CN101136341A - 防范影像传感芯片传感区污染的覆晶封装方法 - Google Patents

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CN101136341A CNA2006101277426A CN200610127742A CN101136341A CN 101136341 A CN101136341 A CN 101136341A CN A2006101277426 A CNA2006101277426 A CN A2006101277426A CN 200610127742 A CN200610127742 A CN 200610127742A CN 101136341 A CN101136341 A CN 101136341A
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    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector

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Abstract

一种防范影像传感芯片传感区污染的覆晶封装方法，包括：在一透光基板的表面制作一金属层，该金属层包含连接线路以及至少一道围绕的围墙，再以一影像传感芯片置放于前述透光基板的表面，使围墙围绕该影像传感芯片的传感区外，并使各焊垫电性连结于该透光基板表面的线路，再于该影像传感芯片周围充填胶材以供气密，待该胶材固化后，即可完成影像传感芯片的覆晶封装。

Description

防范影像传感芯片传感区污染的覆晶封装方法
技术领域
本发明涉及一种防范影像传感芯片传感区污染的覆晶(Flip chip)封装方法，该方法主要是在影像传感芯片传感区外围构筑至少一道围墙，以阻隔胶材渗入传感区。
背景技术
如图5、图6所示，习用的影像传感器具有传感区防护封装结构。如图所示，影像传感器至少在一透光基板8下表面81处设置有导电连结电路82，半导体影像传感芯片9电性连接于透光基板8的导电连结电路82，并于影像传感芯片9的周围充填胶材94(Under fill)，以提升影像传感芯片9与透光基板8结合的可靠度，并阻隔外界的污染。但是，为避免所填注的胶材94逸入传感芯片9的影像传感区91，目前的作法是在影像传感区91外围设有一围成框形的围墙83，此围墙83界定影像传感芯片9的焊垫92于围墙83外侧，当充填胶材时，通过此围墙8 3能有效地保持影像传感芯片9的影像传感区91的洁净。
围墙83的成形方式有许多种类，例如：以网印、点胶、沉积方式成形于透光基板8下表面81预定位置，或者成形于影像传感芯片9的影像传感区91外围表面预定位置。另外，其围墙83成形方式也可以射出成型技术预先制备出一独立框体，再将此围墙83粘着至透光基板8表面预定位置，或是影像传感芯片9的影像传感区91外围表面预定位置。
然而这些制作围墙的方式均需额外增加封装制程步骤，反而增加生产成本，如何改善围墙的设置方法实为本发明研究的重点。
发明内容
鉴于上述原因，本发明的主要目的是提供一种防范影像传感芯片传感区污染的覆晶封装方法，该方法通过在透光基板表面制作线路的同时一并形成围墙，以简化封装制程步骤，降低生产成本。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：一种防范影像传感芯片传感区污染的覆晶封装方法，其包括下列步骤：
a.提供一透光基板，该透光基板具有一表面，该表面定义有一供影像传感芯片的传感区传感的预定区域，在该透光基板的表面制作一金属层，该金属层包含连接线路，以及至少一围绕该预定区域外侧的围墙；
b.提供一影像传感芯片置放于前述透光基板的表面，并使该影像传感芯片的传感区对应透光基板的预定区域，以及使该影像传感芯片的每一焊垫连结于透光基板表面对应的线路，使各焊垫电性连结于透光基板表面的线路；
c.于该影像传感芯片周围填充胶材以供气密，待胶材固化后，即可完成影像传感芯片的覆晶封装。
所述步骤a进一步包括以下步骤：在透光基板的表面制作一金属层后再镀上一层锡或锡合金表层。
本发明通过在透光基板表面制作线路的同时一并形成围墙，使得整个覆晶封装制程步骤更为简化，降低了生产成本。
附图说明
图1为本发明制作的透光基板结构示意图
图2为图1所示透光基板的俯视结构示意图
图3为本发明透光基板与影像传感芯片结合的结构示意图
图4为本发明影像传感器完成封装的局部放大结构示意图
图5为习用的影像传感器具封装传感区防护的结构示意图
图6为图5所示影像传感器的俯视图。
具体实施方式
请参阅图1至图4，图中所示为本发明所选用的实施例，此仅供说明之用，在专利申请的保护范围并不受此限制。
本实施例的防范影像传感芯片传感区污染的覆晶封装方法，包括下列步骤：
A、提供一透光基板1，该透光基板1具有一表面11，该表面11定义有一预定区域12，在该透光基板1的表面11制作一金属层13，该金属层13可通过蚀刻、镀膜、网印等技术制作出包含连接线路131以及至少一围绕该预定区域12外侧的围墙，在本实施例中，金属层13具有两围墙132、133，围墙132围绕于预定区域12的外侧，围墙133与围墙132相隔一间距134并围绕于围墙132外侧，如图1至图2所示。
B、提供一影像传感芯片2置放于前述透光基板1的表面11，并使影像传感芯片2的传感区21对应透光基板的预定区域12，以及经过回焊程序使该影像传感芯片2的每一焊垫22连结于透光基板表面11对应的线路131，而使各焊垫22电性连结于透光基板表面11的线路131，如图3所示。
上述焊垫22电性连结于线路131细节上的作法是：在步骤A时，在透光基板1的表面11制作一金属层13后再镀上一层锡或锡合金表层，再利用锡或锡合金与焊垫22的金表层于回焊时形成共金，以提供焊垫22与线路131相互焊接，此做法可达到透光基板1与影像传感芯片2的间距最小化，亦可同时增加围墙132的高度。但本发明并不限于此方式，诸如利用一般所用的植入锡球的焊接方式亦可。
C、在影像传感芯片2周围填充胶材24以供气密，待胶材24固化后，即可完成影像传感芯片2的覆晶封装，如图4所示。
本发明的特征在于，在透光基板1表面11制作一金属层13时，即制作出预定布局的连接线路131，以及两围绕该预定区域外侧的围墙132、133。当影像传感芯片2覆晶封装于透光基板1表面11时所进行的充填胶材24作业时，该预定区域12外侧的两围墙132、133具有阻挡作用，流动的胶材24会先被外圈的围墙133所阻挡，假若胶材24仍继续朝芯片2内部方向流动，由于外圈围墙133与内圈围墙132间具有一间距134，流动的胶材24会漫溢过此围墙133并流入此间距134内，且被内圈的围墙132所阻挡，故，通过此两围墙132、133的设置，可以有效地阻挡胶材24流入影像传感芯片2的传感区21。
由上述实施例的说明可知，本发明主要在于，通过在透光基板表面制作线路的同时一并形成围墙，使得整个覆晶封装制程步骤更为简化，以及降低生产成本。

Claims (2)

1.一种防范影像传感芯片传感区污染的覆晶封装方法，其包括下列步骤：
a.提供一透光基板，该透光基板具有一表面，该表面定义有一供影像传感芯片的传感区传感的预定区域，在该透光基板的表面制作一金属层，该金属层包含连接线路，以及至少一围绕该预定区域外侧的围墙；
b.提供一影像传感芯片置放于前述透光基板的表面，并使该影像传感芯片的传感区对应透光基板的预定区域，以及使该影像传感芯片的每一焊垫连结于透光基板表面对应的线路，使各焊垫电性连结于透光基板表面的线路：
c.于该影像传感芯片周围填充胶材以供气密，待胶材固化后，即可完成影像传感芯片的覆晶封装。
2.如权利要求1所述的防范影像传感芯片传感区污染的覆晶封装方法，其特征在于：所述步骤a进一步包括以下步骤：在透光基板的表面制作一金属层后再镀上一层锡或锡合金表层。
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