KR20060058372A - 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 목적은 새로운 버퍼를 적용하여 높은 S-계수 값을 확보할 수 있는 박막 트랜지스터를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 기판, 기판 상에 형성된 버퍼, 버퍼 상에 게이트 절연막을 사이에 두고 형성되는 액티브층 및 게이트 전극을 포함하고, 버퍼가 기판에 직접 밀착되어 형성되는 실리콘옥시나이트라이드막을 포함한다.
유기 EL, TFT, 버퍼, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 트랜지스터를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 평판 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 4는 도 3의 평판 표시 장치의 화소부를 나타낸 레이아웃 평면도.
도 5는 도 4의 화소부를 나타낸 단면도로서, 도 4의 Ⅰ-Ⅰ 선에 따른 부분 단면도.
본 발명은 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 버퍼를 가지는 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하, TFT라 칭함)는 능동 매트릭스 방식의 액정 표시(Liquid Crystal Display; LCD, 이하 LCD라 칭함) 장치나 유기 전계발광(Electro Luminescent; EL, 이하 EL 이라 칭함) 표시 장치의 구동 소자로서 사용되고 있다.
여기서, 유기 전계발광(electroluminescent; EL) 표시 장치는 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 자발광형 표시 소자로서, N×M 개의 유기 발광셀들을 전압구동 또는 전류구동하여 영상을 표현할 수 있도록 되어 있다.
상기 유기 발광셀은 다이오드 특성을 가져서 유기 발광 다이오드라고도 불리며, 이는 정공 주입 전극인 애노드 전극과, 발광층인 유기 박막과 전자 주입 전극인 캐소드 전극의 구조로 이루어져, 각 전극으로부터 각각 정공과 전자를 유기박막 내부로 주입시켜 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
발광층은 전자와 정공의 균형을 좋게 하여 발광 효율을 향상시키기 위해 발광층(emitting layer; EML)에 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL), 정공 수송층(Hole Transport Layer; HTL)을 포함한 다층 구조로 이루어지고, 때로는 별도의 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL)과 홀주입층(Hole Injection Layer; HIL)을 더 포함할 수 있다.
이와 같이 유기 EL 표시 장치는 두 전극 사이에 유기박막의 발광층이 존재함에 따라 LCD 장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않을 뿐만 아니라 낮은 전압 구동 및 넓은 시야각 확보가 가능하고 응답속도가 빨라 고해상도 구현에 적합한 장점을 갖는다.
한편, 능동 매트릭스 방식의 유기 EL 표시 장치에는 각 화소마다 형성되어 각각의 화소를 구동하는 화소 구동용 TFT와, 스캔(scan; gate) 구동 회로나 데이터 (data) 구동 회로에 형성되어 화소 구동용 TFT를 작동하는 구동회로용 TFT가 구비 된다.
이러한 유기 EL 표시 장치에 있어, 상기한 TFT로서 근래에는 레이저를 이용한 결정화 기술에 의해 비정질 실리콘(Amorphous silicon; a-Si, 이하 a-Si이라 칭함) TFT와 유사한 600℃ 이하의 낮은 온도에서 제작이 가능하면서 a-Si TFT에 비해 전자(electron)나 정공(hole)의 이동도가 높은 저온 폴리실리콘(Low Temperature Polycrystalline Silicon; LTPS) TFT를 적용함에 따라, N 채널 모스(n-channel Metal Oxide Silicon; NMOS)와 P 채널 모스(p-channel MOS; PMOS)가 공존하는 상보형 모스(Complementary MOS; CMOS) TFT의 구현이 가능하여 기판 상에 화소구동용 TFT와 구동 회로용 TFT를 동시에 집적하는 것이 가능해지고 있다.
LTPS TFT 형성공정은 통상적으로 유리 기판 상에 버퍼를 형성한 후, 버퍼 상에 a-Si막을 증착하고 기판을 약 250℃ 정도로 가열하면서 a-Si막에 엑시머 레이저(excimer laser)를 조사하여 a-Si막을 결정화시켜 폴리실리콘막을 형성한 다음, 폴리실리콘막을 패터닝하여 액티브층을 형성하고, 액티브층을 덮도록 기판 전면 상에 게이트 절연막을 형성하고 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성한 후, 액티브층에 소오스 및 드레인 영역을 형성하고 층간절연막 및 비아홀을 순차적으로 형성한 다음, 소오스 및 드레인 영역과 전기적으로 연결되는 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 과정으로 이루어진다.
여기서, 버퍼는 a-Si막에 레이저를 조사할 때 그 열에 의해 유리 기판의 표면에 존재하는 알칼리계 금속 불순물들이 국부적으로 용출되어 a-Si막으로 확산하는 것을 방지하기 위한 것으로, 실리콘 나이트라이드(SiN)막의 단일막으로 형성하 였으나 SiN막과 a-Si막과의 접착성을 고려하여 최근에는 주로 실리콘옥사이드(SiO2)막/SiN막의 이중막으로 형성하고 있다.
SiN막은 통상적으로 SiH4 가스와 NH3 가스를 사용하여 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; CVD)에 의해 형성되기 때문에 막 자체에 다량의 수소(H)를 함유하고 있고, 이러한 수소가 후속 공정 단계에서 수행되는 열처리 시 확산되어 게이트 절연막과 액티브층 사이의 계면 결함을 패시배이션(passivation)시켜 줌으로써, 드레인 전압 증가분(△Id)/게이트 전압 증가분(△Vg)을 나타내는 S-계수(factor) 값을 저감시킨다. 즉, 버퍼가 SiO2막의 단일막으로 이루어진 경우 S-계수〈 0.45V/dec 인데 반해, 버퍼가 SiO2막/SiN막의 이중막으로 이루어진 경우에는 SiN막에 의해 S-계수〈 0.28V/dec로 저감된다.
이와 같이, S-계수 값이 저감되면 TFT 특성은 상대적으로 우수해진다.
그러나, 유기 EL 표시 장치에서 적정 계조를 구현하기 위해서는 0.35 내지 0.45V/dec 정도, 바람직하게는 0.38V/dec 근방의 S-계수 값이 확보되어야 하는데, 상술한 바와 같이 S-계수 값이 현저하게 저감되면 유기 EL 표시 장치의 계조 구현이 어려워 휘도 특성이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 새로운 버퍼를 적용하여 높은 S-계수 값을 확보할 수 있는 박막 트랜지스터를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 상술한 박막 트랜지스터를 구비하여 우수한 휘도 특성을 가지는 평판 표시 장치를 제공하는데 다른 목적이 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 기판, 기판 상에 형성된 버퍼, 버퍼 상에 게이트 절연막을 사이에 두고 형성되는 액티브층 및 게이트 전극을 포함하고, 버퍼가 기판에 직접 밀착되어 형성되는 실리콘옥시나이트라이드막을 포함한다.
여기서, 버퍼가 실리콘옥시나이트라이드막의 단일막으로 이루어지거나, 실리콘옥시나이트라이드막과 실리콘옥사이드(SiO2)막을 포함하는 다층 구조로 이루어지는데, 이때 다층 구조는 실리콘옥시나이드라이드막 위에 실리콘옥사이드막이 적층된 구조로 이루어진다.
또한, 실리콘옥시나이트라이드막이 SiOxNy(x = 0.1∼2, y = 0.1∼1)막이며, 실리콘옥시나이드라이드막이 50 내지 5000Å의 두께를 갖는다.
또한, 상술한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 평판 표시 장치는 기판 상에 형성된 구동 소자 및 상기 구동 소자와 전기적으로 연결되는 표시부로 구성된 화소부를 포함하고, 구동 소자가 기판 상에 형성된 버퍼; 버퍼 상에 게이트 절연막을 사이에 두고 형성되는 액티브층 및 게이트 전극을 포함하고, 버퍼가 기판에 직접 밀착되어 형성되는 실리콘옥시나이트라이드막을 포함하는 박막 트랜지스터를 포함한다.
여기서, 표시부는 제 1 전극, 유기 발광층 및 제 2 전극이 순차적으로 적층된 구조로 이루어진다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.
먼저, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 TFT를 설명한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 기판(10) 상에 실리콘옥시나이트라이드(SiOxNy; x = 0.1∼2, y = 0.1∼1)막(12)이 직접 밀착되어 형성되고, SiOxNy막(12) 상에 불순물이 도핑된 소오스 및 드레인 영역(14a, 14b)과 소오스 및 드레인 영역(14a, 14b) 사이의 채널영역(14c)으로 이루어진 액티브층(14)이 형성된다. 액티브층(14)을 덮으면서 기판(10) 전면 상에 소오스 및 드레인 영역(14a, 14b)을 노출시키는 비아홀(16a, 16b)이 구비된 게이트 절연막(16)이 형성되고, 액티브층(14)의 채널영역(14c)에 대응하여 게이트 절연막(16) 상에 게이트 전극(18)이 형성되며, 게이트 전극(18)을 덮으면서 게이트 절연막(16) 상에 게이트 절연막(16)의 비아홀(16a, 16b)과 관통하여 소오스 및 드레인 영역(14a, 14b)을 노출시키는 비아홀(20a, 20b)이 구비된 제 1 절연막(20)이 형성된다. 그리고, 제 1 절연막(20) 상에는 제 1 절연막(20)의 비아홀(20a, 20b)과 게이트 절연막(16)의 비아홀(16a, 16b)을 통하여 소오스 및 드레인 영역(14a, 14b)과 전기적으로 연결되는 소오스 및 드레인 전극(22a, 22b)이 형성된다.
여기서, 기판(10)은 투명한 절연 기판으로 이루어지고 그 재질로는 유리나 플라스틱이 사용될 수 있다.
액티브층(14)은 a-Si막을 증착하고 기판(10)을 약 250℃ 정도로 가열하면서 a-Si막에 엑시머 레이저를 조사하여 결정화시킨 폴리실리콘막으로 이루어진다.
그리고, SiOxNy막(12)은 a-Si막에 레이저를 조사할 때 그 열에 의해 기판(10)의 표면에 존재하는 알칼리계 금속 불순물들이 국부적으로 용출되어 a-Si막으로 확산하는 것을 방지하는 버퍼로서, SiH4 가스, NH3 가스 및 N2O 가스를 이용한 CVD에 의해 50 내지 5000Å의 두께로 형성된다.
즉, SiOxNy막(12)도 SiH4 가스 및 NH3 가스를 이용하여 형성하기 때문에 SiN막과 마찬가지로 막 자체에 수소(H)를 함유하고 있으나, 산소(O) 결합에 의해 SiN막에 비해 수소 함유량이 상대적으로 작아 후속 공정 단계에서 수행되는 열처리 시 SiN막에 비해 상대적으로 적은 양의 수소가 확산되기 때문에, 게이트 절연막(16)과 액티브층(14) 사이의 계면 결함을 완전히 패시배이션시키지 못하므로, 결국 드레인 전압 증가분(△Id)/게이트 전압 증가분(△Vg)을 나타내는 S-계수 값을, 예컨대 0.35 내지 0.45V/dec 정도로 증가시킨다.
상기 실시예에서는 버퍼로서 SiOxNy막(12)의 단일막을 적용한 경우에 대해서만 설명하였지만, 도 2와 같이 SiOxNy막(12) 상부에 SiO2막(13)을 더 형성하여 버퍼를 다층 구조로 형성함으로써, 액티브층(14)과 버퍼의 접착 특성을 더욱 더 개선시킬 수 있다.
다음으로, 도 3 내지 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 평판 표시 장치를 설명한다. 본 발명에서는 평판 표시 장치의 일 예로서 유기 EL 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 유기 EL 표시 장치(100)는 제 1 기판(30)과 제 2 기판(50)이 실런트(60)를 통해 합착되어 서로 대향하여 배치되고, 제 1 기판(30) 상부에는 TFT 어레이로 이루어진 화소 구동부(T)와 이 화소 구동부(T)에 전기적으로 연결된 표시부(L)로 구성된 화소부(P)가 형성되며, 제 2 기판(50)에는 테이프(52)에 의해 고정되어 흡습제(54)가 형성된다.
여기서, 표시부(L)는 양극 전극으로서의 제 1 전극(34)과, 적(R), 녹(G), 청(B)의 빛을 발광하는 유기 발광층(36)과, 음극 전극으로서의 제 2 전극(40)으로 구성된다.
도 4를 참조하여 상술한 유기 EL 표시 장치의 화소부(P)의 구성을 좀 더 상세히 살펴보면, 도시된 바와 같이, 제 1 기판(30) 상에 구동할 화소를 선택하는 스캔 라인(Scan Line; SL)이 일 방향으로 배치되고, 제어된 양에 따라 화소에 전압을 인가하는 데이터 라인(Data line; DL)이 스캔 라인(SL)에 교차하여 배치되며, 전원을 공급하는 파워 라인(Power Line; PL)이 데이터 라인(DL)과 평행하게 이격되면서 스캔 라인(SL)에 교차하여 배치된다. 화소부(P)는 실질적으로 스캔 라인(SL)과 데이터 라인(DL)에 의해 정의되는 영역이다.
스캔 라인(SL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 부분에는 스캔 라인(SL)의 신호에 따라 데이터의 흐름을 제어하는 스위칭 소자(T1)가 배치되고, 스위칭 소자(T1)에 연결되어 데이터 라인(DL)으로부터 인가되는 전압에 따라 이 전압과 파워라인(PL)에 의해 공급되는 전압차 만큼의 전하를 축적하는 저장 캐패시터(Cs)가 배치 된다. 그리고, 파워라인(PL)에 연결되어 스위칭 소자(T1) 및 저장 캐패시터(Cs)에 축적된 전하에 의한 전압을 입력받아 전류를 흘려주는 구동 소자(T2)가 배치되고, 구동 소자(T2)에 연결되어 구동 소자(T2)에 흐르는 전류에 의해 발광하는 표시부(L)가 배치된다.
여기서, 스위칭 소자(T1)와 구동 소자(T2)는 각각 1개의 TFT로 구성되어 있는데, 이러한 스위칭 소자(T1)와 구동 소자(T2)는 동작 특성에 따라 각각 하나 이상의 TFT의 조합으로 구성될 수 있다.
도 5를 참조하여, 상술한 화소부(P)의 구동 소자(T2)와 표시부(L)의 구성을 좀 더 상세히 살펴본다. 이때, 도 5에서 도 1 및 도 2와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.
도시된 바와 같이, 제 1 기판(30) 상에 SiOxNy(x = 0.1∼2, y = 0.1∼1)막(12)이 직접 밀착되어 형성되고, SiOxNy막(12) 상에 불순물이 도핑된 소오스 및 드레인 영역(14a, 14b)과 소오스 및 드레인 영역(14a, 14b) 사이의 채널영역(14c)으로 이루어진 액티브층(14)이 형성된다. 액티브층(14)을 덮으면서 기판(10) 전면 상에 소오스 및 드레인 영역(14a, 14b)을 노출시키는 비아홀(16a, 16b)이 구비된 게이트 절연막(16)이 형성되고, 액티브층(14)의 채널영역(14c)에 대응하는 게이트 절연막(16) 상에 게이트 전극(18)이 형성되며, 게이트 전극(18)을 덮으면서 게이트 절연막(16) 상에 게이트 절연막(16)의 비아홀(16a, 16b)과 관통하여 소오스 및 드레인 영역(14a, 14b)을 노출시키는 비아홀(20a, 20b)이 구비된 제 1 절연막(20)이 형성된다. 그리고, 제 1 절연막(20) 상에 제 1 절연막(20)의 비아홀(20a, 20b)과 게이트 절연막(16)의 비아홀(16a, 16b)을 통하여 소오스 및 드레인 영역(14a, 14b)과 전기적으로 연결되는 소오스 및 드레인 전극(22a, 22b)이 형성되어 TFT를 이룸으로써 구동 소자(T2)를 구성한다.
구동 소자(T2)를 보호하도록 제 1 절연막(20) 상에 드레인 전극(22b)을 노출시키는 비아홀(32a)이 구비된 제 2 절연막(32)이 형성된다. 제 2 절연막(32) 상에는 비아홀(32a)을 통하여 드레인 전극(22b)과 전기적으로 연결되는 양극 전극으로서의 제 1 전극(34)이 형성되고, 제 1 전극(34) 상에는 특정한 색의 빛을 발광하는 유기 발광층(36)과 음극 전극으로서의 제 2 전극(40)이 순차적으로 형성되어 표시부(L)를 구성하며, 제 2 절연막(32) 상에는 화소부(P)와 화소부(P) 사이를 절연하면서 표면을 평탄화하는 제 3 절연막(38)이 형성된다.
여기서, 기판(30)은 투명한 절연 기판으로 이루어지고 그 재질로는 유리나 플라스틱이 사용될 수 있다.
액티브층(14)은 a-Si막을 증착하고 기판(30)을 약 250℃ 정도로 가열하면서 a-Si막에 엑시머 레이저를 조사하여 결정화시킨 폴리실리콘막으로 이루어진다.
SiOxNy막(12)은 a-Si막에 레이저를 조사할 때 그 열에 의해 기판(10)의 표면에 존재하는 알칼리계 금속 불순물들이 국부적으로 용출되어 a-Si막으로 확산하는 것을 방지하는 버퍼로서, SiH4 가스, NH3 가스 및 N2O 가스를 이용한 CVD에 의해 50 내지 5000Å의 두께로 형성된다.
즉, SiOxNy막(12)도 SiH4 가스 및 NH3 가스를 이용하여 형성하기 때문에 SiN 막과 마찬가지로 막 자체에 수소(H)를 함유하고 있으나, 산소(O) 결합에 의해 SiN막에 비해 수소 함유량이 상대적으로 작아 후속 공정 단계에서 수행되는 열처리 시 SiN막에 비해 상대적으로 적은 양의 수소가 확산되기 때문에, 게이트 절연막(16)과 액티브층(14) 사이의 계면 결함을 완전히 패시배이션시키지 못하므로, 결국 드레인 전압 증가분(△Id)/게이트 전압 증가분(△Vg)을 나타내는 S-계수 값을 증가시킨다.
이에 따라, 유기 EL 표시 장치의 계조 구현이 용이해져 휘도 특성이 개선될 수 있다.
본 발명에서는 TFT의 버퍼가 SiOxNy막(12)의 단일막으로 이루어진 경우에 대해서만 설명하였지만, 도 2와 같이 TFT의 버퍼를 SiOxNy막(12)과 SiO2막(13)의 다층 구조로 형성하여 액티브층(14)과 버퍼의 접착 특성을 더욱 더 개선시킬 수 있다.
제 1 전극(34) 및 제 2 전극(40)은 ITO, Al, Mg-Ag 중의 하나 또는 그 이상의 물질로 이루어질 수 있으며, 또한 디스플레이 장치의 발광 유형에 따라 그 물질이 달라질 수 있다. 예컨대, 이 유기 EL 표시 장치가 전면 발광형인 경우 제 1 전극(34)은 Pt, Au, Pd 또는 Ni로 이루어질 수 있고, 제 2 전극(40)은 IZO로 이루어질 수도 있다.
유기 발광층(36)은 코퍼 프탈로시아닌(copper phthalocyanine; CuPc), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페틸-벤지딘(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N' -diphenyl-benzidine; NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등과 같은 저분자 유기물로 이루어지거나 고분 자 유기물로 이루어진다.
예컨대, 유기 발광층(36)이 저분자 유기물로 이루어지는 경우에는 홀 주입층(Hole Injection layer; HIL), 홀 수송층(Hole Transport Layer; HTL), 발광층(Emitting Layer; EML) 및 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL)을 포함한 다층 구조로 이루어진다.
또한, 유기 발광층(36)이 고분자 유기물로 이루어지는 경우에는 홀 수송층(Hole Transport Layer; HTL) 및 발광층(Emitting Layer; EML)으로 이루어지며, 이때 HTL는 PEDOT 물질로 이루어지고 EML은 폴리-페닐렌비닐렌(Poly-Phenylenevinylene; PPV)계 또는 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 물질로 이루어진다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
예를 들어, 상기 실시예에서는 SiOxNy막의 단일막 또는 SiOxNy막과 SiO2막의 다층 구조의 버퍼를 가지는 TFT가 화소부의 구동 소자로 적용된 경우만을 설명하였지만, 화소부 뿐만 아니라 구동회로에도 적용하여 실시할 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는 구동 소자로 TFT를 사용하고 발광부가 유기 발광층을 포함하는 유기 EL 표시 장치에 대해서만 설명하였지만, TFT를 구동 소자로 사용하는 것이 가능한 액정 표시 장치 등의 평판 표시 장치에도 적용하여 실시할 수 있 다.
상술한 본 발명에 의하면, TFT의 버퍼를 SiOxNy막의 단일막 또는 SiOxNy막과 SiO2막의 다층 구조로 형성하여 TFT의 드레인 전압 증가분(△Id)/게이트 전압 증가분(△Vg)을 나타내는 S-계수 값을 증가시킨다.
이에 따라, 유기 EL 표시 장치의 계조 구현이 용이해져 휘도 특성을 개선할 수 있으므로, 화면의 표시 품질을 개선할 수 있다.
Claims (15)
- 기판;상기 기판 상에 형성된 버퍼;상기 버퍼 상에 게이트 절연막을 사이에 두고 형성되는 액티브층 및 게이트 전극을 포함하고,상기 버퍼가 상기 기판에 직접 밀착되어 형성되는 실리콘옥시나이트라이드막을 포함하는 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 버퍼가 상기 실리콘옥시나이트라이드막의 단일막으로 이루어진 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 버퍼가 상기 실리콘옥시나이트라이드막과 실리콘옥사이드(SiO2)막을 포함하는 다층 구조로 이루어진 박막 트랜지스터.
- 제 3 항에 있어서,상기 다층 구조가 상기 실리콘옥시나이드라이드막 위에 상기 실리콘옥사이드 막이 적층된 구조로 이루어진 박막 트랜지스터.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 실리콘옥시나이트라이드막이 SiOxNy(x = 0.1∼2, y = 0.1∼1)막인 박막 트랜지스터.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 실리콘옥시나이드라이드막이 50 내지 5000Å의 두께를 가지는 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 액티브층이 상기 버퍼 상에 형성되고, 상기 게이트 절연막이 상기 액티브층을 덮으면서 상기 기판 전면 상에 형성되며, 상기 게이트 전극이 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 박막 트랜지스터.
- 기판 상에 형성된 구동 소자 및 상기 구동 소자와 전기적으로 연결되는 표시부로 구성된 화소부를 포함하고,상기 구동 소자가상기 기판 상에 형성된 버퍼;상기 버퍼 상에 게이트 절연막을 사이에 두고 형성되는 액티브층 및 게이트 전극을 포함하고,상기 버퍼가 상기 기판에 직접 밀착되어 형성되는 실리콘옥시나이트라이드막을 포함하는 박막 트랜지스터를 포함하는 평판 표시 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 버퍼가 상기 실리콘옥시나이트라이드막의 단일막으로 이루어진 평판 표시 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 버퍼가 상기 실리콘옥시나이트라이드막과 실리콘옥사이드(SiO2)막을 포함하는 다층 구조로 이루어진 평판 표시 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 다층 구조가 상기 실리콘옥시나이드라이드막 위에 상기 실리콘옥사이드막이 적층된 구조로 이루어진 평판 표시 장치.
- 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 실리콘옥시나이트라이드막이 SiOxNy(x = 0.1∼2, y = 0.1∼1)막인 평판 표시 장치.
- 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 실리콘옥시나이드라이드막이 50 내지 5000Å의 두께를 가지는 평판 표시 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 액티브층이 상기 버퍼 상에 형성되고, 상기 게이트 절연막이 상기 액티브층을 덮으면서 상기 기판 전면 상에 형성되며, 상기 게이트 전극이 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 평판 표시 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 표시부는 제 1 전극, 유기 발광층 및 제 2 전극이 순차적으로 적층된 구조로 이루어진 평판 표시 장치.
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