒的P面朝上，并将分向后的晶粒倒扣置于所述P面焊片上使得所述晶粒的P面紧贴所述P面焊片；
4、将所述N面焊片紧贴于所述晶粒的N面并与所述P面焊片包夹所述晶粒，其中，所述N面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92.5％、锡5％和银2.5％；
5、将所述预焊板通过高温焊接炉进行预焊处理从而获得预焊后的晶粒，其中，所述预焊处理的峰值温度为340℃，所述预焊处理的谷值温度为296℃，所述预焊处理的时间为10min；
6、将所述上框架和所述下框架并排置于框架盘上；
7、采用排刷将助焊溶剂涂抹到所述上框架和所述下框架上，其中，所述助焊溶剂包括异丙醇和助焊剂，其中，所述异丙醇和所述助焊剂的质量比为67:33；
8、将所述预焊后的晶粒转换装填至所述下框架上；
9、将所述上框架翻转盖到所述下框架上，从而获得合片；
10、将所述合片置于石墨模具中并盖好石墨；
11、将放有所述合片的石墨模具通过焊接炉进行焊接处理，其中，所述焊接处理的峰值温度为340℃，所述焊接处理的谷值温度为296℃，所述焊接处理的时间为10min。
实施例3
本实施例按如下方式制备半导体整流桥：
1、预先准备晶粒、P面焊片和N面焊片；
2、将所述P面焊片装填进预焊板，其中，所述P面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92.5％、锡5％和银2.5％；
3、所述晶粒具有P面和N面，将所述晶粒通过分向筛盘进行分向以保证所述晶粒的P面朝上，并将分向后的晶粒倒扣置于所述P面焊片上使得所述晶粒的P面紧贴所述P面焊片；
4、将所述N面焊片紧贴于所述晶粒的N面并与所述P面焊片包夹所述晶粒，其中，所述N面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92.5％、锡5％和银2.5％；
5、将所述预焊板通过高温焊接炉进行预焊处理从而获得预焊后的晶粒，其中，所述预焊处理的峰值温度为360℃，所述预焊处理的谷值温度为300℃，所述预焊处理的时间为12min；
6、将所述上框架和所述下框架并排置于框架盘上；
7、采用排刷将助焊溶剂涂抹到所述上框架和所述下框架上，其中，所述助焊溶剂包括异丙醇和助焊剂，其中，所述异丙醇和所述助焊剂的质量比为69:35；
8、将所述预焊后的晶粒转换装填至所述下框架上；
9、将所述上框架翻转盖到所述下框架上，从而获得合片；
10、将所述合片置于石墨模具中并盖好石墨；
11、将放有所述合片的石墨模具通过焊接炉进行焊接处理，其中，所述焊接处理的峰值温度为360℃，所述焊接处理的谷值温度为300℃，所述焊接处理的时间为12min。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种半导体整流桥的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
预先准备晶粒、P面焊片和N面焊片；
将所述P面焊片装填进预焊板；
所述晶粒具有P面和N面，将所述晶粒通过分向筛盘进行分向以保证所述晶粒的P面朝上，并将分向后的晶粒倒扣置于所述P面焊片上使得所述晶粒的P面紧贴所述P面焊片；
将所述N面焊片紧贴于所述晶粒的N面并与所述P面焊片包夹所述晶粒；
将所述预焊板通过高温焊接炉进行预焊处理从而获得预焊后的晶粒；
将所述上框架和所述下框架并排置于框架盘上；
将助焊溶剂涂抹到所述上框架和所述下框架上；
将所述预焊后的晶粒转换装填至所述下框架上；
将所述上框架翻转盖到所述下框架上，从而获得合片；
将所述合片置于石墨模具中并盖好石墨；
将放有所述合片的石墨模具通过焊接炉进行焊接处理，再经过封装和分解获得半导体整流桥。
2.根据权利要求1所述的半导体整流桥的制备方法，其特征在于，所述P面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92.5％、锡5％和银2.5％；
所述N面焊片由如下质量百分数的组份组成：铅92.5％、锡5％和银2.5％。
3.根据权利要求1所述的半导体整流桥的制备方法，其特征在于，所述预焊处理的峰值温度为320℃-360℃。
4.根据权利要求1所述的半导体整流桥的制备方法，其特征在于，所述预焊处理的谷值温度为292℃-300℃。
5.根据权利要求1所述的半导体整流桥的制备方法，其特征在于，所述预焊处理的时间为8min-12min。
6.根据权利要求1所述的半导体整流桥的制备方法，其特征在于，所述助焊溶剂包括异丙醇和助焊剂，其中，所述异丙醇和所述助焊剂的质量比为65-69:31-35。
7.根据权利要求1所述的半导体整流桥的制备方法，其特征在于，所述助焊溶剂采用排刷涂抹。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体整流桥的制备方法，其特征在于，所述焊接处理的峰值温度为320℃-360℃。
9.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体整流桥的制备方法，其特征在于，所述焊接处理的谷值温度为292℃-300℃。
10.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体整流桥的制备方法，其特征在于，所述焊接处理的时间为8min-12min。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108666226A (zh) * 2018-05-29 2018-10-16 扬州乔恒电子有限公司 改进型半导体整流桥生产工艺流程
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CN111739812A (zh) * 2020-06-30 2020-10-02 安徽安美半导体有限公司 一种大功率轴向双向二极管的生产工艺
CN112456805A (zh) * 2021-01-05 2021-03-09 合肥邦诺科技有限公司 一种大面积的预成型低温玻璃焊片及其制备方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108666226A (zh) * 2018-05-29 2018-10-16 扬州乔恒电子有限公司 改进型半导体整流桥生产工艺流程
CN109461674A (zh) * 2018-10-16 2019-03-12 黄山市祁门县锦城电器有限公司 一种整流方桥制造模具及其制造方法
CN111739812A (zh) * 2020-06-30 2020-10-02 安徽安美半导体有限公司 一种大功率轴向双向二极管的生产工艺
CN111739812B (zh) * 2020-06-30 2021-06-22 安徽安美半导体有限公司 一种大功率轴向双向二极管的生产工艺
CN112456805A (zh) * 2021-01-05 2021-03-09 合肥邦诺科技有限公司 一种大面积的预成型低温玻璃焊片及其制备方法
CN112456805B (zh) * 2021-01-05 2021-08-24 合肥邦诺科技有限公司 一种大面积的预成型低温玻璃焊片及其制备方法

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