CN106328548A - 晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法 - Google Patents

晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106328548A
CN106328548A CN201510336352.9A CN201510336352A CN106328548A CN 106328548 A CN106328548 A CN 106328548A CN 201510336352 A CN201510336352 A CN 201510336352A CN 106328548 A CN106328548 A CN 106328548A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
lead frame
tin cream
solder paste
crystal grain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510336352.9A
Other languages
English (en)
Inventor
凡会建
李文化
彭志文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Performance Information Technology Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Performance Information Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Performance Information Technology Co Ltd filed Critical Suzhou Performance Information Technology Co Ltd
Priority to CN201510336352.9A priority Critical patent/CN106328548A/zh
Publication of CN106328548A publication Critical patent/CN106328548A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561Batch processing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

本发明公开了晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法,包括晶圆,网板,隧道炉,锡膏,蓝膜,固晶机,引线框,喷助焊剂,晶圆上设有晶粒,引线框包括下引线框和上引线框,具体实施步骤包括九步,通过上述技术方案适用于固晶机台作业和固晶手工作业,由于二极管对晶粒的置放位置角度的要求并不苛刻,手工作业可以满足工艺要求,其利用印刷锡膏远高于点锡膏的效率降低,实现大幅度的生产效率提升。

Description

晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法
技术领域
本发明属于集成电路封装技术领域,特别公开了晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法。
背景技术
贴片式二极管是价格便宜且用量巨大的一种电子元器件,一般一个公司的日均生产量以几百万颗计,这种二极管的封装一般采用锡膏将引线框和晶粒焊接一起,其步骤为先放下引线框,引线框晶粒置放位置上点锡膏,然后放置晶粒,在晶粒正面点锡膏,放上上引线框,过隧道炉将上下引线框和晶粒上下面焊接一起,由于现有的二极管需求量大,而这种现有的封装工艺相对简单不能满足现有产量的需要,其封装产能则成为封装厂面临的最大问题,而任何形式的效率改善都对封装厂效益有很好的促进作用,在操作中,每颗晶粒的操作需要点两次锡膏,使得其在固晶工艺中占据1/2的时间,极大限制了固晶的产能,如果能将点锡膏的时间降低则将对产能有很大的促进作用。
发明内容
本发明为了解决现有技术的问题,提供了晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法,包括晶圆,网板,隧道炉,锡膏,蓝膜,固晶机,引线框,喷助焊剂,所述晶圆上设有晶粒,所述引线框包括下引线框和上引线框,具体实施步骤如下:
第一步,晶圆的正面放置网板,晶圆通过网板网印锡膏;
第二步,将印刷过锡膏的晶圆通过隧道炉使锡膏和晶圆表面焊接一起,晶圆上设有的每颗晶粒,其表面锡膏会突起;
第三步,将第二步完成的晶圆贴划片,使用蓝膜进行划片作业,将晶圆切成单颗的晶粒;
第四步,用固晶机将引线框的下引线框的放置晶粒的位置点锡膏;
第五步,用固晶机将切好的晶粒置放在下引线框点的锡膏上面;
第六步,对晶粒正面网印的锡膏面喷助焊剂;
第七步,用固晶机放置上引线框或手动放置;
第八步,将第七步完成后,通过隧道炉经高温将上下引线框和晶粒焊接在一起;
第九步,将第八步完成后,对晶粒进行塑封。
作为本发明进一步限制地,所述网板设有多个网孔,所述网板的厚度50~100um。
作为本发明进一步限制地,所述多个网孔的整体形状为矩形,所述网孔大小是晶粒面积的75%~85%之间。
本发明的有益效果:本发明的晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法,适用于固晶机台作业和固晶手工作业,由于二极管对晶粒的置放位置角度的要求并不苛刻,手工作业可以满足工艺要求,其利用印刷锡膏远高于点锡膏的效率降低,实现大幅度的生产效率提升。
附图说明
图1和图2是本发明实施例晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法的步骤一示意图。
图3是本发明实施例晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法的步骤二示意图。
图4是本发明实施例晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法的步骤三示意图。
图5是本发明实施例晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法的步骤四示意图。
图6是本发明实施例晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法的步骤五示意图。
图7是本发明实施例晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法的步骤六示意图。
图8是本发明实施例晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法的步骤七示意图。
图9是本发明实施例晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法的步骤八示意图。
图10是本发明实施例晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法的步骤九示意图。
图11是本发明实施例现有流程示意图。
图12是本发明实施例晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法的流程示意图
图中:晶圆1,晶粒10,网板2,网孔20,锡膏4,印刷锡膏41,引线框7,下引线框71,上引线框72,封装体9。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步说明。
如图1至图10所示,本实施例的晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法,包括晶圆,网板,隧道炉,锡膏,蓝膜,固晶机,引线框,喷助焊剂,所术晶圆上设有晶粒,所述引线框包括下引线框和上引线框,具体实施步骤如下:
第一步,晶圆1的正面放置网板2,晶圆1通过网板2网印锡膏4;其中,所述网板1设有多个网孔20,所述网板1的厚度50~100um。所述多个网孔20的整体形状为矩形,所述网孔20大小是晶粒面积的75%~85%之间(如图1和图2所示)。
第二步,将印刷过锡膏4的晶圆1通过隧道炉使锡膏4和晶粒表面焊接一起,晶圆1上每颗晶粒表面锡膏4会形成突起;(如图3所示)
第三步,将第二步完成的晶圆1进行划片作业,将晶圆1切成单颗的晶粒;(如图4所示)
第四步,用固晶机将引线框的下引线框71的置放晶粒的位置点锡膏;(如图5所示)
第五步,用固晶机将切好的晶粒置放在下引线框71点的锡膏上面;(如图6所示)
第六步,对晶粒正面网印的锡膏4面喷助焊剂;(如图7所示)
第七步,用固晶机或手动放置上引线框72;(如图8所示)
第八步,将第七步完成后,通过隧道炉经高温将上下引线框和晶粒焊接在一起,进隧道炉对前后材料剖面图锡膏41形状对比;(图9所示)
第九步,将第八步完成后,对晶粒进行塑封形成封装体9(如图10所示)。
如图11所示,现有技术中的晶圆在二极管封装的方法的操作步骤:通过先放下引线框,下引线框晶粒置放的位置上点锡膏,然后放置晶粒,在晶粒正面点锡膏,放上上引线框,过隧道炉将上下引线框和晶粒上下面焊接一起完成操作。
如图12所示,本实施例的晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法的具体流程如下,先在晶圆的一面印刷一层锡膏,过隧道炉让锡膏和晶圆正面焊接一起,使得锡膏固化,然后,经过划片工序,将晶圆切成单颗晶粒,这样在固晶时,只需在下引线框点一次锡膏就可以进行焊接了,接着,喷助焊剂,置放上引线框上,过隧道炉让锡膏加热焊接,最后把焊接完的晶圆塑封完成,这样操作使得固晶时间节省近1/4,其产能将增加30%以上,从先前的日均产量500万颗计,可提升到日均产量650万颗,效果明显。
本实施例的晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法,适用于固晶机台作业和固晶手工作业,由于二极管对晶粒的置放位置角度要求并不苛刻,手工作业可以满足工艺要求,利用印刷锡膏远高于点锡膏的效率降低,实现大幅度的生产效率提升。需要指出的是,上述较佳实施例仅为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施,并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法,包括晶圆,网板,隧道炉,锡膏,蓝膜,固晶机,引线框,喷助焊剂,所述晶圆上设有晶粒,所述引线框包括下引线框和上引线框,其特征在于:具体实施步骤如下:
第一步,晶圆的正面放置网板,晶圆通过网板网印锡膏;
第二步,将印刷过锡膏的晶圆通过隧道炉使锡膏和晶圆表面焊接一起,晶圆上设有的每颗晶粒,其表面锡膏会突起;
第三步,将第二步完成的晶圆划片,使用蓝膜进行划片作业,将晶圆切成单颗的晶粒;
第四步,用固晶机将引线框的下引线框的放置晶粒的位置点锡膏;
第五步,用固晶机将切好的晶粒置放在下引线框点的锡膏上面;
第六步,对晶粒正面网印的锡膏面喷助焊剂;
第七步,用固晶机放上引线框或手动放上引线框;
第八步,将第七步完成后,通过隧道炉经高温将上下引线框和晶粒焊接在一起;
第九步,将第八步完成后,对晶粒进行塑封。
2.根据权利1所述的晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法,其特征在于:所述网板设有多个网孔,所述网板的厚度50~100um。
3.根据权利2所述的晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法,其特征在于:所述多个网孔的整体形状为矩形,所述网孔大小是晶粒面积的75%~85%之间。
CN201510336352.9A 2015-06-15 2015-06-15 晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法 Pending CN106328548A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510336352.9A CN106328548A (zh) 2015-06-15 2015-06-15 晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510336352.9A CN106328548A (zh) 2015-06-15 2015-06-15 晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106328548A true CN106328548A (zh) 2017-01-11

Family

ID=57732565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510336352.9A Pending CN106328548A (zh) 2015-06-15 2015-06-15 晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106328548A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107346748A (zh) * 2017-08-10 2017-11-14 乐依文半导体(东莞)有限公司 固定晶圆的表面粘贴方法及smt晶圆固定装置
CN112122727A (zh) * 2020-09-27 2020-12-25 淄博晨启电子有限公司 一种高可靠性高浪涌冲击能力半导体防护器件的成型工艺
CN113451158A (zh) * 2021-04-25 2021-09-28 福建天电光电有限公司 覆晶封装结构及其制作工艺
CN114300561A (zh) * 2021-12-24 2022-04-08 安徽钜芯半导体科技有限公司 一种高性能光伏模块芯片的加工工艺

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101404272A (zh) * 2008-09-25 2009-04-08 林茂昌 贴片式半导体元件及制备方法
CN102184872A (zh) * 2011-04-08 2011-09-14 嘉盛半导体(苏州)有限公司 半导体封装的粘片工艺
CN103500724A (zh) * 2013-09-02 2014-01-08 扬州虹扬科技发展有限公司 一种肖特基晶粒的预焊方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101404272A (zh) * 2008-09-25 2009-04-08 林茂昌 贴片式半导体元件及制备方法
CN102184872A (zh) * 2011-04-08 2011-09-14 嘉盛半导体(苏州)有限公司 半导体封装的粘片工艺
CN103500724A (zh) * 2013-09-02 2014-01-08 扬州虹扬科技发展有限公司 一种肖特基晶粒的预焊方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107346748A (zh) * 2017-08-10 2017-11-14 乐依文半导体(东莞)有限公司 固定晶圆的表面粘贴方法及smt晶圆固定装置
CN107346748B (zh) * 2017-08-10 2023-11-21 联测优特半导体(东莞)有限公司 固定晶圆的表面粘贴方法及smt晶圆固定装置
CN112122727A (zh) * 2020-09-27 2020-12-25 淄博晨启电子有限公司 一种高可靠性高浪涌冲击能力半导体防护器件的成型工艺
CN113451158A (zh) * 2021-04-25 2021-09-28 福建天电光电有限公司 覆晶封装结构及其制作工艺
CN114300561A (zh) * 2021-12-24 2022-04-08 安徽钜芯半导体科技有限公司 一种高性能光伏模块芯片的加工工艺

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106328548A (zh) 晶圆印刷锡膏在二极管封装中的应用方法
CN204463733U (zh) Oled面板的边框结构
CN103337483B (zh) 一种超薄型vsop封装件及其生产方法
CN108109533A (zh) 一种实现led显示模组的封装方法
CN207367928U (zh) Smt晶圆固定装置
CN203521454U (zh) 一种倒装led芯片的欧姆接触电极结构及倒装led芯片
CN104409370B (zh) 一种钉头凸点芯片的倒装装片方法及施加装片压力的方法
CN106783762A (zh) 一种双芯片垂直并联方式的二极体封装结构和制造方法
CN101136341A (zh) 防范影像传感芯片传感区污染的覆晶封装方法
CN206196160U (zh) 一种铝轨道边合成石波峰焊载板
CN205789957U (zh) 一种射频滤波模块的封装结构
CN204906329U (zh) 一种射频声表面波滤波器倒装焊结构
CN209087907U (zh) 一种倒装led模组
CN206558497U (zh) 一种采用to型封装的半导体器件引线框架
CN206505909U (zh) 一种双芯片垂直并联方式的二极体封装结构
CN206003809U (zh) 正装覆晶led芯片封装体及其应用
CN106469778A (zh) 一种异形有机硅树脂光转换体贴合封装led的工艺方法
CN204257624U (zh) 一种新型bga器件
CN205159305U (zh) 一种倒装组件结构
CN207217520U (zh) 防止连接片滑落的整流桥结构
CN203277363U (zh) 一种正向串联的二极管框架结构
CN106848034A (zh) 一种led器件及其制造方法
CN206961794U (zh) 一种电子元器件焊接装置
CN208127189U (zh) 一种负极对接双向整流二极管
CN206878033U (zh) 一种垂直led芯片的正反面共晶焊接结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170111

RJ01 Rejection of invention patent application after publication