CN102437291B - 发光器件、其制造方法以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

发光器件、其制造方法以及电子设备。在将驱动电路和像素部分形成在公共基板上的情况下，实现了使框架部分进一步减小。此外，利用大基板使发光器件具有用于获得大量面板的有利结构，由此可以增加从基板中得到的面板数量，从而提高生产率。按照本发明，在与外围电路部分重叠的位置提供接线电极，并且用各向异性的导电粘合材料使接线电极与FPC连接。此外，利用与基板的边缘和周围接触的密封剂将覆盖材料牢固固定。

Description

发光器件、其制造方法以及电子设备
技术领域
本发明涉及有机发光元件和使用这种有机发光元件的发光器件，该有机发光元件包括阳极、阴极和包含有机化合物的层，其中，当对有机化合物层施加电场时，这种有机化合物层能够发光(以下称之为“有机化合物层”、“电致发光层”或“EL层”)。例如，本发明涉及将包括有机发光元件的发光器件作为其部件安装的电子设备。
注意，在本说明书中的发光器件设备图像显示装置、发光器件或光源(包括照明系统)。另外，将连接器如柔性印刷电路(以下称为FPC)、TAB(磁带自动连接)带和TCP(携带封装)安装到发光器件上的模块、给TAB带或TCP的端部提供FPC的模块以及利用COG(玻璃上的芯片)焊接法将IC(集成电路)直接安装到发光元件上的模块都属于发光器件的范畴。
背景技术
最近几年中，对将EL元件用作发光元件的发光器件的研究已经取得了积极的进展，具体来说，将有机材料用作EL材料的发光器件正在引起人们的注意。这种发光器件也称为EL显示器。
注意，EL元件包括阳极、阴极和当对其施加电场时能发光(电致发光)的有机化合物层(EL层)。
由于发光器件是发光型的，与液晶显示器件不同，因此，它没有关于视角的问题。即，它比液晶显示器更适合于在户外使用，并且已经提出了这种发光器件的各种方式的用途。
EL元件具有由一对电极将EL层夹在中间的结构，并且，EL层一般具有叠层式结构。典型的情况是，使用将“空穴传输层、发光层和电子传输层”顺序叠放的叠层式结构。这种结构能够提供相当高的发光效率，并且被多数目前正在研究和开发的发光器件所采用。就是说，当将电场加到一对将有机化合物层夹在中间的电极上时，EL元件能够发出光线，这使得从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在有机化合物层的发光中心重新结合，形成分子的电子-空穴对，而分子的电子-空穴对在返回到基态的过程中释放能量，于是，发出光线。作为激发态，已知激发单重态和激发三重态，并且认为，通过任何一种激发态都能得到发光。
此外，由阴极、EL层和阳极构成的发光元件称为EL元件，并且，有两种使用这种EL元件的发光器件：在交叉提供的两种条纹电极之间形成EL层的发光器件(被动矩阵法)；以及在与TFT连接并且按照矩阵进行布置的像素电极与对面的电极之间形成的EL层的发光器件(有源矩阵法)。但是，当像素密度增加时，由于给每个像素(或每个点)提供一个开关的有源矩阵法能够使用较低的驱动电压，因此认为有源矩阵法更为有利。
由氧气和潮气引起的氧化和吸潮很容易使构成EL层的EL材料退化，这导致了发光元件的亮度降低或寿命缩短。
已经开发了具有防止EL元件出现这种退化的结构的显示器件。一种方法是将EL元件放在气密容器中，以便将EL元件封闭在气密空间中并且与外部空气隔绝，并且与EL元件分开地提供干燥剂(例如，见专利文件1)。
或者，另一种方法是在形成EL元件的绝缘体上形成密封剂，用填充材料充满在利用密封剂的情况下由覆盖材料和密封剂包围的空间，从而与外部空气隔绝(例如，见专利文件2)。
[专利文件1]序列号为Hei9-148066的已经公开的日本专利
[专利文件2]序列号为Hei13-203076的已经公开的日本专利
为了进一步减小发光器件的制造成本，已经提出了在公共基板上整体形成驱动电路和像素部分。
与利用TAB安装驱动电路在情况相比，当在公共基板上整体形成像素部分和用于控制像素部分的驱动电路时，作为像素区域以外的区域的框架部分趋向于占用更大的面积。为了减小框架部分的面积，需要减小驱动电路的规模。具体来说，包含屏幕尺寸为5英寸或更小的小尺寸显示板的移动电话要求进一步减小框架部分。
发明内容
考虑到上述情况，本发明的一个目的是实现使框架部分进一步减小。
本发明的另一个目的是提供一种高可靠性的发光器件及其制造方法，其中，可以在氧气或潮气到达发光元件之前将其隔绝。本发明的另一个目的是提供一种发光器件，它具有用于利用大尺寸的基板得到大量面板的有利结构，由此可以增加可以从基板中得到的面板的数量，由此提高生产率。
按照本发明，在与驱动电路部分重叠的位置提供接线电极，并且，用各向异性的导电粘合材料使接线电极与FPC连接。即，虽然传统上已经使驱动电路和接线电极位于分开的空间中，但按照本发明，使接线电极位于形成驱动电路的空间中，由此实现了使框架部分减小。
由于在与发光元件的第一电极相同的步骤中形成接线电极，由此可以在不增加步骤数量的情况下提供接线电极。此外，在驱动电路的TFT与接线电极之间提供了绝缘膜或叠层的绝缘膜，因而不会由于对FPC进行压力焊接而使电路，如位于驱动电路中的TFT，断裂。
此外，按照本发明，发光器件具有用于利用大尺寸基板得到大量面板的有利结构，由此可以增加能够从基板得到的面板数量，由此提高了生产率。在将基板分割为每个显示面板部分之后，利用与基板的边缘和周围接触的密封剂将覆盖材料牢固固定。由于利用与基板的边缘和周围接触的密封剂将覆盖材料牢固固定，因此可以减小像素部分与基板边缘之间的距离，也就是框架部分。
此外，与经过抛光的表面相比，由于基板的边缘更粗糙且因此附着力很高，因而在基板周围的密封剂的宽度可以进一步减小。增加覆盖材料与基板之间的附着力使发光器件的可靠性提高。
按照这样的结构，可以使用于分割大基板的画线之间的间隔变窄，因此可以增加从基板中得到的面板的数量。增加从基板中得到的面板的数量减少了制造一个面板的成本。
按照在本说明中披露的本发明的一种结构，提供了像素部分包括多个发光元件的发光器件，其中，每个发光元件包括叠层布置的第一电极、在第一电极之上的有机化合物层以及在有机化合物层之上的第二电极，并且在基板与覆盖材料之间形成驱动电路部分。在驱动电路部分之上，提供在驱动电路部分之上的、用与第一电极相同的材料构成的接线电极，并且使接线电极连接到FPC。
按照本发明的另一种结构，提供了像素部分包括多个发光元件的发光器件，其中，每个发光元件包括叠层布置的第一电极、在第一电极之上的有机化合物层以及在有机化合物层之上的第二电极，并且在基板与覆盖材料之间形成驱动电路部分。在驱动电路部分之上，提供用与第一电极相同的材料构成的接线电极，接线电极被连接到FPC，密封剂的端部和覆盖材料位于驱动电路部分之上。用密封剂将覆盖材料固定在基板的边缘和周围，并且覆盖材料覆盖基板边缘的一部分。
按照每一种上述结构，将干燥剂布置在被密封剂包围的气密空间中
此外，在全色发光器件中，当用于RGB(R：红，G：绿，B：蓝)的发光元件的可靠性彼此不同时，增加可靠性低于其它发光元件的发光元件的发光面积。例如，为了减小可靠性低于其它发光元件的蓝色发光元件的电流密度，通过增加蓝色发光元件的发光面积，提高该发光元件的可靠性。注意，为了增加蓝色发光元件的发光面积，理想的情况是使触排的宽度也减小。
按照在本说明中披露的本发明的另一种结构，提供了像素部分包括多个发光元件的发光器件，其中，每个发光元件包括叠层布置的第一电极、在第一电极之上的有机化合物层以及在有机化合物层之上的第二电极，这些部分都在基板与覆盖材料之间形成。发光元件包括用于红色、绿色、蓝色的三种发光元件，并且蓝色发光元件的第一电极具有比其它发光元件的第一电极更大的面积。
按照这种结构，用于红色、绿色、蓝色的三种发光元件能够具有大致相同的可靠性，由此可以防止在全色显示器中颜色随时间而退化。
此外，在每种上述结构中，覆盖材料具有部分覆盖基板边缘的形状。注意，在本说明中，由于覆盖材料包裹基板的端部，因此“覆盖”表示将基板的边缘部分覆盖或全部覆盖的情况。
按照本发明的密封结构和元件结构，能够显著地提高发光器件的可靠性。
附图说明
在附图中：
图1A和1B分别示出了发光器件的俯视图和剖面图(实施例模式1)。
图2A到2C示出了能够从基板中得到大量面板的发光器件的制作步骤(实施例模式1)。
图3A和3B示出了发光器件边缘的剖面图(实施例模式1)。
图4示出了EL显示器件的剖面图(实施例模式1)。
图5示出了像素的布局图(实施例模式2)。
图6A到6I为示出了起TFT激活层作用的半导体层的制造步骤的剖面图(实施例1)。
图7示出了发光器件的俯视图。(实施例2)
图8A和8B分别为发光器件的俯视图和剖面图(实施例2)。
图9A到9F为示出了可以被应用于本发明的EL显示板的像素配置的电路图。
图10示出了按照本发明，在利用TFT形成扫描线驱动电路的情况下的电路配置。
图11示出了按照本发明，在利用TFT形成扫描线驱动电路的情况下的电路配置(移位寄存器电路)。
图12示出了按照本发明，在利用TFT形成扫描线驱动电路的情况下的电路配置(缓冲器电路)。
图13A和13B示出了电子设备的例子。
图14A到14E示出了电子设备的例子。
具体实施方式
以下将对本发明的实施例模式进行描述。
[实施例模式1]
图1A和1B分别示出了发光器件与FPC之间的连接结构的例子以及发光器件的密封结构。
图1A为发光器件的俯视图，图1B为沿着图1A中的点划线A-B的剖面图。
如图1A和1B所示，按照本发明，在公共基板上形成像素部分302和外围电路部分309，并且在外围电路部分的TFT之上提供用于连接FPC306的接线电极310。通过将接线电极310布置在外围电路309所在空间中，能够实现使框架部分减小。
此外，由于利用与基板的边缘和周围接触的密封剂304将覆盖材料303牢固固定，可以进一步减小像素部分302与基板边缘之间的距离，即框架部分。注意，在像素部分302中，使每个都具有有机化合物层的发光元件按照矩阵排列。由TFT等构成外围电路部分307、308和309。
这里，利用具有图1A和1B所示形状的覆盖材料303将包括发光元件的像素部分302密封。对覆盖材料303的材料并没有特殊限制，只要它具有防潮防护性能即可，并且，基板可以由任何合成物构成，如W、Ni、Al、金属(例如，不锈钢)、玻璃、塑料和陶瓷等。或者，可以在这种基板的表面涂上无机绝缘膜如SiNX膜、SiNXOY膜、AlNX膜和AlNXOY膜等，以获得防护性能。这里，由金属构成的密封罐被用作覆盖材料303，并且，通过具有透光状态的基板301得到从发光元件发出的光线。
覆盖材料303具有覆盖基本301的三个侧面的形状，并且，在这三个侧面中，将密封剂304提供在基板的边缘上，由此将被密封剂包围的空间严密地密封。为了安装FPC306，用在剩余的一个侧面中的密封剂将基板的表面和覆盖材料牢固固定，其中，当从顶部看时，与其它三个侧面相比，密封剂的宽度更宽。在其它三个侧面中，在基板的边缘上提供密封剂304，并且，充分保证外部空气与密封剂之间的界面与气密空间与密封剂之间的界面之间的距离。用氮气充满被密封剂304包围的内部气密空间，并且用干燥剂305去除其中的少量潮气，由此得到充分干燥的空间。
此外，与经过抛光的表面相比，由于基板301的边缘较粗糙，因此具有很强的附着性，可以进一步减小密封剂的宽度。
另外，通过在基板的边缘上提供密封剂304，即使当将像素部分302以及外围电路部分307、308和309等都形成在基板301上时，也可以减小像素部分302与基板边缘之间的距离，即框架部分。
此外，如果需要，可以通过在敞开空间中或FPC上安装IC芯片(存储器芯片、CPU芯片和功率电路芯片等)来实现集成化。
图2A到2C示出了加工步骤的典型顺序。
首先，在大基板上提供多个面板区域402，每个面板区域402都包含TFT和发光元件，从而形成有源矩阵基板401(图2A)。注意，面板区域402是包括至少一个像素部分的一个面板的区域。
然后，对每个像素部分进行分割以得到基板404，并且，用覆盖材料403将每个基板密封(图2B)。图C示出了密封之后的基板的剖面图。如图2C所示，给基板的边缘提供密封剂405，以便固定覆盖材料403。在图2C中，覆盖材料403、基板404的背面和密封剂405的暴露(外)表面形成了大致直线的外边缘。用干燥剂406去除被密封剂405包围的气密空间内部的少量潮气，由此使其充分干燥。
按照上述顺序，可以给发光器件提供用于利用大基板得到大量面板的有利结构。按照本发明，可以减小在基板周围的密封剂的宽度，由此可以增加可以从一个基板中得到的面板数量。
图3A示出了本发明的发光器件的端部(用覆盖材料覆盖的基板的端部)的典型剖面图。
在图3A中，在基板101上形成像素部分102和外围电路部分107，用覆盖材料104将其覆盖。如图3A所示，利用与基板101的边缘和周围接触的密封剂103将覆盖材料104牢固固定，因此，可以减小像素部分102与基板的边缘之间的距离，即框架部分。注意，在像素部分102中，按照矩阵对每个都具有有机化合物层的发光元件进行布置。
此外，由于发光元件在防潮方面较弱，因此将干燥剂放在被基板101、覆盖材料104和密封剂103包围的气密空间106中。注意，用干燥的惰性气体充满气密空间106。用干燥剂105去除被密封剂103包围的气密空间106内部的少量潮气，由此使其充分干燥。
作为干燥剂105，可以使用利用化学吸附吸收潮气的物质如碱土金属的氧化物(例如，氧化钙和氧化钡)。或者，可以将通过物理吸附吸收潮气的物质如沸石(zeolite)和硅胶(silicagel)等用作其它干燥剂。
例如，如果要求用于密封的密封剂的总宽度(固定时的宽度)为2mm，为了牢固固定基板的边缘和周围而将基板的厚度t1设定为0.7mm，则通过将在基板的周围上密封剂103的宽度w1设定为1.3mm，可以得到2mm的总宽度。
作为与基板的边缘和周围接触的密封剂103，可以使用紫外线光可凝固树脂、热固树脂、硅酮树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、PVC(polyvinylchloride，聚氯乙烯)、PVB(polyvinylbutyral聚乙烯醇缩丁醛)或EVA(Ethylenevinylacetate，乙烯醋酸乙烯)等。或者，密封剂可以是添加了填充物(棒形或纤维形的间隔物)的材料，或者，可以是添加了球形间隔物的材料。
图3B示出了本发明的发光器件的端部的另一个典型剖面图。注意，在覆盖材料的形状上，图3B与图3A不同。此外，与图3A相似，利用干燥剂205去除被密封剂203包围的气密空间内部的少量潮气，由此使其充分干燥。
在图3B中，在基板201上形成像素部分202和外围电路部分207，用覆盖材料204将其覆盖。通过将覆盖材料的形状调整得符合基板的边缘，可以使密封剂203的侧面与基板的表面厚度均匀。即使提供了由驱动电路、保护电路等构成的外围电路部分207，也可以减小像素部分202与基板边缘之间的距离，即框架部分。
例如，如果要求用于密封的密封剂的总宽度(固定时是宽度)为1.5mm，为了牢固固定基板的边缘和周围而将基板的厚度t2设定为0.5mm，则通过将在基板周围的密封剂203的宽度w2设定为1mm，可以得到1.5mm的总宽度。
覆盖材料的形状并不具体限制为图3A和3B所示的形状，只要它具有覆盖基板边缘的形状即可。例如，可以使用具有覆盖基板边缘的马蹄形截面的，具体来说，使得覆盖材料的端部到达了基板背面的覆盖材料。在这种情况下，密封剂不仅与基板边缘接触，而且与基板的背部接触。
按照本发明，可以利用例如尺寸为320mm×400mm、370mm×470mm、550mm×650mm、600mm×720mm、680mm×880mm、1000mm×1200mm、1100mm×1250mm或1150mm×1300mm的大基板来提高制造发光器件的效率。此外，当通过使用大基板得到大量面板时，制作步骤如下：将基板分割成每个像素部分；然后用密封剂将覆盖材料牢固地固定在每个基板上。
图4示出了清楚地表示出TFT与发光元件之间的位置关系的典型剖面结构。
以下主要对图4所示的发光器件的制造步骤进行描述。
首先，在基板10上形成底层绝缘膜，然后在其上形成每个半导体层。随后，形成覆盖半导体层的栅极绝缘膜并且形成每个栅极电极。
然后，为了形成N沟道TFT36，通过在半导体层中掺入N型搀杂元素(典型的是磷或As(砷))，并且为了形成P沟道TFT35和37，通过在半导体层中掺入P型搀杂元素(典型的是硼)，形成源区和漏区，并且如果需要，形成LDD区。
然后，形成第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜11。第一层间绝缘膜由通过PCVD得到的无机材料(二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等)构成。这里，使用通过涂层得到的并且由通过粘合硅(Si)和氧(O)形成的骨架组成的绝缘膜。
然后，利用掩模在第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜11中形成接触孔，同时清除周围的层间绝缘膜。于是，在去除了掩模之后，形成导电膜(顺序叠层的TiN膜、Al(C+Ni)合金膜和TiN膜)，并且，形成另一个掩模，以利用该掩模进行蚀刻，由此形成线路(TFT的源极和漏极线路、电源线等)。注意，Al(C+Ni)合金膜是一种即使在进行导电或热处理之后，其对ITO或ITSO的接触电阻也不会有很大波动的材料。
然后，去除掩模，并且形成第三层间绝缘膜12。第三层间绝缘膜12是由通过涂层得到的并且由通过粘合硅(Si)和氧(O)形成的骨架组成的绝缘膜构成的。
然后，利用另一个掩模，在第三层间绝缘膜12中形成接触孔，同时去除周围的层间绝缘膜。
于是，在去除了掩模并且沉积了透光导电膜之后，用另一个掩模形成图形，由此得到第一电极13、接线电极27和电极图形25和26。注意，电极图形25覆盖了层间绝缘膜的边缘，由此阻挡外部潮气。相似地，电极图形26阻挡外部潮气。作为透光导电膜，可以使用氧化铟锡(indiumtinoxide，ITO)以及其他透光导电材料如包含Si元素的氧化铟锡(ITSO)和通过将氧化铟与2％到20％的氧化锌(zincoxide，ZnO)混合得到的IZO(IndiumZincOxide，氧化铟锌)等。注意，ITSO是一种不易通过导电或热处理而结晶并且能够提供很平坦的表面的材料。
然后，去除掩模并且利用另一个掩模形成覆盖第一电极13的端部触排19。触排19是由光敏的或非光敏的，厚度为0.8到1μm的有机材料(聚酰亚胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂或苯并吨等)或SOG薄膜(例如，包含烷基族的SiOX薄膜)构成的。
然后，通过沉积或涂层形成有机化合物层14。
注意，为了提高发光元件的可靠性，最好在形成有机化合物层14之前进行真空加热，以进行脱气。例如，在沉积有机化合物材料之前，为了去除包含在基板中的气体，理想的情况是在低压空气或惰性气体中进行200℃到300℃的热处理。
然后，在有机化合物层14上形成厚度为10到800nm的第二电极15，即有机发光元件的阴极。可以利用由合金如MgAg、MgIn以及AlLi、Ca3N2或共蒸发铝以及在元素周期表中的第一组或第二组中的元素得到的薄膜形成第二电极15。或者，可以利用在Al中包含0.3原子百分比的C和3原子百分比的Ni的AL(C+Ni)合金薄膜形成第二电极15。注意，Al(C+Ni)合金薄膜是一种即使在进行导电或热处理之后，其对ITO或ITSO的接触电阻也不会有很大波动的材料。
按照这样的方式，制造发光元件和TFT。为了得到全色显示，对构成用于RGB的发光元件的阳极、有机化合物层和阴极的每种材料都要进行适当选择，并且要对其厚度进行控制。
然后，形成覆盖发光元件的用于阻挡潮气的保护层16。可以利用通过溅射法或CVD得到的氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜(SiNO薄膜(成分比为N＞O)或SiON薄膜(成分比为N＜O))，或者将碳作为其主要成分的薄膜(例如，DLC薄膜或CN薄膜)等形成保护层16。
然后，在将基板分割为理想尺寸之后，利用包含用于保证空间的间隙材料(装填物(纤维棒)、精细颗粒(有机硅颗粒)等)的密封剂28将提供了干燥剂18的覆盖材料20粘在基板10上。用干燥的惰性气体填充被密封剂28包围的气密空间17。覆盖材料在端部覆盖基板10的侧面。此外，使在配备了接线电极的侧面上的覆盖材料的端部位于部分与驱动电路部分重叠的位置。相似地，使密封剂28位于部分与驱动电路部分重叠的位置。
最后，通过已知的方法，用各向异性的导电薄膜31将FPC32粘在接线电极27上。与第一电极13同时形成接线电极27。此外，接线电极27位于部分与驱动电路部分重叠的位置。
利用覆盖材料20将按照这种方式制作的有源矩阵发光器件严格密封，由此提高了发光器件的可靠性。
在本发明的发光器件中，对用于图像显示的驱动方法没有特殊限制，例如，可以使用点顺序驱动法、线顺序驱动法和帧顺序驱动法等。一般来说，使用线顺序驱动法，但是，也可以适当地使用时分灰度级驱动法或者面积灰度级驱动法。此外，输入到发光器件的源极线的视频信号可以是模拟信号或数字信号。可以按照这样的视频信号设计驱动电路等。
此外，具有数字视频信号输入端的发光器件被分类为输入到像素的视频信号是恒电压(CV)或恒电流(CC)的发光器件。具有恒电压(CV)视频信号输入端的发光器件被分类为给发光元件加恒定电压的发光器件(CVCV)和给发光元件加恒定电流的发光器件(CVCC)。同时，具有恒电流(CC)视频信号输入端的发光器件被分类为给发光元件加恒定电压的发光器件(CCCV)和给发光元件加恒定电流的发光器件(CCCC)。
此外，为了防止静电放电损害，可以给本发明的发光器件提供保护电路(保护二极管等)。
此外，为了增强对比度，可以提供偏振器或圆形偏振器。
[实施例模式2]
图5示出了RBG发光元件的可靠性彼此不同的全色发光器件的例子。这里，仅将可靠性低于其它颜色发光元件的发光元件的发光区域扩大。
图5为布置了多个发光元件的布局图，其中，每个发光元件都具有叠层布置的第一电极、在第一电极之上的有机化合物层和在有机化合物层之上的第二电极。图5对应于完成了制作TFT和第一电极的布局图。
图9对应于图5所示的像素布局图的等效电路图。
在图5中，形成了比绿色发光元件的第一电极802和红色发光元件的第一电极803更大的蓝色发光元件的第一电极801。
此外，形成覆盖每个第一电极端部的、不同宽度的触排，以使每个第一电极之间的间隔彼此不同。例如，电极之间的间隔WGB和电极之间的间隔WBR为15μm，而电极之间的间隔WGR为20μm。
此外，绿色发光元件的第一电极802的宽度WG与红色发光元件的第一电极803的宽度WR一致，但蓝色发光元件的第一电极801的宽度WB较宽，导致对于蓝色发光元件来说，每个像素的孔径比为64％。红色发光元件每个像素的孔径比和绿色发光元件每个像素的孔径比为50％。
按照这样的方式，通过仅扩大蓝色发光元件的发光区域，提高了发光器件的可靠性。
注意，由起发光元件的发光层作用的有机化合物层形成的分子电子-空穴对具有受激单重态和受激三重态两种状态。基态一般为受激单重态，因此，从受激单重态得到的发光称为荧光，而从受激三重态得到的发光称为磷光。
例如，通过对CBP(4，4’-bis(N-carbazolyl)biphenyl)和Ir(ppy)3(tris(2-phenylpyridinato-N，C2，)iridium)进行共蒸发得到的薄膜是可以从受激三重态得到发光(磷光)的有机化合物(也称为三重态化合物)。从受激三重态得到发光(磷光)表现出比从受激单重态得到的发光(荧光)更高的发光效率，这使得可以减小为了得到相同的亮度所需要的工作电压(使有机发光元件发光所需要的电压)。
从有机化合物层发出的光包括通过两种受激态中的任何一种受激态得到的光。此外，可以将荧光和磷光结合，这可以根据每个RGB的发光特性进行选择(发光效率、寿命等)。例如，这样的结合可以是将能够得到磷光的有机化合物(三重化合物)仅用作用于绿色的发光元件的发光层；而将能够得到荧光的有机化合物(单重化合物)用作用于蓝色和红色的发光元件的发光层。
有机化合物层具有自第一电极侧顺序叠放的层，包括：HIL(空穴注入层)、HTL(空穴传输层)、EML(发光层)、ETL(电子传输层)和EIL(电子注入层)等。注意，有机化合物层也可以具有单层结构或者具有无机化合物的混合结构以及叠层结构。
此外，在全色显示的情况下，可以通过利用蒸发掩模或喷墨法进行沉积，分别使用用于发出红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)光的材料，有选择地形成包含有机化合物的层。
具体来说，可以用CuPc(cupperphthalocyanine)或PEDOT(poly-ethylenedioxy-thiophene)构成HIL，可以用a-NPD(4，4’-[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]-biphenyl)构成HTL，可以用BCP(bathocuproine)或Alq3(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)构成ETL，并且可以用BCP：Li(lithium)或Caf2(calciumfluoride)构成EIL。例如，对于EML来说，可以使用对应于发出红绿蓝每种颜色光的掺杂物掺杂的Alq3(DCM(4-(dicyano-methlene)2-methyl-6-(p-dimethyl-amino-styryl)-4H-pyran)等用于红色，DMQD(N，N’-dimethylquinacridone)等用于绿色)。注意，电致发光层不限于上述叠层结构的材料。例如，代替CuPc或PEDOT，为了提高空穴注入性能，可以将氧化物如氧化钼(MoOX∶x＝2到3)与a-NPD或红荧烯(rubrene)共蒸发。对于这种材料，可以使用有机材料(包括低分子量和高分子量的有机材料)或者有机材料和无机材料的复合材料。
本实施例模式可以自由地结合实施例模式1实施。
对于具有上述结构的本发明，将对下面的实施例进一步进行详细说明。
[实施例1]
在本实施例中，将参照图6A到6I，对半导体层的示意性的制作步骤进行描述，其中包括：进行搀杂金属元素的结晶；利用包含臭氧的溶液进行氧化，进行热处理以减小变形，然后进行吸气。
在图6A中，标号710表示具有绝缘表面的基板，711表示起阻挡层作用的绝缘膜，712表示具有非晶质结构的半导体膜。
首先，如图6A所示，在基板710上形成由绝缘膜如氧化硅膜、氮化硅膜和氮氧化硅膜(SiOxNy)制成的底层绝缘膜711。
然后，在底层绝缘膜上形成具有非晶质结构的第一半导体薄膜712。第一半导体薄膜712是由以硅作为其主要成分的半导体材料构成的。一般，采用通过等离子CVD、低压CVD或溅射法形成的、厚度为10到100nm的非晶质硅膜或非晶质硅锗膜。为了在随后的结晶步骤中得到具有高质量结晶结构的半导体膜，最好将具有非晶质结构的第一半导体薄膜712设定为包含的杂质如氧气和氮气少到浓度为5×1018/cm3(用二次离子质谱法(secondaryionmassspectroscopy，SIMS)测量的原子浓度)或更少。这些杂质将是影响随后的结晶的因素，并且还将是即使在结晶之后使俘获中心或复合中心的密度增加的因素。因此，理想的情况是不仅使用高纯度的材料气体，而且使用具有经过镜面表面处理(抛光)的室的超高真空CVD设备和无油型真空蒸发系统。
然后，利用在已经公开的、序列号为Hei8-78329的日本专利中披露的技术，使具有非晶质结构的第一半导体薄膜712结晶。按照在该专利出版物中披露的技术，将促进结晶的金属元素有选择地搀入非晶质硅膜中，并且进行热处理，以得到从搀杂区域开始的具有结晶结构的半导体薄膜。这种技术对于减少结晶所需要的加热温度以及加强沿着单方向的晶体取向具有有利的作用。当利用具有这样的结晶结构的半导体薄膜形成TFT时，不仅能够提高场效应迁移率，而且可以减少副阈值因数(S值)，这可以显著地提高电气性能。
首先，用喷嘴将包含对促进结晶有催化作用的、重量为百万分之一到一百的金属元素(这里为镍)的乙酸镍溶液涂在具有非晶质结构的第一半导体薄膜712的表面上，由此形成含镍层713(图6B)。作为除了喷涂以外用于形成含镍层713的另一种方法，可以使用用于通过溅射、沉积或等离子处理形成更薄的薄膜的方法。此外，虽然这里示出的例子是喷涂在整个表面上，但是，可以利用掩模有选择地形成含镍层。
然后，进行用于结晶的热处理。在这种情况下，在与用于促进半导体结晶的金属元素接触的那部分半导体薄膜中形成硅化物，结晶以硅化物作为核心发展。按照这样的方式，得到如图6C所示的具有结晶结构第一半导体薄膜714a。注意，理想的情况是，在结晶之后，包含在第一半导体薄膜714a中的氧的浓度为5×1018/cm3或更小。这里，在进行用于脱氢的热处理之后(450℃，经过1小时)，进行用于结晶的热处理(550到650℃，经过4到24小时)。在利用强光照射进行结晶的情况下，可以使用红外光、可见光和紫外光中的任何一种光或者它们的组合。注意，如果需要，可以在进行强光照射之前，进行用于排除包含在具有非晶质结构的第一半导体薄膜714a中的氢的热处理。或者，结晶时可以同时进行热处理和强光照射。从生产率的角度考虑，通过强光照射进行结晶是理想的。
在按照这样的方式得到的第一半导体薄膜714a中，残留了金属元素(这里是镍)。尽管它不均匀地残留在薄膜中，但其残留的平均浓度超过1×1019/cm3。不用说，即使在这种情况下，仍然能够形成各种半导体元件如TFT，但是，通过如以下描述的吸气法可以将金属元素去除。
这里，在进行激光照射之前，先去除在结晶步骤中形成的自然氧化物膜。这种自然氧化物膜包含了高浓度的镍，因此，最好将其去除。
然后，为了增加结晶度(在薄膜的总体积中已经结晶的成分的程度)，并且为了补偿留在晶粒中的缺陷，用激光对具有结晶结构的第一半导体薄膜进行照射(图6D)。在照射激光的情况下，在半导体薄膜174b中形成变形或皱纹，由此在表面上形成非常薄的表面氧化物膜(没有示出)。作为在这种情况下使用的激光，可以使用从作为脉冲振荡器的激光源中发射的波长为400nm或更小的受激准分子激光，或者钇铝石榴石(YAG)激光器的二次或三次谐波。或者可以通过利用能够连续振荡的固态激光器，利用基波的二到四次谐波。一般来说，最好使用由Nd:YVO4激光器(基波：1064nm)得到的二次谐波(532nm)或三次谐波(355nm)。
利用激光照射能够得到的表面氧化物膜比利用含臭氧水溶液得到的氧化物膜更硬，因此，作为起蚀刻阻断剂作用(阻挡层)的氧化物膜来说，性能优越。因此，由于可以减少步骤的数量，因此不需要去除由激光照射产生的表面氧化物膜。
然后，利用含臭氧水溶液在半导体薄膜714b上形成厚度为1到10nm的，起蚀刻阻断剂(称为阻挡层)作用的氧化物膜715(图6E)。
然后，在氮气中进行减小半导体薄膜变形的热处理(将半导体薄膜瞬时加热到约400到1000℃的热处理)，由此得到半导体薄膜714c(图6F)。
然后，在阻挡层715上形成包含惰性气体元素的第二半导体薄膜716a(图6G)。注意，惰性气体元素是从He、Ne、Ar、Kr和Xe中选择的一个或多个元素。在它们当中，从批量生产的角度讲，廉价的氩气(Ar)是最好的。作为形成第二半导体薄膜的方法，可以采用溅射法或等离子CVD，但从批量生产的角度讲，等离子CVD特别合适，这是由于可以用气体对沉积室(也称为室)进行清洁，这比溅射法更易于维护。在本实施例中，在形成氧化物膜(阻挡层)之前或之后进行热处理(瞬时加热到约400到1000℃)，以得到坚硬的氧化物膜，由此阻挡由等离子等造成的损害。为了在氧化物膜(阻挡膜)中形成变形或悬浮搭接，通过在有意识地利用在薄膜沉积时产生的等离子仅对氧化物膜(阻挡层)造成损坏时阻挡第一半导体薄膜，沿着使变形减缓的方向运动的金属元素可以有效地通过，进入吸气地点，并且因此可以被俘获。在有意识地利用在薄膜沉积时产生的等离子仅对氧化物膜(阻挡层)造成损坏的情况下，最好增加等离子CVD的射频功率密度。例如，最好是300W(0.052W/cm2)、400W(0.069W/cm2)，或者400W或更大的射频功率。
随后，通过减少在第一半导体薄膜中的金属元素(镍)的浓度或者去除金属元素，进行用于吸气的热处理(图6H)。作为用于吸气的热处理，一种处理是用强光照射，另一种处理是使用加热炉，还有一种处理是将基板放入经过加热的气体中，停留几分钟之后将其取出。按照这样的吸气，金属元素沿着图6H中的箭头方向(即，从基板向第二半导体薄膜表面的方向)移动，由此将包含在被阻挡层715覆盖的第一半导体薄膜714d中的金属元素去除，或者使其浓度减小。
然后，利用作为蚀刻阻断剂的阻挡层715，有选择地仅将由716b所示的第二半导体薄膜去除。然后去除阻挡层715。
随后，利用已知的形成图形的技术使第一半导体薄膜714d形成图形，以得到具有理想形状的半导体层717(图6I)。注意，在去除阻挡层之后并且在形成抗蚀剂掩模之前，理想的情况是用臭氧水在表面上形成薄的氧化物膜。
还要注意，如果需要，为了控制TFT的阈值电压，在形成图形之前，通过上述的氧化物膜，搀入少量杂质元素(硼或磷)。如果进行通过上述的氧化物膜搀杂，而氧化物膜被去除，则利用含臭氧的水溶液再次形成另一个氧化物膜。
在完成了形成具有理想形状的半导体层的步骤之后，用含氢氟酸的蚀刻剂对半导体层的表面进行清洗，由此形成所含主要成分为硅的、起栅极绝缘膜作用的绝缘膜。理想的情况是在不暴露到空气中的情况下，表面清洗和形成栅极绝缘膜连续进行。然后，对栅极绝缘膜的表面进行清洗，并且形成栅极电极。随后，将N型搀杂元素(P、As等)和P型搀杂元素(B等)适当地搀入半导体层，由此形成源区和漏区。在搀杂之后，进行用于激活搀杂元素的热处理、强光照射或激光照射。在进行激活的同时，可以修复对栅极绝缘薄膜造成的等离子损伤以及在栅极绝缘膜与半导体层之间的界面上造成的等离子损伤。随后，形成层间绝缘膜，进行氢化处理，形成到达源区和漏区的接触孔，并且沉积将要形成图形的导电膜，由此形成源极电极和漏极电极，完成TFT。注意，利用从Mo、Ta、W、Ti、Al和Cu中选择的元素，将这种元素作为其主要成分的合金材料或复合材料，以单层或多层的方式，形成源极电极和漏极电极中的每一个。例如，使用：Ti膜、纯Al膜和Ti膜的三层结构；或者Ti膜、含Ni和C的Al合金膜和Ti膜的三层结构。此外，考虑到在随后的步骤中形成的层间绝缘膜等，理想的情况是形成的电极具有锥形截面。
按照这样的方式得到的TFT的沟道形成区相对平坦，并且由此可以减小变形。利用如此得到的TFT，构成像素部分和驱动电路，完成发光器件。注意，可以按照实施例模式1制造发光器件。
此外，如果需要，可以提供低浓度漏极(LDD：LightlyDopedDrain，低搀杂漏极)结构，其中，在沟道形成区与漏区(或源区)之间形成LDD区。通过在沟道形成区与以高浓度搀入搀杂元素形成的源区或漏区之间提供以低浓度搀入搀杂元素的区，得到这样的结构，这样的区称为LDD区。此外，可以在LDD区与栅极电极重叠，将栅极绝缘膜夹在其中的地方提供所谓的GOLD(栅极漏极重叠LDD)结构。
在利用其中搀入了金属元素的结晶的情况下，在基板中完全不进行吸气。在吸气过程中的变化导致了轻微差异，即每个TFT特性之间的差异。因此，在本实施例中示出的步骤是有效的。对于将有机化合物层用作发光层的发光器件(包括EL元件的发光器件)，TFT是实现有源矩阵驱动法的基本元件。因此，在使用EL元件的发光器件中，每个像素至少包括一个起开关元件作用的TFT和一个用于给EL元件提供电流的TFT。无论像素的电路结构和驱动方法如何，像素的亮度决定于与EL元件电连接并且给EL元件提供电流的TFT的导通电流(Ion)。因此，例如，当在整个屏幕上显示白色时，除非导通电流恒定，否则会出现亮度变化。
此外，本发明不限于在图6A到图6I中所示的制作步骤，例如，在激光照射之后，可以进行热处理以减小半导体薄膜的变形，然后，可以利用含臭氧的水溶液形成总厚度为1到10nm的氧化物膜。此外，在去除氧化物膜之前，可以再次进行热处理，以减小半导体薄膜的变形，此后，可以将得到的氧化物膜去除。
或者，在激光照射之后，可以顺序进行下列步骤：使半导体薄膜形成图形；进行热处理以减小半导体薄膜的变形；利用含臭氧的水溶液形成总厚度为1到10nm的氧化物膜；并且，将氧化物膜去除。注意，为了减少步骤，可以在不去除氧化物膜的情况下形成栅极绝缘膜。
或者，在激光照射之后，可以顺序进行下列步骤：使半导体薄膜形成图形；利用含臭氧的水溶液形成厚度为1到10nm的氧化物膜；进行热处理以减小半导体薄膜的变形；并且，将氧化物膜去除。注意，为了减少步骤，可以在不去除氧化物膜的情况下形成栅极绝缘膜。
本实施例可以自由地结合实施例模式1或实施例模式2实施。
在本实施例中，将对将FPC和驱动IC安装在按照上述实施例制作的EL显示板上的例子进行描述。
图7示出了将FPC1209分别安装在四个接线端部分1208上的发光器件的典型俯视图。在基板1210上，形成包括发光元件和TFT的像素部分1202、包括TFT的栅极驱动电路1203和包括TFT的源极驱动电路1201。在本实施例中，在与源极驱动电路1201重叠的位置形成接线端部分1208。
在形成TFT的、具有结晶结构的半导体薄膜有源层的情况下，可以在公共基板上形成这些电路。因此，可以制成实现了板上系统的EL显示板。
此外，为了将发光元件的第二电极连接到下层线路，提供了在像素部分的相对侧形成的连接区域1207。注意，发光元件的第一电极与在像素部分中提供的TFT电气连接。
为了包围像素部分1202和连接区域1207，用密封剂1205将覆盖材料1204固定到基板1210上。密封剂1205与源极驱动电路1201部分重叠。此外，可以将干燥剂布置在被密封剂1205包围的区域中。
图8A和8B为具有减小了的框架部分的小尺寸(例如，1.5英寸)发光器件的例子，其中采用了令人满意的COG焊接。
图8A示出了发光器件的俯视图，图8B示出了沿着图8A的点划线A-B的剖面图。在公共基板上形成像素部分902和外围电路部分909，在外围电路部分的TFT之上提供用于连接FPC906的接线电极910。通过使接线电极910位于布置了外围电路部分909的空间中，实现了使框架部分减小。覆盖材料903具有覆盖基板901的三个侧面的形状，在这三个侧面中，在基板的边缘上提供密封剂904，由此将被密封剂包围的空间严密密封。被密封剂904包围的气密空间被充满氮气，利用干燥剂905去除其中的少量潮气，由此得到充分干燥的空间。
在图8A和图8B所示的发光器件中，将集成电路芯片911安装在FPC906上。在安装集成电路芯片911的位置，在外围电路部分909之上提供接线电极910，并且用各向异性的导电粘合材料将接线电极910固定到FPC906上，并且在FPC906上进一步叠放集成电路芯片911。
此外，在基板901上，通过COG焊接安装集成电路芯片912。注意，集成电路芯片911和912是以存储器芯片、CPU芯片和功率电路芯片等为代表的芯片。
注意，考虑到像素部分一个边的长度或像素间距，集成电路芯片911和912中的每一个都可以具有长边为15到80mm、短边为1到6mm的矩形形状。或者，每个芯片的长边可以等于像素部分902的一个边，或者等于像素部分的一个边与每个外围电路部分的一个边的总长度。
本实施例可以自由地结合实施例模式1、实施例模式2或实施例1实施。
[实施例3]
在本实施例中，参照在图9A到9F中示出的等效电路，对EL显示板的像素配置进行描述。
图9A所示的像素包括沿着列方向布置的信号线1410和电源线1411到1413，以及沿着行方向布置的扫描线1414。它还包括开关TFT1401、驱动TFT1403、电流控制TFT1404、电容器1402和发光元件1405。
除了TFT1403的栅极电极与沿着行方向布置的电源线1413连接以外，图9C所示的像素具有与图9A所示的像素相同的配置。即，在图9A和9C中所示的像素是等效电路。但是，在电源线1413沿着列方向布置的情况下(图9A)和电源线1413沿着行方向布置的情况下(图9C)，电源线1413各利用不同层的导电层构成。这里，焦点集中在用于连接驱动TFT1403的栅极电极的布线上，为了区分用于形成相应的布线的层之间的区别，对图9A和图9C分开进行描述。
在图9A和图9C所示的像素中，TFT1403和1404串联连接，TFT1403的沟道长度L3和沟道宽度W3和TFT1404的沟道长度L4和沟道宽度W4被设定为满足：L3/W3∶L4/W4＝5到6000∶1。作为满足6000∶1的例子，认为在这种情况下，L3为500μm，W3为3μm，L4为3μm，W4为100μm。
注意，TFT1403工作在饱和区，起控制提供给发光元件1405的电流值的作用，而TFT1404工作在线性区，起控制发光元件1405的电流源的作用。根据制作步骤，两个TFT最好具有相同的电导率。此外，TFT1403可以是耗尽型TFT以及增强型TFT。按照这样的配制，TFT1404工作在线性区。因此，TFT1404的VGS轻微波动不会影响发光元件1405的电流值。即，发光元件1405的电流值取决于工作在饱和区的TFT1403。按照这样的配置，可以提供由于TFT的特性变化而引起发光元件的亮度不均匀被改进的显示器件，从而提高了图像质量。
在图9A到图9D所示的像素中，TFT1401对输入到像素的视频信号进行控制。当TFT1401导通并且视频信号被输入到像素时，视频信号被存储在电容器1402中。注意，图9A和9C都示出了提供电容器1402的配置，但本发明不限于此，当栅极电容等能够代替用于存储视频信号的电容器时，电容器1402可以省略。除了另外提供了TFT1406和扫描线1415以外，图9B中示出的像素具有与图9A相同的像素配置。相似地，除了另外提供了TFT1406和扫面线1415以外，图9D中示出的像素具有与图9C相同的像素配置。
另外提供的扫描线1415控制TFT1406的导通/关断。当TFT1406导通时，释放存储在电容器1402中的电荷，由此使TFT1406关断。即，提供TFT1406能够得到迫使发光元件1405悬挂在电源下面的状态。因此，在图9B和9D的配置中，可以在不等待完成将信号写入全部像素的情况下，与写周期同时或在写周期之后立即开始照明周期，这可以提高占空比。
图9E中示出的像素包括沿着列方向布置的信号线1450和电源线1451、1452，以及沿着行方向布置的扫描线1453。它还包括开关TFT1441、驱动TFT1443、电容器1442以及发光元件1444等。
在图9E中示出的电路图与在图5中示出的像素布局图对应。
除了另外提供了TFT1445和扫面线1454以外，图9F中示出的像素具有与图9E相同的像素配置。注意，图9F的配置还可以通过提供TFT1445来提高占空比。
本实施例可以自由地结合实施例模式1、实施例模式2、实施例1或实施例2实施。
[实施例4]
本发明不限于由具有结晶结构的半导体薄膜构成其有源层的TFT，可以利用由具有非晶体半导体薄膜或半非晶体半导体薄膜构成其有源层的TFT。此外，本发明可以被应用于任何TFT结构。例如，可以将本发明应用于底层栅极(反交叉的)的TFT或交叉TFT。
利用等离子CVD或溅射法等形成非晶体半导体。当采用其有源层由非晶体半导体构成的TFT时，可以形成底层栅极TFT，可以利用驱动集成电路安装扫描线驱动电路和信号线驱动电路。
可以利用在300℃或更低的温度下的等离子CVD形成半非晶体半导体，例如，即使当使用外部尺寸为550×650nm的非碱性玻璃基板时，也可以在短时间内形成厚度足以得到晶体管的半非晶体半导体。这种制造技术在制造大屏幕显示器件方面非常有效。此外，其沟道形成区由半非晶体半导体薄膜(也称为微晶体半导体薄膜)构成的半非晶体TFT能够表现出迁移率为2到10cm2/V·sec的场效应。因此，这样的TFT可以用作像素中的开关元件或构成扫描线驱动电路的元件。因此，可以制造实现了板上系统的EL显示板或液晶显示板。
在本实施例中，参照图10、11和12，对通过利用半非晶体半导体薄膜形成半导体层，在公共基板上形成扫描线驱动电路和像素部分的例子进行描述。
图10示出了由N沟道TFT构成的扫描驱动电路的框图，其中，每个TFT使用了能够表现出迁移率为1到15cm2/V·sec场效应的半非晶体半导体薄膜。
在图10中，标号500表示用于为第一级输出采样脉冲的脉冲输出电路，由n个脉冲输出电路构成移位寄存器。标号501表示缓冲器电路，其端部与像素502连接。
图11示出了脉冲输出电路500的具体结构，它包括N沟道TFT601到612。考虑使用半非晶体半导体薄膜的N沟道TFT的工作特性，可以确定TFT的尺寸。例如，当将沟道长度设为8μm时，可以在10的80μm的范围内选择沟道宽度。
图12示出了缓冲器电路501的具体结构。缓冲器电路也是由N沟道TFT620到636构成的。考虑使用半非晶体半导体薄膜的N沟道TFT的工作特性，可以确定TFT的尺寸。例如，当将沟道长度设为10μm时，可以在10的1800μm的范围内选择沟道宽度。
本实施例可以自由地结合实施例模式1、实施例模式2、实施例1、实施例2或实施例3实施。
[实施例5]
本发明的发光器件和电子设备包括摄像机、数字照相机、护目镜显示器(装在头上的显示器)、导航系统、声音再现设备(例如，汽车音响和分量立体声设备)、膝上型个人计算机、游戏机、移动信息终端(例如，移动计算机、移动电话、便携式游戏机和电子图书等)、配有记录介质的图像再现设备(具体来说，用于再现记录介质如数字多用盘(DVD)并且具有用于显示被再现的图像的显示屏幕的设备)等。图13A、13B、14A到14E示出了这种电子设备的具体例子。
图13A和13B示出了数字照相机，它包括机身2101、显示部分2102、图像拾取部分2103、操作键2104和快门2106等。按照本发明，可以提供制造成本低、产量高并且可靠性高的数字照相机。
图14A示出了具有22英寸到50英寸大屏幕的大尺寸显示设备，它包括外壳2001、底座2002、显示部分2003、扬声器部分2004、图像拾取部分2005和视频输入端子2006等。注意，显示设备包括所有信息显示设备，包括用于个人计算机、电视广播接收的显示设备等。按照本发明，可以提供制造成本低、产量高并且可靠性高的大尺寸显示设备。
图14B示出了膝上型个人计算机，它包括机身2201、外壳2202、显示部分2203、键盘2204、外接端口2205和指示鼠标2206等。按照本发明，可以提供制造成本低、产量高并且可靠性高的膝上型个人计算机。
图14C示出了配备有记录介质的便携式图像再现设备(具体讲为DVD再现设备)，它包括机身2401、外壳2402、显示部分A2403、显示部分B2404、记录介质(DVD等)读取部分2405、操作键2406和扬声器部分2407等。显示部分A2403主要显示图像数据，而显示部分B2404主要显示文本数据。注意，配备有记录枝接的图像再现设备包括家用游戏机等。按照本发明，可以提供制造成本低、产量高并且可靠性高的图像再现设备。
图14D为移动信息终端的透视图、而图14E为示出了其被折叠起来时用作移动电话的透视图。在图14D中，用户像键盘那样用他的右手指操作操作键2706a，同时用他的左手指操作操作键2706b。按照本发明，可以提供制造成本低、产量高并且可靠性高的移动信息终端。
如图14E所示，当移动信息终端被折叠起来时，用一只手握住机身2701和外壳2701，操作音频输入部分2704、音频输出部分2705、操作键2706c和天线2708等。
注意，在图14D和14E中示出的移动信息终端包括主要用于横向显示图像和文本的高画质显示部分2703a和用于纵向显示的显示部分2703b。
如上所述，利用在实施例模式1、实施例模式2和实施例1到4中描述的任何制造方法或结构能够实现各种电子设备。
按照本发明，在能够增加从一个基板中得到的面板数量的同时，能够实现使框架部分进一步减小。通过增加从一个基板中得到的面板数量，能够降低一个面板的制造成本。
本申请基于2004年4月16日提交给日本专利局的序列号为2004-121121的日本优先权申请，这里将其全文引用为参考。

Claims (11)

1.一种发光器件，包括：
基板，具有光透射性质；
驱动电路部分，在所述基板之上；
所述基板之上的像素部分，所述像素部分包括以矩阵布置的多个发光元件，其中有机化合物层夹在下电极和上电极之间；
覆盖材料，在至少所述像素部分之上；
密封剂，用于固定所述基板和所述覆盖材料；
以惰性气体填充的气密空间，所述气密空间由所述基板、所述密封剂和所述覆盖材料来包围；
干燥剂，放置在所述气密空间中；
接线电极，在所述驱动电路部分之上，以及
柔性印刷电路，连接到所述接线电极，各向异性的导电粘合剂夹在其间，
其中所述覆盖材料是由金属构成的密封罐，
其中所述接线电极由与所述下电极相同的材料来形成。
2.一种发光器件，包括：
基板，具有光透射性质；
驱动电路部分，在所述基板之上；
所述基板之上的像素部分，所述像素部分包括以矩阵布置的多个发光元件，其中有机化合物层夹在下电极和上电极之间；
覆盖材料，在至少所述像素部分之上；
密封剂，用于固定所述基板和所述覆盖材料；
以惰性气体填充的气密空间，所述气密空间由所述基板、所述密封剂和所述覆盖材料来包围；
干燥剂，放置在所述气密空间中；
接线电极，在所述驱动电路部分之上，以及
柔性印刷电路，连接到所述接线电极，各向异性的导电粘合剂夹在其间，
其中所述覆盖材料是玻璃，
其中所述接线电极由与所述下电极相同的材料来形成。
3.一种发光器件，包括：
基板，具有光透射性质；
驱动电路部分，在所述基板之上；
所述基板之上的像素部分，所述像素部分包括以矩阵布置的多个发光元件，其中有机化合物层夹在下电极和上电极之间；
覆盖材料，在至少所述像素部分之上；
密封剂，用于固定所述基板和所述覆盖材料；
以惰性气体填充的气密空间，所述气密空间由所述基板、所述密封剂和所述覆盖材料来包围；
干燥剂，放置在所述气密空间中；
接线电极，在所述驱动电路部分之上，以及
柔性印刷电路，连接到所述接线电极，各向异性的导电粘合剂夹在其间，
其中所述覆盖材料的表面由无机绝缘膜来涂敷，
其中所述接线电极由与所述下电极相同的材料来形成。
4.如权利要求1到3的任一项所述的发光器件，其中所述基板具有矩形形状。
5.如权利要求1到3的任一项所述的发光器件，其中所述相同的材料具有透明导电材料，所述透明导电材料选自氧化铟锡、含硅的氧化铟锡以及氧化铟锌所组成的组。
6.如权利要求1到3的任一项所述的发光器件，其中所述惰性气体是氮气。
7.如权利要求1到3的任一项所述的发光器件，其中所述密封剂沿所述基板的边缘来提供。
8.如权利要求1到3的任一项所述的发光器件，其中所述干燥剂包括碱土金属的氧化物。
9.如权利要求8所述的发光器件，其中所述碱土金属的氧化物是氧化钙或氧化钡。
10.如权利要求1到3的任一项所述的发光器件，其中所述干燥剂包括沸石或硅胶。
11.如权利要求1到3的任一项所述的发光器件，其中所述发光器件是照明系统。
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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI289870B (en) * 2002-03-26 2007-11-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
WO2007032128A1 (ja) * 2005-09-16 2007-03-22 Sharp Kabushiki Kaisha 薄膜トランジスタ
GB2432256B (en) * 2005-11-14 2009-12-23 Cambridge Display Tech Ltd Organic optoelectrical device
KR101103374B1 (ko) 2005-11-15 2012-01-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR100662992B1 (ko) * 2005-12-14 2006-12-28 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치의 구동집적회로 및 그 제조방법
KR100673765B1 (ko) 2006-01-20 2007-01-24 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
US8038495B2 (en) 2006-01-20 2011-10-18 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same
KR100635514B1 (ko) 2006-01-23 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP4456092B2 (ja) 2006-01-24 2010-04-28 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP4624309B2 (ja) * 2006-01-24 2011-02-02 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光表示装置及びその製造方法
KR100685853B1 (ko) 2006-01-25 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100671646B1 (ko) * 2006-01-25 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
US8164257B2 (en) 2006-01-25 2012-04-24 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of fabricating the same
KR100688795B1 (ko) 2006-01-25 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100671641B1 (ko) * 2006-01-25 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100732808B1 (ko) * 2006-01-26 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치의 제조방법
KR100671647B1 (ko) 2006-01-26 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치
KR100671639B1 (ko) 2006-01-27 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
JP2008010744A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Canon Inc 表示素子及び表示システム
KR101377715B1 (ko) * 2006-12-15 2014-03-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
JP2008218004A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
TWI405497B (zh) * 2007-04-25 2013-08-11 Ritdisplay Corp 有機發光顯示裝置及其製造方法
CN100508675C (zh) * 2007-06-08 2009-07-01 信利半导体有限公司 有机电致发光显示器的防静电方法
WO2009084078A1 (ja) * 2007-12-27 2009-07-09 Pioneer Corporation 有機半導体素子、有機太陽電池及び表示パネル
JP2010039241A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
JP5541872B2 (ja) 2009-02-26 2014-07-09 パナソニック株式会社 面状発光装置および照明器具
US8405116B2 (en) 2009-03-18 2013-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
KR20110008918A (ko) * 2009-07-21 2011-01-27 삼성모바일디스플레이주식회사 평판표시장치 및 그의 제조 방법
KR101035627B1 (ko) * 2010-01-21 2011-05-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20120026970A (ko) * 2010-09-10 2012-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 발광 장치
KR20140061095A (ko) 2012-11-13 2014-05-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102357269B1 (ko) * 2014-12-12 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102221554B1 (ko) * 2015-01-19 2021-03-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102587229B1 (ko) 2016-04-22 2023-10-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106784382B (zh) * 2016-12-30 2019-04-05 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示器件的封装结构及封装方法
KR20180100013A (ko) * 2017-02-28 2018-09-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
WO2018158953A1 (ja) * 2017-03-03 2018-09-07 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法
US10516136B2 (en) 2017-06-13 2019-12-24 Sakai Display Products Corporation Multilayer thin film encapsulation structure for a organic electroluminescent device
JP6576392B2 (ja) * 2017-06-21 2019-09-18 双葉電子工業株式会社 乾燥剤組成物、封止構造、及び有機ｅｌ素子
KR102479020B1 (ko) * 2017-11-28 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102483320B1 (ko) 2017-11-29 2022-12-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN109360903A (zh) * 2018-10-31 2019-02-19 武汉华星光电技术有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6365917B1 (en) * 1998-11-25 2002-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09148066A (ja) * 1995-11-24 1997-06-06 Pioneer Electron Corp 有機ｅｌ素子
JP3662325B2 (ja) * 1995-12-09 2005-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置の作製方法
US6072272A (en) * 1998-05-04 2000-06-06 Motorola, Inc. Color flat panel display device
JP2000003783A (ja) * 1998-06-12 2000-01-07 Tdk Corp 有機ｅｌ表示装置
JP2000040585A (ja) * 1998-07-21 2000-02-08 Tdk Corp 有機ｅｌ素子モジュール
JP2000181369A (ja) * 1998-12-15 2000-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置
JP2000199915A (ja) * 1999-01-06 2000-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示パネル
US6366025B1 (en) * 1999-02-26 2002-04-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus
JP4627822B2 (ja) * 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2001100238A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Optrex Corp 液晶表示パネルの電極接続構造
KR100720066B1 (ko) 1999-11-09 2007-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 제작방법
US6559594B2 (en) * 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TW484238B (en) * 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
JP4637391B2 (ja) * 2000-03-27 2011-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TW512304B (en) * 2000-06-13 2002-12-01 Semiconductor Energy Lab Display device
JP2002008856A (ja) * 2000-06-27 2002-01-11 Nippon Seiki Co Ltd 有機ｅｌパネル
US6739931B2 (en) * 2000-09-18 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
US6992439B2 (en) * 2001-02-22 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element
JP4592989B2 (ja) * 2001-03-26 2010-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP5137279B2 (ja) * 2001-03-27 2013-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP4801278B2 (ja) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
KR100682377B1 (ko) * 2001-05-25 2007-02-15 삼성전자주식회사 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
TW546857B (en) * 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
KR100404200B1 (ko) * 2001-07-12 2003-11-03 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 디스플레이 패널
JP3861120B2 (ja) * 2001-08-02 2006-12-20 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
JP2003168561A (ja) * 2001-09-19 2003-06-13 Toshiba Corp 自己発光型表示装置
JP4166455B2 (ja) * 2001-10-01 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 偏光フィルム及び発光装置
TW594947B (en) * 2001-10-30 2004-06-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4493905B2 (ja) * 2001-11-09 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP2003186422A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｅｌ表示装置
US6765351B2 (en) * 2001-12-20 2004-07-20 The Trustees Of Princeton University Organic optoelectronic device structures
TW510061B (en) * 2001-12-31 2002-11-11 Windell Corp Layout structure of the electrode pin of organic light emitting diode
JP2003208975A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Denso Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
US7038377B2 (en) * 2002-01-16 2006-05-02 Seiko Epson Corporation Display device with a narrow frame
SG143063A1 (en) * 2002-01-24 2008-06-27 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
GB0204989D0 (en) * 2002-03-04 2002-04-17 Opsys Ltd Phosphorescent compositions and organic light emitting devices containing them
JP2003271069A (ja) * 2002-03-13 2003-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2003271075A (ja) * 2002-03-13 2003-09-25 Toshiba Corp 表示装置
JP4651922B2 (ja) * 2002-08-09 2011-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置
JP2004087939A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法
CN100466285C (zh) * 2002-09-11 2009-03-04 株式会社半导体能源研究所 发光装置及其制造方法
TWI352553B (en) * 2002-12-26 2011-11-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method for manufacturi
JP4401657B2 (ja) * 2003-01-10 2010-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の製造方法
TWI351566B (en) * 2003-01-15 2011-11-01 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device
JP2004235048A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Nippon Seiki Co Ltd 有機ｅｌパネルの製造方法
JP4628108B2 (ja) * 2003-02-14 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体、及び電界発光素子を有する電子機器
US6919681B2 (en) * 2003-04-30 2005-07-19 Eastman Kodak Company Color OLED display with improved power efficiency
TWI362231B (en) * 2003-11-21 2012-04-11 Semiconductor Energy Lab Display device
JP4396828B2 (ja) * 2004-03-22 2010-01-13 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌパネル及びその形成方法
KR101066411B1 (ko) * 2004-03-31 2011-09-21 삼성전자주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
JP4656986B2 (ja) * 2004-04-16 2011-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6365917B1 (en) * 1998-11-25 2002-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
CN102437291A (zh) 2012-05-02
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JP5955885B2 (ja) 2016-07-20

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