CN102484102A - 电子器件以及电子器件的制造方法 - Google Patents

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synthetic resin
shell
metal wire
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梅村博和
福家宪一
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Honda Motor Co Ltd
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Honda Motor Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种电子器件以及电子器件的制造方法，将上述金属线(119)的至少一部分从合成树脂(130)的上面露出的量的上述合成树脂(130)注入到上述外壳(110)内，将注入了上述合成树脂(130)的上述外壳(110)放置在减压条件下，通过减压使合成树脂(130)的液面上升，使用上述合成树脂(30、130)来覆盖在上述合成树脂(130)之上露出的上述金属线(119)，由此制造出电子器件，该电子器件通过引线接合技术对收容到外壳(110)内的电子部件(111)接合金属线(119)，接合有上述金属线(119)的接合面(121、122)被合成树脂(130)覆盖。

Description

电子器件以及电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种具备半导体元件等的电子器件以及该电子器件的制造方法。
背景技术
以往，已知一种技术，其在具备半导体元件等的电子器件中，在通过引线接合技术在接点之间进行连接之后，为了确保实施了引线接合后的接点的耐湿性，在收容半导体元件的外壳内填充凝胶状的合成树脂，使用合成树脂覆盖接点部。这种结构被指出有可能存在如下问题：在所填充的合成树脂振动时，该振动传递到引线而导致断线。因此，提出了这样一种方法，其通过减少在上述结构中填充的合成树脂的量，来防止引线的振动(例如参照专利文献1)。在专利文献1中公开了以下方法：通过引线接合技术将连接有金属线的功率元件收容到外壳，在从外壳的上方注入了硅树脂之后，装进吸引喷嘴，保留所需高度而吸引去除硅树脂。
然而，在专利文献1公开的方法中，由于重新追加吸引临时注入的硅树脂的工序，因此担心电子器件的制造生产周期延长、由吸引设备的投资而导致制造成本增加。另外，例如由于在大电流用的功率元件中高密度地配置了金属线，因此当对这种元件应用上述方法时，需要确保避开引线来插入吸引喷嘴的空间，从而担心电子器件面积变大以及商品尺寸变大。进而，在如专利文献1所公开的那样抑制了合成树脂的量时，不会对引线传递振动，但是有可能引线不被合成树脂覆盖。例如在功率元件中高密度地配置引线，因此根据防止相邻引线之间的短路的观点，期望引线由合成树脂覆盖。在其它电子器件中也确保引线的抗蚀性、防止引线与其它部件或者引线之间的短路较重要，引线被覆盖的优点较多。
专利文献1：日本专利第3719420号公报
发明内容
本发明的一个以上的实施例提供一种使用合成树脂覆盖实施了引线接合的电子部件的结构，该结构能够防止合成树脂的振动传递到引线，并且其引线被合成树脂所覆盖。
根据本发明的一个以上的实施例，电子器件具备：外壳；电子部件，其收容到上述外壳；金属线，其通过引线接合与上述电子部件进行接合；以及合成树脂，其覆盖接合了上述金属线的接合面和上述金属线。
此外，也可以在上述外壳内注入使上述金属线的一部分从合成树脂的上表面露出的量的上述合成树脂，将上述外壳放置在减压条件下，由此使上述合成树脂的液面上升，使上述合成树脂附着于在上述合成树脂之上露出的上述金属线，由此上述金属线被上述合成树脂覆盖。
根据上述结构，通过引线接合技术接合了金属线的电子部件被收容到外壳内，由注入到外壳的合成树脂覆盖接合面，并且金属线在合成树脂的上面露出。因此，合成树脂的振动不容易传递到金属线。并且，在减压条件下合成树脂的液面上升，由此在合成树脂的上面露出的金属线也附着合成树脂，由此金属线被合成树脂覆盖。因此，提高金属线的腐蚀性，并且能够进行绝缘保护。因而，能够实现以下电子器件：不导入新设备、不会使电子器件大型化而能够进行制造，使用合成树脂覆盖电子器件的接合面，能够防止合成树脂的振动传递到金属线，并且使用合成树脂覆盖金属线。另外，在减压条件下放置注入了合成树脂的外壳的期间，能够进行去除外壳内的气泡、水分的脱泡，因此在使合成树脂附着于金属线的工序中一起进行脱泡，从而能够减少工时。
在上述结构中，还可以具备树脂接收部，其被设置于上述外壳内，在所注入的上述合成树脂的液面到达上述金属线的上面的情况下，上述合成树脂流入。
根据该结构，在减压条件下合成树脂的液面到达覆盖金属线的高度的情况下，合成树脂流入到树脂接收部，因此通过检测流入到树脂接收部的合成树脂，来能够容易地确认金属线被合成树脂覆盖的情况。
在上述结构中，上述树脂接收部可以由上述外壳内部的空间露出的凹部构成，该凹部的边缘也可以位于与上述金属线的上端相同的高度。
根据该结构，在减压条件下合成树脂的液面上升至金属线的上面的情况下，该合成树脂可靠地流入到树脂接收部的凹部而被储存，因此通过检测积存在凹部内的合成树脂，能够容易且迅速地检测金属线被合成树脂覆盖到上部为止的情况。
在上述结构中，上述树脂接收部通过切缺上述外壳的侧壁而形成，可以具有在上述外壳内部的空间露出的凹部，也可以该凹部的边缘位于与上述金属线的上端相同的高度。
根据该结构，通过检测积存在凹部内的合成树脂，能够容易且迅速地检测金属线被合成树脂覆盖到上部为止的情况。另外，凹部通过切缺外壳的侧壁而形成，因此不需要确保在外壳内设置凹部的空间，因此不需要根据检测工序的情况来限制外壳内各部的配置，不会损坏外壳内部配置的自由度，就能够更容易且更迅速地检测金属线被合成树脂覆盖至上部为止的情况。
在上述结构中，还可以具备贯通孔，其被设置于上述外壳的侧壁，在所注入的上述合成树脂的液面到达与上述电子部件相接合的上述金属线之上的情况下，使上述合成树脂向上述外壳外流出，上述树脂接收部还可以具有凹部，该凹部在上述外壳的外侧面上被设置于上述贯通孔的下方，储存从上述贯通孔流出的上述合成树脂。
根据该结构，在减压条件下合成树脂的液面上升至金属线的上面的情况下，该合成树脂通过贯通孔可靠地流入到树脂接收部的凹部而被储存，因此通过检测积存在凹部内的合成树脂，能够检测金属线被合成树脂覆盖到上部为止的情况。另外，树脂接收部的凹部被设置于上述外壳外，因此不会影响外壳内部的电子部件、金属线的配置状态，能够容易地检测积存在凹部内的合成树脂。并且，不需要确保在外壳内设置凹部的空间。因此，不需要根据检测工序的情况来限制外壳内各部的配置，不会损坏外壳内部配置的自由度，就能够更容易且更迅速地检测金属线被合成树脂覆盖至上部为止的情况。
另外，根据本发明的一个以上的实施例，在电子器件的制造方法中，通过引线接合技术对收容到外壳的电子部件接合金属线，接合有上述金属线的接合面被合成树脂覆盖，该制造方法由以下工序构成：将上述金属线的至少一部分从合成树脂的上面露出的量的上述合成树脂注入到上述外壳内的工序(注入工序)；以及将注入了上述合成树脂的上述外壳放置在减压条件下，通过减压使合成树脂的液面上升，使用上述合成树脂来覆盖在上述合成树脂的上面露出的上述金属线的工序(减压工序)。
根据该方法，能够制造出以下电子器件：通过引线接合技术接合了金属线的电子部件被收容到外壳内，使用注入到该外壳内的合成树脂覆盖接合面，并且金属线露出于合成树脂的上面，从而合成树脂的振动不容易传递到金属线。对于金属线，在减压工序中使合成树脂的液面上升，由此不需要将金属线的整体被浸泡的量的合成树脂注入到外壳内，也使合成树脂的上面露出的部分附着合成树脂而能够进行覆盖。因而，不导入新设备、不会使电子器件大型化而使用合成树脂覆盖电子器件的接合面，能够防止使金属线在合成树脂的上面露出而合成树脂的振动传递到金属线，并且能够使用合成树脂覆盖金属线。另外，在减压工序中，在减压条件下放置注入了合成树脂的外壳，因此在此期间能够进行去除外壳内的气泡、水分的脱泡。因此，使合成树脂的液面上升而使合成树脂附着于金属线的工序中一起进行脱泡，从而能够减少工时。
在此，作为合成树脂，也可以使用在注入工序中为流体而在减压工序之后固化的树脂。另外，在减压工序之后，还可以设置使合成树脂固化成固体或者凝胶状的固化工序，在该固化工序中，在减压工序中在附着于金属线的合成树脂不从金属线脱落程度的时间内使合成树脂固化。
在上述方法中，也可以将上述金属线的两端与上述接合面相接合，将上述金属线形成为向上的凸形形状，另外，在将上述合成树脂注入到上述外壳内时，上述金属线的至少上述凸形形状的顶部在所注入的上述合成树脂的上面的向上露出，并且将上述合成树脂注入至由所注入的上述合成树脂覆盖全部上述接合面的高度。
根据该方法，在使形成为向上的凸形形状的金属线在合成树脂的上面露出的状态下，使用合成树脂能够更可靠地覆盖接合面。
另外，在将上述合成树脂注入到上述外壳内时，也可以使将上述合成树脂注入到上述外壳的注入喷嘴在上述金属线之上移动，将上述合成树脂涂敷到位于上述合成树脂的液面的上方的上述金属线。
根据该方法，在注入合成树脂时从金属线之上开始涂敷合成树脂，由此也更可靠地使合成树脂附着于所注入的合成树脂的液面的上面露出的金属线上，能够使用合成树脂覆盖金属线。
另外，也可以在上述外壳中设置树脂接收部，在所注入的上述合成树脂的液面到达上述金属线之上的情况下上述合成树脂流入到该树脂接收部，对流入到上述树脂接收部的上述合成树脂进行检测。
根据该方法，在检测工序中检测向树脂接收部中流入合成树脂的情况，由此能够容易地确认金属线被合成树脂覆盖的情况，不会产生金属线的覆盖不完全的状态。由此，能够迅速地以高成品率制造使用合成树脂覆盖金属线而能够提高腐蚀性和金属线的绝缘保护的电子器件。
在上述方法中，可以在上述树脂接收部中设置储存上述合成树脂的凹部，也可以通过对上述凹部照射检查光，对流入到上述凹部的上述合成树脂进行光学检测。
根据上述方法，在减压工序中合成树脂的液面上升至金属线的上面，照射检查光来对该合成树脂是否流入到树脂接收部的凹部进行光学检测，因此能够容易地且迅速地通过非接触的方法金属线被合成树脂覆盖到上部为止的情况。
另外，根据本发明的以上一个实施例，在电子器件的制造方法中，通过引线接合技术对收容到外壳的电子部件接合金属线，使用密封用合成树脂覆盖接合有该金属线的接合面，该制造方法具有以下工序，即：使用注入喷嘴从上述电子部件的上方向上述外壳内注入上述合成树脂，在该工序中，使上述注入喷嘴在上述金属线上移动，使上述合成树脂从上述金属线的上方流下而使附着于上述金属线。根据该方法，能够制造出以下电子器件：通过引线接合技术接合了金属线的电子部件被收容到外壳内，使用注入到该外壳内的合成树脂覆盖接合面，并且金属线露出于合成树脂的上面，从而合成树脂的振动不容易传递到金属线。在注入合成树脂的工序中使注入喷嘴移动，由此从上方使合成树脂流下至金属线，由此能够使用合成树脂覆盖金属线。因而，使用合成树脂覆盖电子器件的接合面，能够防止使金属线在合成树脂的上面露出而合成树脂的振动传递到金属线，并且能够使用合成树脂覆盖金属线。在该方法中，还存在不导入吸引等新设备、不会使电子器件大型化这种优点。并且，通过抑制注入到外壳内的合成树脂的量，来实现低成本化，并且通过缩短用于使该合成树脂固化的时间，由此能够缩短生产周期。
其它特征以及效果根据实施例的记载以及追加权利要求而更清楚。
附图说明
图1是表示第一典型实施例的开关装置的结构的主要部分截面图。
图2是注入工序的说明图。
图3是减压工序的说明图。
图4是表示第一典型实施例的开关装置的结构的主要部分截面图。
图5是表示使用于开关装置的制造中的注入装置的结构的示意图。
图6是第二典型实施例的开关装置的制造方法中的注入工序的说明图。
图7是表示第二典型实施例的开关装置的结构的主要部分截面图。
图8是第三典型实施例的开关模块的制造方法中的注入工序的说明图。
图9是开关模块的制造方法中的减压工序的说明图。
图10是开关模块的制造方法中的检测工序的说明图。
图11是第三典型实施例所涉及的开关装置的主要部分截面图。
图12是第四典型实施例所涉及的开关装置的主要部分截面图。
图13是表示第四典型实施例的开关模块的制造方法中的检测工序的说明图。
图14是第五典型实施例的开关装置的主要部分截面图。
图15是表示第五典型实施例的开关模块的制造方法中的检测工序的说明图。
图16是第六典型实施例的开关装置的主要部分截面图。
图17是表示第六典型实施例的开关模块的制造方法中的检测工序的说明图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的典型实施例。
[第一典型实施例]
图1是表示应用本发明的第一典型实施例的开关模块102的概要结构的主要部分截面图。该图1示出的开关模块102构成为将安装有半导体元件111的基板115收容到上表面开口的外壳110内。作为电子部件的半导体元件111例如为IGBT、功率MOSFET、晶闸管、二极管等与大电流对应的电流提供用的开关元件。基板115为在上面绝缘基板115A与下面绝缘基板115B之间夹持绝缘基板115C而通过钎焊材料等进行接合而成的三层结构基板，在上面绝缘基板115A与下面绝缘基板115B上例如形成有构成电源提供电路的电路图案。半导体元件111在形成于上面绝缘基板115A与下面绝缘基板115B上的图案上通过焊锡118电连接在一起。
外壳110由构成该外壳110的底面的基底基材112以及固定于基底基材112的周缘部上的大致圆筒形的壳体113构成。使用粘接剂等以不漏液体的方式固定壳体113与基底基材112，在外壳110内能够填充液体。在基底基材112的上面使用绝缘性的接合材料117来固定基板115的下部。另外，在壳体113上设置有向外壳110的外侧突出的外部端子114。外部端子114贯通壳体113以使得跨过外壳110的内侧与外侧，外部端子114是与外壳110的外部的电路相连接的金属制端子。该外部端子114被设置成用于将收容到外壳110的半导体元件111与外壳110的外部的电路进行连接，在外壳110内外部端子114与半导体元件111使用引线119(金属线)电连接在一起。
引线119是通过引线接合技术形成的金属线，具体地说，引线119是粗细度为几十μm～几百μm的金或者铝制的线材。引线119的一端通过负载和超声波与半导体元件111所具备的外部连接用端子(未图示)的金属部进行接合，引线119的另一端同样地与外部端子114相接合，在这些端子之间通过引线119导通。在此，将引线119与半导体元件111相接合的部位(面)设为接合面121，将引线119与外部端子114相接合的部位(面)设为接合面122。接合面121、122在图1所示的状态下处于金属在大气中露出的状态。引线119形成为中央部向上的凸形形状且与接合面121、122相接合的两端变得最低。因此，对该图1所示的开关模块102中注入硅树脂而覆盖接合面121、122，由此制造出作为电子器件的开关装置101。
制造开关装置的方法包括以下三个工序。
1.对开关模块102中注入硅树脂的注入工序。
2.将注入了硅树脂的开关模块102放置在减压条件下的减压工序。
3.使硅树脂固化的固化工序。
注入到外壳110的硅树脂例如为对主剂中混合固化剂而成的双组分树脂，在注入时具有预定的粘性和流动性，之后，在预定的固化条件下固化，而形成凝胶状或者固体。作为硅树脂130的固化条件，可举出光(紫外线)照射、加热等。在将温度和时间设为固化条件的热固性硅树脂中作为典型的条件，温度为常温(根据JIS标准，20℃±15℃)～150℃，时间为几十分钟～三小时左右。在第一典型实施例中，说明使用在80℃、1小时的条件下固化的热固性硅树脂130(图2～图5)的示例。
图2是表示注入工序的说明图，与图1同样地表示开关模块102的主要部分截面。在注入工序中，在开关模块102的外壳110内从上方注入硅树脂130，对硅树脂130的注入量进行控制使得硅树脂130的液面到达图中标号LH所示的高度。硅树脂130的液面高度LH与引线119的最上部(引线顶部)的高度相比低很多。高度LH为接合面121、122的金属被硅树脂130埋没且引线119的顶部以及顶部附近高出硅树脂130的液面的高度。此外，高度LH为在注入工序中注入的硅树脂130的量的指标。换言之，在注入工序中决定注入量以使得硅树脂130的液面在静止状态下液面的高度成为LH。因此，在注入工序中由于硅树脂130的流动而液面混乱，液面高于高度LH也不会有任何问题。该注入工序可以在常压条件下进行，也可以在减压条件下进行。即，在通过后述的装置对开关模块102注入硅树脂130时，将开关模块102整体以及注入硅树脂130的喷嘴收容到腔室内，对该腔室内部进行减压，也可以通过所谓真空注入来进行硅树脂130的注入。当进行真空注入时，具备能够迅速地注入硅树脂130等优点。
在将硅树脂130注入到外壳110内之后，执行减压工序。在减压工序中，开关模块102在减压环境下放置预定时间。在减压工序中，将注入了硅树脂130的开关模块102收容到能够密封的室(腔室等)，将该室内的真空度设为600Pa～1000Pa。另外，在减压工序中，在上述真空度条件下，将开关模块102放置10分钟～1小时左右。另外，在注入工序中进行上述真空注入的情况下，在硅树脂130的注入完成之后过渡到减压工序，将开关模块102继续放置在减压环境下。在该情况下，可以将收容了减压工序中的开关模块102的腔室内的真空度设为高于(压力低于)注入工序，也可以设为与注入工序相同的真空度。
在减压工序中，在进入到开关模块102内的半导体元件111下面、基板115与基底基材112之间等间隙中的空气随着减压而膨胀，形成气泡而漂浮在硅树脂130内。膨胀的该气泡从外壳110的底部附近起漂浮在硅树脂130内，由此硅树脂130整体起泡而被吹起，如图3所示，硅树脂130的液面上升。在该状态下，硅树脂130的液面超过高度LH很多而上升，在注入工序中硅树脂130上露出的引线119的顶部埋没于硅树脂130，在引线119整体中附着硅树脂130。
当在开关模块102被放置于减压条件下的状态下时间经过时，存在于外壳110内的间隙中的空气从硅树脂130漏掉，气泡的吹起停止。由此，硅树脂130的液面下降，而返回到与在注入工序中注入的量相应的高度LH。然而，硅树脂130具有高粘性，因此在临时沉浸于硅树脂130中的部分中，即使硅树脂130返回到标号LH的高度之后，在其表面附着硅树脂130的状态下，作为覆膜留下。如果将一般的硅树脂的粘性作为基准，则可知覆膜残留几小时至几十小时。因而，在减压工序中硅树脂130被吹起到引线顶部T的位置，由此在引线119整体中形成硅树脂130的覆膜。
在减压工序中硅树脂130被吹起的高度根据收容到外壳110的基板115的大小、安装到包括半导体元件111的基板115的元件的数量、硅树脂130的特性、减压工序中的真空度以及从常压到目标真空度为止的速度等不同而不同，因此考虑这些，决定在注入工序中注入的硅树脂130的量以使得在减压工序中硅树脂130被吹起到引线顶部的位置T为止即可。另外，在减压工序中放置开关模块102的时间能够充分脱泡即可，因此结合考虑上述开关模块102中的元件的数量、硅树脂130的特性以及减压工序中的真空度来决定即可。一般真空度越高、时间越长则能够可靠地脱泡，因此考虑脱泡的状态以及生产性来决定真空度和时间即可。
对注入到开关模块102的硅树脂130中混入固化剂。在固化工序中，在满足硅树脂130的固化条件的环境下开关模块102被放置预定时间。例如，在使用热固性硅树脂的情况下，开关模块102被放置成保持预定以上的温度(常温～150℃)的状态。另外，在使用光固化性硅树脂的情况下，使用紫外线灯(未图示)等照射光。如上所述，在第一典型实施例中，在硅树脂130固化之前在80℃条件下将开关模块102放置1小时。在该固化工序中，如上所述，形成于引线119的硅树脂130的覆膜由于硅树脂130的粘性而保持长时间，因此在固化工序中形成凝胶状或者固体。因此，引线119被失去流动性的硅树脂130的覆膜覆盖。在固化工序中，接着减压工序可以将开关模块102放置在减压条件下，也可以逐渐降低真空度来放置在常压条件下，还可以在成为常压之后过渡到固化工序。
经过上述注入工序、减压工序以及固化工序，完成图4示出的开关装置101。图4是表示制造出的开关装置101的结构的主要部分截面图。在开关装置101的外壳110中，将硅树脂130填充到覆盖接合面121、122两者的高度LH而固化成凝胶状，并且，在该硅树脂130的上方露出引线119的一部分。引线119中的、在硅树脂130的上面的上面露出的部分被硅树脂130固化而得到的树脂覆膜131覆盖。
图5是表示用于实现参照图2～图4说明的制造方法的注入装置1100的结构的示意图。使用该图5示出的注入装置1100，能够对开关模块102执行注入工序、减压工序以及固化工序这一系列工序。
注入装置1100是能够将双组分硅树脂130注入到开关模块102的装置。注入装置1100具备收容注入对象的开关模块102的真空室1150。真空室1150具备载置台1153和多个注入喷嘴1152，使用注入喷嘴1152能够对多个开关模块102注入硅树脂130，其中，上述载置台1153能够排列载置多个开关模块102，上述多个注入喷嘴1152从真空室1150内的顶部悬挂设置。
真空室1150构成为保持气密性而能够封闭，通过阀136与真空泵1135相连接。使用该真空泵1135，在注入时和注入后对真空室1150内部进行减压，从而能够保持为真空状态。另外，真空室1150具备能够将内部加热到150℃左右的加热器(未图示)以及检测内部温度的温度传感器(未图示)，按照该温度传感器的检测值来控制向加热器的通电，由此能够调整真空室1150内的气温。
注入装置1100具有储存硅树脂130的主剂130A的主剂储存器1101以及储存固化剂130B的固化剂储存器1111，将这些主剂130A和固化剂130B进行混合来注入到开关模块102。主剂储存器1101具备对主剂130A进行加热的加热器1102以及带式加热器1103，并且具备搅拌机构1105，该搅拌机构1105具备搅拌翼1104，使用未图示的加热器来驱动搅拌机构1105，由此搅拌主剂130A。另一方面，固化剂储存器1111具备对固化剂130B进行加热的加热器1112以及带式加热器1113。另外，固化剂储存器1111具备搅拌机构1115，该搅拌机构1115具备搅拌翼1114，使用未图示的马达来驱动搅拌机构1115，由此搅拌固化剂130B。此外，注入装置1100具备加热器1102、1112、带式加热器1103、1113以及其它各种加热器，但是在使用不需要加热的材料作为主剂130A和固化剂130B的情况下，注入装置不需要具备加热器，因此也可以设为没有加热器的结构。
将主剂储存器1101内的主剂130A经过具备加热器(未图示)的主剂提供管1121提供给定量混合部1130。另外，将固化剂储存器1111内的固化剂130B经过具备加热器(未图示)的固化剂提供管1123供给定量混合部1130。定量混合部1130以预定的混合比对主剂130A与固化剂130B进行混合，一边进行测量一边送出混合后的硅树脂130。将由定量混合部1130混合得到的硅树脂130经过混合树脂提供管1125发送到真空室1150的注入喷嘴1152，从注入喷嘴1152注入到开关模块102。
能够由定量混合部1130对从注入喷嘴1152注入到开关模块102的硅树脂130的量进行测量。因此，根据定量混合部1130的测量值来关闭阀1151，由此能够将设定的量的硅树脂130注入到开关模块102。另外，混合树脂提供管1125分支而与多个注入喷嘴1152各自相连接，在分支得到的该管路中按照每个注入喷嘴1152来设置阀1151。在提高真空室1150内的真空度的情况下，阀1151关闭。由此，例如在注入硅树脂130之后，使用真空泵1135能够对真空室1150内充分进行减压。
另外，主剂储存器1101和固化剂储存器1111与真空泵(未图示)相连接，使用该真空泵能够对储存器内部进行减压。因而，在注入装置1100中对主剂130A、固化剂130B以及混合后的硅树脂130流过的系统内整体进行减压，能够注入到减压状态的真空室1150(真空注入)。通过进行该真空注入，在不容易产生气泡的状态下能够将硅树脂130注入到开关模块102。
使用该图5示出的注入装置1100，能够执行上述开关装置101的制造工序。在注入工序中，在真空室1150中收容开关模块102，打开阀1151将混合过的硅树脂130提供给注入喷嘴1152，使用注入喷嘴1152从上方将硅树脂130注入到开关模块102。在进行真空注入的情况下，打开阀1136，使用真空泵1135将真空室1150内的气压减压到预先指定的压力。在从注入喷嘴1152将设定的量的硅树脂130注入到开关模块102之后，关闭阀1151而完成注入工序。
在减压工序中，使用真空泵1135将真空室1150内部减压到预先指定的真空度，保持该真空度预先设定的时间。之后，进行固化工序。在固化工序中，使用真空室1150所具备的加热器(未图示)将真空室1150内的温度调整为设定的温度。另外，由真空泵1135调整真空室1150内的真空度，例如在将真空室1150内设为常压的情况下，真空泵1135停止，并且阀1136关闭，未图示的泄漏阀被打开，真空室1150内的气压逐渐恢复到大气压。
如上所述，在应用了本发明的第一典型实施例所涉及的开关装置101中，通过引线接合技术将引线接合到作为电子部件的半导体元件111和外部端子114，在使用密封用的硅树脂130覆盖接合了该引线119的接合面121、122的开关装置101中，将半导体元件111收容到外壳110，在外壳110内注入使引线119的一部分从硅树脂130的上表面露出的成为预定高度的量的硅树脂130，将外壳110放置在减压条件下，由此使硅树脂130的液面上升，使硅树脂130附着于在硅树脂130的上面露出的引线119，由此使用硅树脂130覆盖引线119。也就是说，在上述开关装置101的制造方法中，具有在外壳110内注入硅树脂130的注入工序以及将在注入工序中注入了硅树脂130的外壳110放置在减压条件下的减压工序，在注入工序中，注入使引线的至少一部分从硅树脂130的上面露出的成为预定高度的量的硅树脂130，在减压工序中，通过减压使硅树脂130的液面上升，在注入工序中使用硅树脂130覆盖在硅树脂130的上面露出的金属线。
根据该方法，能够制造出以下开关装置110：通过引线接合技术将接合了金属线的电子部件收容到外壳110，使用注入到该外壳110内的硅树脂130来覆盖接合面121、122，并且金属线在硅树脂130的上面露出，硅树脂130的振动不容易传递到金属线。对于金属线，在减压工序中使硅树脂130的液面上升，由此不需要将硅树脂130注入到外壳110直到金属线整体被沉浸的高度，而也能够使硅树脂130附着于硅树脂130的上面露出的部分而覆盖。因而，不导入新设备或不使电子器件101大型化，而使用硅树脂130覆盖开关装置101的接合面121、122，使金属线在硅树脂130的上面露出而防止硅树脂130的振动传递到引线，并且能够使用硅树脂130覆盖金属线。另外，在减压工序中，在将注入了硅树脂130的外壳110放置在减压条件下的期间能够进行去除外壳110内的气泡、水分的脱泡，因此能够减少工时。然后，在开关装置101中，接合面121、122被硅树脂130覆盖保护，并且硅树脂130的振动不容易传递到引线119。并且，引线119被硅树脂130覆盖，因此引线119的耐腐蚀性提高而受绝缘保护。
另外，在上述制造方法中，引线119的两端与接合面121、122相接合，形成为向上的凸形形状，在注入工序中，注入硅树脂130直到至少引线119的顶部在所注入的硅树脂130的上面露出，并且由所注入的硅树脂130覆盖全部接合面121、122的高度，因此能够更可靠地使用硅树脂130覆盖接合面121、122。
此外，在上述第一典型实施例中，以使注入喷嘴1152注入的硅树脂130在减压工序中吹起从而使硅树脂130附着于引线119整体的结构为例进行了说明，但是本发明并不限定于此，在使硅树脂130向开关模块102流下时，还能够使硅树脂130附着于引线119整体。以下，将该情况作为第二典型实施例来说明。
[第二典型实施例]
图6是表示应用了本发明第二典型实施例的开关装置的制造方法的说明图，特别是表示注入工序。另外，图7是表示通过图6示出的制造方法制造出的开关装置101A的结构的主要部分截面图。此外，在该第二典型实施例中对与上述第一典型实施例相同结构的部分附加相同标号而省略说明。
在第二典型实施例中，设置有移动机构，该移动机构使从开关模块102的上方使硅树脂130流下的注入喷嘴1152在开关模块102上方于水平方向上移动，从而能够使注入喷嘴1152移动。注入喷嘴1152的移动方向可以是一个方向，期望是两个方向以上，优选能够移动至开关模块102上方的任意的位置。对于该注入喷嘴1152，如图中箭头所示，一边使硅树脂130向开关模块102流下一边在开关模块102上方移动，由此在配置于外壳110内的基板115、半导体元件111上落下硅树脂130。另外，在引线119中不仅在接合面121、122也在包括顶部的整体上落下硅树脂130。
并且，在注入喷嘴1152的前端上安装有使硅树脂130分散流下的喷嘴头1154。因此，能够使硅树脂130带状或者树状地在更大面积上流下。因而，对使注入喷嘴1152移动的范围进行调整，例如还能够使硅树脂130流下，使得在壳体113内侧整体中无缝地渗透硅树脂130。另外，如果在引线119的下方等、多个部件上下重叠的位置中使注入喷嘴1152停留固定时间或者放慢注入喷嘴1152的移动速度，则也能够使硅树脂130充分渗透到下方的部件。
另外，可以将注入喷嘴1152的移动路径设定为喷嘴头1154全部而无遗漏地通过壳体113内侧，但是，例如也可以将路径设定为喷嘴头1154仅多次通过引线119或接合面121、122上等受限的部位上。
在通过该图6示出的注入工序将硅树脂130注入到开关模块120之后，当在与上述第一典型实施例相同的条件下执行减压工序和固化工序时，附着于引线119、接合面121、122以及其它壳体113内部的部件上的硅树脂130固化，由此得到开关装置101A。使用喷嘴头1154使硅树脂130分散。由此硅树脂130内容易进入气泡，但是之后通过进行减压工序来脱泡，因此不会产生由使用喷嘴头1154引起的缺点。
在图7示出的开关装置101A中，收容到外壳110内的半导体元件111、基板115、外部端子114的一部分的表面整体被硅树脂130覆盖，在引线119整体上也形成有树脂覆膜131。期望注入到外壳110内的硅树脂130的量至少设为使引线119的一部分露出程度的高度。这是由于，在硅树脂130固化后的开关装置101A中，硅树脂130的振动不容易传递到引线119。在图7示出的开关装置101A中，仅将硅树脂130注入到覆盖固定于外壳110的底部的基板115程度的高度。硅树脂130的液面与引线119的顶部相比非常低，与接合面121、122相比也位于较低位置。因此，在对开关装置101A施加振动的情况下没有如下的风险，即：凝胶状的硅树脂130振动而对引线119施加负载，或者由于该振动的负载而招致断线。
这样，在第二典型实施例的制造方法中，具有注入工序，在该注入工序中使用注入喷嘴1152使硅树脂130流下至开关模块102而进行注入，在该注入工序中，使注入喷嘴1152移动使得经过引线119或接合面121、122上面，对收容到外壳110的各部从上方流下硅树脂130，因此使用硅树脂130覆盖开关装置101A的接合面121、122，并且使引线119在硅树脂130上面露出，防止向引线119传递振动，并且能够使用树脂覆膜131覆盖引线119而实现绝缘性和腐蚀性的提高。另外，注入到外壳110内的硅树脂130的量较少即可，因此能够实现随着由减少所使用的材料的量引起的成本降低、加压工序中的脱泡时间的缩短以及固化工序中的硅树脂130的固化时间的缩短而带来的生产周期的缩短。
此外，在第二典型实施例中，关于注入到外壳110内的硅树脂130的量，不一定抑制为图7示出的少量，例如图2所示，也可以将硅树脂130注入到接合面121、122完全沉浸于硅树脂130的高度LH。在该情况下，接合面121、122更可靠地被硅树脂130覆盖，并且引线119整体被硅树脂130覆盖。另外，在硅树脂130固化之后，引线119的顶部以及引线119附近在硅树脂130上露出，因此在对开关装置101A施加振动的情况下没有如下的风险，即：凝胶状的硅树脂130振动而对引线119施加负载，或者由于该振动的负载而招致断线。
[第三典型实施例]
图8至图10是表示本发明第三典型实施例的开关装置1的制造方法的说明图，详细地说，图8是注入工序后的开关模块1A的主要部分截面图，图9是减压工序的开关模块1A的主要部分截面图。另外，图10是检测工序中的开关模块1A的主要部分截面图。另外，图11是由第三典型实施例的制造方法制造出的开关装置1的结构的主要部分截面图。
第三典型实施例的开关装置1(图11)构成为将安装有半导体元件11的基板15收容到上面打开开口的外壳10。作为电子部件的半导体元件11例如为IGBT、功率MOSFET、晶闸管、二极管等与大电流对应的电流提供用的开关元件。基板15为在上面绝缘基板15A与下面绝缘基板15B之间夹持绝缘基板15C而通过钎焊材料等进行接合而成的三层结构基板，在上面绝缘基板15A与下面绝缘基板15B上例如形成有构成电源提供电路的电路图案。半导体元件11在形成于上面绝缘基板15A与下面绝缘基板15B上的图案上通过焊锡18进行电连接。
外壳10构成为具备由构成外壳10的底面的基底基材12以及固定于基底基材12的周缘部上、构成侧壁的壳体13。壳体13的截面形状可以是圆形，也可以是方形、其它多边形，在第三典型实施例中作为一例设为大致圆筒形。壳体13与基底基材12通过粘接剂等以不漏液体的方式进行接合，在外壳10内填充液体的情况下，能够以不漏的方式储存该液体。在基底基材12的上面使用绝缘性的接合材料17来固定基板15的下部。另外，在壳体13上设置有向外壳10的外侧突出的外部端子14。外部端子14贯通壳体13以使得跨过外壳10的内侧与外侧，外部端子14是与外壳10的外部的电路相连接的金属制端子。该外部端子14被设置成用于将收容到外壳10的半导体元件11与外壳10的外部电路进行连接，在外壳10内外部端子14与半导体元件11使用引线19(金属线)电连接在一起。
引线19是通过引线接合技术形成的金属线，具体地说，引线19是粗细度为几十μm～几百μm的金或者铝制的线材。引线19的一端通过负载和超声波与半导体元件11所具备的外部连接用端子(未图示)的金属部进行接合，引线19的另一端同样地与外部端子14相接合，在这些端子之间通过引线19导通。在此，将引线19与半导体元件11相接合的部位(面)设为接合面21，将引线19与外部端子14相接合的部位(面)设为接合面22。紧接着通过引线接合技术形成引线19之后，与引线19一起，接合面21、22的金属处于在大气中露出的状态。另外，引线19形成为与接合面21、22进行接合的两端最低而中央部形成向上的凸形形状(引线19的最高部位位于与接合面21、22相接合的两端之间)。这样，将半导体元件11收容到外壳10，基板15通过第一接合材料17与基底基材12相接合，在安装于基板15上的半导体元件11与外部端子14之间，通过引线接合技术形成引线19，从而构成开关模块1A。对该开关模块1A注入硅树脂，从而覆盖接合面21、22以及引线19，由此制造出作为电子器件的开关装置1。
由开关模块1A制造开关装置1的方法包括以下四个工序。1.注入工序，对开关模块1A注入硅树脂；2.减压工序，将注入了硅树脂的开关模块1A放置在减压条件下；3.检测工序，检测引线19被硅树脂覆盖的情况；以及4.固化工序，使硅树脂固化。
注入到外壳10的硅树脂例如为对主剂中混合固化剂而成的双组分树脂，在注入时具有预定的粘性和流动性，之后，在预定的固化条件下固化，形成凝胶状或者固体。作为硅树脂30的固化条件，可举出光(紫外线)照射、加热等。在将温度和时间设为固化条件的热固性硅树脂中作为典型的条件，温度为常温(根据JIS标准，20℃±15℃)～150℃，时间为几十分钟～三小时左右。在第三典型实施例中，说明使用在80℃、1小时的条件下固化的热固性硅树脂30(图9～图12)的示例。
图8示出在注入工序中对外壳10内注入硅树脂30后的开关模块1A的状态。在该注入工序中，例如对由主剂与固化剂构成的双组分树脂进行混合来制备流动状态的硅树脂30，使用从注入喷嘴(未图示)排出硅树脂30的注入装置(未图示)。在注入工序中，使用注入装置的注入喷嘴从上方向开关模块1A的外壳10内注入硅树脂30。如图8所示，硅树脂30的注入量与引线19的最上部(引线顶部)相比低很多，并且接合面21、22的金属为被埋没于硅树脂30的高度。当将硅树脂30注入到该图8示出的高度时，确保接合面21、22的腐蚀性和防湿性，另一方面，与引线19全部被沉浸于硅树脂30的情况相比，即使在硅树脂30振动的情况下，该振动也不会传递到引线19而招致引线19、接合面21、22的断线。
如图8所示，在构成外壳10的壳体13内面设置有树脂接收部41。树脂接收部41是从壳体13向外壳10的内部空间突出的突起状的部分，具有作为能够储存硅树脂30的凹部的树脂积存部42。树脂积存部42的边缘高度为与引线顶部(如上所述，在中央部为向上的凸形形状的引线19中，该凸形形状的顶部)大致相同高度或者高于引线。在后述的减压工序中，当硅树脂30的液面上升至高于树脂积存部42的边缘时，硅树脂30流入到树脂积存部42。
将注入后的液面高度作为指标来决定在注入工序中注入的硅树脂30的量。即，如上所述，决定硅树脂30的注入量使得上述那样接合面21、22被埋没而引线19的一部分露出的高度。然后，如图8所示，从壳体13突出的树脂接收部41的下端形成与在注入工序中注入的硅树脂30的液面相同高度。因此，在注入工序中，如果视觉观察至硅树脂30的液面与树脂接收部41的下端进行接触而注入硅树脂30，则在注入过程中、注入前不需要测量硅树脂30，而能够使硅树脂30的注入量与优选量一致。
注入工序可以在常压条件下进行，但是也可以在减压条件下进行。即，在对开关模块1A注入硅树脂30时，也可以将开关模块1A整体以及注入硅树脂30的喷嘴(未图示)收容到减压室(未图示)，在对该减压室内部进行减压的状态下进行硅树脂30的注入(所谓真空注入)。当进行真空注入时，存在能够迅速地注入硅树脂30等优点。
在将硅树脂30注入到外壳10内之后，执行减压工序。在减压工序中，在减压环境下将开关模块1A放置预定时间。具体地说，将注入了硅树脂30的开关模块1A收容到能够密封的减压室内，该减压室内的真空度保持600Pa～1000Pa的状态继续10分钟～1小时左右。此外，在注入工序中进行上述真空注入的情况下，硅树脂30的注入完成之后过渡到减压工序，将开关模块1A继续放置在减压环境下。该情况的放置时间为上述10分钟～1小时左右。另外，在该情况下，将减压工序中的收容了开关模块1A的室内的真空度可以设为高于(压力低于)注入工序，也可以设为与注入工序相同的真空度。
此外，在减压工序中放置开关模块1A的时间为能够充分脱泡即可，因此考虑硅树脂30的粘度、存在于包括硅树脂30的外壳10内部的结构部件内部的空气的量、减压工序中的真空度、在减压工序中从常压到目标真空度为止的速度等来决定即可。通常，真空度越高、时间越长则越能够可靠地脱泡，因此考虑脱泡的状态和生产性来决定真空度和时间即可。
在减压工序中，进入到开关模块1A内的半导体元件11下、基板15与基底基材12之间等间隙中的空气随着减压而膨胀，形成气泡而漂浮在硅树脂30内。膨胀的该气泡从外壳10的底部附近起漂浮于硅树脂30内，由此硅树脂30整体起泡而被吹起，如图9所示，硅树脂30的液面上升。在该图9示出的状态下，硅树脂30的液面超过引线顶部的高度，在注入工序中硅树脂30上面露出的引线19的顶部埋没于硅树脂30。另外，在减压工序中，硅树脂30的液面超过引线19的最上部高度，因此超过树脂积存部42的边缘而硅树脂30流入到树脂积存部42。
当将开关模块1A放置在减压条件下的状态下经过时间后，存在于外壳10内的间隙中的空气从硅树脂30漏掉，停止气泡吹起。由此，硅树脂30的液面下降，返回到在注入工序中注入的量相应的高度。然而，硅树脂30具有高粘性，因此在临时沉浸于硅树脂30的部分中，硅树脂30的液面返回到所注入的高度之后，也在其表面附着硅树脂30的状态下，形成覆膜而残留。如果将通常的硅树脂的粘性为基准，则可知覆膜残留几小时至几十小时。因而，在减压工序中硅树脂30被吹起到引线顶部的高度，由此在引线19整体中形成硅树脂30的覆膜。
在减压工序中硅树脂30被吹起的高度根据硅树脂30的粘度、存在于包括硅树脂30的外壳10内部的结构部件内部的空气的量、减压工序中的真空度、在减压工序中从常压到目标真空度为止的速度等不同而不同。另外，存在于结构部件的间隙中的空气根据基板15的大小、安装于基板15的元件的数量、引线19的数量等不同而不同。因此，考虑这些，决定在注入工序中注入的硅树脂30的量即液面的高度，以使得在减压工序中硅树脂30被吹起到引线顶部的位置。
然而，实际上在硅树脂30被吹起的高度中存在偏差，因此期望液面上升至实际超过引线顶部的高度，确认硅树脂30附着于引线19的情况。特别是，如果在进行开关装置1的制造方法的固化工序之前进行确认，则例如在弄清楚硅树脂30向引线19的附着不足的情况下，还能够使不足量的硅树脂30附着于引线19。因此，在第三典型实施例中，在减压工序之后，确认硅树脂30的液面上升至所需高度的情况，因此进行检测工序。该检测工序可以在收容了开关模块1A的减压室的减压解除之后进行，也可以在开关模块1A处于减压条件的状态下、即减压室内的真空度降低之前进行。
如图9所示，当硅树脂30的液面上升至超过引线顶部的高度时，硅树脂30流入到树脂积存部42。如图10所示，在该情况下，在减压工序中被吹起的硅树脂30的液面在脱泡发生了下降之后，积存在树脂积存部42中的硅树脂30也没有被排出而残留。因此，在图10示出的检测工序中，通过检测储存在树脂积存部42中的硅树脂30，来确认在减压工序中硅树脂30的液面是否超过引线顶部的高度、即引线19是否被硅树脂30覆盖。
如图10所示，在检测工序中，使用由激光源、LED光源等构成的检查用光源(未图示)从外壳10的上方照射检查光L，由受光部(未图示)接收检查光L在树脂积存部42中反射而成的反射光，根据受光量、所接收的反射光的波长等，判断硅树脂30是否积存在树脂积存部42中。在检测工序之前，关于对树脂积存部42的底面42A(图8)照射检查光L的情况下的反射光以及对积存在树脂积存部42中的硅树脂30照射检查光L的情况下的反射光，求出受光部的接收量、所接收的反射光的波长成分等的差，根据该差，能够在检测工序中可靠地进行判断。
作为具体例，检查光L波长可以是可见区域、紫外区域或者红外区域中的任一区域，但是如果是由硅树脂30容易吸收的波长，则在硅树脂30积存在树脂积存部42中的情况下反射光的光量明显降低，因此容易可靠地判断硅树脂30是否存在。也就是说，通过将检查光L的波长设为存在于硅树脂30的吸收光谱中的吸收峰值的波长，能够可靠地检测硅树脂30。在该情况下，底面42A优选为以高反射率反射检查光L的状态。另外，相反，还能够使用以高于硅树脂30的反射率进行反射的检查光L，在该情况下，如果底面42A为几乎不反射检查光L的状态，则反射光的差变得明显，因此能够更可靠地检测硅树脂30。
这样，在检测工序中，通过从开关模块1A的上方照射检查光L，能够检测硅树脂30积存于树脂积存部42的情况，根据其检测结果，能够判断硅树脂30是否附着于引线19整体。在该检测工序中判断为硅树脂30附着于引线19整体的情况下，进行固化工序。
对注入了开关模块1A的硅树脂30中混入固化剂。在固化工序中，将开关模块1A在满足硅树脂30的固化条件的环境下放置预定时间。例如，在使用热固性硅树脂的情况下，将开关模块1A放置在保持在预定以上温度(常温～150℃)的状态。另外，在使用光固化性硅树脂的情况下，使用紫外线灯(未图示)等来照射光。在第三典型实施例中，如上所述，在80℃的条件下将开关模块1A放置1小时直到硅树脂30固化为止。在该固化工序中，如上所述，形成于引线19上的硅树脂30的覆膜根据硅树脂30的粘性而长时间保持，因此在固化工序中形成凝胶状或者固体。因此，引线19被失去流动性的硅树脂30的覆膜覆盖。在固化工序中，接着减压工序可以将开关模块1A放置在减压条件下，也可以使真空度逐渐下降而放置在常压条件下，还可以在形成常压之后过渡到固化工序。
图11是表示通过上述制造方法制造出的开关装置1的结构的主要部分截面图。在开关装置1的外壳10内，将硅树脂30填充到覆盖接合面21、22两者的高度而凝胶状地固化，引线19的一部分在硅树脂30的上方露出。引线19在接合面21、22中被硅树脂30覆盖。并且，引线19的、在硅树脂30上面的上面露出的部分被在减压工序中附着的硅树脂30的薄膜即树脂覆膜31覆盖。根据在检测工序中是否检测出树脂积存部42的硅树脂30，能够容易地确认该树脂覆膜31是否整体形成于引线19的引线顶部为止。因而，在减压工序中硅树脂30的液面没有上升至引线顶部为止而引线19整体没有被硅树脂30覆盖的情况下，在检测工序中能够对其进行检测。因此，能够可靠地检测出产品缺陷。另外，在固化工序前进行检测工序，因此通过将硅树脂30附着于引线19，能够将检测为缺陷的开关模块1A作为合格产品。
如上所述，应用了本发明第三典型实施例的开关装置1具有以下结构：通过引线接合技术将引线19与半导体元件11进行接合，使用密封用硅树脂30覆盖接合了该引线19的接合面21、22，具备收纳半导体元件11而注入了硅树脂30的外壳10，在该外壳10中设置树脂接收部41，该树脂接收部41在所注入的硅树脂30的液面到达引线19的上面的情况下被流入硅树脂30，将半导体元件11收纳于外壳10内，在外壳10内注入引线19的一部分从硅树脂30的上面露出的形成预定高度的量的硅树脂30，通过将外壳10放置在减压条件下，使硅树脂30的液面上升，使硅树脂30附着于硅树脂30的上面露出的引线19，由此使用硅树脂30覆盖引线19，因此能够实现不进行吸引去除临时注入的硅树脂30的作业等而使用硅树脂30覆盖引线19的结构。
另外，在减压工序中硅树脂30的液面到达覆盖引线19的高度的情况下硅树脂30流入到树脂接收部41。能够通过使用了检查光L的光学方法来容易地检测流入到树脂接收部41的硅树脂30，因此能够容易地确认引线19被硅树脂30覆盖到最上部为止的情况。由此，通过使用硅树脂30覆盖引线19来能够能够实现引线19的耐腐蚀性的提高以及引线19的绝缘保护，从而能够提供一种不导入包括吸引用喷嘴的新设备、不会使电子器件大型化而能够制造且能够容易地确认引线19完全被覆盖的情况的开关装置1。
然后，在包括上述注入工序、减压工序、检测工序以及固化工序的开关装置1的制造方法中，在减压工序中使硅树脂30的液面上升，由此使用硅树脂30覆盖引线19，在检测工序中检测硅树脂30的液面上升至充分高度的情况，因此可靠地使用硅树脂30覆盖引线19，并且，能够容易地确认引线19被覆盖的情况。因此，不会在引线19的覆盖不完全的状态下放置，能够迅速且高成品率地制造开关装置1。
另外，在开关装置1中，树脂接收部41具有在外壳10内部的空间露出的树脂积存部42，该树脂积存部42的边缘位于与引线19的上端相同高度，因此在减压工序中硅树脂30的液面上升至引线19的上面的情况下，该硅树脂30可靠地流入到树脂接收部41的树脂积存部42而储存。因此，硅树脂30的液面上升停止之后检测积存在树脂积存部42中的硅树脂30，由此能够容易地且迅速地检测引线19被硅树脂30覆盖至上部为止的情况。并且，照射检查光L来光学地检测硅树脂30是否流入到树脂接收部41的树脂积存部42，因此能够容易地且迅速地以非接触的方法来检测引线19被硅树脂30覆盖至上部为止的情况。因此，关于多个开关装置1，能够连续地且高速地检测树脂积存部42的硅树脂30。另外，还能够在减压室内照射检查光L来进行检测。
[第四典型实施例]
图12是表示应用了本发明第四典型实施例的开关装置2的结构的主要部分截面图。在第四典型实施例中，对具有与上述第三典型实施例相同的结构的各部附加相同标号而省略说明。开关装置2与上述第三典型实施例中所说明的开关装置1同样地，将安装有半导体元件11的基板15收容到外壳24内，使用引线19对设置于外壳24的外部端子14与半导体元件11进行连接。开关装置2所具备的外壳24构成为在基底基材12的周缘部接合壳体23。壳体23的截面形状可以是与壳体13相同的圆，也可以是方形、其它多边形。壳体23与基底基材12通过粘接剂等以不漏液体的方式进行接合，在对外壳24填充液体的情况下，能够以不漏的方式储存该液体。
壳体23的一部分被切缺，而形成树脂接收部45。树脂接收部45将壳体23内面的上端部的周边的一部分切缺而形成，在底部形成有储存硅树脂30的树脂积存部46。树脂积存部46是在外壳24的内部空间露出的凹部，树脂积存部46的边缘的高度高于与引线19的引线顶部(如上所述，在中央部向上的凸形形状的引线19中，该凸形形状的顶部)大致相同的高度或者引线顶部。在开关装置2的制造工序的减压工序中，当硅树脂30的液面上升至高于树脂积存部46的边缘时，硅树脂30流入到树脂积存部46。
通过与上述第三典型实施例的开关装置1相同的制造方法来制造该图12示出的开关装置2。即，具有以下工序：注入工序，其将硅树脂30注入到外壳24中预定高度为止；减压工序，其在注入工序之后放置减压条件下来使硅树脂30的液面上升而脱泡；检测工序，其对在减压工序中硅树脂30的液面上升的情况进行检测；以及固化工序，其使硅树脂30固化。在注入工序中注入的硅树脂30与上述第三典型实施例相同，硅树脂30的注入量为接合面21、22沉于硅树脂30且引线19的至少一部分从硅树脂30的液面露出的量。在将硅树脂30注入到该高度为止的状态下，树脂接收部45没有与硅树脂30进行接触，硅树脂30没有流入到树脂积存部46。
在接着进行的减压工序中，在放置于减压条件下的外壳24内硅树脂30与气泡一起被推上去，硅树脂30的液面上升至超过引线19的引线顶部的高度。此时，引线19整体附着硅树脂30，另一方面，在树脂接收部45中，硅树脂30流入到树脂积存部46。之后，在放置在减压条件下的期间或者在减压解除后进行检测工序。
图13是开关装置2的制造工序中的检测工序的说明图。如该图13所示，在检测工序中，使用未图示的光源从外壳24的上方向树脂积存部46照射检查光L。检查光L在积存于树脂积存部46的底面或者树脂积存部46中的硅树脂30上反射，因此使用未图示的受光部来接收该反射光，由此能够检测积存于树脂积存部46中的硅树脂30。该检查光L与在第三典型实施例中说明的检查光L相同，设为树脂积存部46底面中的检查光L的反射率较高的结构，检查光L可以使用由硅树脂30容易吸收的波长的光，将树脂积存部46底面的反射率设为较低，也可以将检查光L的波长设为硅树脂30表面上的反射率较高的波长的光。
这样，开关装置2具有对基底基材12接合壳体23而构成的外壳24，外壳24内面的一部分被切缺而形成树脂接收部45，在树脂接收部45中形成有能够储存硅树脂30的树脂积存部46，在减压工序中硅树脂30的液面上升至引线19的引线顶部的高度为止的情况下，硅树脂30流入到树脂积存部46。能够通过在检测工序中照射检查光L的光学方法来容易地检测流入到该树脂积存部46的硅树脂30，因此能够容易地确认在减压工序中在硅树脂30的上面露出的引线19整体中是否附着有硅树脂30。
并且，在开关装置2中，通过切缺壳体23的一部分来形成树脂接收部45，因此不存在外壳24内部突出的部分而在外壳24内部配置基板15的工序、在形成引线19的工序中树脂接收部45不会碍事。因此，能够容易地检测外壳24内的结构部件的配置、不对其它工序带来影响而硅树脂30附着于引线19的情况。
[第五典型实施例]
图14是表示应用了本发明第五典型实施例的开关装置3的结构的主要部分截面图。在第五典型实施例中，对具有与上述第三典型实施例相同的结构的各部附加相同标号而省略说明。开关装置3与上述第三典型实施例中所说明的开关装置1同样地，将安装有半导体元件11的基板15收容到外壳26内，使用引线19对设置于外壳26的外部端子14与半导体元件11进行连接。开关装置3所具备的外壳26构成为在基底基材12的周缘部接合壳体25。壳体25的截面形状可以是与壳体13相同的圆，也可以是方形、其它多边形。壳体25与基底基材12通过粘接剂等进行接合以避免漏出液体，在对外壳26内填充液体的情况下，能够以不漏的方式储存该液体。
在壳体25上形成有贯通外壳26内外的贯通孔48，当积存于外壳26内部的液体的液面变得高于贯通孔48时，该液体通过该贯通孔48向外壳26外流出。贯通孔48下端的高度高于与引线19的引线顶部(如上所述，在中央部向上的凸形形状的引线19中，该凸形形状的顶部)大致相同的高度或者引线顶部。在贯通孔48的下方在壳体25的外侧面设置有树脂接收部49。树脂接收部49具有作为储存从贯通孔48流出的液体的凹部的树脂积存部50。树脂积存部50的高度位置低于贯通孔48即可，但是优选树脂积存部50的边缘的高度处于贯通孔48的上面，使得液体不会向树脂接收部49外溢出。
通过与上述第三典型实施例所涉及的开关装置1相同的制造方法来制造该图14示出的开关装置3。即，具有以下工序：注入工序，其将硅树脂30注入到外壳26中预定高度为止；减压工序，其在注入工序之后放置减压条件下来使硅树脂30的液面上升而脱泡；检测工序，其对在减压工序中硅树脂30的液面上升的情况进行检测；以及固化工序，其使硅树脂30固化。
在注入工序中注入的硅树脂30与上述第三典型实施例相同，硅树脂30的注入量为接合面21、22沉于硅树脂30且引线19的至少一部分从硅树脂30的液面露出的量。在将硅树脂30注入到该高度为止的状态下，硅树脂30不到达贯通孔48，因此硅树脂30不会从贯通孔48流出。
在接着进行的减压工序中，在放置于减压条件下的外壳26内硅树脂30与气泡一起被推上去，硅树脂30的液面上升至超过引线19的引线顶部的高度。此时，引线19整体附着硅树脂30，另一方面，硅树脂30的液面到达形成于高于壳体25内的贯通孔48的位置，因此硅树脂30从贯通孔48向外壳26外流出，该硅树脂30积存于树脂积存部50内。之后，在放置在减压条件下的期间或者在减压解除之后进行检测工序。
图15是开关装置3的制造工序中的检测工序的说明图。如该图15所示，在检测工序中，使用未图示的光源从外壳26的上方向树脂积存部50照射检查光L。检查光L在积存于树脂积存部50的底面或者树脂积存部50中的硅树脂30上反射，因此使用未图示的受光部来接收该反射光，由此能够检测积存于树脂积存部50中的硅树脂30。该检查光L与在第三典型实施例中说明的检查光L相同，设为树脂积存部50底面中的检查光L的反射率较高的结构，检查光L可以使用由硅树脂30容易吸收的波长的光，将树脂积存部50底面的反射率设为较低，也可以将检查光L的波长设为硅树脂30表面上的反射率较高的波长的光。
这样，开关装置3具有对基底基材12接合壳体25而构成的外壳26，在构成外壳26的侧面的壳体25中形成贯通孔48，在外壳26的外面在贯通孔48的下方形成能够储存硅树脂30的树脂积存部50，在减压工序中硅树脂30的液面上升至引线19的引线顶部的高度为止的情况下，硅树脂30通过贯通孔48流入到树脂积存部50。能够通过在检测工序中照射检查光L的光学方法来容易地检测流入到该树脂积存部50的硅树脂30，因此能够容易地确认在减压工序中在硅树脂30的上面露出的引线19整体中是否附着有硅树脂30。
并且，在开关装置3中，树脂接收部49被设置于外壳26外，在树脂接收部49的树脂积存部50中，硅树脂30通过贯通孔48流出，因此不存在外壳26内部突出的部分而在外壳26内部配置基板15的工序、在形成引线19的工序中树脂接收部49不会碍事。因此，能够容易地检测外壳26内的结构部件的配置、不对其它工序带来影响而硅树脂30附着于引线19的情况。另外，不需要确保在外壳26内设置树脂接收部49的空间，因此不会由于检测工序的情况而对外壳26内的各部的配置进行限制，从而具备不会损坏外壳26内部的配置自由度这种优点。
[第六典型实施例]
图16是表示应用了本发明第六典型实施例的开关装置4的结构的主要部分截面图。在第六典型实施例中，对具有与上述第三典型实施例相同的结构的各部附加相同标号而省略说明。开关装置4与上述第三典型实施例中所说明的开关装置1同样地，将安装有半导体元件11的基板15收容到外壳28内，使用引线19对设置于外壳28的外部端子14与半导体元件11进行连接。开关装置4所具备的外壳28构成为在基底基材12的周缘部接合壳体27。壳体27的截面形状可以是与壳体13相同的圆，也可以是方形、其它多边形。壳体27与基底基材12通过粘接剂等以不漏液体的方式进行接合，在对外壳28内填充液体的情况下，能够以不漏的方式储存该液体。
在壳体27的一部分被切缺而形成树脂接收部53。树脂接收部53是切缺壳体27的上部而形成，是贯通外壳28内外的贯通孔。树脂接收部53的底部呈由两个斜面55、56形成的截面V字形状的凹部，该凹部形成能够储存硅树脂30的树脂积存部54。外壳28内侧的树脂接收部53下端的高度高于与引线19的引线顶部(如上所述，在中央部向上的凸形形状的引线19中，该凸形形状的顶部)大致相同的高度或者引线顶部。在开关装置4的制造工序的减压工序中，当硅树脂30的液面上升至高于树脂接收部53的边缘时，硅树脂30流入到树脂积存部54。
构成树脂接收部53的底部的两个斜面中的、位于外壳28外侧的斜面55的上端变得高于外壳28内侧的斜面56的上端。因此，形成流入到树脂积存部54的硅树脂30不容易从树脂接收部53向外壳28外溢出的结构。
通过与上述第三典型实施例所涉及的开关装置1相同的制造方法来制造该图16示出的开关装置4。即，具有以下工序：注入工序，其将硅树脂30注入到外壳28中预定高度为止；减压工序，其在注入工序之后放置减压条件下来使硅树脂30的液面上升而脱泡；检测工序，其对在减压工序中硅树脂30的液面上升的情况进行检测；以及固化工序，其使硅树脂30固化。
在注入工序中注入的硅树脂30与上述第三典型实施例相同，硅树脂30的注入量为接合面21、22沉于硅树脂30且引线19的至少一部分从硅树脂30的液面露出的量。在将硅树脂30注入到该高度为止的状态下，硅树脂30不到达斜面56的上端，因此硅树脂30不会流入到树脂积存部54。
在接着进行的减压工序中，在放置在减压条件下的外壳28内硅树脂30与气泡一起被推上去，硅树脂30的液面上升至超过引线19的引线顶部的高度。此时，引线19整体附着硅树脂30，另一方面，硅树脂30的液面到达高于斜面56的上端的位置，因此硅树脂30流入到树脂接收部53，该硅树脂30积存于树脂积存部54内。之后，在放置在减压条件下期间或者减压解除之后进行检测工序。
图17是开关装置4的制造工序中的检测工序的说明图。如该图17所示，在检测工序中，从外壳28的倾斜上方起在图17的示例中从外壳28内侧向外侧的方向上，使用未图示的光源向树脂积存部54照射检查光L。在树脂积存部54中没有积存硅树脂30的情况下，检查光L照射到斜面55，向检查光L的入射侧、即外壳28内侧反射。与此相对，在硅树脂30积存在树脂积存部54的情况下，检查光L在硅树脂30的上面反射。在固化工序之前硅树脂30具有流动性，因此硅树脂30的上面形成水平。因此，如图17所示，检查光L向壳体27外侧反射。
因此，在检测工序中，通过检测检查光L的反射光的方向，能够光学地检测积存于树脂积存部54内的硅树脂30。该检查光L与在第三典型实施例中说明的检查光L相同。在发出检查光L的光源侧配置受光部(未图示)，当使用该受光部接收反射光时，在树脂积存部54中没有积存硅树脂30的情况下，受光量较大，在积存硅树脂30的情况下，受光量较小。根据该受光量的差来能够检测积存于树脂积存部54内的硅树脂30。在该情况下，设为斜面55中的检查光L的反射率较高的结构，将检查光L的波长设为由硅树脂30容易吸收的波长，则受光量的差变得更明显。另外，在图17的箭头所示的反射光的方向上设置受光部(未图示)，当使用该受光部接收反射光时，在树脂积存部54中没有积存硅树脂30的情况下，受光量较小，在积存硅树脂30的情况下，受光量较大。在该情况下，如果将斜面55的反射率设为较低而将检查光L的波长设为硅树脂30的表面的反射率较高的波长的光，则受光量的差变得更明显，能够更容易地进行可靠的检测。
这样，开关装置4具有对基底基材12接合壳体27而构成的外壳28，形成贯通构成外壳28的侧面的壳体27的树脂接收部53，树脂接收部53具有由两个斜面55、56构成的截面V字型的树脂积存部54。在硅树脂30的液面在减压工序上升至引线19的引线顶部为止的情况下硅树脂30流入到树脂积存部54。能够通过在检测工序中照射检查光L的光学方法来容易地检测流入到该树脂积存部54的硅树脂30，因此能够容易地确认在减压工序中在硅树脂30的上面露出的引线19整体中是否附着有硅树脂30。
并且，在开关装置4中，在壳体27中穿设有树脂接收部53，对流入到该树脂接收部53内的硅树脂30进行检测，因此不存在外壳28内部突出的部分而在外壳28内部配置基板15的工序、在形成引线19的工序中树脂接收部53不会碍事。因此，能够容易地检测外壳28内的结构部件的配置、不对其它工序带来影响而硅树脂30附着于引线19的情况。另外，不需要确保在外壳28内设置树脂接收部53的空间，因此不会由于检测工序的情况而对外壳28内的各部的配置进行限制，从而存在不会损坏外壳28内部的配置自由度这种优点。另外，在硅树脂30积存于树脂积存部54中的情况与没有积存的情况中，在固定位置接收到检查光L的反射光时的受光量明显不同，因此能够可靠地检测硅树脂30。
此外，上述典型实施例始终表示本发明的方式，能够在本发明的范围内任意地进行变形和应用。例如，在上述典型实施例中，作为覆盖接合面21、22、121、122以及引线19、119的合成树脂，例举将双组分的硅树脂30、130注入到开关模块6、102的情况来进行了说明，但是本发明并不限定于此，注入到外壳内的合成树脂并不限于硅树脂30、130。也就是说，是在注入时具有流动性而之后固化而形成凝胶状或者固体的合成树脂即可。另外，作为上述合成树脂，期望具有绝缘性和耐久性而不会使引线19、119以及接合面21、22、121、122的金属腐蚀的合成树脂，更优选在严酷的环境下也能够保持覆盖引线19、119以及接合面21、22、121、122的金属的状态的具有耐光性、耐热性、耐水性的合成树脂。具体地说，并不限于硅树脂，还能够使用环氧树脂等，可以是光固化性和热固性中的任一个，也可以包含添加剂等。例如，在使用光固化性硅树脂的情况下，当使用激光作为检查光L时，在检测对象的树脂积存部42、46、50、54以外光扩散而不照射，因此存在不会使外壳10、24、26、28内的合成树脂固化而能够进行检测这种优点。并且，在上述典型实施例中，说明了对具备安装有作为电子部件的半导体元件11、111的基板15、115的开关模块注入硅树脂30、130来制造开关装置的情况，但是本发明作为电子部件还能够应用于使用了电容器、电阻器等各种电路元件或者各种集成电路的装置中，外壳的形状也可以是任意的，例如也可以使用具备覆盖上面的盖子的外壳，在该情况下，在注入工序中打开盖子即可。另外，能够对开关装置和注入装置的具体细部结构任意地进行变更。
工业实用性
本发明能够用于具备半导体元件等的电子器件以及该电子器件的制造方法。
附图标记的说明
1、2、3、4开关装置(电子器件)
1A开关模块
10外壳
11半导体元件(电子部件)
15基板
19引线(金属线)
21、22接合面
30硅树脂(合成树脂)
31树脂覆膜
101、101A开关装置(电子器件)
102开关模块
110外壳
111半导体元件(电子部件)
115基板
119引线(金属线)
121、122接合面
130硅树脂(合成树脂)
131树脂覆膜
1100注入装置
1150真空室
1152注入喷嘴

Claims (14)

1.一种电子器件，具备：
外壳(10、24、26、28、110)；
电子部件(11、111)，其被收容到上述外壳(10、24、26、28、110)中；
金属线(19、119)，其通过引线接合与上述电子部件(11、111)接合在一起；以及
合成树脂(30、130)，其覆盖接合了上述金属线(19、119)的接合面(21、22、121、122)以及上述金属线(19、119)。
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，
将上述合成树脂(30、130)注入到上述外壳(10、24、26、28、110)内，注入的合成树脂的量是使得上述金属线的一部分从合成树脂的上表面露出的量，将上述外壳(10、24、26、28、110)放置在减压条件下，由此使上述合成树脂(30、130)的液面上升，使上述合成树脂(30、130)附着于在上述合成树脂(30、130)之上露出的上述金属线(19、119)，由此上述金属线(119)被上述合成树脂(30、130)覆盖。
3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，
还具备树脂接收部(41、45、49、53)，其被设置于上述外壳(10、24、26、28)上，在所注入的上述合成树脂(30)的液面到达上述金属线(19)之上的情况下，上述合成树脂(30)流入。
4.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，
上述树脂接收部(41)由在上述外壳内部的空间中露出的凹部(42)构成，
该凹部(42)的边缘位于与上述金属线(19)的上端相同的高度。
5.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，
上述树脂接收部(45、53)通过切缺上述外壳(24、28)的侧壁(23、27)而形成，具有在上述外壳(24、28)内部的空间露出的凹部(46、54)，该凹部(46、54)的边缘位于与上述金属线的上端相同的高度。
6.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，
还具备贯通孔(48)，其被设置于上述外壳(26)的侧壁(25)，在所注入的上述合成树脂(30)的液面到达与上述电子部件相接合的上述金属线之上的情况下，使上述合成树脂(30)向上述外壳(26)外流出，
上述树脂接收部(49)具有凹部(50)，该凹部(50)在上述外壳(26)的外侧面上被设置于上述贯通孔(48)的下方，储存从上述贯通孔(48)流出的上述合成树脂(30)。
7.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，
还具备在上述外壳(10)的内部的空间露出的凹部(42)，
上述金属线(19)的两端与上述接合面(21、22)相接合，呈向上的凸形形状，
上述金属线的上述凸形形状的顶部位于高于上述接合面(21、22)的位置，
上述凹部(42)位于与上述凸形形状的顶部相同的高度、或者位于高于上述凸形形状的上述顶部的位置。
8.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，
还具备凹部(46、54)，其切缺上述外壳(24、28)的侧壁(23、27)而形成，在上述外壳(24、28)内部的空间露出，
上述金属线(19)的两端与上述接合面(21、22)相接合，呈向上的凸形形状，
上述金属线的上述凸形形状的顶部位于高于上述接合面(21、22)的位置，
上述凹部(46、54)位于与上述凸形形状的顶部相同的高度或者位于高于上述凸形形状的上述顶部的位置。
9.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，
还具备贯通上述外壳(26)的侧壁(25)的贯通孔(48)，
上述金属线(19)的两端与上述接合面(21、22)相接合，呈向上的凸形形状，
上述金属线的上述凸形形状的顶部位于高于上述接合面(21、22)的位置，
上述贯通孔(48)位于与上述凸形形状的顶部相同的高度、或者位于高于上述凸形形状的上述顶部的位置。
10.一种电子器件的制造方法，通过引线接合对收容到外壳(10、24、26、28、110)中的电子部件(11、111)接合金属线(19、119)，接合有上述金属线(19、119)的接合面(21、22、121、122)被合成树脂(30、130)覆盖，
其中，将使上述金属线(19、119)的至少一部分从合成树脂(30、130)的上表面露出的量的上述合成树脂(30、130)注入到上述外壳(10、24、26、28、110)内，
将注入了上述合成树脂(30、130)的上述外壳(10、24、26、28、110)放置在减压条件下，通过减压使合成树脂(30、130)的液面上升，通过上述合成树脂(30、130)来覆盖在上述合成树脂(30、130)之上露出的上述金属线(19、119)。
11.根据权利要求10所述的电子器件的制造方法，其特征在于，
将上述金属线(19、119)的两端与上述接合面(21、22、121、122)相接合，将上述金属线(19、119)形成为向上的凸形形状，
在将上述合成树脂(30、130)注入到上述外壳(10、24、26、28、110)内时，注入上述合成树脂(30、130)，直到上述金属线(19、119)的至少上述凸形形状的顶部在所注入的上述合成树脂(30、130)的上表面之上露出、并且由所注入的上述合成树脂(30、130)覆盖全部上述接合面(21、22、121、122)的高度为止。
12.根据权利要求10或者11所述的电子器件的制造方法，其特征在于，
在将上述合成树脂(30、130)注入到上述外壳(110)内时，使将上述合成树脂注入到上述外壳的注入喷嘴(1152)在上述金属线(119)之上移动，将上述合成树脂(130)涂敷到位于上述合成树脂(130)的液面的上方的上述金属线(119)。
13.根据权利要求10或者11所述的电子器件的制造方法，其特征在于，
在上述外壳(10、24、26、28)中设置树脂接收部(41、45、49、53)，在所注入的上述合成树脂(30)的液面到达上述金属线(19)之上的情况下上述合成树脂流入到该树脂接收部(41、45、49、53)，
对流入到上述树脂接收部(41、45、49、53)的上述合成树脂(30)进行检测。
14.根据权利要求13所述的电子器件的制造方法，其特征在于，
在上述树脂接收部(41、45、49、53)中设置储存上述合成树脂(30)的凹部(42、46、50、54)，
通过对上述凹部(42、46、50、54)照射检查光，对流入到上述凹部(42、46、50、54)的上述合成树脂(30)进行光学检测。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104518076A (zh) * 2013-10-03 2015-04-15 隆达电子股份有限公司 发光模块及其应用
CN106548990A (zh) * 2015-09-17 2017-03-29 富士电机株式会社 半导体装置及电气装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5957814B2 (ja) * 2011-07-07 2016-07-27 富士電機株式会社 パワーモジュールの製造方法
JP2013055150A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP5687315B2 (ja) * 2013-07-01 2015-03-18 株式会社鈴野製作所 液体供給装置、液体供給方法およびパワー半導体モジュール
JP2015018971A (ja) * 2013-07-11 2015-01-29 富士通株式会社 放熱板、及び海中機器
ITUB20155681A1 (it) * 2015-11-18 2017-05-18 St Microelectronics Srl Dispositivo elettronico resistente a radiazioni e metodo per proteggere un dispositivo elettronico da radiazioni ionizzanti
JP6447557B2 (ja) * 2016-03-24 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR20210129483A (ko) * 2020-04-20 2021-10-28 현대자동차주식회사 솔더링 구조, 이를 갖는 파워 모듈 및 파워 모듈의 제조 방법
WO2024114961A1 (de) * 2022-11-30 2024-06-06 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiteranordnung mit zumindest einem halbleiterelement

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5824464Y2 (ja) * 1977-03-08 1983-05-25 株式会社デンソー 混成集積回路装置
JPH0328742U (zh) * 1989-07-28 1991-03-22
CN1619796A (zh) * 2003-11-19 2005-05-25 株式会社丰田自动织机 半导体器件
JP2006026513A (ja) * 2004-07-15 2006-02-02 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 樹脂塗布検出方法及び樹脂塗布装置
JP2006196929A (ja) * 2006-04-17 2006-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JP3807594B2 (ja) * 2000-07-31 2006-08-09 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 電子制御ユニット

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53122650A (en) 1977-04-01 1978-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Soldering method and device therefor
JPS5588245U (zh) 1978-12-13 1980-06-18
JP3518407B2 (ja) 1999-02-25 2004-04-12 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
JP3719420B2 (ja) 2002-03-20 2005-11-24 株式会社デンソー 電子装置およびその製造方法
JP5036563B2 (ja) * 2006-01-17 2012-09-26 スパンション エルエルシー 半導体装置およびその製造方法
US8017450B2 (en) * 2008-09-25 2011-09-13 Silverbrook Research Pty Ltd Method of forming assymetrical encapsulant bead

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5824464Y2 (ja) * 1977-03-08 1983-05-25 株式会社デンソー 混成集積回路装置
JPH0328742U (zh) * 1989-07-28 1991-03-22
JP3807594B2 (ja) * 2000-07-31 2006-08-09 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 電子制御ユニット
CN1619796A (zh) * 2003-11-19 2005-05-25 株式会社丰田自动织机 半导体器件
JP2006026513A (ja) * 2004-07-15 2006-02-02 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 樹脂塗布検出方法及び樹脂塗布装置
JP2006196929A (ja) * 2006-04-17 2006-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104518076A (zh) * 2013-10-03 2015-04-15 隆达电子股份有限公司 发光模块及其应用
CN106548990A (zh) * 2015-09-17 2017-03-29 富士电机株式会社 半导体装置及电气装置
CN106548990B (zh) * 2015-09-17 2021-07-09 富士电机株式会社 半导体装置及电气装置

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