CN103500724A - 一种肖特基晶粒的预焊方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及肖特基晶粒的预焊方法,该方法包括以下步骤:步骤一,将丝网覆盖在肖特基晶圆的正表面;步骤一,将锡膏通过丝网印刷在肖特基晶圆的正表面上,丝网与肖特基晶圆分开;步骤三,将正表面印刷有锡膏的肖特基晶圆送入焊接炉中进行焊接,使锡膏均匀的覆盖在肖特基晶圆正表面;步骤四,焊接完成后,将肖特基晶圆从焊接炉中取出,进行切割,以得到正面覆盖有锡膏的肖特基晶粒。通过本发明所制得的晶粒可透过治具自动排列方向,提高生产效率,且在排列作业中因晶粒正面已被锡膏覆盖,可避免摩擦及晶粒相互碰撞造成正面划伤,提高生产良率及材料可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体工艺领域,尤其涉及到一种肖特基晶粒的预焊方法。
背景技术
采用传统方法制作的肖特基晶粒因外型尺寸因素,无法使用治具自动排列方向,生产效率低,且在排列作业中晶粒正面会因摩擦治具及晶粒间相互碰撞造成划伤,影响生产良率及材料可靠性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种肖特基晶粒的预焊方法,使得晶圆切割后得到的一颗颗独立的晶粒可通过治具自动排列方向,以提高生产效率。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种肖特基晶粒的制作方法,包括以下步骤:
步骤一,将丝网覆盖在肖特基晶圆的正表面;
步骤一,将锡膏通过丝网印刷在肖特基晶圆的正表面上,丝网与肖特基晶圆分开;
步骤三,将正表面印刷有锡膏的肖特基晶圆送入焊接炉中进行焊接,使锡膏均匀的覆盖在肖特基晶圆正表面;
步骤四,焊接完成后,将肖特基晶圆从焊接炉中取出,进行切割,以得到正面覆盖有锡膏的肖特基晶粒。
进一步,所述肖特基晶粒正面形成有呈凸台状的锡膏。
进一步,所述凸台状的锡膏是球冠状的锡膏。
本发明的有益效果是:将锡膏通过丝网印刷在肖特基晶圆正面,进炉焊接后锡膏均匀覆盖在晶圆正面,待晶圆切割后,一颗颗独立晶粒可透过治具自动排列方向,提高生产效率,且在排列作业中因晶粒正面已被锡膏覆盖,可避免摩擦及晶粒相互碰撞造成正面划伤,提高生产良率及材料可靠性。
附图说明
图1为本发明肖特基晶粒的预焊方法的流程图;
图2为采用本发明肖特基晶粒的预焊方法中焊接完成后的肖特基晶圆俯视图;
图3为肖特基晶圆切割后形成的晶粒俯视图;
图4为肖特基晶圆切割后形成的晶粒侧视图。
附图中,各标号所代表的部件列表如下:
1、肖特基晶圆正表面,2、锡膏,3、晶粒。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
图1为本发明肖特基晶粒的预焊方法的流程图,如图1所示,肖特基晶粒的制作方法包括以下步骤:
步骤101,将丝网覆盖在肖特基晶圆的正表面。
步骤102,将锡膏通过丝网印刷在肖特基晶圆的正表面上,然后将丝网与肖特基晶圆分开。
步骤103,将正表面印刷有锡膏的肖特基晶圆送入焊接炉中进行焊接,使锡膏均匀的覆盖在肖特基晶圆正表面。
步骤104,焊接完成后,将肖特基晶圆从焊接炉中取出,进行切割,以得到正面覆盖有锡膏的肖特基晶粒。
图2为采用本发明肖特基晶粒的预焊方法中焊接完成后肖特基晶圆俯视图,如图2所示,肖特基晶圆通过丝网在其正表面印刷锡膏且通过焊接炉焊接后,锡膏2均匀的覆盖在肖特基晶圆正表面1上。锡膏2所在的位置与丝网中的网孔位置相对应,且丝网中网孔的直径大小根据晶粒大小的需要而设定。
图3为肖特基晶圆切割后形成的晶粒俯视图,且图4为肖特基晶圆切割后形成的晶粒侧视图,结合图3和图4所示,焊接完成后,将肖特基晶圆从焊接炉中取出,对肖特基晶圆进行切割,得到一颗颗独立的晶粒锡膏2在晶粒正面形成一个类似球冠状的凸台,而晶粒的背面没有凸台,晶粒筛盘利用晶粒这两个不同的面而将晶粒自动排列方向。晶粒通过治具自动排列方向,可以提高生产效率,且在排列作业中因晶粒正面已被锡膏覆盖,可避免摩擦及晶粒相互碰撞造成正面划伤,提高生产良率及材料可靠性。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种肖特基晶粒的预焊方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤一,将丝网覆盖在肖特基晶圆的正表面;
步骤一,将锡膏通过丝网印刷在肖特基晶圆的正表面上,丝网与肖特基晶圆分开;
步骤三,将正表面印刷有锡膏的肖特基晶圆送入焊接炉中进行焊接,使锡膏均匀的覆盖在肖特基晶圆正表面;
步骤四,焊接完成后,将肖特基晶圆从焊接炉中取出,进行切割,以得到正面覆盖有锡膏的肖特基晶粒。
2.根据权利要求1所述的一种肖特基晶粒的预焊方法,其特征在于:所述肖特基晶粒正面形成有呈凸台状的锡膏。
3.根据权利要求2所述的一种肖特基晶粒的预焊方法,其特征在于:所述凸台状的锡膏为球冠状的锡膏。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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