CN103474359A - D2pak整流二极管生产焊接工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及整流二极管生产工艺,具体涉及一种D2PAK整流二极管生产焊接工艺。本发明提出了一种D2PAK整流二极管生产焊接工艺。本发明的优点是工艺巧妙合理,散热好采用新型的结构框架,节省了三分之一的材料,减少工艺生产的时间,同时引线的外部焊接,为后续工作带来很大的便利(降低焊接工艺造成的晶粒损伤,并提升后期使用过程中热应力的释放空间),大大提高产品的生产效率及品质;另一优点:此产品将全面代替二极管封装的光伏管,其优势在于散热性能好,封装的晶粒相比较于二极管的尺寸可提升至180mil,此大尺寸晶粒的封装能承受的顺向电流同比增加,适用范围更广,延长太阳能光伏接线盒的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及整流二极管生产工艺,具体涉及一种D2PAK整流二极管生产焊接工艺。
背景技术
整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。
传统整流二极管的生产制造工艺生产的产品散热不好,耗材多,工艺复杂,后续工作不好处理。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提出了一种D2PAK整流二极管生产焊接工艺,工艺合理,制造的产品散热好,耗材减少,有利于后续工作的进行,大大提高了生产效率。
为了达到上述发明目的,本发明提出了以下技术方案:
D2PAK整流二极管生产焊接工艺,具体在于以下步骤构成:作业前准备;装填框架;框架刷膏;铜粒装填;铜粒点胶;晶粒分面;晶粒装填;晶粒点膏;框架点膏;框架转换;跳线装填;目检;焊接;出炉下料;
1)作业前准备:清洁工作场地、台面;用异丙醇、汗衫布清洁工作台、点胶机工作台面、框架定位板、网板、各类吸盘、不锈钢盘;在点胶机上安装点胶头、焊膏瓶;用橡皮管将吸盘吸笔与真空气源相连,开启真空、压空气源,调节真空气源至适宜操作;将网板依框架定位板上定位块的定位导向,固定于印刷台上待用;装填晶粒、跳线必须使用不锈钢盘,以减少对芯片、跳线的摩擦、损伤;禁止用丙酮等有机溶剂擦拭点胶机控制面板,以防损伤控制面板;
2)装填框架:将D2PAK-T、AT2、AT3框架放置于各框架定位板上;框架定位由第二、第十八定位孔与框架定位板定位销配合定位;作业员必须戴细纱手套或者指套;框架轻拿轻放,以免框架变形,禁止用手接触框架焊接区,以防焊接
氧化或虚焊,不用的框架必须立即放于塑料袋内,密封保存,防止框架氧化;
3)框架刷膏:将装好框架的框架定位板依印刷台定位导向平放与印刷台上;倒适量罐装式焊膏在网板上;用刮膏板轻刮焊膏,在框架的焊接部位上,均匀刮涂约0.1mm厚的焊膏;将刷好膏的AT2/AT3框架从框架定位板上取下放入周转承料盒内待用;保持网板干净清洁,正常使用4小时后需重新清洗一次;刮好膏的材料,需检查焊膏量,焊膏量过少或过多,需人工补膏或用汗衫布擦洗去焊膏,重新刮膏;用汗衫布擦过焊膏的框架,必须立即投入使用,防止框架氧化,影响焊接区域;
4)铜粒装填:将真空度调节至适宜操作,取适量铜粒倒入铜粒吸盘中,轻摇吸盘,使铜粒落入吸盘的每一个孔中;翻转吸盘,将多余的铜粒倒入不锈钢盘中,用镊子去除多余的铜粒,并调整至正确位置;在刷好膏的框架定位板即装有AT框架上安装定位框;将铜粒吸笔依定位稍导向置于铜粒吸盘上,打开真空吸取铜粒并依定位框导向,置于框架定位板上;关闭真空,使铜粒落于框架上对应的刷胶的指定区域;补全或调整铜粒;铜粒吸盘每孔中仅允许存在一颗铜粒,不得缺少或叠片;每次倒出的铜粒数量小于或等于1.5K;铜粒吸笔不得粘有焊膏;粘膏后,立即用异丙醇清洗并用小针通吸气孔,以防焊膏堵塞吸气孔;铜粒放置时应与框架底面平行,铜粒下压时,用力适中,以防下层焊膏外溢;不用的铜粒必须立即倒于塑料自封袋内,放入干燥剂,密封保存;
5)铜粒点胶:针筒式焊膏、点膏头装配好并固定在点膏机上;框架定位板由设定第四、十三两根条上的定位孔与点胶机定位稍定位;安放框架定位板;选用设定的程序,按“START”键,机器自动点膏;根据铜粒尺寸大小,通过调节压空压力及点膏时间长短,控制点膏量,确保铜粒焊接牢固且无焊锡堆积在铜粒边缘或流挂;点胶结束,目检上胶量及上胶位置,合格后移走定位板;其中焊膏必须点在铜粒正中;
6)晶粒分面:晶粒有P面和N面,取约1K左右晶粒放于纸板上;轻摇纸板,使N面向上的晶粒滑落到不锈钢盘内;用碳素镊子或毛笔去除N面向上的晶粒;将晶粒方向盒大面向上;将晶粒方向纸板平插入晶粒方向盒,使晶粒滑入晶粒方向盒,晶粒P面向上或用另一纸板轻轻对准已分向的晶粒纸板,平放于手中将其反向,晶粒N面向上;用碳素镊子或毛笔去除P面向上的晶粒,将晶粒方向盒大面向上;将晶粒方向纸板平插入晶粒方向盒,使晶粒滑入晶粒方向盒,晶粒P面向上;严禁用金属镊子夹取GPP晶粒,避免损伤晶片,取晶片必须使用碳素镊子或吸笔;每次倒出的晶粒数量小于或等于1K;不用的晶粒,立即装入塑料自封袋内,放入干燥剂,密封保存,以免受潮氧化;
7)晶粒装填:将真空度调节至适宜操作,将晶片分向盒与晶片吸盘配合,并使晶片滑入晶片吸盘;打开真空,摇动晶粒吸盘,使晶粒落入吸盘的每一个孔中;多余的晶片倒入晶粒分向盒中;移开分向盒,并关闭真空;补全或调整晶片;在框架定位板上安装定位框;用晶粒吸笔依定位销导向置于晶粒吸盘上;打开真空,吸取晶粒,并依定位框导向,置于框架定位板上;关闭真空,使晶粒落于框架上对应的焊膏上面;补全或调整晶粒;晶粒必须沉入方形晶粒吸盘吸孔中,且每个孔中仅允许有一个晶粒,以免吸笔压伤晶粒;确实检视每片晶粒外观是否良好,不良品、残缺不全者必须挑出;吸笔吸嘴严禁紧压或撞击晶粒;不用的晶粒严禁长时间暴露在空气中,必须立即倒于塑料自封袋内,放入干燥剂,密封保存;装填后,严禁晶粒倾斜,晶粒及框架底面必须平行;
8)晶粒点膏:在晶粒上点膏,操作程序同第5步骤铜粒点胶; 根据晶粒尺寸大小,通过调节压空压力及点膏时间长短,控制点膏量即点膏完平放置五秒钟后目测,晶粒P面直径的3/4≥焊膏直径≥晶粒P面直径的1/3,确保晶粒焊接牢固且无焊锡堆积在晶粒边缘或流挂;待目检合格取下框架定位板; 焊膏必须点在晶粒正中,不得有外溢到晶粒侧面;点膏头严禁碰及晶粒;
9)框架转换:从框架定位板上取下装填好的D2PAK-T框架依焊接板定位针转换到焊接板上;将刷好膏的AT2/AT3框架依焊接板定位针转换到焊接板上;转换时框架须放置到位;取框架时必须轻拿轻放,避免晃动或倾斜,防止铜粒、晶粒移位;
10)跳线装填:取适量跳线倒入跳线吸盘中,轻摇吸盘,使跳线落入吸盘的每一个孔中;翻转吸盘,将多余的跳线倒入不锈钢盘中,用镊子去除多余的跳线,并调整至正确位置;将跳线吸笔依定位销导向置于跳线吸盘上;打开真空,吸取跳线,并依焊接板定位销导向,置于焊接板上;关闭真空,使跳线落于晶粒上对应的焊膏上面;每次倒出的跳线数量≤1.5K;跳线吸盘每孔中有且只有单一跳线,确实检视每片跳线外观是否良好,变形的跳线必须挑出;不用的跳线必须立即倒于塑料自封袋内,放入干燥剂,密封保存;检视跳线的焊接部位是否在晶粒P面的中心位置及框架的正确位置,否则需人工调整;
11)目检:在焊接板上目检是否有晶粒、跳线偏位歪斜,焊膏量过多或过少的现象,并调整正确;盖上上盖等待进炉焊接;
12)焊接:
A、焊接炉的工艺条件的设定:加热区温度的设定;气体流量的设定;冷却水温度、流量的设定;链速的设定;依照工程规定执行;
B、摆放方式:每组两底两盖、每排两组竖进,前后焊接板之间不留间距或按照工程部规定摆放进炉焊接;
C、注意事项:作业员必须戴粗纱手套或细纱手套;焊接炉设定的每一次更改要保持记录,且必须由工艺员签名;材料进炉前或结束后,必须进40组以上的空焊接板,以稳定炉温;焊接炉升温4小时后,方可进空框架及材料;若炉温未达设定温度,不得进焊接板焊接;
13)出炉下料:用顶出架将材料从焊接板内取出平放于工作台上冷却;目检挑出少焊锡、未接触、少晶片、少跳线、晶片、跳线偏位等不良品;将目检合格的材料整齐轻挂于清洗架上;用镊子去除焊接不良的晶片、跳线;取出处理好的材料,冷却;人工补上焊膏、晶片、跳线;重新装于焊接板上进炉焊接;填好流程卡等相关记录;材料出炉后须检查焊锡是否熔开铺满晶片表面,焊接质量异常时,立即停止进炉,并通知工艺员处理;不允许手伸进挡风板内接材料;材料出炉后严禁交叉碰撞排放,以防碰伤晶粒;每个批号分开,防止混料;挑出的焊接不良品,需作复焊处理。
所述的铜粒装填、铜粒点胶步骤主要适用于晶粒P面向下封装形式时操作,正常封装晶粒P面向上无需此两步骤。
所述的点胶头每12H清洗一次。
所述的每一个月清洗焊接炉,每次洗完炉后,用高纯氮气加高温清洁炉管。
所述的铜粒吸笔是单嘴铜粒吸笔或者双嘴铜粒吸笔。
所述的晶粒吸笔是单嘴晶粒吸笔或者双嘴晶粒吸笔。
所述的跳线吸笔是单嘴跳线吸笔或者双嘴跳线吸笔。
本发明的优点是工艺巧妙合理,散热好采用新型的结构框架,节省了三分之一的材料,减少工艺生产的时间,同时引线的外部焊接,为后续工作带来很大的便利(降低焊接工艺造成的晶粒损伤,并提升后期使用过程中热应力的释放空间),大大提高产品的生产效率及品质;另一优点:此产品将全面代替二极管封装的光伏管,其优势在于散热性能好,封装的晶粒相比较于二极管的尺寸可提升至180mil,此大尺寸晶粒的封装能承受的顺向电流同比增加,适用范围更广,延长太阳能光伏接线盒的使用寿命。
具体实施方式
D2PAK整流二极管生产焊接工艺,具体在于以下步骤构成:作业前准备;装填框架;框架刷膏;铜粒装填;铜粒点胶;晶粒分面;晶粒装填;晶粒点膏;框架点膏;框架转换;跳线装填;目检;焊接;出炉下料;
1)作业前准备:清洁工作场地、台面;用异丙醇、汗衫布清洁工作台、点胶机工作台面、框架定位板、网板、各类吸盘、不锈钢盘;在点胶机上安装点胶头、焊膏瓶;用橡皮管将吸盘吸笔与真空气源相连,开启真空、压空气源,调节真空气源至适宜操作;将网板依框架定位板上定位块的定位导向,固定于印刷台上待用;装填晶粒、跳线必须使用不锈钢盘,以减少对芯片、跳线的摩擦、损伤;禁止用丙酮等有机溶剂擦拭点胶机控制面板,以防损伤控制面板;
2)装填框架:将D2PAK-T、AT2、AT3框架放置于各框架定位板上;框架定位由第二、第十八定位孔与框架定位板定位销配合定位;作业员必须戴细纱手套或者指套;框架轻拿轻放,以免框架变形,禁止用手接触框架焊接区,以防焊接
氧化或虚焊,不用的框架必须立即放于塑料袋内,密封保存,防止框架氧化;
3)框架刷膏:将装好框架的框架定位板依印刷台定位导向平放与印刷台上;倒适量罐装式焊膏在网板上;用刮膏板轻刮焊膏,在框架的焊接部位上,均匀刮涂约0.1mm厚的焊膏;将刷好膏的AT2/AT3框架从框架定位板上取下放入周转承料盒内待用;保持网板干净清洁,正常使用4小时后需重新清洗一次;刮好膏的材料,需检查焊膏量,焊膏量过少或过多,需人工补膏或用汗衫布擦洗去焊膏,重新刮膏;用汗衫布擦过焊膏的框架,必须立即投入使用,防止框架氧化,影响焊接区域;
4)铜粒装填:将真空度调节至适宜操作,取适量铜粒倒入铜粒吸盘中,轻摇吸盘,使铜粒落入吸盘的每一个孔中;翻转吸盘,将多余的铜粒倒入不锈钢盘中,用镊子去除多余的铜粒,并调整至正确位置;在刷好膏的框架定位板即装有AT框架上安装定位框;将铜粒吸笔依定位稍导向置于铜粒吸盘上,打开真空吸取铜粒并依定位框导向,置于框架定位板上;关闭真空,使铜粒落于框架上对应的刷胶的指定区域;补全或调整铜粒;铜粒吸盘每孔中仅允许存在一颗铜粒,不得缺少或叠片;每次倒出的铜粒数量小于或等于1.5K;铜粒吸笔不得粘有焊膏;粘膏后,立即用异丙醇清洗并用小针通吸气孔,以防焊膏堵塞吸气孔;铜粒放置时应与框架底面平行,铜粒下压时,用力适中,以防下层焊膏外溢;不用的铜粒必须立即倒于塑料自封袋内,放入干燥剂,密封保存;
5)铜粒点胶:针筒式焊膏、点膏头装配好并固定在点膏机上;框架定位板由设定第四、十三两根条上的定位孔与点胶机定位稍定位;安放框架定位板;选用设定的程序,按“START”键,机器自动点膏;根据铜粒尺寸大小,通过调节压空压力及点膏时间长短,控制点膏量,确保铜粒焊接牢固且无焊锡堆积在铜粒边缘或流挂;点胶结束,目检上胶量及上胶位置,合格后移走定位板;其中焊膏必须点在铜粒正中;
6)晶粒分面:晶粒有P面和N面,取约1K左右晶粒放于纸板上;轻摇纸板,使N面向上的晶粒滑落到不锈钢盘内;用碳素镊子或毛笔去除N面向上的晶粒;将晶粒方向盒大面向上;将晶粒方向纸板平插入晶粒方向盒,使晶粒滑入晶粒方向盒,晶粒P面向上或用另一纸板轻轻对准已分向的晶粒纸板,平放于手中将其反向,晶粒N面向上;用碳素镊子或毛笔去除P面向上的晶粒,将晶粒方向盒大面向上;将晶粒方向纸板平插入晶粒方向盒,使晶粒滑入晶粒方向盒,晶粒P面向上;严禁用金属镊子夹取GPP晶粒,避免损伤晶片,取晶片必须使用碳素镊子或吸笔;每次倒出的晶粒数量小于或等于1K;不用的晶粒,立即装入塑料自封袋内,放入干燥剂,密封保存,以免受潮氧化;
7)晶粒装填:将真空度调节至适宜操作,将晶片分向盒与晶片吸盘配合,并使晶片滑入晶片吸盘;打开真空,摇动晶粒吸盘,使晶粒落入吸盘的每一个孔中;多余的晶片倒入晶粒分向盒中;移开分向盒,并关闭真空;补全或调整晶片;在框架定位板上安装定位框;用晶粒吸笔依定位销导向置于晶粒吸盘上;打开真空,吸取晶粒,并依定位框导向,置于框架定位板上;关闭真空,使晶粒落于框架上对应的焊膏上面;补全或调整晶粒;晶粒必须沉入方形晶粒吸盘吸孔中,且每个孔中仅允许有一个晶粒,以免吸笔压伤晶粒;确实检视每片晶粒外观是否良好,不良品、残缺不全者必须挑出;吸笔吸嘴严禁紧压或撞击晶粒;不用的晶粒严禁长时间暴露在空气中,必须立即倒于塑料自封袋内,放入干燥剂,密封保存;装填后,严禁晶粒倾斜,晶粒及框架底面必须平行;
8)晶粒点膏:在晶粒上点膏,操作程序同第5步骤铜粒点胶; 根据晶粒尺寸大小,通过调节压空压力及点膏时间长短,控制点膏量即点膏完平放置五秒钟后目测,晶粒P面直径的3/4≥焊膏直径≥晶粒P面直径的1/3,确保晶粒焊接牢固且无焊锡堆积在晶粒边缘或流挂;待目检合格取下框架定位板; 焊膏必须点在晶粒正中,不得有外溢到晶粒侧面;点膏头严禁碰及晶粒;
9)框架转换:从框架定位板上取下装填好的D2PAK-T框架依焊接板定位针转换到焊接板上;将刷好膏的AT2/AT3框架依焊接板定位针转换到焊接板上;转换时框架须放置到位;取框架时必须轻拿轻放,避免晃动或倾斜,防止铜粒、晶粒移位;
10)跳线装填:取适量跳线倒入跳线吸盘中,轻摇吸盘,使跳线落入吸盘的每一个孔中;翻转吸盘,将多余的跳线倒入不锈钢盘中,用镊子去除多余的跳线,并调整至正确位置;将跳线吸笔依定位销导向置于跳线吸盘上;打开真空,吸取跳线,并依焊接板定位销导向,置于焊接板上;关闭真空,使跳线落于晶粒上对应的焊膏上面;每次倒出的跳线数量≤1.5K;跳线吸盘每孔中有且只有单一跳线,确实检视每片跳线外观是否良好,变形的跳线必须挑出;不用的跳线必须立即倒于塑料自封袋内,放入干燥剂,密封保存;检视跳线的焊接部位是否在晶粒P面的中心位置及框架的正确位置,否则需人工调整;
11)目检:在焊接板上目检是否有晶粒、跳线偏位歪斜,焊膏量过多或过少的现象,并调整正确;盖上上盖等待进炉焊接;
12)焊接:
A、焊接炉的工艺条件的设定:加热区温度的设定;气体流量的设定;冷却水温度、流量的设定;链速的设定;依照工程规定执行;
B、摆放方式:每组两底两盖、每排两组竖进,前后焊接板之间不留间距或按照工程部规定摆放进炉焊接;
C、注意事项:作业员必须戴粗纱手套或细纱手套;焊接炉设定的每一次更改要保持记录,且必须由工艺员签名;材料进炉前或结束后,必须进40组以上的空焊接板,以稳定炉温;焊接炉升温4小时后,方可进空框架及材料;若炉温未达设定温度,不得进焊接板焊接;
13)出炉下料:用顶出架将材料从焊接板内取出平放于工作台上冷却;目检挑出少焊锡、未接触、少晶片、少跳线、晶片、跳线偏位等不良品;将目检合格的材料整齐轻挂于清洗架上;用镊子去除焊接不良的晶片、跳线;取出处理好的材料,冷却;人工补上焊膏、晶片、跳线;重新装于焊接板上进炉焊接;填好流程卡等相关记录;材料出炉后须检查焊锡是否熔开铺满晶片表面,焊接质量异常时,立即停止进炉,并通知工艺员处理;不允许手伸进挡风板内接材料;材料出炉后严禁交叉碰撞排放,以防碰伤晶粒;每个批号分开,防止混料;挑出的焊接不良品,需作复焊处理。
所述的铜粒装填、铜粒点胶步骤主要适用于晶粒P面向下封装形式时操作,正常封装晶粒P面向上无需此两步骤。
所述的点胶头每12H清洗一次。
所述的每一个月清洗焊接炉,每次洗完炉后,用高纯氮气加高温清洁炉管。
所述的铜粒吸笔是单嘴铜粒吸笔或者双嘴铜粒吸笔。
所述的晶粒吸笔是单嘴晶粒吸笔或者双嘴晶粒吸笔。
所述的跳线吸笔是单嘴跳线吸笔或者双嘴跳线吸笔。
Claims (8)
1.D2PAK整流二极管生产焊接工艺,其特征在于以下步骤构成:作业前准备;装填框架;框架刷膏;铜粒装填;铜粒点胶;晶粒分面;晶粒装填;晶粒点膏;框架点膏;框架转换;跳线装填;目检;焊接;出炉下料;
1)作业前准备:清洁工作场地、台面;用异丙醇、汗衫布清洁工作台、点胶机工作台面、框架定位板、网板、各类吸盘、不锈钢盘;在点胶机上安装点胶头、焊膏瓶;用橡皮管将吸盘吸笔与真空气源相连,开启真空、压空气源,调节真空气源至适宜操作;将网板依框架定位板上定位块的定位导向,固定于印刷台上待用;装填晶粒、跳线必须使用不锈钢盘,以减少对芯片、跳线的摩擦、损伤;禁止用丙酮等有机溶剂擦拭点胶机控制面板,以防损伤控制面板;
2)装填框架:将D2PAK-T、AT2、AT3框架放置于各框架定位板上;框架定位由第二、第十八定位孔与框架定位板定位销配合定位;作业员必须戴细纱手套或者指套;框架轻拿轻放,以免框架变形,禁止用手接触框架焊接区,以防焊接氧化或虚焊,不用的框架必须立即放于塑料袋内,密封保存,防止框架氧化;
3)框架刷膏:将装好框架的框架定位板依印刷台定位导向平放与印刷台上;倒适量罐装式焊膏在网板上;用刮膏板轻刮焊膏,在框架的焊接部位上,均匀刮涂约0.1mm厚的焊膏;将刷好膏的AT2/AT3框架从框架定位板上取下放入周转承料盒内待用;保持网板干净清洁,正常使用4小时后需重新清洗一次;刮好膏的材料,需检查焊膏量,焊膏量过少或过多,需人工补膏或用汗衫布擦洗去焊膏,重新刮膏;用汗衫布擦过焊膏的框架,必须立即投入使用,防止框架氧化,影响焊接区域;
4)铜粒装填:将真空度调节至适宜操作,取适量铜粒倒入铜粒吸盘中,轻摇吸盘,使铜粒落入吸盘的每一个孔中;翻转吸盘,将多余的铜粒倒入不锈钢盘中,用镊子去除多余的铜粒,并调整至正确位置;在刷好膏的框架定位板即装有AT框架上安装定位框;将铜粒吸笔依定位稍导向置于铜粒吸盘上,打开真空吸取铜粒并依定位框导向,置于框架定位板上;关闭真空,使铜粒落于框架上对应的刷胶的指定区域;补全或调整铜粒;铜粒吸盘每孔中仅允许存在一颗铜粒,不得缺少或叠片;每次倒出的铜粒数量小于或等于1.5K;铜粒吸笔不得粘有焊膏;粘膏后,立即用异丙醇清洗并用小针通吸气孔,以防焊膏堵塞吸气孔;铜粒放置时应与框架底面平行,铜粒下压时,用力适中,以防下层焊膏外溢;不用的铜粒必须立即倒于塑料自封袋内,放入干燥剂,密封保存;
5)铜粒点胶:针筒式焊膏、点膏头装配好并固定在点膏机上;框架定位板由设定第四、十三两根条上的定位孔与点胶机定位稍定位;安放框架定位板;选用设定的程序,按“START”键,机器自动点膏;根据铜粒尺寸大小,通过调节压空压力及点膏时间长短,控制点膏量,确保铜粒焊接牢固且无焊锡堆积在铜粒边缘或流挂;点胶结束,目检上胶量及上胶位置,合格后移走定位板;其中焊膏必须点在铜粒正中;
6)晶粒分面:晶粒有P面和N面,取约1K左右晶粒放于纸板上;轻摇纸板,使N面向上的晶粒滑落到不锈钢盘内;用碳素镊子或毛笔去除N面向上的晶粒;将晶粒方向盒大面向上;将晶粒方向纸板平插入晶粒方向盒,使晶粒滑入晶粒方向盒,晶粒P面向上或用另一纸板轻轻对准已分向的晶粒纸板,平放于手中将其反向,晶粒N面向上;用碳素镊子或毛笔去除P面向上的晶粒,将晶粒方向盒大面向上;将晶粒方向纸板平插入晶粒方向盒,使晶粒滑入晶粒方向盒,晶粒P面向上;严禁用金属镊子夹取GPP晶粒,避免损伤晶片,取晶片必须使用碳素镊子或吸笔;每次倒出的晶粒数量小于或等于1K;不用的晶粒,立即装入塑料自封袋内,放入干燥剂,密封保存,以免受潮氧化;
7)晶粒装填:将真空度调节至适宜操作,将晶片分向盒与晶片吸盘配合,并使晶片滑入晶片吸盘;打开真空,摇动晶粒吸盘,使晶粒落入吸盘的每一个孔中;多余的晶片倒入晶粒分向盒中;移开分向盒,并关闭真空;补全或调整晶片;在框架定位板上安装定位框;用晶粒吸笔依定位销导向置于晶粒吸盘上;打开真空,吸取晶粒,并依定位框导向,置于框架定位板上;关闭真空,使晶粒落于框架上对应的焊膏上面;补全或调整晶粒;晶粒必须沉入方形晶粒吸盘吸孔中,且每个孔中仅允许有一个晶粒,以免吸笔压伤晶粒;确实检视每片晶粒外观是否良好,不良品、残缺不全者必须挑出;吸笔吸嘴严禁紧压或撞击晶粒;不用的晶粒严禁长时间暴露在空气中,必须立即倒于塑料自封袋内,放入干燥剂,密封保存;装填后,严禁晶粒倾斜,晶粒及框架底面必须平行;
8)晶粒点膏:在晶粒上点膏,操作程序同第5步骤铜粒点胶; 根据晶粒尺寸大小,通过调节压空压力及点膏时间长短,控制点膏量即点膏完平放置五秒钟后目测,晶粒P面直径的3/4≥焊膏直径≥晶粒P面直径的1/3,确保晶粒焊接牢固且无焊锡堆积在晶粒边缘或流挂;待目检合格取下框架定位板; 焊膏必须点在晶粒正中,不得有外溢到晶粒侧面;点膏头严禁碰及晶粒;
9)框架转换:从框架定位板上取下装填好的D2PAK-T框架依焊接板定位针转换到焊接板上;将刷好膏的AT2/AT3框架依焊接板定位针转换到焊接板上;转换时框架须放置到位;取框架时必须轻拿轻放,避免晃动或倾斜,防止铜粒、晶粒移位;
10)跳线装填:取适量跳线倒入跳线吸盘中,轻摇吸盘,使跳线落入吸盘的每一个孔中;翻转吸盘,将多余的跳线倒入不锈钢盘中,用镊子去除多余的跳线,并调整至正确位置;将跳线吸笔依定位销导向置于跳线吸盘上;打开真空,吸取跳线,并依焊接板定位销导向,置于焊接板上;关闭真空,使跳线落于晶粒上对应的焊膏上面;每次倒出的跳线数量≤1.5K;跳线吸盘每孔中有且只有单一跳线,确实检视每片跳线外观是否良好,变形的跳线必须挑出;不用的跳线必须立即倒于塑料自封袋内,放入干燥剂,密封保存;检视跳线的焊接部位是否在晶粒P面的中心位置及框架的正确位置,否则需人工调整;
11)目检:在焊接板上目检是否有晶粒、跳线偏位歪斜,焊膏量过多或过少的现象,并调整正确;盖上上盖等待进炉焊接;
12)焊接:
A、焊接炉的工艺条件的设定:加热区温度的设定;气体流量的设定;冷却水温度、流量的设定;链速的设定;依照工程规定执行;
B、摆放方式:每组两底两盖、每排两组竖进,前后焊接板之间不留间距或按照工程部规定摆放进炉焊接;
C、注意事项:作业员必须戴粗纱手套或细纱手套;焊接炉设定的每一次更改要保持记录,且必须由工艺员签名;材料进炉前或结束后,必须进40组以上的空焊接板,以稳定炉温;焊接炉升温4小时后,方可进空焊接板及材料;若炉温未达设定温度,不得进焊接板焊接;
13)出炉下料:用顶出架将材料从焊接板内取出平放于工作台上冷却;目检挑出少焊锡、未接触、少晶片、少跳线、晶片、跳线偏位等不良品;将目检合格的材料整齐轻挂于清洗架上;用镊子去除焊接不良的晶片、跳线;取出处理好的材料,冷却;人工补上焊膏、晶片、跳线;重新装于焊接板上进炉焊接;填好流程卡等相关记录;材料出炉后须检查焊锡是否熔开铺满晶片表面,焊接质量异常时,立即停止进炉,并通知工艺员处理;不允许手伸进挡风板内接材料;材料出炉后严禁交叉碰撞排放,以防碰伤晶粒;每个批号分开,防止混料;挑出的焊接不良品,需作复焊处理。
2.根据权利要求1所述的D2PAK整流二极管生产焊接工艺,其特征是所述的铜粒装填、铜粒点胶步骤主要适用于晶粒P面向下封装形式时操作,正常封装晶粒P面向上无需此两步骤。
3.根据权利要求1所述的D2PAK整流二极管生产焊接工艺,其特征是所述的点胶头每12H用焊膏润滑剂冲洗一次。
4.根据权利要求1所述的D2PAK整流二极管生产焊接工艺,其特征是所述的刷胶网板及刮刀正常使用每4H用酒精/异丙醇清洗一次,确保网板刷胶品质。
5.根据权利要求1所述的D2PAK整流二极管生产焊接工艺,其特征是所述的每一个月清洗焊接炉,每次洗完炉后,用高纯氮气加高温清洁炉管。
6.根据权利要求1所述的D2PAK整流二极管生产焊接工艺,其特征是所述的铜粒吸笔是单嘴铜粒吸笔或者双嘴铜粒吸笔。
7.根据权利要求1所述的D2PAK整流二极管生产焊接工艺,其特征是所述的晶粒吸笔是单嘴晶粒吸笔或者双嘴晶粒吸笔。
8.根据权利要求1所述的D2PAK整流二极管生产焊接工艺,其特征是所述的跳线吸笔是单嘴跳线吸笔或者双嘴跳线吸笔。
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