CN102421940A - 磷酸钙复合体及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供通过不使用酸且残留物少的处理方法使磷酸钙固定在金属表面的手段。所述制造方法为在基材的表面结合磷酸钙而成的磷酸钙复合体的制造方法,其特征在于,包括如下的工序:使所述基材的表面接触表面处理剂后,接触硅烷偶联剂而进行表面处理的表面处理工序;在所述表面处理工序后,通过聚合引发剂对硅烷偶联剂的聚合进行引发的聚合工序;和使聚合工序后的所述基材的表面的硅烷偶联剂与所述磷酸钙结合的结合工序;所述基材为金属,所述表面处理剂为臭氧水。

Description

磷酸钙复合体及其制造方法
技术领域
本发明涉及磷酸钙的复合体及其制造方法,更详细地说,涉及在金属表面上固定有磷酸钙的磷酸钙复合体及其制造方法。
背景技术
羟基磷灰石等磷酸钙作为生物体亲和性材料在医疗领域被广泛使用。尤其是用磷酸钙被覆基材的表面后的复合材料的细胞接合性高,所以期待作为导管等的经皮器件的应用。例如,提出了使环状丝心蛋白(日文:シクロフイブロイン)等柔软的高分子基材的表面结合磷酸钙微粒,并用于经皮器件中的技术。
在此,作为在基材表面固定羟基磷灰石的方法,例如提出了如下的方法:选择具有异氰酸酯或烷氧基甲硅烷基之类的特定官能团的高分子基材作为高分子基材,并使该高分子基材结合羟基磷灰石的方法(专利文献1)。另外提出了通过包含如下工序的方法在高分子表面形成羟基磷灰石的方法,所述工序使利用电晕放电处理或接枝处理等至少表面被亲水化的基体交替浸渍在钙溶液与磷酸溶液中,在基体的至少表面生成和固定羟基磷灰石(专利文献2)。
另外,作为在金属表面固定羟基磷灰石的方法,公开有如下的方法:用硝酸对不锈钢表面进行了处理后,利用(3-巯基丙基)三乙氧基硅烷等硅烷偶联剂(SCA)进行处理,对于导入到该金属表面的硅烷偶联剂,使用2,2-偶氮双(异丁腈)(AIBN)对γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(MPTS)进行接枝聚合,并通过该聚合物的三甲氧基甲硅烷基残基与羟基磷灰石的反应,在金属表面上固定羟基磷灰石的方法(非专利文献1)。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2004-51952号公报
专利文献2:日本特开2000-327314号公报
非专利文献
非专利文献1:OKADA,M.et al.J Biomed Mater Res Part A 589-596,2008.
发明内容
发明要解决的问题
根据以往的方法,必须用酸对金属表面进行处理,有时该酸会残留并在实际用途中成为问题。因此,本发明的第一目的在于,提供通过不使用酸且残留物少的处理方法在金属表面固定磷酸钙的手段。
另外,根据非专利文献1的方法,除了因上述的酸处理发生的问题外,还存在由于使用硫醇系的硅烷偶联剂,所以因该化合物的残留而发生硫醇特有的臭味的问题。因此,本发明的第二目的在于,除了上述的问题外,还提供通过不使用硫醇系的化合物的处理方法而在金属表面固定磷酸钙的手段。
用于解决问题的方法
本发明(1),一种磷酸钙复合体的制造方法,其为在基材的表面结合磷酸钙而成的磷酸钙复合体的制造方法,其特征在于:包括如下工序:
在使上述基材的表面与表面处理剂接触后,与硅烷偶联剂接触而进行表面处理的表面处理工序,
在上述表面处理工序后,利用聚合引发剂引发硅烷偶联剂的聚合的聚合工序,和
使聚合工序后的上述基材的表面的硅烷偶联剂与上述磷酸钙结合的结合工序;
上述基材为金属,上述表面处理剂为臭氧水。
本发明(2),在上述发明(1)的制造方法中,其特征在于,上述硅烷偶联剂为非硫醇系的硅烷偶联剂。
本发明(3),在上述发明(1)或(2)所述的制造方法中,其特征在于,使用不锈钢作为上述基材。
本发明(4)是一种磷酸钙复合体,其通过上述发明(1)~(3)中任一项的方法而得到。
在此,对本说明书中使用的各种用语的含义进行解说。“磷酸钙复合体”是指在基材的表面结合有磷酸钙的构造物。“臭氧水”是指溶解有臭氧的水。“表面处理”是指对基材的表面进行改性的处理。
发明的效果
根据本发明(1)、(4),在金属表面导入硅烷偶联剂时,使用臭氧代替酸,所以臭氧经过时间分解成为氧气,因此实现在金属表面上不残留地在金属表面固定磷酸钙的效果。另外,通过利用臭氧水对金属表面进行处理,在基材的表面导入大量OH基,使润湿性提高,因此与利用臭氧气体进行处理的情况相比,明显地容易导入硅烷偶联剂,所以还可以实现能够在金属表面上以牢固的接合强度及高被覆率固定磷酸钙的效果。另外,由于能够利用臭氧水处理除去基材表面的有机物,所以实现容易导入硅烷偶联剂的效果。
根据本发明(2),由于不使用硫醇系的化合物,所以可以实现不产生由该化合物残留导致的臭味问题的效果。
根据本发明(3),通过使用不锈钢作为基材,由此实现由臭氧水处理带来的向金属表面导入硅烷偶联剂特别容易的效果。
附图说明
图1(a)是表示用XPS测定臭氧水处理前的基材表面的结果图,图1(b)是表示用XPS测定臭氧水处理后的基材表面的结果图。
图2(a)是实施例1的复合体表面的10000倍的SEM照片,图2(b)是实施例1的复合体表面的2000倍的SEM照片。
图3是表示用IR测定了各工序后的基材表面的结果图,图3(a)是表示测定了未处理的基材的结果图,图3(b)是表示测定了接枝聚合后的基材的结果图,图3(c)是表示测定了HAp被覆后的基材的结果图。
图4(a)是实施例2的复合体表面的5000倍的SEM照片,图4(b)是实施例2的复合体表面的2000倍的SEM照片。
图5是比较例1的基材表面的5000倍的SEM照片。
图6是比较例2的基材表面的5000倍的SEM照片。
图7是比较例3的基材表面的5000倍的SEM照片。
具体实施方式
本最佳方式的磷酸钙复合体借助硅烷偶联剂在基材的表面结合有磷酸钙。另外,磷酸钙复合体通过如下特征的制造方法而得到:所述方法包括如下的工序:使上述基材的表面与表面处理剂接触后,与硅烷偶联剂接触而进行表面处理的表面处理工序;在上述表面处理工序后利用聚合引发剂引发硅烷偶联剂的聚合的聚合工序;和使聚合工序后的上述基材的表面的硅烷偶联剂与上述磷酸钙结合的结合工序;上述基材为金属,上述表面处理剂为臭氧水。在此,除了上述工序之外,还可以具有清洗基材表面的前处理工序、除去在上述聚合工序中生成的均聚物的均聚物除去工序、和在上述结合工序后对基材表面进行清洗的清洗工序等。以下,对在本发明中使用的主要材料进行说明后,对各工序进行详细说明。
基材
本发明中使用的基材为金属。此处作为金属,可以举出钛、氧化钛、钛合金、不锈钢等。其中,特别优选不锈钢。另外在不锈钢中,优选含钼(Mo)的奥氏体系的不锈钢,更具体地说,优选SUS316、SUS317。通过使用这些不锈钢,由此可以在更温和的条件下有效地进行臭氧水处理,并可以以牢固的接合强度及高被覆率使基材与磷酸钙结合。
本发明中使用的基材的形状没有特别限定,根据磷酸钙复合体的用途,可以适当选择各种形状的基材。作为基材的形状,既可以是纤维状、片状、管状、多孔体,也可以是更形状复杂。这样的基材的形状没有限制,即使使用形状复杂的基材,也可以简便地制造HAp复合体。在使用以往的电晕放电、等离子体处理的方法中,在使用形状复杂的基材时,需要花费从各个角度进行电晕放电等的时间,但根据本发明的制造方法,只要如后述那样使基材与臭氧水接触即可,所以即便对于形状复杂的基材也可以简便地进行表面处理。这样,本发明的制造方法对于各种形状的基材,也可以简便地以牢固的接合强度及高被覆率使基材与磷酸钙结合。
硅烷偶联剂
本最佳方式中能够使用的硅烷偶联剂具有化学式(1)所示的化学结构。
Z-X-SiR3    …(1)
上述Z只要具有反应性官能团即可,具体而言,例如可以举出乙烯基、环氧基、氨基、(甲基)丙烯酰氧基、巯基等。另外,上述R只要是能与无机材料(羟基磷灰石烧结体)发生缩合反应即可,具体而言,可以举出例如甲氧基、乙氧基等碳数1~4的烷氧基、羟基、氯原子等。另外,上述化学式(1)中的X可以通过高分子链结合,也可以通过低分子链(例如碳数1~12的亚烷基链)结合,也可以直接结合。需要说明的是,通过上述烷氧基为前述范围内的碳数,由此利用后述的与羟基磷灰石的缩合反应而生成的醇,对水具有充分的溶解性,所以仅通过水清洗表面就能够除去该醇,故优选。
即,作为上述硅烷偶联剂,具体而言,可以举出例如乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三羟基硅烷等乙烯基系硅烷偶联剂;β-(3,4环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷等环氧基系硅烷偶联剂;p-苯乙烯基三甲氧基硅烷等苯乙烯基系硅烷偶联剂;γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三羟基硅烷等甲基丙烯酰氧基系硅烷偶联剂;γ-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-丙烯酰氧基丙基三羟基硅烷等丙烯酰氧基系硅烷偶联剂;N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基甲基二甲氧基甲氧基硅烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-三乙氧基-N-(1,3-二甲基-亚丁基)丙基胺、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(乙烯基苄基)-β-氨基乙基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷的盐酸盐、特殊氨基硅烷等氨基系硅烷偶联剂;γ-脲基丙基三乙氧基硅烷等酰脲系硅烷偶联剂;γ-氯丙基三甲氧基硅烷等氯丙基系硅烷偶联剂;γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷等硫醇系硅烷偶联剂;双(三乙氧基丙基)四硫化物等硫醚系硅烷偶联剂;γ-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷等异氰酸酯系硅烷偶联剂等。
在这些硅烷偶联剂中,优选乙烯基系硅烷偶联剂、苯乙烯基系硅烷偶联剂、甲基丙烯酰氧基系硅烷偶联剂、丙烯酰氧基系硅烷偶联剂等具有聚合性双键的硅烷偶联剂。上述例示的硅烷偶联剂中,从为聚合性单体的观点出发,更优选γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷。需要说明的是,对于本发明的硅烷偶联剂而言,在后述的表面处理工序中使用的硅烷偶联剂与聚合工序中使用的硅烷偶联剂既可以相同,也可以是不同种的偶联剂。需要说明的是,形成具有巯基的硫醇系硅烷偶联剂时,该硅烷偶联剂残留,由此发生臭味问题的可能性大,所以优选使用不具有巯基的非硫醇系硅烷偶联剂。
磷酸钙
作为本发明的制造方法中使用的磷酸钙,没有特别限定,但优选羟基磷灰石(Ca10(PO4)6(OH)2),更优选羟基磷灰石烧结体(也称为羟基磷灰石陶瓷)。由于羟基磷灰石特别是羟基磷灰石烧结体在生物体内长时间稳定存在,且安全性高,所以很好地作为医疗用途中使用的磷酸钙复合体的原料。另外,羟基磷灰石与皮肤等细胞的接合性高,所以作为经皮器件材料特别好。
需要说明的是,作为制造羟基磷灰石烧结体的方法没有特别限定,只要用以往公知的方法制造即可。关于羟基磷灰石烧结体的制造方法、制造的羟基磷灰石烧结体的结晶性的测定,只要参照上述专利文献1及2即可。
《表面处理工序》
本发明的制造方法包含的表面处理工序,为对基材进行表面处理的工序,只要是使上述基材的表面与臭氧水接触后、接触硅烷偶联剂的工序即可。需要说明的是,也可以在表面处理工序前实施对基材表面进行清洗的前处理工序。在此,前处理工序只要根据基材表面上产生污垢的情况等的状况来实施即可。具体而言,也可以使基材浸渍到水或醇等溶剂中,进行超声波清洗。通过该工序,除去基材表面上的有机物,在该工序后进行的表面处理工序中,可以有效地进行臭氧处理。
本发明人等发现了通过使用臭氧水对基材进行表面处理的臭氧水处理工序,可以极其简便地进行磷酸钙与基材的结合。例如即便基材具有复杂的形状,只要使该基材浸润到臭氧水中,或者向该基材上浇臭氧水,也可以容易地使基材的表面无遗漏地接触臭氧水。因此,可以简便且高效率地进行作业。
另外,本发明人等还发现了通过使用臭氧水进行表面处理,可以以牢固的接合强度及高被覆率使磷酸钙与基材结合。以往,对用磷酸钙被覆的基材进行超声波清洗时,有时磷酸钙会剥落。这是由磷酸钙与基材的接合强度弱引起的。但是,在让用臭氧水进行了表面处理的基材结合磷酸钙时,可以抑制超声波清洗时磷酸钙剥落。另外,在将磷酸钙复合体用于医疗时,优选基材表面的基于磷酸钙的被覆率为约60%。根据本发明的制造方法,即便在金属表面也可以达成60%以上的基于磷酸钙的被覆率。需要说明的是,在此,被覆率是指用二阶色调对利用扫描型电子显微镜拍摄的图像进行处理,并用粒子部分的面积与基材表面的面积的比较而算出的值。
作为表面处理工序使用的臭氧水,只要是溶解了臭氧的水就没有限定,可以使用以往公知的方法、装置进行制造。例如可以用在水中使臭氧曝气的方法进行制造。另外,作为用于使臭氧溶解于水中的装置,可以使用以往公知的搅拌器、气泡筒、压力式喷射器、Venturi式喷射器、静态混合器等。作为臭氧水的制造方法,可以适当参照特定非营利活动法人日本オゾン协会编《オゾンハンドブツク(臭氧手册)》,杉光英俊著、光琳出版,《臭氧的基礎と応用(臭氧的基础和应用)》。
另外,作为使基材的表面与臭氧水接触的方法,没有特别限定,例如可以在臭氧水中浸渍基材。另外,浸渍期间可以搅拌该臭氧水。作为本发明涉及的制造方法使用的臭氧水中的臭氧浓度,没有特别限定,但优选1~50ppm,更优选10~35ppm。通过将臭氧水的浓度设为1~50ppm,由此能够以极牢固的接合强度及高被覆率使磷酸钙与基材的表面结合。另外,通过设为10~35ppm,能够以更牢固的接合强度及被覆率使磷酸钙与基材的表面结合。作为臭氧水的温度,没有特别限定,优选20~60℃,更优选20~40℃,进一步优选室温(例如25℃)。只要为该范围,就能够以极牢固的接合强度及高被覆率使磷酸钙与基材的表面结合。作为基材的表面与臭氧水接触的时间,没有特别限定,优选1~120分钟,更优选5~30分钟,进一步优选5~20分钟。只要为该范围,就能够以极牢固的接合强度及高被覆率使磷酸钙与基材的表面结合。
也可以在使基材的表面接触臭氧水后、接触硅烷偶联剂前,浸渍到水溶性的有机溶剂中进行将臭氧水处理时的表面的水分除去的水分除去工序。该工序在接触硅烷偶联剂的工序中使用疏水性的有机溶剂时特别有益。具体而言,在有机溶剂中浸渍臭氧处理后的基材。在此,处理温度没有特别限定,但例如优选10~50℃,更优选15~35℃。另外,对处理时间没有特别限定,例如优选10秒~5分钟,更优选20秒~1分钟。作为在此使用的溶剂,只要是水溶性的有机溶剂就没有特别限定,可以举出例如四氢呋喃(THF)、甲醇、乙醇、丙酮、乙腈、二甲亚砜(DMSO)等。
在使基材表面接触硅烷偶联剂的硅烷偶联剂接触工序中,使用前述的硅烷偶联剂。对接触硅烷偶联剂的方法没有特别限定,例如在使硅烷偶联剂溶解于溶剂得到的溶液中浸渍基材。该操作优选在氮气气氛下进行,具体而言,优选边将氮气注入到溶液中边操作。另外,作为该溶液的温度(反应温度),没有特别限定,但优选30~100℃,更优选40~80℃。另外,作为溶剂没有特别限定,优选使用例如甲苯、己烷等烃系溶剂等无极性有机溶剂。作为硅烷偶联剂的使用量,没有特别限定,相对于基材的重量,优选10~500重量%,更优选50~400重量%,进一步优选100~300重量%。需要说明的是,作为硅烷偶联的接触时间,没有特别限定,优选5~120分钟,更优选10~60分钟。
《聚合工序》
本发明的制造方法所含的聚合工序,只要是通过聚合引发剂对硅烷偶联剂的聚合进行引发的工序即可。本工序中,通过添加上述聚合引发剂,使先前的表面处理工序中未结合到基材表面而残留的硅烷偶联剂、与结合到基材表面上的硅烷偶联剂聚合,形成接枝聚合物。由此,在基材表面形成具有烷氧基甲硅烷基的接枝聚合物,因此在后述的结合工序中,该烷氧基甲硅烷基与磷酸钙形成键。需要说明的是,在此,不仅是表面处理工序中未结合到基材表面的残留的硅烷偶联剂,还可以追加硅烷偶联剂。另外,追加的硅烷偶联剂可以是与表面处理工序中使用的硅烷偶联剂相同的物质,也可以是别的物质。另外,也可以代替硅烷偶联剂添加具有聚合性双键和异氰酸酯基的化合物。由此,由于形成具有异氰酸酯基的接枝聚合物,因此在后述的结合工序中该异氰酸酯基与磷酸钙之间还可以形成尿烷键。
作为本工序中使用的聚合引发剂,虽然根据使用的硅烷偶联剂种类而不同,但只要是具有聚合性双键的硅烷偶联剂,则可以使用偶氮系、过氧化物系等各种公知的聚合引发剂,可以举出例如以偶氮双异丁腈(AIBN)为代表的偶氮系聚合引发剂、过氧化苯甲酰(BPO)为代表的过氧化物系聚合引发剂。
另外,作为该溶液的温度(反应温度),没有特别限定,但优选30~100℃,更优选40~80℃。另外,作为溶剂没有特别限定,但优选使用例如甲苯、己烷等烃系溶剂等无极性有机溶剂。作为硅烷偶联剂的使用量,没有特别限定,但相对于基材的重量,优选10~500重量%,更优选50~400重量%,进一步优选100~300重量%。另外在使用硅烷偶联剂时,更优选利用表面活性剂对该硅烷偶联剂的烷氧基甲硅烷基进行保护。作为利用表面活性剂对硅烷偶联剂进行保护的方法,没有特别限定,也可以对它们进行混合。作为表面活性剂的量,相对于硅烷偶联剂优选1.0~50重量%,更优选10~25重量%。
还可以包含在聚合结束后,对附着于基材表面上的在硅烷偶联剂的聚合工序中生成的均聚物进行除去的均聚物除去工序。具体而言,也可以将基材浸渍到水或醇等溶剂中进行超声波清洗。在利用该工序除去基材表面上的均聚物,在该工序后进行的结合工序中,能够使结合到基材上的接枝聚合物的烷氧基甲硅烷基与磷酸钙反应,所以是有效的。
《结合工序》
本发明的制造方法所含的结合工序,只要是使上述表面处理工序后的上述基材的表面结合上述磷酸钙的工序即可。作为使聚合工序后的基材的表面结合磷酸钙的方法,没有特别限定,可以使用以往公知的方法。可以参照例如专利文献1及专利文献2。具体而言,也可以将基材浸渍到悬浮有磷酸钙的液体中。另外,在浸渍期间可以搅拌该液体,也可以进行超声波处理。另外,可以在浸渍后该基材在减压条件下、优选真空条件下静置,在减压条件下或真空条件下还可以进行加热。作为加热的温度,优选50~200℃,更优选80~150℃。
在本发明的制造方法中,也可以进行对通过结合工序得到的磷酸钙复合体进行清洗的清洗工序。清洗工序根据磷酸钙复合体的使用用途而进行即可。
作为具体的清洗方法,根据作为目标的清洗程度而适当选择即可。例如可以进行超声波清洗。通过本发明涉及的制造方法得到的磷酸钙复合体,由于基材与磷酸钙的接合强度极强,所以即便进行超声波清洗也能够良好地抑制磷酸钙的剥离。关于超声波清洗,用以往公知的方法即可。
以上说明的磷酸钙复合体的制造方法,能够在各种用途中利用。例如应用于支架等医疗用器件的制造中时是有益的。
实施例
(臭氧水处理后的基材表面的XPS测定)
在乙醇溶剂中对10mm×10mm×厚1mm的SUS316L基材实施了2分钟的超声波清洗(50W)。然后,使基材在15ppm的室温的臭氧水中浸渍20分钟。浸渍后,使基材浸渍到THF(四氢呋喃)中,除去臭氧水处理时的表面的水分。在此,使用的臭氧水使用气体溶解组件(Gore-tex日本公司制,型式:GT-01T)进行制造。具体而言,在气体组件内使自来水(流量600ml/min、压力0.05MPa)与臭氧气体(流量500ml/min、压力0.03~0.05MPa)接触而制造了臭氧水。
使用XPS对该处理后的基材表面用下述的条件进行了氧气的O1s谱的解析。
机种:Thermo Fisher制θ-探针(Theta prope)
光源:AlKα
电压:15kV
电流:6.66mA
光斑大小:400μm
(窄扫描条件)
通能(pass energy):100eV
扫描次数:5次
阶梯(step):0.1eV
可确认到在基材表面的氧化被膜表面上形成有M(Metal)-O键及M-OH键{图1(b)}。需要说明的是,图1(a)是用XPS对未处理的SUS316L的表面进行解析的结果。根据这些结果,观测到M-OH键的峰在增加的状况,所以可知在SUS316L的表面被导入有大量OH基。
(基于臭氧水处理进行的基材表面的润湿性的评价)
在乙醇溶剂中对10mm×10mm×厚1mm的SUS316L基材实施了2分钟的超声波清洗(50W)。然后,使基材在规定浓度(ppm)的室温下的臭氧水中浸渍规定时间(分钟)。需要说明的是,臭氧水利用与上述相同的方法加以制造。在浸渍后,使基材干燥,在处理基材的表面滴下水滴,并对基材与水滴的接触角进行了测定。各个条件的结果示于以下的表1。需要说明的是,接触角如下算出:滴加10μL水使其静置30秒并测定扩散的水滴的直径,由该直径与滴加量的关系算出。
【表1】
  处理条件   接触角
  未处理   69°以上
  臭氧水处理15ppm×20min   44°
  臭氧水处理15ppm×60min   26°
  臭氧水处理35ppm×60min   31°
  臭氧气体处理7%(残留氧气)×30min   47°
  硝酸处理35%HNO3,60℃、30min   48°
(实施例1)
〔臭氧水处理〕
在乙醇溶剂中对10mm×10mm×厚0.1mm的SUS316L基材实施了2分钟的超声波清洗(50W)。然后,使基材在15ppm的室温的臭氧水中浸渍20分钟。浸渍后,使基材浸渍到THF(四氢呋喃)中,并除去了臭氧水处理时的表面的水分。
〔接枝聚合处理〕
在含有硅烷偶联剂(γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、信越化学工业制,KBE503、以下简称为“KBE”。)3.3ml和甲苯25ml的温度70℃的溶液中,边用氮气鼓泡,边将实施了上述处理的基材浸渍30分钟。然后,再追加溶解有AIBN 33mg的甲苯5ml,边用氮气鼓泡,边在温度70℃的该溶液中使基材浸渍120分钟,进行了接枝聚合。通过以这样的时间差添加AIBN,打算形成与基材表面结合的KBE单体、和在溶剂中游离的KBE的接枝聚合物。为了在该处理后除去在基材表面上附着的KBE的均聚物,在乙醇溶剂中在室温下实施2分钟的超声波清洗(50W)。然后,在室温下进行了60分钟的减压干燥。
〔羟基磷灰石被覆处理〕
在上述处理后,在1%的羟基磷灰石(HAp)分散液中(分散介质:乙醇)在35℃进行了20分钟的超声波处理(50W)。在此,羟基磷灰石使用根据专利文献1记载的方法制造的羟基磷灰石烧结体。然后,在减压下、在110℃进行了120分钟的退火(热处理)。进而,使该处理基材在乙醇中、室温下进行2分钟的超声波清洗(50W),对基材表面上物理吸附的HAp粒子进行除去。然后,在室温进行了60分钟的减压干燥。由该处理得到的扫描型电子显微镜(SEM)照片示于图2。需要说明的是,扫描型电子显微镜使用日本电子公司制JSM-5510进行测定。另外,利用IR对未处理的基材的表面、接枝聚合处理后的基材的表面以及HAp被覆后的基材的表面进行测定得到的结果示于图3。需要说明的是,IR的测定利用PerkinsElmer制Spectrum100(傅里叶变换红外分光分析装置)进行。根据这些结果,在接枝聚合后观测到了来自KBE的C=O的峰、来自KBE的Si-O-C的峰{图3(b)},所以可确认到基材表面被导入有KBE。另外,在HAp被覆后观测到来自HAp的磷酸离子的峰{图3(c)},所以可确认到在基材表面被导入了HAp。
(实施例2)
使用SUS304作为处理基材,在臭氧水处理中使用40ppm的臭氧水,进行了60分钟处理,除此以外,在与上述实施例1相同的条件下进行了基材的表面处理。将显示基材处理结果的SEM照片示于图4。
(比较例1)
除了不进行接枝聚合处理之外,在与上述实施例1相同的条件下进行了基材的表面处理。将该基材的表面的SEM照片示于图5。
(比较例2)
除了不进行臭氧水处理之外,在与上述实施例1相同的条件进行了基材的表面处理。将该基材的表面的SEM照片示于图6。
(比较例3)
除了不进行臭氧水处理及接枝聚合处理之外,在与上述实施例1相同的条件进行了基材的表面处理。将该基材的表面的SEM照片示于图7。
由上述比较例1~3的结果可知,即便漏掉上述中的任意工序,在基材表面都不能被覆羟基磷灰石。因此,认为臭氧处理及接枝聚合处理是必须的工序。

Claims (4)

1.一种制造方法,其为在基材的表面结合磷酸钙而成的磷酸钙复合体的制造方法,其特征在于,包括如下的工序:
表面处理工序,在使所述基材的表面与表面处理剂接触后,与硅烷偶联剂接触而进行表面处理,
聚合工序,在所述表面处理工序后,通过聚合引发剂引发硅烷偶联剂的聚合,和
结合工序,使聚合工序后的所述基材的表面的硅烷偶联剂与所述磷酸钙结合;
其中,所述基材为金属,所述表面处理剂为臭氧水。
2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述硅烷偶联剂为非硫醇系的硅烷偶联剂。
3.如权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,使用不锈钢作为所述基材。
4.一种磷酸钙复合体,其利用权利要求1~3中任一项所述的方法得到。
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