CN206878033U - 一种垂直led芯片的正反面共晶焊接结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构，属于LED领域，包括由依次层叠的P极导电金属层、P极结晶基板、N极结晶基板和N极导电金属层构成的本体，所述N极导电金属层连接有N极引脚，所述P极导电金属层连接有P极引脚，所述N极导电金属层上设有用于与N极引脚连接的上条形共晶焊区，所述上条形共晶焊区焊接有用于与N极引脚连接的上金属片;所述P极导电金属层上设有与P极引脚连接的下条形共晶焊区，所述下条形共晶焊区焊接有用于与P极引脚连接的下金属片。与现有技术相比，该垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构，在LED芯片的正反面分别设置条形焊区，便于与N极引脚和P极引脚连接，增大焊盘面积，减少制造成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED领域，特别是一种垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构。
背景技术
现有的LED芯片结构一般通过金线与N极引脚连接，金线与LED芯片之间需要通过焊盘进行连接，由于金线的端部较小，通常LED芯片上都设置为点状焊盘，然而点状焊盘面积特别小，经常会出现脱线等问题，而且点状焊盘制造困难，制造工序繁琐，造成制造成本增加。另外，现有的LED芯片通常是安放在基座内，LED芯片通过基座与P极引脚连接，但这样的连接不利于LED芯片散热。
实用新型内容
针对上述问题，本实用新型提供了一种垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构，在LED芯片的正反面分别设置条形焊区，便于与N极引脚和P极引脚连接，同时不影响LED芯片的发光，增大焊盘面积，减少制造成本。
本实用新型采用的技术方案为：
一种垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构，包括由依次层叠的P极导电金属层、P极结晶基板、N极结晶基板和N极导电金属层构成的本体，所述N极导电金属层连接有N极引脚，所述P极导电金属层连接有P极引脚，所述N极导电金属层上设有用于与N极引脚连接的上条形共晶焊区，所述上条形共晶焊区焊接有用于与N极引脚连接的上金属片；所述P极导电金属层上设有与P极引脚连接的下条形共晶焊区，所述下条形共晶焊区焊接有用于与P极引脚连接的下金属片。
优选地，所述上条形共晶焊区为一条。
优选地，所述上条形共晶焊区为两条，分别设置在所述N极导电金属层的一对边缘位置上。
优选地，所述上条形共晶焊区为四条，围绕所述N极导电金属层四周的边缘位置设置。
优选地，所述下条形共晶焊区为一条。
优选地，所述下条形共晶焊区为两条，分别设置在所述P极导电金属层的一对边缘位置上。
优选地，所述下条形共晶焊区为四条，围绕所述P极导电金属层四周的边缘位置设置。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：本实用新型提供一种垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构，在LED芯片的正反面分别设置条形焊区，便于与N极引脚和P极引脚连接，同时不影响LED芯片的发光，增大焊盘面积，减少制造成本。
附图说明
图1为本实用新型提供的一种垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构的示意图；
图2为本实用新型提供的一种垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构中正面的第一种实施方式示意图；
图3为本实用新型提供的一种垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构中正面的第二种实施方式示意图；
图4为本实用新型提供的一种垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构中正面的第三种实施方式示意图；
图5为本实用新型提供的一种垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构中反面的第一种实施方式示意图；
图6为本实用新型提供的一种垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构中反面的第二种实施方式示意图；
图7为本实用新型提供的一种垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构中反面的第三种实施方式示意图。
具体实施方式
根据附图对本实用新型提供的优选实施方式做具体说明。
图1至图7为本实用新型提供的一种垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构的优选实施方式。如图1所示，该垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构包括由依次层叠的P极导电金属层11、P极结晶基板12、N极结晶基板13和N极导电金属层14构成的本体10，所述N极导电金属层14连接有N极引脚20，所述P极导电金属层11连接有P极引脚30，所述N极导电金属层14上设有用于与N极引脚连接20的上条形共晶焊区141，所述上条形共晶焊区141焊接有用于与N极引脚20连接的上金属片40，所述P极导电金属层11上设有与P极引脚30连接的下条形共晶焊区111，所述下条形共晶焊区111焊接有用于与P极引脚30连接的下金属片50，这样通过上条形共晶焊区141焊接上金属片40，下条形共晶焊区111焊接下金属片50，增大焊盘面积，减少制造成本，同时不影响LED芯片的发光。
作为LED芯片正面的第一种优选实施方式，如图2所示，该上条形共晶焊区141A为一条，优选设置在所述N极导电金属层14的中间。
作为LED芯片正面的第二种优选实施方式，如图3所示，该上条形共晶焊区141B为两条，分别设置在所述N极导电金属层14的一对边缘位置上。
作为LED芯片正面的第三种优选实施方式，如图4所示，所述上条形共晶焊区141C为四条，围绕所述N极导电金属层14四周的边缘位置设置。
作为LED芯片反面的第一种优选实施方式，如图5所示，该下条形共晶焊区111A为一条，优选设置在所述P极导电金属层11的中间。
作为LED芯片反面的第二种优选实施方式，如图6所示，所述下条形共晶焊区111B为两条，分别设置在所述P极导电金属层11的一对边缘位置上。
作为LED芯片反面的第三种优选实施方式，如图7所示，所述下条形共晶焊区111C为四条，围绕所述P极导电金属层11四周的边缘位置设置。
值得注意的是，LED芯片正面的三种优选实施方式与LED芯片反面的三种优选实施方式可以任意组合。
综上所述，本实用新型的技术方案可以充分有效的实现上述实用新型目的，且本实用新型的结构及功能原理都已经在实施例中得到充分的验证，能达到预期的功效及目的，在不背离本实用新型的原理和实质的前提下，可以对实用新型的实施例做出多种变更或修改。因此，本实用新型包括一切在专利申请范围中所提到范围内的所有替换内容，任何在本实用新型申请专利范围内所作的等效变化，皆属本案申请的专利范围之内。
Claims (7)
1.一种垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构，包括由依次层叠的P极导电金属层、P极结晶基板、N极结晶基板和N极导电金属层构成的本体，所述N极导电金属层连接有N极引脚，所述P极导电金属层连接有P极引脚，其特征在于，所述N极导电金属层上设有用于与N极引脚连接的上条形共晶焊区，所述上条形共晶焊区焊接有用于与N极引脚连接的上金属片;所述P极导电金属层上设有与P极引脚连接的下条形共晶焊区，所述下条形共晶焊区焊接有用于与P极引脚连接的下金属片。
2.根据权利要求1所述的垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构，其特征在于：所述上条形共晶焊区为一条。
3.根据权利要求1所述的垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构，其特征在于：所述上条形共晶焊区为两条，分别设置在所述N极导电金属层的一对边缘位置上。
4.根据权利要求1所述的垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构，其特征在于：所述上条形共晶焊区为四条，围绕所述N极导电金属层四周的边缘位置设置。
5.根据权利要求1所述的垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构，其特征在于：所述下条形共晶焊区为一条。
6.根据权利要求1所述的垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构，其特征在于：所述下条形共晶焊区为两条，分别设置在所述P极导电金属层的一对边缘位置上。
7.根据权利要求1所述的垂直LED芯片的正反面共晶焊接结构，其特征在于：所述下条形共晶焊区为四条，围绕所述P极导电金属层四周的边缘位置设置。
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|---|---|---|---|---|
| CN111933768A (zh) * | 2019-04-25 | 2020-11-13 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种垂直集成单元二极管芯片 |
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| CN111933768B (zh) * | 2019-04-25 | 2022-05-06 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种垂直集成单元二极管芯片 |
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