CN204130524U - 一种新型单相整流桥 - Google Patents

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范涛
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Abstract

本实用新型涉及一种新型单相整流桥,包括二极管芯片、引出电极、电极连接底板、连桥、外壳和中心柱,其特征是:所述二极管芯片、引出电极、电极连接底板和连桥组成整流桥桥架,其中四个电极连接底板上分别焊接一引出电极,其底面与设于外壳底部中的铝基陶瓷板相接。它具有可靠性好、制造工艺简单等优点。

Description

一种新型单相整流桥
技术领域
 本实用新型涉及一种半导体整流器,特别是一种新型单相整流桥。
背景技术
现有技术的单相整流桥一般包括有外壳、铝基覆铜板、二极管芯片、引出电极和中心柱,并且通过环氧树脂和灌封制成产品。其中有两个引出电极底端是直接焊接在二极管芯片上,二极管芯片底面则分别焊接在铝基覆铜板上。它结构简单,使用方便。但还存在有以下缺点:1.由于二极管芯片上面直接焊接有引出电极,使得二极管芯片承受的应力作用大,易导致二极管芯片损坏,可靠性差。2.二极管芯片可焊性要求较高,需使用320℃及以上高温焊料,而铝基覆铜板焊接温度最高仅可承受250℃,故生产时要进行二次焊接,即先要将二极管芯片用高温焊料焊接好下电极片后,再用普通焊料进行二极管芯片下电极片与铝基覆铜板焊接。其二次焊接加工麻烦,还容易对二极管芯片造成损害。
发明内容
本实用新型为解决上述现有单相整流桥的缺点,提供一种新型单相整流桥,使其可靠性好、制造工艺简单。
本实用新型解决上述问题的技术方案为:一种新型单相整流桥,包括二极管芯片、引出电极、电极连接底板、连桥、外壳和中心柱,其特征是:所述二极管芯片、引出电极、电极连接底板和连桥组成整流桥桥架,其中四个电极连接底板上分别焊接一引出电极,其底面与设于外壳底部中的铝基陶瓷板相接。这样,二极管芯片上面没有直接焊接引出电极,并且所述整流桥桥架可使用高温焊料一次性焊接完成,再放置在外壳底部中的铝基陶瓷板上,与中心柱一起由环氧树脂制灌封制成产品。
本实用新型的有益技术效果是:由于引出电极底端与二极管芯片不直接焊接,以及所述桥架可一次焊接完成和直接放置在铝基陶瓷板上封装。因此,本实用新型具有可靠性好、制造工艺简单等优点。
附图说明
图1为本实用新型俯视结构示意图。
图2为图1中整流桥桥架立体结构示意图。
图3为本实用新型立体结构示意图。
图4为现有技术单相整流桥桥架立体结构示意图。
具体实施方式
附图标注说明:外壳1、铝基陶瓷板2、引出电极(3、30、31)、电极连接底板4、连桥5、二极管芯片6、中心柱7、铝基覆铜板40 
如图1-3所示,本实用新型所述一种新型单相整流桥,包括四个二极管芯片6、四个引出电极3、四个电极连接底板4和四个连桥5,以及外壳1和中心柱7,所述二极管芯片6、引出电极3、电极连接底板4和连桥5组成整流桥桥架,其中四个电极连接底板4上分别焊接一引出电极3,其底面与设于外壳1底部中的铝基陶瓷板的陶瓷面相接。所述四个电极连接底板4和四个连桥5均为紫铜片材料。这样,二极管芯片6上面就没有焊接引出电极3,并且所述整流桥桥架可使用高温焊料一次性焊接完成,然后直接放置在外壳底部中的铝基陶瓷板上,与中心柱一起由环氧树脂制灌封后即制成产品。
如图4所示,现有技术的单相整流桥是由外壳、铝基覆铜板、二极管芯片、引出电极组成整流桥桥架,然后与中心柱一起再通过环氧树脂灌封构成,其中有对角设置的两个引出电极30底端直接焊接在两个二极管芯片上,二极管芯片底面则分别焊接在铝基覆铜板上,并且生产时要通过二次焊接,制造工艺麻烦。
而本实用新型中的四个引出电极3底端均焊接在相应的电极连接底板4上,二极管芯片6上不再是直接焊接引出电极3,并且其整流桥桥架可一次焊接完成和直接放置在铝基陶瓷板上进行封装。因此,本实用新型与现有技术单相整流桥相比,具有可靠性好、制造工艺简单等优点。
应该理解到的是:上述实施例只是对本实用新型的说明,任何不超出本实用新型实质精神范围内的发明创造,均落入本实用新型的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种新型单相整流桥,包括二极管芯片、引出电极、电极连接底板、连桥、外壳和中心柱,其特征是:所述二极管芯片、引出电极、电极连接底板和连桥组成整流桥桥架,其中四个电极连接底板上分别焊接一引出电极,其底面与设于外壳底部中的铝基陶瓷板相接。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108598065A (zh) * 2018-04-19 2018-09-28 如皋市大昌电子有限公司 一种单相整流桥及其制备方法
CN108598067A (zh) * 2018-04-19 2018-09-28 如皋市大昌电子有限公司 一种半导体整流桥及其制备方法

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