CN102388445A - 晶片输送方法和晶片输送装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的晶片输送方法包括以下工序中的至少一个工序：向在液体中叠层的多片晶片(Wf)中的位于最上方位置的晶片(Wf)的上方喷出上述液体以对晶片(Wf)施加浮力的工序；和向上述多片晶片(Wf)的端面喷出上述液体以使最上方位置的晶片的分离可靠化的工序。根据这样的结构，例如用线锯进行切断之后，无需经过人手就能够将半导体晶片逐片分离。

Description

晶片输送方法和晶片输送装置
技术领域
本发明涉及将例如用于太阳能电池的材料的半导体晶片逐片输送的晶片输送方法和晶片输送装置。
背景技术
图24表示半导体晶片的制造中的使用线锯(wire saw)装置的切断工序(例如参照专利文献1)。该图所示的线锯装置X，是具备4个导辊93和线94，将半导体材料92切断成晶片状的装置。线94例如为施加了镀层的钢线(钢琴线)，缠绕在4个导辊93上，向图示的箭头方向输送。半导体材料92，在通过粘接剂与例如由玻璃构成的保持部件91接合的状态下，向线94被按压。线94超过半导体材料92到达保持部件91时，完成半导体材料92的切断。通过该切断，在保持部件91与各端缘接合的状态下，得到多片晶片。
但是，切断结束后，最后需要使上述晶片成为1片1片分离的状态。在该分离作业之前，为了清洗切断粉末、从保持部件91剥离的目的，上述晶片被浸渍在清洗液、溶解粘接剂的溶液中。因这些液体而使上述晶片成为湿状态时，相邻的上述晶片彼此容易贴合。这样的情况下，不容易使上述晶片成为1片1片分离的状态，强制进行例如操作者通过手工作业将上述半导体晶片逐片取出的作业。
专利文献
专利文献1：日本特开2007-160431号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明是基于上述状况而完成的，其目的在于提供晶片输送方法和晶片输送装置，例如在用线锯切断之后，无需经过人手就能够将半导体晶片逐片分离。
本发明的第一方面提供的晶片输送方法，其特征在于：具备向在液体中叠层的多片晶片中的位于最上方位置的晶片的上方和上述多片晶片的端面的至少任一方喷出上述液体的工序。
在本发明优选的实施方式中，还具备配置在与上述多片晶片中的位于最上方位置的晶片相对的位置，并且能够接收上述晶片的晶片接收单元获取(拿起)上述多片晶片中的至少位于最上方位置的晶片的工序，在喷出上述液体的工序中，通过使上述位于最上方位置的晶片与上述晶片接收单元的间隙中产生上述液体的流动，利用上述间隙的压力的降低而使上述最上方位置的晶片移动到上述晶片接收单元。
在本发明优选的实施方式中，在喷出上述液体的工序中，通过从浮起用喷嘴向上述间隙喷出上述液体来产生上述液体的流动。
在本发明优选的实施方式中，上述晶片接收单元接收上述位于最上方位置的晶片的面相对于上述位于最上方位置的晶片倾斜，上述浮起用喷嘴从上述间隙大的方向产生上述液体的流动。
在本发明优选的实施方式中，上述晶片接收单元使上述晶片在其面内方向滑动。
在本发明优选的实施方式中，使用吸附传送带作为上述晶片接收单元，该吸附传送带包括：相互分离的1对辊；缠绕在上述1对辊上、且具有设置有多个孔的吸附区间的1个以上的环形带；和能够将被上述环形带包围的空间减压的减压单元。
在本发明优选的实施方式中，上述吸附传送带具有相互平行地分离配置的1对上述环形带，在喷出上述液体的工序中，通过上述浮起用喷嘴使这些环形带彼此之间产生上述液体的流动。
在本发明优选的实施方式中，从分离用喷嘴向上述多片晶片的端面喷出上述液体。
在本发明优选的实施方式中，从配置在与上述分离用喷嘴相同的一侧的超声波发生单元以上述液体为介质对上述多片晶片产生(发出)超声波。
在本发明优选的实施方式中，在喷出上述液体的工序中，在将对朝向上述晶片的面内方向中的第一方向的一侧的上述多片晶片的移动进行限制的支撑部件，相对于上述多片晶片配置在上述第一方向的上述一侧的状态下，向上述多片晶片的端面喷出上述液体，以使上述多片晶片的任意彼此之间产生间隙。
在本发明优选的实施方式中，还具备使具有规定宽度的晶片接收单元接近上述多片晶片，获取上述多片晶片中的至少位于最上方位置的晶片的工序，上述支撑部件具备一对第一方向移动限制部，该一对第一方向移动限制部在上述面内方向中的与上述第一方向正交的上述第二方向上隔开(离开)上述规定宽度以上。
在本发明优选的实施方式中，上述晶片的端面的延伸方向与上述第二方向一致，上述一对第一方向移动限制部彼此的分隔(分开)距离比上述第二方向上的上述晶片的尺寸小。
在本发明优选的实施方式中，上述一对第一方向移动限制部均为沿着上述多片晶片的叠层方向延伸的长板状。
在本发明优选的实施方式中，上述支撑部件具备一对第二方向移动限制部，该一对第二方向移动限制部配置在上述第二方向上的上述多片晶片的两侧，并且限制上述多片晶片在上述第二方向上的移动。
在本发明优选的实施方式中，上述一对第二方向移动限制部均为沿着上述多片晶片的叠层方向延伸的平板状。
在本发明优选的实施方式中，上述晶片接收单元为在已吸附上述多片晶片中的位于最上方位置的晶片的状态下使该晶片在其面内方向滑动的吸附滑动单元，还具备使用上述吸附滑动单元从上述最上方位置的晶片起依次输送上述晶片的工序。
在本发明优选的实施方式中，上述吸附滑动单元具备：相互分离的一对辊；和缠绕在上述一对辊上的环形带，在上述环形带设置有多个孔，该多个孔与被上述环形带包围并能够被减压的空间连接。
在本发明优选的实施方式中，在喷出上述液体的工序中，从上述晶片的滑动方向的前方侧对上述多片晶片喷出上述液体。
本发明的第二方面提供的晶片输送装置，其特征在于：具备液体喷出单元，该液体喷出单元向在液体中叠层的多片晶片中的位于最上方位置的晶片的上方和上述多片晶片的端面的至少任一方喷出上述液体。
在本发明优选的实施方式中，还具备晶片接收单元，该晶片接收单元配置在与上述多片晶片中的位于最上方位置的晶片相对的位置，并且能够接收上述晶片，上述液体喷出单元使上述位于最上方位置的晶片与上述晶片接收单元的间隙中产生上述液体的流动。
在本发明优选的实施方式中，上述液体喷出单元包括浮起用喷嘴。
在本发明优选的实施方式中，上述晶片接收单元接收上述位于最上方位置的晶片的面相对于上述位于最上方位置的晶片倾斜，上述浮起用喷嘴为使得从上述间隙大的方向产生上述液体的流动的姿势。
在本发明优选的实施方式中，上述晶片接收单元使上述晶片在其面内方向滑动。
在本发明优选的实施方式中，上述晶片接收单元为吸附传送带，该吸附传送带包括：相互分离的1对辊；缠绕在上述1对辊上、且具有设置有多个孔的吸附区间的1个以上的环形带；和能够将被上述环形带包围的空间减压的减压单元。
在本发明优选的实施方式中，上述吸附传送带具有相互平行地分离配置的1对上述环形带，上述浮起用喷嘴使上述1对环形带彼此之间产生上述液体的流动。
在本发明优选的实施方式中，上述液体喷出单元还包括向上述多片晶片的端面喷出上述液体的分离用喷嘴。
在本发明优选的实施方式中，还具备超声波发生单元，该超声波发生单元相对于上述多片晶片配置在与上述分离用喷嘴相同的一侧，以上述流体为介质产生超声波。
在本发明优选的实施方式中，还具备支撑部件，该支撑部件相对于上述多片晶片配置在上述晶片的面内方向中的第一方向的一侧，并且限制上述多片晶片的向上述第一方向的上述一侧的移动，上述液体喷出单元相对于上述多片晶片配置在上述第一方向的另一侧，并且通过向上述多片晶片的端面喷出上述液体，在上述多片晶片的任意彼此之间(任意两个晶片之间)产生间隙。
在本发明优选的实施方式中，还具备晶片接收单元，该晶片接收单元在上述面内方向中的与上述第一方向正交的第二方向上具有规定宽度，并且能够接收上述多片晶片中的至少位于最上方位置的晶片，上述支撑部件具备在上述第二方向上隔开上述规定宽度以上的一对第一方向移动限制部。
在本发明优选的实施方式中，上述晶片的端面的延伸方向与上述第二方向一致，上述一对第一方向移动限制部彼此的分隔距离比上述第二方向上的上述晶片的尺寸小。
在本发明优选的实施方式中，上述一对第一方向移动限制部均为沿着上述多片晶片的叠层方向延伸的长板状。
在本发明优选的实施方式中，上述支撑部件具备一对第二方向移动限制部，该一对第二方向移动限制部配置在上述第二方向上的上述多片晶片的两侧，并且限制上述多片晶片在上述第二方向上的移动。
在本发明优选的实施方式中，上述一对第二方向移动限制部均为沿着上述多片晶片的叠层方向延伸的平板状。
在本发明优选的实施方式中，还具备支承上述支撑部件且载置上述多片晶片的载置台，上述载置台和上述晶片接收单元能够在上述多片晶片的叠层方向上相对移动。
在本发明优选的实施方式中，上述晶片接收单元包括吸附滑动单元，该吸附滑动单元在已吸附上述多片晶片中的位于最上方位置的晶片的状态下，使该晶片在其面内方向滑动。
在本发明优选的实施方式中，上述吸附滑动单元具备：相互分离的一对辊；和缠绕在上述一对辊上的环形带，在上述环形带设置有多个孔，该多个孔与被上述环形带包围并且能够被减压的空间连接。
在本发明优选的实施方式中，上述晶片的滑动方向前方与上述第一方向的上述另一方一致。
本发明的其他特征和优点，通过参照附图在以下进行的详细说明可以更加明确。
附图说明
图1是表示基于本发明的第一实施方式的晶片输送装置的一例的整体概略图。
图2是表示图1所示的晶片输送装置的主要部分截面图。
图3是表示图1所示的晶片输送装置的吸附传送带的底面图。
图4是表示在基于本发明的第一实施方式的晶片输送方法中，使晶片浮起的工序的主要部分截面图。
图5是表示在基于本发明的第一实施方式的晶片输送方法中，吸附晶片的工序的主要部分截面图。
图6是表示在基于本发明的第一实施方式的晶片输送方法中，使晶片滑动的工序的主要部分截面图。
图7是表示在基于本发明的第一实施方式的晶片输送方法中，对于中转传送带交接晶片的工序的主要部分截面图。
图8是表示基于本发明的第一实施方式的晶片输送装置的其他例子的主要部分平面图。
图9是沿着图8的IX-IX线的主要部分截面图。
图10是表示基于本发明的第二实施方式的晶片输送装置的一例的整体概略图。
图11是表示图10所示的晶片输送装置的主要部分截面图。
图12是仅表示图10所示的晶片输送装置的一部分结构的立体图。
图13是沿着图10的XIII-XIII线的主要部分截面图。
图14是图13的从上侧看到的平面图。
图15是对图10所示的晶片输送装置的吸附传送带从斜下方看到的主要部分立体图。
图16是表示在基于本发明的第二实施方式的晶片输送方法中，使晶片浮起的工序的主要部分截面图。
图17是表示在基于本发明的第二实施方式的晶片输送方法中，使晶片浮起的工序的与图15同样的主要部分立体图。
图18是表示在基于本发明的第二实施方式的晶片输送方法中，吸附晶片的工序的与图15同样的主要部分立体图。
图19是表示在基于本发明的第二实施方式的晶片输送方法中，吸附晶片的工序的主要部分截面图。
图20是表示在基于本发明的第二实施方式的晶片输送方法中，使晶片滑动的工序的主要部分截面图。
图21是表示在基于本发明的第二实施方式的晶片输送方法中，使晶片滑动的工序的与图15同样的主要部分立体图。
图22是表示在基于本发明的第二实施方式的晶片输送方法中，对于中转传送带交接晶片的工序的主要部分截面图。
图23是表示基于本发明的第二实施方式的晶片输送方法中的最终工序的主要部分截面图。
图24是表示使用线锯装置的半导体材料的切断工序的立体图。
具体实施方式
以下，对于本发明优选的实施方式，参照附图具体说明。
图1表示基于本发明的第一实施方式的晶片输送装置的一例。本实施方式的晶片输送装置A1，包括晶片槽1、吸附传送带2、喷嘴31、海绵辊32、超声波发生单元4、中转传送带5、装填传送带6和堆存器7。
晶片槽1，为铅垂方向上方开口的容器状，用于将多片晶片Wf在浸入规定的液体Lq的状态下收容。多片晶片Wf，在铅垂方向上叠层的状态下被浸入液体Lq内。液体Lq例如为在水中混入了适量的界面(表面)活性剂的液体。上述晶片Wf的片数，例如为1000片左右。列举晶片Wf的尺寸的一例，外形为156mm见方，厚度为0.14～0.18mm。多片晶片Wf，以位于其最上方位置的晶片的上表面与液体Lq的液面Ls平行的方式叠层。
多片晶片Wf，例如在晶片槽1的图中左方叠层后，被传送带11输送到晶片槽1的图中右方部分。被输送的多片晶片Wf，例如被升降机12可升降地握持。升降机12例如通过伺服电动机(省略图示)，至少以相当于1片晶片Wf的厚度的精度自由升降。
吸附传送带2相当于本发明所述的晶片接收单元的一例，在晶片槽1内设置在其下方部分浸入液体Lq的位置。如图2所示，吸附传送带2包括1对辊21、1对环形带22、以及真空箱23。
1对辊21相互分离地平行配置，至少某一个与伺服电动机(未图示)等驱动源连接。
1对环形带22为环状的例如橡胶制的带状传送带，缠绕在1对辊21上。如图3所示，1对环形带22，相互平行地分离配置。如图2和图3所示，在各环形带22中的作为其周长方向的一部分的吸附区间22a，形成有多个孔22b。各孔22b，对环形带22在其厚度方向上贯通，使液体Lq和空气能够通过。在本实施方式中，使吸附区间22a的周长方向尺寸，与晶片Wf的周长方向尺寸大致相同。
真空箱23，配置在环形带22内的空间中，为截面呈矩形的例如SUS制成的。真空箱23的高度方向尺寸，与环形带22的内侧彼此的间隔大致相同。因此，环形带22沿着真空箱23的上下表面滑动。真空箱23，具有3个分区室231、232、233。这些分区室231、232、233，沿着1对辊21分离的方向排列。在真空箱23，形成有多个孔23b。多个孔23b，设置在真空箱23的下侧部分，在本实施方式中，设置在真空箱23的下侧部分的大致整个面。在分区室231、232、233，分别设置有吸气口23a。
如图2所示，吸附传送带2为相对于多片晶片Wf中的位于最上方位置的晶片的上表面略微倾斜的姿势。更具体而言，吸附传送带2的右端比左端更远离位于最上方位置的晶片Wf的上表面。
吸气口23a通过管(hose)24、阀单元27、脱水槽25与泵26连接。管24为例如由树脂构成的具有可挠性的配管部件。使阀单元27能够切换分区室231、232、233中的哪一个与泵26连接。脱水槽25用于从通过真空箱23吸引的空气中分离液体Lq。泵26是用于将成为被收容在环形带22中的状态的真空箱23内的空间减压至通过吸附传送带2能够吸附晶片Wf的程度的减压源。
喷嘴31是使液体Lq喷出的部件，产生液体Lq的喷流。喷嘴31通过配管(省略图示)与喷出泵(省略图示)连接。在本实施方式中，如图2所示，喷嘴31以朝向位于最上方位置的晶片Wf与吸附传送带2之间的间隙从图中右方产生喷流的姿势设置。由喷嘴31产生的喷流，具有上下方向较薄的扁平截面形状。此外，如图3所示，该喷流以大约45°左右的扩展角度边扩展边前进。从喷嘴31喷出的液体Lq的流量，例如为9L/min左右。
海绵辊32是表面部分由海绵构成的辊。海绵辊32在吸附传送带2的正下方，相对于叠层的多片晶片Wf配置在图中右方。海绵辊32与未图示的例如电动机连接，从而可旋转。在本实施方式中，海绵辊32通过支架(bracket)相对于吸附传送带2被固定。
超声波发生单元4，例如配置在晶片槽1的壁面附近，具有产生超声波的激励源。来自超声波发生单元4的超声波，作用于以液体Lq为介质叠层的多片晶片Wf的最上方位置的晶片、吸附传送带2、海绵辊32。
中转传送带5在吸附传送带2的下游一侧，配置在液面Ls的上方。中转传送带5，按照后述的步骤从吸附传送带2交接被吸附的晶片Wf。
装填传送带6配置在中转传送带5的下游一侧。装填传送带6，用于将从中转传送带5接收的晶片Wf，装填到堆存器7。
堆存器7用于逐片存放多片晶片Wf，具有在铅垂方向上相互平行排列的多个袋71。从装填传送带6输送晶片Wf时，该晶片Wf被装填到某一个袋71中。这时，通过未图示的升降单元使堆存器7上升袋71的一层的量。由此，使下一个晶片Wf成为可装填状态。
接着，对于使用晶片输送装置A1的晶片输送方法的一例，参照图4～图7在以下说明。
首先，如图4所示，使环形带22的吸附区间22a，位于叠层的晶片Wf的正上方。吸附区间22a位于该位置时，真空箱23的多个孔23b中设置在分区室231、232的孔23b，与吸附区间22a重叠。此外，此时通过切换阀单元27，将分区室231、232与泵26连接，将分区室233与泵26切断。与此同时，驱动泵26，使分区室231、232的内压为负压。然后，通过从喷嘴31喷出液体Lq，使最上方位置的晶片Wf与吸附传送带2的间隙中产生喷流。如图3所示，该喷流主要在1对环形带22之间扩展。
因上述喷流的产生，最上方位置的晶片Wf与吸附传送带2的间隙的压力急剧降低。因该压力降低，如图5所示，位于最上方位置的晶片Wf被吸向上方。然后，该晶片Wf被吸附在吸附区间22a。
接着，如图6所示，通过驱动辊21使环形带22逆时针地转动。由此，使被吸附的晶片Wf向图中右方滑动。此时，从超声波发生单元4产生超声波。此外，使海绵辊32逆时针地旋转。于是，滑动的晶片Wf，从其前端起依次与海绵辊32接触并通过。由此，对晶片Wf施加朝向与滑动方向相反方向的阻力。在假设错误地取了位于最上方位置的晶片Wf和其正下方的晶片Wf的情况下，能够通过该阻力将下方的晶片Wf取下。使超声波作用于晶片Wf时，有利于2片晶片Wf的分离。进而，混入液体Lq中的界面活性剂，可以适当地促进液体Lq进入2片晶片Wf之间。
环形带22转动时，吸附区间22a从与分区室231、232重叠的位置起移动到与分区室232、233重叠的位置。此时，如图6所示，通过切换阀单元27，将分区室232、233与泵26连接，切断分区室231与泵26。由此，分区室232、233的内压成为负压，分区室231从其内压为较强的负压的状态解除。
接着，如图7所示，进而使环形带22转动。于是，被吸附的晶片Wf进而向右方滑动，交接到中转传送带5。在图示的状态下，吸附区间22a仅与分区室233重叠。此时，通过切换阀单元27，将分区室233与泵26连接，将分区室231、232与泵切断。
之后，经由中转传送带5、装填传送带6，晶片Wf被装填到堆存器7中。另一方面，吸附传送带2使环形带22进一步转动，同时通过切换阀单元27，再次成为图4所示的状态。升降机12使叠层的多片晶片Wf，上升相当于一片晶片Wf的厚度的高度，从而使下一片晶片Wf成为可吸附的状态。通过依次反复上述工序，能够将叠层的多片晶片Wf逐片输送，装填到堆存器7。
接着，对于本实施方式的晶片输送方法和晶片输送装置A1的作用进行说明。
多片晶片Wf，因为在例如使用了线锯的切断工序之后，经过清洗工序和粘接剂的溶解工序而成为湿的状态。如果将这些湿的晶片Wf放置在大气中，则会相互贴合，难以逐片地分离。根据本实施方式，使叠层的多片晶片Wf，首先通过吸附传送带2在液体Lq内被吸附后滑动。在液体Lq内，即使因之前的清洗工序和溶解工序使多片晶片Wf浸湿，相邻的晶片Wf也难以相互牢固地贴合。而且，能够利用因喷嘴31产生的喷流所导致的压力降低而使位于最上方位置的晶片Wf适当地移动到吸附传送带2。喷流的产生能够在非常短的时间内达成，因此对于缩短使位于最上方位置的晶片Wf吸附到吸附传送带2所需要的时间是有利的。
使用吸附传送带2时，能够使所吸附的晶片Wf从叠层的多片晶片Wf的正上方平滑地退避。此时，多片晶片Wf变得非常杂乱的可能性较小。
来自喷嘴31的喷流，朝向1对环形带22之间。在环形带22的吸附区间21a中，存在对孔22b吸入液体Lq的流。能够避免该吸入流与来自喷嘴31的喷流不正常地相互干涉(干扰)。这一点适于可靠地使最上方位置的晶片Wf通过由喷流产生的减压而浮起、以及吸附浮起的晶片Wf。
通过将分区室231、232、233中与吸附区间22a不重叠的分区室，依次与泵26切断，能够防止通过吸附区间22a以外的部分错误地吸附想要吸附的晶片Wf以外的晶片Wf。
图8和图9表示基于本发明的第一实施方式的晶片输送装置的其他示例。该图所示的结构中，还具备分离用的2个喷嘴41和2个超声波发生单元4，这一点与上述实施方式不同，对于其他结构与上述实施方式相同，省略图示。
喷嘴41，相对于图中箭头所示的输送最上方位置的晶片Wf的方向，设置在两侧方。喷嘴41的高度方向位置，为从叠层的多片晶片Wf中最上方位置的晶片Wf起与数片晶片相同的高度。来自喷嘴41的喷流，向从多片晶片Wf中最上方位置的晶片Wf起数片晶片的端面喷出。2个超声波发生单元4，相对于多片晶片Wf设置在与喷嘴41相同的一侧，向多片晶片Wf的端面产生超声波。
根据这样的实施方式，假设最上方位置的晶片Wf与第二片晶片Wf为密合状态，也能够通过来自超声波发生单元4的超声波和来自喷嘴41的喷流使液体Lq浸透其间。通过该浸透，能够促进最上方位置的晶片Wf和第二片晶片Wf的分离。从而，最上方位置的晶片Wf因上述喷嘴31的喷流而浮起时，能够防止第二片晶片在贴合到最上方位置的晶片的状态下错误地浮起。
图10表示基于本发明的第二实施方式的晶片输送装置的一例。本实施方式的晶片输送装置A2，包括晶片槽1、吸附传送带2、多个喷嘴31、海绵辊32、加热器41、温度传感器42、加热器控制部43、中转传送带5、装填传送带6、堆存器7、载置台81和支撑部件82。
晶片槽1为铅垂方向上方开口的容器状，用于将多片晶片Wf在浸入规定的液体Lq的状态下收容。多片晶片Wf被载置在后述的载置台81上，并且被支撑部件82引导。多片晶片Wf在上下叠层的状态下被浸入液体Lq内，为相对于液体Lq的液面Ls以规定的角度倾斜的姿势。液体Lq例如为在水中混入了适量的界面活性剂的液体。上述晶片Wf的片数，例如为1000片左右。列举晶片Wf的尺寸的一例，外形为156mm见方，厚度为0.14～0.18mm。多片晶片Wf以位于其最上方位置的晶片的上表面与后述的吸附传送带2的晶片吸附面22c平行的方式叠层。使最上方位置的晶片Wf的上表面与吸附传送带2的晶片吸附面22c的距离，例如为15～35mm。
图12是仅将载置台81和支撑部件82部分透视化表示的立体图。图13是沿着图10的XIII-XIII线的主要部分截面图。图14表示图13的从上侧看到的平面图。
载置台81用于载置多片晶片Wf。载置台81例如由氯乙烯树脂或者玻璃环氧树脂构成。如图12、图13所示，载置台81包括底座部811、一对板状部件812、813、辅助支撑部件814。底座部811为正方形的平板状。底座部811的外形与晶片Wf为大致相同程度的大小，厚度例如为10mm。
一对板状部件812、813和辅助支撑部件814均从底座部811向图12、图13的上方竖起。一对板状部件812、813和辅助支撑部件814为相互平行地配置，并且沿着x1-x2方向延伸的长板状。一对板状部件812、813和辅助支撑部件814均用于支撑晶片Wf。仅配置一对板状部件812、813也能够支撑多片晶片Wf，然而通过进一步配置辅助支撑部件814，能够抑制晶片Wf向下方弯曲。一对板状部件812、813和辅助支撑部件814的尺寸例如为长边156mm、短边15～35mm、厚度2～10mm。
在载置台81，通过被底座部811、一对板状部件812、813、以及辅助支撑部件814夹着，形成2个空间815。空间815在x1-x2方向贯通。此外，空间815向与底座部811相反的一侧、即载置晶片Wf的一侧露出。
支撑部件82用于引导多片晶片Wf从而使多片晶片Wf不会发生位置偏离。在本实施方式中，支撑部件82与载置台81连接。
支撑部件82例如由玻璃环氧树脂或者不锈钢构成。如图12～图14所示，支撑部件82包括一对移动限制部821、822以及移动限制部823、824。移动限制部821、822均相对于多片晶片Wf配置在方向x1一侧。这样通过配置移动限制部821、822，限制多片晶片Wf在方向x1上移动。移动限制部821、822为沿着晶片Wf的叠层方向延伸的长板状。移动限制部821、822彼此相互分离，其分隔距离L1例如为101～140mm。此外，该分隔距离比晶片Wf的宽度小。
移动限制部823相对于多片晶片Wf配置在方向y1一侧，移动限制部824相对于多片晶片Wf配置在方向y2一侧。这样，通过配置移动限制部823、824，限制多片晶片Wf在y1-y2方向上移动。移动限制部823、824为沿着晶片Wf的叠层方向延伸的长板状。移动限制部823与移动限制部821一体成型，移动限制部824与移动限制部824一体成型。
多片晶片Wf例如在晶片槽1的图10的左方，在载置台81上叠层并且被支撑部件82引导的状态下，通过传送带11被输送到晶片槽1的图中右方部分被握持。升降机12例如通过伺服电动机(省略图示)，至少以相当于1片晶片Wf的厚度的精度自由升降。载置台81、支撑部件82和晶片Wf随着升降机12的升降而升降。
吸附传送带2相当于本发明所述的吸附滑动单元的一例，在晶片槽1内设置在其下方部分浸入液体Lq的位置。如图14所示，吸附传送带2的y1-y2方向上的大小L2，比移动限制部821、822彼此的分隔距离L1小，例如为100mm。如图11所示，吸附传送带2包括1对辊21、1对环形带22和真空箱23。
1对辊21相互分离地平行配置，至少某一个与伺服电动机(省略图示)等驱动源连接。在本实施方式中，图11所示的辊21，以图中的逆时针地旋转。
1对环形带22为环状的例如橡胶制的带状传送带，缠绕在1对辊21上。如图15所示，1对环形带22相互平行地分离配置。如图11和图15所示，在各环形带22中作为其周长方向的一部分的吸附区间22a，形成有多个孔22b。各孔22b将环形带22在其厚度方向上贯通，使液体Lq和空气能够通过。在本实施方式中，吸附区间22a的周长方向尺寸，与晶片Wf的周长方向尺寸大致相同。
如图11所示，真空箱23配置在环形带22的内侧空间，为截面呈矩形的例如SUS制的箱。真空箱23的高度方向尺寸，与环形带22的内侧彼此的间隔大致相同。因此，环形带22沿着真空箱23的上下表面滑动。各环形带22通过辊21的驱动，向图11所示的箭头方向(逆时针旋转)转动。即，辊21旋转驱动时，环形带22中相对于真空箱23位于下侧的部分(晶片吸附面22c)，从图中左方向右方滑动。
真空箱23具有3个分区室231、232、233。这些分区室231、232、233沿着1对辊21分离的方向排列。在真空箱23形成有多个孔23b。多个孔23b设置在真空箱23的下侧部分，在本实施方式中，设置在真空箱23的下侧部分的大致整个面。在分区室231、232、233，分别设置有吸气口23a。
如图11所示，吸附传送带2，为相对于液体Lq的液面Ls一定程度倾斜的姿势。更具体而言，以吸附传送带2的右端比左端更靠上方位置的方式倾斜。
吸气口23a通过管24、阀单元27、脱水槽25与泵26连接。管24为例如由树脂构成的具有可挠性的配管部件。阀单元27能够切换分区室231、232、233中的哪一个与泵26连接。脱水槽25用于从通过真空箱23吸引的空气中分离液体Lq。泵26是用于将成为被收容在环形带22中的状态的真空箱23内的空间减压至通过吸附传送带2能够吸附晶片Wf的程度的减压源。
多个喷嘴31是喷出液体Lq的部件，产生液体Lq的喷流。这些喷嘴31分别通过配管(省略图示)与喷出泵(省略图示)连接。在本实施方式中，如图11所示，喷嘴31相对于叠层的多片晶片Wf配置在图中右方，以向多片晶片Wf的端面Wfa喷出液体Lq的姿势设置。喷嘴31均能够在晶片Wf的叠层方向上喷出扁平形状的液体Lq(省略图示)。从喷嘴31喷出的液体Lq的流量例如为9L/min左右。
使用图13、图14，对于多个喷嘴31的详细的配置状态进行说明。在上述图中，设配置在y1-y2方向上中央的喷嘴为喷嘴311，与喷嘴311相邻的喷嘴为喷嘴312，配置在y1-y2方向上最外侧的喷嘴为喷嘴313。
喷嘴311向y1-y2方向(晶片Wf的端面Wfa的延伸方向)上的晶片Wf的端面Wfa的中央喷出液体Lq。来自喷嘴311的喷流接触晶片Wf的端面Wfa的位置，为从多片晶片Wf的最上方位置的晶片起数片晶片(5～6片左右)的位置。喷嘴311喷出液体Lq的方向，与方向x1一致。喷嘴312在y1-y2方向上配置在与晶片Wf的端面Wfa重叠的位置。此外，如图13所示，喷嘴312在晶片Wf的叠层方向上配置在与喷嘴311相同的位置。喷嘴312向靠近晶片Wf的端面Wfa的一端的部分，喷出液体Lq。来自喷嘴312的喷流接触晶片Wf的端面Wfa的位置，为从多片晶片Wf的最上方位置的晶片起数片晶片(5～6片左右)的位置。喷嘴312喷出液体Lq的方向，也与方向x1一致。
如图13、图14所示，喷嘴313在y1-y2方向上配置在晶片Wf的端面Wfa的外侧。如图13所示，喷嘴313在晶片Wf的叠层方向上，与喷嘴311、312相比，配置在上方位置。喷嘴313向晶片Wf的端面Wfa的一端附近略微向上地喷出液体Lq。优选喷嘴313比多片晶片Wf的最上方位置的晶片Wf更朝向上侧，并且喷出液体Lq，使来自喷嘴313的喷流到达吸附传送带2。喷嘴313的喷出液体Lq的方向，相对于晶片Wf的面内方向，例如成15～20度的角度。
海绵辊32为表面部分由海绵构成的辊。海绵辊32在吸附传送带2的正下方，相对于叠层的多片晶片Wf配置在图中右方。海绵辊32与未图示的例如电动机连接，从而能够使其旋转。在本实施方式中，海绵辊32通过支架相对于吸附传送带2固定。
如图1所示，加热器41浸渍在液体Lq中，例如配置在晶片槽1的壁面附近。该加热器41使用液体加热用的加热器。加热器41驱动时，将液体Lq加热，该液体Lq的温度上升。加热器41通过线缆与加热器控制部43连接，通过来自加热器控制部43的电信号控制该驱动。
温度传感器42浸渍在液体Lq中，例如配置在晶片槽1的壁面附近。温度传感器42例如能够使用液温测定用的热敏电阻。来自温度传感器42的输出信号，通过电缆被传送到加热器控制部43。
加热器控制部43用于对加热器41供给驱动电力，设置在晶片槽1的外部。加热器控制部43具备根据来自温度传感器42的电信号控制加热器41的驱动的控制电路。作为加热控制部43进行的控制，能够列举例如控制加热器41的驱动从而使温度传感器42的测定温度在规定的温度范围内的所谓反馈控制。
中转传送带5在吸附传送带2的下游一侧，配置在液面Ls的上方。中转传送带5通过后述的步骤从吸附传送带2交接被吸附的晶片Wf。
装填传送带6配置在中转传送带5的下游一侧。装填传送带6用于将从中转传送带5接收的晶片Wf，装填到堆存器7。
堆存器7用于将多片晶片Wf逐片存放，具有在铅垂方向上相互平行地排列的多个袋71。从装填传送带6输送晶片Wf时，该晶片Wf被装填到某一个袋71中。于是，通过未图示的升降单元使堆存器7上升一层袋71。由此，成为能够装填下一个晶片Wf的状态。
接着，对于使用晶片输送装置A2的晶片输送方法的一例，参照图16～图23在以下进行说明。在图16～图22中，为了便于理解，省略了载置台81、支撑部件82的记载，实际上，多片晶片Wf在被载置在载置台81上，并且被支撑部件82引导的状态下进行以下的工序。
首先，如图16所示，使环形传送带22的吸附区间22a位于叠层的晶片Wf的正上方。此时，最上方位置的晶片Wf的上表面与吸附传送带2的晶片吸附面22c的距离例如为15～35mm。吸附区间22a位于该位置时，真空箱23的多个孔23b中设置在分区室231、232的孔，与吸附区间22a重叠。此外，此时通过切换阀单元27，将分区室231、232与泵26连接，将分区室233与泵26切断。与此同时，驱动泵26，使分区室231、232的内压成为负压。此处，通过驱动加热器41，预先使液体Lq的温度成为30℃以上。
接着，从多个喷嘴31向晶片Wf的端面Wfa以规定的喷出压力喷出液体Lq(参照图13～图15)。在因来自喷嘴31的喷出压力而被喷附液体Lq的部位，液体Lq进入晶片Wf彼此之间和晶片Wf的最上部的上侧。于是，如图17所示，包括最上方位置的晶片Wf的多片晶片Wf，以相互之间产生间隙的方式浮起。然后，最上方位置的晶片Wf，接近环形带22的吸附区间22a(晶片吸附面22c)。
在吸附传送带2，分区室231、232的内压为负压，因此位于吸附区间22a的正下方附近的最上方位置的晶片Wf被拉向上方。然后，如图18和图19所示，最上方位置的晶片Wf被吸附区间22a吸附。
接着，停止来自喷嘴31的液体Lq的喷出。然后如图20和图21所示，通过驱动辊21使环形带22逆时针地转动。由此，使被吸附的晶片Wf向图中右方滑动。此时，使海绵辊32逆时针地旋转。于是，滑动的晶片Wf，从其前端起依次与海绵辊32的上方接触并通过该海绵辊32的上方。由此，对晶片Wf向与滑动方向相反的方向施加阻力。假设错误地取了位于最上方位置的晶片Wf和位于其正下方的晶片Wf的情况下，能够通过该阻力将下方的晶片Wf取下。进而，混入液体Lq的界面活性剂，适当地促进液体Lq进入2片晶片Wf彼此之间。另外，在本记载中停止来自喷嘴31的液体Lq的喷出，但也可以不停止来自喷嘴31的液体Lq的喷出地继续进行以下一系列工序。
环形带22转动时，吸附区间22a从与分区室231、232重叠的位置移动到与分区室232、233重叠的位置。此时，如图20所示，通过切换阀单元27，将分区室232、233与泵26连接，将分区室231与泵26切断。由此，分区室232、233的内压成为负压，分区室231从其内压为较强的负压的状态被解除。
接着，如图22所示，进而使环形带22转动。于是，被吸附的晶片Wf进一步向右方滑动，与中转传送带5交接。在图示的状态下，吸附区间22a仅与分区室233重叠。此时，通过切换阀单元27，将分区室233与泵26连接，将分区室231、232与泵26切断。
之后，经由中转传送带5、装填传送带6，将晶片Wf装填到堆存器7。另一方面，吸附传送带2在使环形带22进一步转动的同时，通过切换阀单元27，再次成为图16所示的状态。然后，升降机12通过使叠层的多片晶片Wf上升相当于一片晶片Wf的厚度的高度，成为能够吸附下一个晶片Wf的状态。通过依次反复以上所述的工序，能够将叠层的多片的晶片Wf逐片输送，装填到堆存器7。
然后依次反复上述工序，其结果最终如图23所示，载置在载置台81的晶片Wf的数量为数片(几片)程度。晶片Wf的数量为数片程度的情况下，向晶片Wf的端面Wfa从喷嘴31喷出的液体Lq，也进入载置晶片Wf的载置台81的空间815。因此，即使晶片Wf为数片，也能够以相互之间产生间隙的方式浮起。之后，经过与上述同样的工序，能够将载置在载置台81的晶片Wf基本上全部装填到堆存器7。
接着，对于本实施方式的晶片输送方法和晶片输送装置A2的作用进行说明。
多片晶片Wf，由于在例如使用线锯的切断工序之后，经过清洗工序、粘接剂的溶解工序而成为湿状态。将这些湿的晶片Wf放置在大气中，会相互贴合，难以逐片地分离。根据本实施方式，在液体Lq中叠层的多片晶片Wf中，通过对上述晶片Wf的端面Wfa喷出液体Lq，使包括位于最上方位置的晶片Wf的多片晶片Wf之间产生间隙。即，因为在最上方位置的晶片Wf和与其相邻的正下方的晶片Wf之间存在间隙，所以能够消除晶片Wf彼此贴合的状态，能够使位于最上方位置的晶片Wf适当地被吸附传送带2吸附。
进而在本实施方式中，通过将喷嘴31如图13、图14所示地配置，并且，调整从喷嘴31喷出的液体Lq的方向，使多片晶片Wf彼此之间容易产生间隙。
根据发明人的试验，根据本实施方式，与未设置喷嘴311的情况相比，使更多的晶片Wf彼此之间容易产生间隙，能够使晶片Wf更快地浮起。此外，与未设置喷嘴312或者喷嘴313的情况相比，能够使多片晶片Wf更可靠地浮起。
另外如该图所示，作为喷嘴31不一定需要配置全部的喷嘴311、312、313。例如，也可以仅设置喷嘴311、312，或仅设置喷嘴311、313，或仅设置喷嘴312、313，作为喷嘴31。或者，还可以仅配置喷嘴311，或仅配置喷嘴312，或仅配置喷嘴313，作为喷嘴31。
喷嘴31均能够在晶片Wf的叠层方向上喷出扁平形状的液体Lq。由此，也易于在多片晶片Wf彼此之间产生间隙。
如图13、图14所示，多片晶片Wf被支撑部件82引导。特别是，多片晶片Wf通过一对移动限制部821、822，限制在方向x1上的移动。因此，即使朝向方向x1从喷嘴31对晶片Wf喷出液体Lq，晶片Wf受到该液体Lq产生的力而在方向x1上位置偏离的可能性也较小。这样的结构，适合可靠地吸附位于最上方位置的晶片Wf。此外，通过一对移动限制部823、824，限制朝向方向y1和方向y2的晶片Wf的移动。这样的结构也适合可靠地吸附位于最上方位置的晶片Wf。另外，在上述实施方式中，表示了一对移动限制部821、822分别为单独的板状的部件的例子，而一对移动限制部821、822也可以为一体的部件中的2个部位。
吸附传送带2的y1-y2方向上的大小L2，比移动限制部821、822彼此的分隔距离L1小。因此，如图23所示，吸附传送带2不会被移动限制部821、822妨碍，能够在多片晶片Wf的叠层方向上移动。这一点适于使吸附传送带2更接近多片晶片Wf的最上方位置的晶片Wf。因此，更易于通过吸附传送带2吸附该最上方位置的晶片Wf。
使用使晶片Wf滑动的吸附传送带2，能够使吸附的晶片Wf从叠层的多片晶片Wf的正上方平滑地退避。此时，多片晶片Wf变得非常杂乱的可能性较小。
多片晶片Wf，以使位于最上方位置的晶片Wf的上表面与吸附传送带2的晶片吸附面22c平行的方式叠层。因此，吸附传送带2产生的吸附力，对于因来自喷嘴31的液体喷出而浮起的最上方位置的晶片Wf的整个面，大致均等地起作用。这样的结构，适合可靠地吸附位于最上方位置的晶片Wf。此外，晶片吸附面22c，以使晶片Wf的滑动方向前方一侧(图中右方)成为上方位置的方式倾斜，因此适合以较短的移动行程效率良好地输送晶片Wf。
喷嘴31相对于多片晶片Wf配置在晶片Wf的滑动方向前方一侧(图中右方)，向叠层的晶片Wf的端面Wfa喷出液体Lq。即，从喷嘴31向与晶片Wf的滑动方向相反的方向喷出液体Lq。因此，位于最上方位置的晶片Wf，从吸附传送带2接受向滑动方向前方移动的力，而位于最上方位置的晶片Wf的正下方的晶片Wf，因从喷嘴31喷出的液体Lq，受到向与上述滑动方向相反的方向的力。由此，能够抑制错误地输送位于最上方位置的晶片Wf的正下方的晶片Wf。
浸渍多片晶片Wf的液体Lq，被加热器41加热，使其比常温温度更高。由于该液体Lq具有被加热时粘度降低的性质，因此促进液体Lq进入相邻的晶片Wf彼此之间。其结果，能够使多片晶片Wf中的位于最上方位置的晶片Wf，易于从与其正下方相邻的晶片Wf分离，适当地取得最上方位置的晶片Wf。
通过将分区室231、232、233中与吸附区间22a不重叠的部分，依次与泵26切断，能够防止通过吸附区间22a以外的部分错误地吸附想要吸附的晶片Wf以外的晶片Wf。
在载置台81上，形成空间815。通过使载置台81为这样的结构，即使如图23所示那样在载置台81载置的多片晶片Wf的片数较少，也能够更可靠地在这些晶片Wf彼此之间产生间隙。由此，能够通过吸附传送带2吸附、输送多片晶片Wf中的位于下方的晶片Wf。由此，能够进一步减少没有被吸附传送带2吸附而保持载置在载置台81的状态不变的晶片Wf。
此外，在上述工序中，在每次取得晶片Wf时不停止来自喷嘴31的液体Lq的喷出，而是继续喷出来自喷嘴31的液体Lq的情况下，能够维持位于最上方位置的晶片Wf浮起的状态。因此，不需要在恢复为晶片Wf未浮起的状态后，再次使晶片Wf浮起。其结果，能够实现上述晶片的输送工序的高效化。
本发明的晶片输送方法和晶片输送装置，不限于上述实施方式。本发明的晶片输送方法和晶片输送装置的具体的结构，可以自由地进行各种设计变更。

Claims (37)

1.一种晶片输送方法，其特征在于：
具备向在液体中叠层的多片晶片中的位于最上方位置的晶片的上方和所述多片晶片的端面的至少任一方喷出所述液体的工序。
2.如权利要求1所述的晶片输送方法，其特征在于：
还具备配置在与所述多片晶片中的位于最上方位置的晶片相对的位置，并且能够接收所述晶片的晶片接收单元获取所述多片晶片中的至少位于最上方位置的晶片的工序，
在喷出所述液体的工序中，通过使所述位于最上方位置的晶片与所述晶片接收单元的间隙中产生所述液体的流动，利用所述间隙的压力的降低而使所述最上方位置的晶片移动到所述晶片接收单元。
3.如权利要求2所述的晶片输送方法，其特征在于：
在喷出所述液体的工序中，通过从浮起用喷嘴向所述间隙喷出所述液体来产生所述液体的流动。
4.如权利要求3所述的晶片输送方法，其特征在于：
所述晶片接收单元接收所述位于最上方位置的晶片的面相对于所述位于最上方位置的晶片倾斜，
所述浮起用喷嘴从所述间隙大的方向产生所述液体的流动。
5.如权利要求3所述的晶片输送方法，其特征在于：
所述晶片接收单元使所述晶片在其面内方向滑动。
6.如权利要求5所述的晶片输送方法，其特征在于：
使用吸附传送带作为所述晶片接收单元，该吸附传送带包括：相互分离的1对辊；缠绕在所述1对辊上、且具有设置有多个孔的吸附区间的1个以上的环形带；和能够将被所述环形带包围的空间减压的减压单元。
7.如权利要求6所述的晶片输送方法，其特征在于：
所述吸附传送带具有相互平行地分离配置的1对所述环形带，
在喷出所述液体的工序中，通过所述浮起用喷嘴使这些环形带彼此之间产生所述液体的流动。
8.如权利要求2所述的晶片输送方法，其特征在于：
从分离用喷嘴向所述多片晶片的端面喷出所述液体。
9.如权利要求8所述的晶片输送方法，其特征在于：
从配置在与所述分离用喷嘴相同的一侧的超声波发生单元以所述液体为介质对所述多片晶片产生超声波。
10.如权利要求1所述的晶片输送方法，其特征在于：
在喷出所述液体的工序中，在将对朝向所述晶片的面内方向中的第一方向的一侧的所述多片晶片的移动进行限制的支撑部件，相对于所述多片晶片配置在所述第一方向的所述一侧的状态下，向所述多片晶片的端面喷出所述液体，以使所述多片晶片的任意彼此之间产生间隙。
11.如权利要求10所述的晶片输送方法，其特征在于：
还具备使具有规定宽度的晶片接收单元接近所述多片晶片，获取所述多片晶片中的至少位于最上方位置的晶片的工序，
所述支撑部件具备一对第一方向移动限制部，该一对第一方向移动限制部在所述面内方向中的与所述第一方向正交的所述第二方向上隔开所述规定宽度以上。
12.如权利要求11所述的晶片输送方法，其特征在于：
所述晶片的端面的延伸方向与所述第二方向一致，
所述一对第一方向移动限制部彼此的分隔距离比所述第二方向上的所述晶片的尺寸小。
13.如权利要求11所述的晶片输送方法，其特征在于：
所述一对第一方向移动限制部均为沿着所述多片晶片的叠层方向延伸的长板状。
14.如权利要求11所述的晶片输送方法，其特征在于：
所述支撑部件具备一对第二方向移动限制部，该一对第二方向移动限制部配置在所述第二方向上的所述多片晶片的两侧，并且限制所述多片晶片在所述第二方向上的移动。
15.如权利要求14所述的晶片输送方法，其特征在于：
所述一对第二方向移动限制部均为沿着所述多片晶片的叠层方向延伸的平板状。
16.如权利要求11所述的晶片输送方法，其特征在于：
所述晶片接收单元为在已吸附所述多片晶片中的位于最上方位置的晶片的状态下使该晶片在其面内方向滑动的吸附滑动单元，
还具备使用所述吸附滑动单元从所述最上方位置的晶片起依次输送所述晶片的工序。
17.如权利要求16所述的晶片输送方法，其特征在于：
所述吸附滑动单元具备：相互分离的一对辊；和缠绕在所述一对辊上的环形带，
在所述环形带设置有多个孔，该多个孔与被所述环形带包围并能够被减压的空间连接。
18.如权利要求16所述的晶片输送方法，其特征在于：
在喷出所述液体的工序中，从所述晶片的滑动方向的前方侧对所述多片晶片喷出所述液体。
19.一种晶片输送装置，其特征在于：
具备液体喷出单元，该液体喷出单元向在液体中叠层的多片晶片中的位于最上方位置的晶片的上方和所述多片晶片的端面的至少任一方喷出所述液体。
20.如权利要求19所述的晶片输送装置，其特征在于：
还具备晶片接收单元，该晶片接收单元配置在与所述多片晶片中的位于最上方位置的晶片相对的位置，并且能够接收所述晶片，
所述液体喷出单元使所述位于最上方位置的晶片与所述晶片接收单元的间隙中产生所述液体的流动。
21.如权利要求20所述的晶片输送装置，其特征在于：
所述液体喷出单元包括浮起用喷嘴。
22.如权利要求21所述的晶片输送装置，其特征在于：
所述晶片接收单元接收所述位于最上方位置的晶片的面相对于所述位于最上方位置的晶片倾斜，
所述浮起用喷嘴为使得从所述间隙大的方向产生所述液体的流动的姿势。
23.如权利要求22所述的晶片输送装置，其特征在于：
所述晶片接收单元使所述晶片在其面内方向滑动。
24.如权利要求23所述的晶片输送装置，其特征在于：
所述晶片接收单元为吸附传送带，该吸附传送带包括：相互分离的1对辊；缠绕在所述1对辊上、且具有设置有多个孔的吸附区间的1个以上的环形带；和能够将被所述环形带包围的空间减压的减压单元。
25.如权利要求24所示的晶片输送装置，其特征在于：
所述吸附传送带具有相互平行地分离配置的1对所述环形带，
所述浮起用喷嘴使所述1对环形带彼此之间产生所述液体的流动。
26.如权利要求21所述的晶片输送装置，其特征在于：
所述液体喷出单元还包括向所述多片晶片的端面喷出所述液体的分离用喷嘴。
27.如权利要求26所述的晶片输送装置，其特征在于：
还具备超声波发生单元，该超声波发生单元相对于所述多片晶片配置在与所述分离用喷嘴相同的一侧，以所述流体为介质产生超声波。
28.如权利要求19所述的晶片输送装置，其特征在于：
还具备支撑部件，该支撑部件相对于所述多片晶片配置在所述晶片的面内方向中的第一方向的一侧，并且限制所述多片晶片的向所述第一方向的所述一侧的移动，
所述液体喷出单元相对于所述多片晶片配置在所述第一方向的另一侧，并且通过向所述多片晶片的端面喷出所述液体，在所述多片晶片的任意彼此之间产生间隙。
29.如权利要求28所述的晶片输送装置，其特征在于：
还具备晶片接收单元，该晶片接收单元在所述面内方向中的与所述第一方向正交的第二方向上具有规定宽度，并且能够接收所述多片晶片中的至少位于最上方位置的晶片，
所述支撑部件具备在所述第二方向上隔开所述规定宽度以上的一对第一方向移动限制部。
30.如权利要求29所述的晶片输送装置，其特征在于：
所述晶片的端面的延伸方向与所述第二方向一致，
所述一对第一方向移动限制部彼此的分隔距离比所述第二方向上的所述晶片的尺寸小。
31.如权利要求29所述的晶片输送装置，其特征在于：
所述一对第一方向移动限制部均为沿着所述多片晶片的叠层方向延伸的长板状。
32.如权利要求29所述的晶片输送装置，其特征在于：
所述支撑部件具备一对第二方向移动限制部，该一对第二方向移动限制部配置在所述第二方向上的所述多片晶片的两侧，并且限制所述多片晶片在所述第二方向上的移动。
33.如权利要求32所述的晶片输送装置，其特征在于：
所述一对第二方向移动限制部均为沿着所述多片晶片的叠层方向延伸的平板状。
34.如权利要求29所述的晶片输送装置，其特征在于：
还具备支承所述支撑部件且载置所述多片晶片的载置台，
所述载置台和所述晶片接收单元能够在所述多片晶片的叠层方向上相对移动。
35.如权利要求29所述的晶片输送装置，其特征在于：
所述晶片接收单元包括吸附滑动单元，该吸附滑动单元在已吸附所述多片晶片中的位于最上方位置的晶片的状态下，使该晶片在其面内方向滑动。
36.如权利要求35所述的晶片输送装置，其特征在于：
所述吸附滑动单元具备：相互分离的一对辊；和缠绕在所述一对辊上的环形带，
在所述环形带设置有多个孔，该多个孔与被所述环形带包围并且能够被减压的空间连接。
37.如权利要求35所述的晶片输送装置，其特征在于：
所述晶片的滑动方向前方与所述第一方向的所述另一方一致。
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