CN114300561A - 一种高性能光伏模块芯片的加工工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种高性能光伏模块芯片的加工工艺，属于芯片技术领域。步骤一：刷胶；通过网板对铜框架料片进行刷胶；步骤二：扩晶，对晶圆进行扩晶得到晶粒并使用内外两个嵌套扩晶环固定晶圆；步骤三：固晶，通过抓取晶粒并将晶粒摆放到已刷胶的铜框架料片上；步骤四：点胶，使用软锡膏对每颗晶粒正中位置进行点胶；步骤五：加装跳线，裁剪跳线并将裁剪好的跳线放置到已点胶的晶粒上；步骤六：真空焊接，通过真空焊接炉将封装体和铜框架料片进行真空焊接封装作业；本发明解决了现有的旁路二极管加工效率低且精度差的问题，提高了旁路二极管的产品质量和加工效率。
Description
技术领域
本发明涉及芯片技术领域，尤其涉及一种高性能光伏模块芯片的加工工艺。
背景技术
如图2和3所示，旁路二极管是一种光伏模块芯片，具体是指在电池组件中反向并联于太阳能硅电池片组的两端二极管，旁路二极管能够有效地防止硅电池片因热斑效应而烧毁，是光伏太阳能组件的重要组成部分。目前，旁路二极管广泛应用于多种光能发电设备中。旁路二极管一般由铜框架料片1、晶粒2、跳线3以及封装体4组成。
现有的旁路二极管的加工工艺一般都通过工人进行手工焊接和封装作业，虽然也能够进行旁路二极管的加工作业，但是实际生产中发现，手工加工的旁路二极管的产品精度低且无法统一，进而导致产品的次品率较高，此外手工加工旁路二极管效率较低，然而目前我国正在大力发展光伏发电产业，市场对旁路二极管的需求量大，现有的加工方式已经不能满足工厂的产能需求，因此研发出一种精度更高且更高效的旁路二极管的加工工艺对旁路二极管厂商来说很有必要。
发明内容
针对现有技术中缺陷与不足的问题，本发明提出了一种高性能光伏模块芯片的加工工艺，解决了现有的旁路二极管加工效率低且精度差的问题，提高了旁路二极管的产品质量和加工效率。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种高性能光伏模块芯片的加工工艺，具体步骤如下：
步骤一：刷胶；通过网板对铜框架料片1进行刷胶；
步骤二：扩晶，对晶圆进行扩晶得到晶粒并使用内外两个嵌套扩晶环固定晶圆；
步骤三：固晶，通过抓取晶粒2并将晶粒2摆放到已刷胶的铜框架料片1上；
步骤四：点胶，使用软锡膏对每颗晶粒2正中位置进行点胶；
步骤五：加装跳线3，裁剪跳线并将裁剪好的跳线放置到已点胶的晶粒上；
步骤六：真空焊接，通过真空焊接炉将封装体和铜框架料片进行真空焊接封装作业。
进一步的，所述步骤一刷胶之后，通过CCD设备对铜框架料片进行检测，具体操作为通过CCD设备依据已做好的模板来对所有刷刷胶位置以及胶点大小进行对比评分，若检测发现已刷胶的铜框架料片达到预期拟合度，则进行下一步操作。
进一步的，所述步骤二扩晶之后对晶粒进行CCD检测，通过CCD设备对晶粒进行检测，标记合格晶粒。
进一步的，所述步骤三固晶之后对铜框架料片进行CCD检测，具体操作为通过CCD设备对每颗晶粒放置位置进行评判，若达到预定拟合度，则继续下一步操作；若没达到，则对不达标的晶粒的放置位置进行调整。
进一步的，所述步骤四点胶之后对点胶后铜框架料片进行CCD检测，通过CCD设备对每颗晶粒的点胶情况进行评判，若达到预定拟合度，则继续下一步操作；若没达到，则对不达标的晶粒进行重新点胶。
进一步的，所述步骤五加装跳线之后通过CCD设备对跳线加装的是否达标进行检测并对不合格的跳线进行及时重装。
进一步的，所述步骤六真空焊接之后，对旁路二极管成品进行拆分、包装并入仓。
进一步的，所述步骤一至步骤六均通过光伏模块芯片自动组装机来进行封装作业。
进一步的，所述光伏模块芯片自动组装机含有双排真空焊接炉。
本发明具有如下有益效果：本发明通过光伏模块芯片自动组装机来进行旁路二极管的组装作业，提高了旁路二极管的加工效率，保障了旁路二极管的产品一致性，有利于厂商提高产能；此外本发明采用真空焊接来进行封装体的焊接作业，提高了旁路二极管的加工精度，提升了旁路二极管的产品质量，提升了旁路二极管的产品合格率，减少了次品数量和降低了生产成本。
附图说明
图1为本发明的工艺流程图；
图2为未焊接封装体的旁路二极管的机构示意图；
图3为旁路二极管成品的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。
如图1～3所示，一种高性能光伏模块芯片的加工工艺，具体步骤如下：在光伏模块芯片自动组装机上进行如下操作，步骤一：刷胶，首先使用光伏模块芯片自动组装机的抽真空料爪将铜框架料片1放在刷胶准备平台上，然后将铜框架料片1对边一侧做倒角来防呆，即防止铜框架料片1有方向性，接着通过网板的小孔来对铜框架料片1进行刷胶,即在铜框架料片上刷上锡膏；最后通过CCD设备依据已做好的模板来对所有刷刷胶位置以及胶点大小进行对比评分，若检测发现已刷胶的铜框架料片达到预期拟合度，则进行下一步操作；步骤二：扩晶，对晶圆进行扩晶得到晶粒2并使用内外两个嵌套扩晶环固定晶圆；接着进行CCD检测，通过CCD设备对芯片进行检测，标记合格晶粒2；步骤三：固晶，通过光伏模块芯片自动组装机的摆臂抓取晶粒2并将晶粒2摆放到已刷胶的铜框架料片1上，接着进行CCD检测，通过CCD检测对每颗晶粒2放置位置进行评判，若达到预定拟合度，则继续下一步操作；若没达到，则对不达标的晶粒2的放置位置进行调整；步骤四：点胶，使用软锡膏对每颗晶粒2正中位置进行点胶；然后进行CCD检测，通过CCD检测对每颗晶粒2的点胶情况进行评判，若达到预定拟合度，则继续下一步操作；若没达到，则对不达标的晶粒进行重新点胶；步骤五：加装跳线3，裁剪跳线3并将裁剪好的跳线3放置到已点胶的晶粒2上，接着进行CCD检测；步骤六：真空焊接，通过真空焊接炉将封装体4和铜框架料片1进行真空焊接；步骤七：对旁路二极管成品进行拆分、包装并入仓。
本发明具有如下有益效果：本发明通过光伏模块芯片自动组装机来进行旁路二极管的组装作业，提高了旁路二极管的加工效率，保障了旁路二极管的产品一致性，有利于厂商提高产能；此外本发明采用真空焊接来进行封装体的焊接作业，提高了旁路二极管的加工精度，提升了旁路二极管的产品质量，提升了旁路二极管的产品合格率，减少了次品数量和降低了生产成本。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
Claims (9)
1.一种高性能光伏模块芯片的加工工艺，其特征在于，具体步骤如下：
步骤一：刷胶；通过网板对铜框架料片进行刷胶；
步骤二：扩晶，对晶圆进行扩晶得到晶粒并使用内外两个嵌套扩晶环固定晶圆；
步骤三：固晶，通过抓取晶粒并将晶粒摆放到已刷胶的铜框架料片上；
步骤四：点胶，使用软锡膏对每颗晶粒正中位置进行点胶；
步骤五：加装跳线，裁剪跳线并将裁剪好的跳线放置到已点胶的晶粒上；
步骤六：真空焊接，通过真空焊接炉将封装体和铜框架料片进行真空焊接封装作业。
2.根据权利要求1所述的一种高性能光伏模块芯片的加工工艺，其特征在于：所述步骤一刷胶之后，通过CCD设备对铜框架料片进行检测，具体操作为通过CCD设备依据已做好的模板来对所有刷刷胶位置以及胶点大小进行对比评分，若检测发现已刷胶的铜框架料片达到预期拟合度，则进行下一步操作。
3.根据权利要求1所述的一种高性能光伏模块芯片的加工工艺，其特征在于：所述步骤二扩晶之后对晶粒进行CCD检测，通过CCD设备对晶粒进行检测，标记合格晶粒。
4.根据权利要求1所述的一种高性能光伏模块芯片的加工工艺，其特征在于：所述步骤三固晶之后对铜框架料片进行CCD检测，具体操作为通过CCD设备对每颗晶粒放置位置进行评判，若达到预定拟合度，则继续下一步操作；若没达到，则对不达标的晶粒的放置位置进行调整。
5.根据权利要求1所述的一种高性能光伏模块芯片的加工工艺，其特征在于：所述步骤四点胶之后对点胶后铜框架料片进行CCD检测，通过CCD设备对每颗晶粒的点胶情况进行评判，若达到预定拟合度，则继续下一步操作；若没达到，则对不达标的晶粒进行重新点胶。
6.根据权利要求1所述的一种高性能光伏模块芯片的加工工艺，其特征在于：所述步骤五加装跳线之后通过CCD设备对跳线加装的是否达标进行检测并对不合格的跳线进行及时重装。
7.根据权利要求1所述的一种高性能光伏模块芯片的加工工艺，其特征在于：所述步骤六真空焊接之后，对旁路二极管成品进行拆分、包装并入仓。
8.根据权利要求1所述的一种高性能光伏模块芯片的加工工艺，其特征在于：所述步骤一至步骤六均通过光伏模块芯片自动组装机来进行封装作业。
9.根据权利要求1所述的一种高性能光伏模块芯片的加工工艺，其特征在于：所述光伏模块芯片自动组装机含有双排真空焊接炉。
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