JPH1059544A - 板材の搬送装置 - Google Patents

板材の搬送装置

Info

Publication number
JPH1059544A
JPH1059544A JP23250596A JP23250596A JPH1059544A JP H1059544 A JPH1059544 A JP H1059544A JP 23250596 A JP23250596 A JP 23250596A JP 23250596 A JP23250596 A JP 23250596A JP H1059544 A JPH1059544 A JP H1059544A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
plate
support
wafers
uppermost
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP23250596A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3668336B2 (ja
Inventor
Hiroshi Hata
寛 畑
Tatsuya Osada
達弥 長田
Susumu Fujiwara
進 藤原
Younosuke Fujimoto
陽之介 藤本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KONAN KOKI KK
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Original Assignee
KONAN KOKI KK
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KONAN KOKI KK, Mitsubishi Materials Silicon Corp filed Critical KONAN KOKI KK
Priority to JP23250596A priority Critical patent/JP3668336B2/ja
Publication of JPH1059544A publication Critical patent/JPH1059544A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3668336B2 publication Critical patent/JP3668336B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • De-Stacking Of Articles (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェーハを1枚ずつ容易かつ迅速に搬
送することが可能な半導体ウェーハの搬送装置を提供す
る。 【解決手段】 支持台25上に板材としての半導体ウェ
ーハ16を複数枚積層した状態で支持する。積層状態の
最上部に位置する半導体ウェーハ16の一側端面に搬送
部材45を係合させて、そのウェーハ16を横方向に押
圧移動させる。積層状態の2枚目以降に位置する半導体
ウェーハ16の他側端面に規制部材49を当接させて、
それらのウェーハ16が横方向に移動されるのを規制す
る。そして、この移動の際、純水をウェーハ表裏面に噴
射する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は板材の搬送装置、
例えば半導体ウェーハを搬送する際に使用される半導体
ウェーハの搬送装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、シリコンウェーハ等の半導体ウ
ェーハは、円柱状の半導体インゴットを所定厚さにスラ
イス加工することにより、平面円形の薄板状に形成され
る。半導体ウェーハの直径には4インチ、8インチ、1
2インチ等のものがある。スライス加工された半導体ウ
ェーハは、ラップ盤にてラップ処理を施された後、洗浄
装置へ搬送され、ウェーハ表面に付着した遊離砥粒を洗
浄除去する洗浄処理が施される。
【0003】従来、このように半導体ウェーハを装置間
で搬送する場合には、次のような搬送方法を採る搬送装
置が用いられていた。 (1)多数の棚を備えた多段バスケット内に半導体ウェ
ーハを1枚ずつ分離して収容し、その多段バスケットを
搬送装置に装着する。搬送装置はプッシャーを備えてお
り、そのプッシャーが、多段バスケットの各棚と対応す
る位置へ順に移動し、各棚から半導体ウェーハを1枚ず
つ取り出して搬送する。 (2)搬送装置の支持台の上面に、複数の半導体ウェー
ハを積層状態で載置する。搬送装置は吸着盤を備えてお
り、その吸着盤が、支持台の最上部に位置する半導体ウ
ェーハから順に1枚ずつ吸着して搬送する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、これらの従
来のウェーハ搬送方法においては、次のような問題があ
った。上記(1)においては、作業者が手作業により、
多段バスケットの各棚に半導体ウェーハを1枚ずつ収容
して搬送装置に装着する必要がある。そのため、作業が
繁雑で時間がかかった。上記(2)においては、積層状
態の最上部に位置する半導体ウェーハの表面を吸着盤に
より吸着して搬送するため、この吸着搬送時に2枚目以
降の半導体ウェーハが張り付いて、最上部の半導体ウェ
ーハと同時に搬送されるおそれがあった。また、吸着盤
により半導体ウェーハの表面を吸着するため、その半導
体ウェーハの表面に吸着跡が残って汚損し、製品の品質
が低下するおそれもあった。
【0005】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたものであって、以下の目的を有するものである。 (A)板材を1枚ずつ容易かつ迅速に搬送することが可
能な板材の搬送装置を提供する。 (B)上記(A)において、搬送途中の板材の汚損を防
止することが可能な板材の搬送装置を提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、板材を複数枚積層状態に支持する支持台と、積層状
態の最上部に位置する板材の一側端面に係合して、その
板材を横方向に押圧移動させる搬送部材と、積層状態の
2枚目以降に位置する板材の他側端面に当接して、それ
らの板材が横方向に移動されるのを規制する規制部材と
を備えたことをその要旨とする。
【0007】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の板材の搬送装置において、上記搬送部材に、積層状態
の最上部の板材が横方向に移動されるとき、2枚目以降
の板材の表面に流体を噴射するための第1の噴射手段を
設けたことをその要旨とする。
【0008】請求項3に記載の発明は、請求項1または
請求項2に記載の板材の搬送装置において、上記規制部
材に、積層状態の最上部の板材が横方向に移動されると
き、その板材の裏面に流体を噴射するための第2の噴射
手段を設けたことをその要旨とする。
【0010】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の一実施形態
を、図面に基づいて詳細に説明する。図1および図2に
示すように、上面を開口した水槽11は基台12上に載
置されている。水槽11の上端開口の外周縁には溢水溝
13が形成されている。投入ステーション14および搬
送ステーション15は水槽11の上方に並設されてい
る。所定厚さの半導体ウェーハ16が複数枚積層された
状態で、投入ステーション14から搬送ステーション1
5に投入される。洗浄装置17は搬送ステーション15
の側方に隣接して設置されている。積層状態の半導体ウ
ェーハ16が1枚ずつ、搬送ステーション15から洗浄
装置17に搬送される。
【0011】ブラケット18は上記投入ステーション1
4において、水槽11の上端開口部付近に配設されてい
る。ブラケット18の上面には一対の第1ガイドレール
19が所定間隔をおいて平行に敷設されている。支柱2
0は水槽11の側部において基台12上に立設されてい
る。支柱20の上端には一対の支持アーム21が搬送ス
テーション15側に向かって突設されている。
【0012】一対の昇降アーム22は上記搬送ステーシ
ョン15において、支柱20の側面に昇降可能に支持さ
れている。これらの昇降アーム22の水平腕部22a上
には一対の第2ガイドレール23が取付板24を介し
て、第1ガイドレール19と同一間隔をおいて同一方向
に延長配置されている。そして、この昇降アーム22が
図示しない昇降用モータ等を含む駆動機構により駆動さ
れて昇降することとなる。この昇降アーム22の昇降に
より、図1に示すように、第2ガイドレール23が第1
ガイドレール19の延長線上に配置されるよう構成され
ている。
【0013】支持台25は上記第1ガイドレール19お
よび第2ガイドレール23上に移動可能に支持されてい
る。支持台25の一端上面には支持台25を移動させる
ための操作ハンドル26が突設されている。一対の位置
決め部材27は支持台25の上面両側に突出配置されて
いる。投入ステーション14において、支持台25上に
複数枚の半導体ウェーハ16を支持する際に、この位置
決め部材27により半導体ウェーハ16が所定の積層状
態に位置決め保持される。
【0014】検出レバー28は、その中間部において支
軸29により、上記一方の昇降アーム22の垂直腕部2
2bに回動可能に取り付けられている。検出レバー28
の下端は、支持台25の端部と係合可能に対応してい
る。バネ30は検出レバー28の上端と昇降アーム22
との間に掛装されている。このバネ30は検出レバー2
8を図1の時計回り方向に回動付勢している。検出スイ
ッチ31は検出レバー28の上端と対向するように、昇
降アーム22の垂直腕部22bに配設されている。
【0015】そして、支持台25上に積層状態で支持さ
れた半導体ウェーハ16は、支持台25の移動により、
図1に鎖線で示す投入ステーション14の位置から、同
図に実線で示す搬送ステーション15の位置に移動され
る。このとき、検出レバー28が支持台25と係合して
図1の反時計回り方向に回動され、検出スイッチ31か
ら検出信号が出力されて、搬送ステーション15への半
導体ウェーハ16の移動完了が検出される。
【0016】その後、図1および図2に鎖線で示すよう
に、駆動機構により昇降アーム22が水槽11内に下降
されて、支持台25上の半導体ウェーハ16が水槽11
中の水(純水)に浸漬される。これにより、半導体ウェ
ーハ16が湿潤されるとともに、各半導体ウェーハ16
の表裏面間に水が浸入して剥離性が高められる。
【0017】ブラケット32は上記搬送ステーション1
5において、一対の支持アーム21の先端部間に架設さ
れている。このブラケット32には一対のガイド筒33
が所定間隔をおいて貫設されている。一対のガイドロッ
ド34はガイド筒33に上下動可能に嵌挿されている。
これら一対のガイドロッド34の各下端には支持板35
が固定されている。ストップネジ36は各ガイドロッド
34の上端に回動調節可能に螺合されている。このスト
ップネジ36がガイド筒33の上端に係合することによ
って、支持板35の下降位置が規制されるように構成さ
れている。
【0018】昇降用シリンダ37は上記ブラケット32
の上面に配設されている。この昇降用シリンダ37のピ
ストンロッド38の下端がカップリング39を介して支
持板35に連結されている。そして、この昇降用シリン
ダ37が突出動作されたときには、ガイド筒33とガイ
ドロッド34との案内作用により、支持板35が下降さ
れるとともに、昇降用シリンダ37が没入動作されたと
きには、支持板35が上昇されるように構成されてい
る。
【0019】そして、この実施形態においては、図2に
示すように、上記半導体ウェーハ16の支持台25を支
持する昇降アーム22、および搬送部材45を支持する
支持板35の鉛直線L1が、上方に行くほど洗浄装置1
7から次第に離間するように、水槽11の鉛直線L2に
対して所定角度傾斜されている。これにより、昇降アー
ム22上の支持台25に積層支持された半導体ウェーハ
16は、洗浄装置17側ほど次第に高くなるように傾斜
状態で配置されている。また、最上部に位置する半導体
ウェーハ16が後述する搬送部材45により移動される
とき、水槽11の上端開口縁から徐々に離間して斜上方
へ搬送されるように構成されている。
【0020】エアセンサ40は上記支持板35の側下部
に取付板41を介して吊下支持されている。支持板35
が下降されるとき、このエアセンサ40の下面から検出
用エアが噴射される。そして、昇降用シリンダ37によ
り支持板35が下降されたとき、図2に鎖線で示すよう
に、このエアセンサ40の下面が支持台25上に積層支
持されている最上部の半導体ウェーハ16に近接配置さ
れる。これにより、エアセンサ40の下面から噴出して
いる検出用エアの背圧が変化して、支持台25の下降位
置が検出される。
【0021】一対のガイドロッド42は上記昇降アーム
22上の第2ガイドレール23と直交する方向へ延びる
ように、支持板35の下面に一対のブラケット43を介
して平行に延長配置されている。移動体44はガイドロ
ッド42に移動可能に支持されている。この移動体44
の下面にはブロック状の搬送部材45が取り付けられて
いる。そして、昇降用シリンダ37により支持板35が
下降されたとき、図2に鎖線で示すように、この搬送部
材45が支持台25上に積層支持されている最上部の半
導体ウェーハ16の一側端面に対向配置される。この搬
送部材45の刃ウェーハ16に対する対向部分は、三角
形状に切り欠かれて凹状に形成されている。例えばその
切り欠き部分の頂角は105度に形成されており、半導
体ウェーハ16の側面(面取り面)に、この搬送部材4
5の凹状の対向面が係合するものである。
【0022】移動用シリンダ46は、上記支持台35の
下面にその軸線がこの下面と平行になるように固設され
ている。移動用シリンダ46のピストンロッド47の先
端が移動体44に連結されている。そして、図2に鎖線
で示すように、搬送部材45が最上部の半導体ウェーハ
16の一側端面に対向配置された状態で、この移動用シ
リンダ46が没入動作されたとき、搬送部材45が洗浄
装置17側に向かって移動される。これにより、搬送部
材45が最上部の半導体ウェーハ16の側端面に係合し
て、その半導体ウェーハ16が洗浄装置17に向かって
横方向に搬送移動される。
【0023】噴射手段を構成する第1噴射機構48は上
記搬送部材45に内装されている。そして、搬送部材4
5により最上部の半導体ウェーハ16が洗浄装置17に
向かって横方向へ搬送移動されるとき、この第1噴射機
構48から2枚目以降の半導体ウェーハ16の表面に向
かって、流体としての純水が噴射される。これにより、
2枚目以降の半導体ウェーハ16が下方に押し付けられ
て、搬送中の半導体ウェーハ16の裏面に張り付くおそ
れが抑制される。第1噴射機構48は、所定圧の純水の
供給源に連通された多数のノズルを備え、これらのノズ
ルから下方に向かって純水を噴射可能に構成されている
(図6参照)。
【0024】ブロック状の規制部材49は上記支持台2
5上の半導体ウェーハ16と洗浄装置17との間に位置
するように、支持ロッド50を介して、一方の支持アー
ム21の側面に上下方向へ位置調節可能に支持されてい
る。規制部材49は、搬送部材45に対しては半導体ウ
ェーハ16を間に挟んで略180度離間した位置に配設
されている。そして、上記搬送部材45により最上部の
半導体ウェーハ16が一側端面から押し付けられて、洗
浄装置17側に搬送移動されるとき、この規制部材49
が積層状態の2枚目以降に位置する半導体ウェーハ16
の他側端面に当接される。この上下位置の調節は、例え
ば支持ロッド50の上端部の調節ネジにより行うことが
できる。これにより、2枚目以降のウェーハ16が最上
部のウェーハ16の搬送に連れて横方向へ移動されない
ように規制される。この規制部材49の半導体ウェーハ
16への当接・係合面は半導体ウェーハ16の形状に対
応して所定の曲率で湾曲して形成されている。また、こ
の規制部材49の上面は平坦に形成されており、この上
面に最上部の半導体ウェーハ16が移載可能に配設され
ることとなる。
【0025】噴射手段を構成する第2噴射機構51は上
記規制部材49に内装されている。そして、搬送部材4
5により最上部の半導体ウェーハ16が洗浄装置17に
向かって横方向へ搬送移動されるとき、この第2噴射機
構51から搬送中の半導体ウェーハ16の裏面に向かっ
て、流体としての純水が噴射される。これにより、搬送
中の半導体ウェーハ16に浮遊力が付与されて、その半
導体ウェーハ16の搬送が円滑化されるとともに、半導
体ウェーハ16の裏面の汚れが除去される。また、第2
噴射機構51において、支持台25に積層支持された半
導体ウェーハ16と隣接する部分からは、支持台25の
最上部の半導体ウェーハ16と2枚目の半導体ウェーハ
16との間に水流が当たるように、所定角度で水が噴射
されるように構成されている。これにより、最上部の半
導体ウェーハ16と2枚目の半導体ウェーハ16との間
に水が侵入して剥離性が高められ、最上部の半導体ウェ
ーハ16を2枚目以降の半導体ウェーハ16から分離し
易くなる。この第2噴射機構51は、所定圧の純水の供
給源に連通された多数のノズルを備え、これらのノズル
から上方に向かって純水を噴射可能に構成されている
(図5,図6参照)。
【0026】洗浄装置17の外壁には挿入口53が形成
されている。そして、搬送部材45により支持台25上
から1枚ずつ搬送移動されてくる半導体ウェーハ16
が、挿入口53から洗浄装置17内へ取り込まれて、表
面に付着した遊離砥粒等の洗浄除去が行われるようにな
っている。
【0027】次に、上記のように構成された半導体ウェ
ーハの搬送装置の動作について説明する。さて、この半
導体ウェーハの搬送装置を起動させると、図示しない駆
動機構により昇降アーム22が昇降されて、搬送ステー
ション15の第2ガイドレール23が投入ステーション
14の第1ガイドレール19と同一高さ位置に配置され
る。この状態で、作業者が手作業により、図2に鎖線で
示すように、投入ステーション14において支持台25
上に複数枚の半導体ウェーハ16を載置して、位置決め
部材27により積層状態に位置決め保持する。
【0028】次に、支持台25を投入ステーション14
から搬送ステーション15に移動させると、図3に示す
ように、積層状態の半導体ウェーハ16が搬送ステーシ
ョン15に投入されて、水槽11の上方に配設される。
このとき、検出レバー28が支持台25と係合して回動
され、検出スイッチ31から検出信号が出力されて、搬
送ステーション15への半導体ウェーハ16の移動完了
が検出される。
【0029】このように、搬送ステーション15への半
導体ウェーハ16の移動が完了すると、駆動機構により
昇降アーム22が水槽11内に下降されて、図4に示す
ように、支持台25上の半導体ウェーハ16が水槽11
中の水に浸漬される。これにより、半導体ウェーハ16
が湿潤されるとともに、各ウェーハ16間に水が浸入し
て剥離性が高められる。
【0030】その後、図5に示すように、駆動機構によ
り昇降アーム22が上昇されて、支持台25上の半導体
ウェーハ16が水槽11の水中から引き上げられる。ま
た、昇降用シリンダ37により支持板35が下降され
て、搬送部材45が支持台25上に積層支持されている
最上部の半導体ウェーハ16の一側端面に対向配置され
る。それとともに、エアセンサ40の下面が支持台25
上の最上部の半導体ウェーハ16に近接配置され、エア
センサ40の下面から噴出している検出用エアの背圧の
変化に基づいて、支持台25の下降位置が検出される。
【0031】このとき、規制部材49が積層状態の2枚
目以降に位置する半導体ウェーハ16の他側端面に対向
配置され、その規制部材49内の第2噴射機構51から
水が噴射される。第2噴射機構51において、支持台2
5に積層支持された半導体ウェーハ16と隣接する部分
からの水の噴射は、図5の矢印Aに示す所定角度でなさ
れる。そのため、支持台25の最上部の半導体ウェーハ
16と2枚目の半導体ウェーハ16との間に水流が当た
る。これにより、最上部の半導体ウェーハ16と2枚目
の半導体ウェーハ16との間に水が侵入して剥離性が高
められ、最上部の半導体ウェーハ16を2枚目以降の半
導体ウェーハ16から分離し易くなる。
【0032】そして、図6に示すように、移動用シリン
ダ46の没入動作により、搬送部材45が洗浄装置17
側に向かって移動され始める。これにより、搬送部材4
5が最上部の半導体ウェーハ16の一側端面に係合し
て、その半導体ウェーハ16が洗浄装置17に向かって
横方向に搬送移動される。半導体ウェーハ16は規制部
材49の上面に移載されることとなる。このとき、第2
噴射機構51から搬送中の半導体ウェーハ16の裏面に
向かって水が噴射される。これにより、搬送中の半導体
ウェーハ16に浮遊力が付与されて、その半導体ウェー
ハ16の搬送が円滑化されるとともに、半導体ウェーハ
16の裏面の汚れが除去される。
【0033】また、最上部の半導体ウェーハ16が一側
端面から押し付けらて、洗浄装置17側に搬送移動され
るとき、規制部材49が積層状態の2枚目以降に位置す
る半導体ウェーハ16の他側端面に当接する。これによ
り、2枚目以降の半導体ウェーハ16が最上部の半導体
ウェーハ16の搬送に連れて横方向へ移動されないよう
に規制される。
【0034】さらに、搬送部材45により半導体ウェー
ハ16が洗浄装置17に向かって搬送移動されるときに
は、その搬送部材45内の第1噴射機構48から2枚目
以降の半導体ウェーハ16の表面に向かって水が噴射さ
れる。これにより、2枚目以降の半導体ウェーハ16が
下方に押し付けられて、搬送中の半導体ウェーハ16の
裏面に張り付くことが防止される。
【0035】その後、図7に示すように、搬送部材45
により支持台25上から搬送移動されてくる半導体ウェ
ーハ16は、挿入口53から洗浄装置17内へ取り込ま
れる。そして、この洗浄装置17において、半導体ウェ
ーハ16の表裏面に付着している遊離砥粒等が洗浄除去
される。
【0036】このように、半導体ウェーハ16の搬送が
終了すると、図8に示すように、移動用シリンダ46の
突出動作により、搬送部材45が元位置に復帰移動され
る。その後、図4に示すように、駆動機構により昇降ア
ーム22が水槽11内に下降されて、支持台25上の半
導体ウェーハ16が水槽11中の水に再び浸漬される。
【0037】以上のように、図4〜図8の動作が繰り返
し行われることにより、支持台25上に積層支持された
半導体ウェーハ16が、1枚ずつ洗浄装置17に搬送移
動されて洗浄処理される。
【0038】このように、本実施形態によれば、以下の
作用および効果を得ることができる。 (a)作業者が手作業により、投入ステーション14に
おいて支持台25上に複数枚の半導体ウェーハ16を載
置して、位置決め部材27により積層状態に位置決め保
持する。このため、作業者の作業はごく簡単で時間もか
からない。
【0039】(b)支持台25上に複数枚の半導体ウェ
ーハ16が積層支持された状態で、最上部に位置する半
導体ウェーハ16が、搬送部材45により一側端面から
押し付けられて横方向へ搬送移動されるようになってい
る。このとき、積層状態の2枚目以降に位置する半導体
ウェーハ16の他側端面には規制部材49が当接され
て、それらの半導体ウェーハ16が最上部の半導体ウェ
ーハ16の搬送に連れて、横方向へ移動されるのを阻止
するようになっている。このため、半導体ウェーハ16
を1枚ずつ確実に分離させた状態で、洗浄装置17へ容
易かつ迅速に搬送することができる。また、半導体ウェ
ーハ16の表面を吸着することなく、その一側端面を押
し付けて移動させているので、半導体ウェーハ16の表
面に吸着跡等の汚損が生じることはなく、製品の品質が
低下することを防止することができる。
【0040】(c)規制部材49の第2噴射機構51に
おいて、支持台25に積層支持された半導体ウェーハ1
6と隣接する部分からは、支持台25の最上部の半導体
ウェーハ16と2枚目の半導体ウェーハ16との間に水
流が当たるように、所定角度で水が噴射されるようにな
っている。このため、最上部の半導体ウェーハ16と2
枚目の半導体ウェーハ16との間に水が侵入して剥離性
が高められ、最上部の半導体ウェーハ16を2枚目以降
の半導体ウェーハ16から分離し易くなる。その結果、
積層状態の半導体ウェーハ16を1枚ずつ確実に分離さ
せて搬送することができる。
【0041】(d)搬送部材45により最上部の半導体
ウェーハ16が横方向に搬送移動されるとき、規制部材
49の第2噴射機構51から搬送中の半導体ウェーハ1
6の裏面に水が噴射されるようになっている。このた
め、搬送中の半導体ウェーハ16に浮遊力が作用して、
その半導体ウェーハ16の搬送を円滑化することができ
るとともに、半導体ウェーハ16の裏面の汚れを除去す
ることができる。
【0042】(e)搬送部材45により最上部の半導体
ウェーハ16が横方向に搬送移動されるとき、搬送部材
45の第1噴射機構48から2枚目以降の半導体ウェー
ハ16の表面に水が噴射されるようになっている。この
ため、2枚目以降の半導体ウェーハ16が下方に押し付
けられて、その半導体ウェーハ16が搬送中の半導体ウ
ェーハ16の裏面に張り付くことを防止することができ
る。したがって、積層状態の半導体ウェーハ16を、1
枚ずつより確実に分離させて、洗浄装置17へ搬送する
ことができる。加えて、流体により、2枚目の半導体ウ
ェーハ16の表面の汚れを除去することができる。
【0043】(f)半導体ウェーハ16の支持台25を
支持する昇降アーム22、および搬送部材45を支持す
る支持板35の鉛直線L1が、上方に行くほど洗浄装置
17から次第に離間するように、水槽11の鉛直線L2
に対して所定角度傾斜されている。このため、昇降アー
ム22上の支持台25に積層支持された半導体ウェーハ
16は、洗浄装置17側ほど次第に高くなるように傾斜
状態で配置され、最上部に位置する半導体ウェーハ16
が搬送部材45により移動されるとき、水槽11の上端
開口縁から徐々に離間するように斜上方へ搬送される。
したがって、半導体ウェーハ16が搬送移動の途中で、
水槽11の上端開口縁と干渉するおそれを防止すること
ができる。
【0044】なお、この発明は、次のように変更して具
体化することも可能である。 (1)図9に示すように、水槽11内に水の噴射ノズル
54を設ける。そして、水槽11中の水に浸漬された積
載状態の半導体ウェーハ16の側部へ向かって、各噴射
ノズル54から図9の矢印Bに示すように水を噴射させ
る。このようにすれば、各半導体ウェーハ16間に水が
侵入して剥離性がさらに高められる。なお、噴射ノズル
54を複数個設け、各噴射ノズル54の位置を適宜に設
定すれば、半導体ウェーハ16の積載数が多い場合で
も、各半導体ウェーハ16に対して均等に水を噴射する
ことができる。 (2)支持台25に対する半導体ウェーハ16の積層支
持構成を適宜に変更する。 (3)支持台25をシリンダ等の駆動手段により、投入
ステーション14と搬送ステーション15との間で移動
させるように構成する。 (4)半導体ウェーハ16を搬送移動させるための搬送
部材45の形状構成および移動構成を適宜に変更する。 (5)2枚目以降の半導体ウェーハ16の移動を規制す
るための規制部材49の形状構成および支持構成を適宜
に変更する。 (6)第1噴射機構48および第2噴射機構51から噴
射される流体として、上記実施形態の水に代えて、洗浄
液を含む液体やエア等を使用する。 (7)半導体ウェーハ16を上記実施形態の洗浄装置1
7とは異なる装置へ搬送する場合に適用する。 (8)半導体ウェーハ16を、清浄な状態で1枚ずつ搬
送する必要のある適宜な板材に置き換える。そのような
板材としては、例えばSOI(SiliconOn I
nsulator)や液晶ディスプレイ等に用いられる
サファイヤガラスや石英ガラス等の絶縁基板、CD(C
ompact Disk)やDVD(Digital
Video Disk)などのディスクがある。
【0045】以上、各実施形態について説明したが、各
実施形態から把握できる請求項以外の技術的思想につい
て、以下にそれらの効果と共に記載する。 (ア)請求項1〜3のいずれか1項に記載の板材の搬送
装置において、流体を収容した収容槽11を備え、その
収容槽に上記板材16を支持台25ごと収容して、収容
槽内の流体に各板材を浸漬した後に上記搬送部材45に
よる搬送を行う板材の搬送装置とする。このようにすれ
ば、積層された各板材が流体によって剥離しやすくなる
ため、板材を1枚ずつ搬送するのが容易になる。
【0046】(イ)上記(ア)に記載の板材の搬送装置
において、上記支持台25の鉛直線L1が、上記収容槽
11の鉛直線L2に対して所定角度傾斜している板材の
搬送装置とする。このようにすれば、支持台に積層支持
された板材は傾斜状態で配置され、最上部に位置する板
材が搬送部材により移動されるとき、板材が搬送移動の
途中で、収容槽の上端開口縁と干渉するおそれを防止す
ることができる。
【0047】ところで、この明細書において、発明の構
成に係る部材は以下のように定義されるものとする。 (a)板材とは、シリコンウェーハ・ガリウムヒ素ウェ
ーハ等の半導体ウェーハだけでなく、清浄な状態で1枚
ずつ搬送する必要のある板材全般を含むものである。 (b)流体とは、水(純水)だけでなく、洗浄液を含む
液体やエア等をも含むものとする。
【0048】
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、板材を
1枚ずつ容易かつ迅速に搬送することが可能な板材の搬
送装置を提供することができる。すなわち、支持台上に
板材が複数枚積層した状態で支持される。その後、積層
状態の最上部に位置する板材の一側端面に搬送部材が係
合され、その搬送部材により最上部の板材が横方向に押
圧移動される。このとき、積層状態の2枚目以降に位置
する板材の他側端面には規制部材が当接されて、それら
の板材が最上部の板材とともに、横方向へ移動されない
ように規制される。このため、積層状態の板材を1枚ず
つ確実に分離させた状態で搬送することができる。ま
た、板材の表面を吸着することなく、その一側端面を押
し付けて移動させているので、板材の表面に吸着跡等の
汚損が生じることはない。
【0049】請求項2または請求項3に記載の発明によ
れば、請求項1に記載の発明の効果をさらに高めること
が可能であり、加えて、搬送途中の板材の汚損を防止す
ることが可能な板材の搬送装置を提供することができ
る。
【0050】請求項2に記載の発明によれば、搬送部材
により最上部の板材が横方向に移動されるとき、規制部
材から搬送中の板材の裏面に流体が噴射される。このた
め、搬送中の板材に浮遊力が作用して、板材の搬送を円
滑化することができる。加えて、流体によって板材の裏
面の汚れを除去することができる。
【0051】請求項3に記載の発明によれば、搬送部材
により最上部の板材が横方向に移動されるとき、搬送部
材から2枚目以降の板材の表面に流体が噴射される。こ
のため、2枚目以降の板材が下方に押し付けられて、そ
の板材が搬送中の板材に張り付くのを防止することが可
能になり、板材の搬送を円滑化することができる。加え
て、流体により、2枚目の板材の表面の汚れを除去する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態の部分破断正面図であ
る。
【図2】この発明の一実施形態の部分破断側面図であ
る。
【図3】この発明の一実施形態の動作を説明するための
説明図である。
【図4】この発明の一実施形態の動作を説明するための
説明図である。
【図5】この発明の一実施形態の動作を説明するための
説明図である。
【図6】この発明の一実施形態の動作を説明するための
説明図である。
【図7】この発明の一実施形態の動作を説明するための
説明図である。
【図8】この発明の一実施形態の動作を説明するための
説明図である。
【図9】この発明の別の実施形態の動作を説明するため
の説明図である。
【符号の説明】
11…収容槽としての水槽、 16…板材としての半導体ウェーハ、 25…支持台、 45…搬送部材、 48…第2の噴射手段としての第1噴射機構、 49…規制部材、 51…第2の噴射手段としての第2噴射機構。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤原 進 東京都千代田区大手町一丁目5番1号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 藤本 陽之介 東京都千代田区大手町一丁目5番1号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 板材(16)を複数枚積層状態に支持す
    る支持台(25)と、 積層状態の最上部に位置する板材の一側端面に係合し
    て、その板材を横方向に押圧移動させる搬送部材(4
    5)と、 積層状態の2枚目以降に位置する板材の他側端面に当接
    して、それらの板材が横方向に移動されるのを規制する
    規制部材(49)とを備えた板材の搬送装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の板材の搬送装置におい
    て、上記搬送部材(45)に、積層状態の最上部の板材
    が横方向に移動されるとき、2枚目以降の板材の表面に
    流体を噴射するための第1の噴射手段(48)を設けた
    板材の搬送装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の板材の
    搬送装置において、上記規制部材(49)に、積層状態
    の最上部の板材が横方向に移動されるとき、その板材の
    裏面に流体を噴射するための第2の噴射手段(51)を
    設けた板材の搬送装置。
JP23250596A 1996-08-13 1996-08-13 半導体ウェーハの搬送装置 Expired - Lifetime JP3668336B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23250596A JP3668336B2 (ja) 1996-08-13 1996-08-13 半導体ウェーハの搬送装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23250596A JP3668336B2 (ja) 1996-08-13 1996-08-13 半導体ウェーハの搬送装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1059544A true JPH1059544A (ja) 1998-03-03
JP3668336B2 JP3668336B2 (ja) 2005-07-06

Family

ID=16940387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23250596A Expired - Lifetime JP3668336B2 (ja) 1996-08-13 1996-08-13 半導体ウェーハの搬送装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3668336B2 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010514205A (ja) * 2006-12-19 2010-04-30 アール・イー・シー・スキャンウェハー・アー・エス シリコンウェハを分離させるための方法および装置
WO2010116949A1 (ja) * 2009-04-07 2010-10-14 株式会社住友金属ファインテック ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
JP2010245303A (ja) * 2009-04-07 2010-10-28 Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
WO2011010749A1 (ja) * 2009-07-23 2011-01-27 マック産業機器株式会社 半導体ウエハのセパレーター機構
JP2011029401A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
JP2011029390A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
JP2011061120A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
JP2011061121A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
WO2011044871A1 (de) * 2009-10-13 2011-04-21 Huebel Egon Verfahren und vorrichtung zur substratablösung
JP2011151167A (ja) * 2010-01-21 2011-08-04 Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd ウエハ搬送装置およびウエハ搬送方法
JP2011187499A (ja) * 2010-03-04 2011-09-22 Takei Electric Industries Co Ltd ウェハの分離移載方法及び分離移載装置
CN105417168A (zh) * 2015-12-31 2016-03-23 苏州博阳能源设备有限公司 一种用于硅片插片机的供料槽
CN113443594A (zh) * 2021-06-28 2021-09-28 湖南铁路联创技术发展有限公司 一种空调安装维护的高空作业辅助装置及其使用方法
CN115140503A (zh) * 2022-09-06 2022-10-04 常州奥智高分子集团股份有限公司 一种扩散板加工用输送装置

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010514205A (ja) * 2006-12-19 2010-04-30 アール・イー・シー・スキャンウェハー・アー・エス シリコンウェハを分離させるための方法および装置
CN102388445A (zh) * 2009-04-07 2012-03-21 住友金属精密科技股份有限公司 晶片输送方法和晶片输送装置
WO2010116949A1 (ja) * 2009-04-07 2010-10-14 株式会社住友金属ファインテック ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
JP2010245303A (ja) * 2009-04-07 2010-10-28 Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
WO2011010749A1 (ja) * 2009-07-23 2011-01-27 マック産業機器株式会社 半導体ウエハのセパレーター機構
JP2011029401A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
JP2011029390A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
JP2011061120A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
JP2011061121A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
WO2011044871A1 (de) * 2009-10-13 2011-04-21 Huebel Egon Verfahren und vorrichtung zur substratablösung
JP2011151167A (ja) * 2010-01-21 2011-08-04 Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd ウエハ搬送装置およびウエハ搬送方法
JP2011187499A (ja) * 2010-03-04 2011-09-22 Takei Electric Industries Co Ltd ウェハの分離移載方法及び分離移載装置
CN105417168A (zh) * 2015-12-31 2016-03-23 苏州博阳能源设备有限公司 一种用于硅片插片机的供料槽
CN113443594A (zh) * 2021-06-28 2021-09-28 湖南铁路联创技术发展有限公司 一种空调安装维护的高空作业辅助装置及其使用方法
CN113443594B (zh) * 2021-06-28 2022-11-25 湖南铁路联创技术发展有限公司 一种空调安装维护的高空作业辅助装置及其使用方法
CN115140503A (zh) * 2022-09-06 2022-10-04 常州奥智高分子集团股份有限公司 一种扩散板加工用输送装置
CN115140503B (zh) * 2022-09-06 2022-11-11 常州奥智高分子集团股份有限公司 一种扩散板加工用输送装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3668336B2 (ja) 2005-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1059544A (ja) 板材の搬送装置
US6558109B2 (en) Method and apparatus for separating wafers
KR970005944B1 (ko) 중첩 웨이퍼의 자동개별화 장치 및 그 개별화 방법
US20080146003A1 (en) Method and device for separating silicon wafers
EP0245289B1 (en) Polishing system with underwater bernoulli pickup
JP7504596B2 (ja) ウェーハ剥離洗浄装置
JP3150888B2 (ja) ウエハの分離搬送装置及び分離搬送方法
WO2000003428A1 (fr) Dispositif de transfert de substrat et son procede de fonctionnement
JPH10114426A (ja) ウェーハ取出装置
JP5464696B2 (ja) 液中ウェーハ単離方法及び液中ウェーハ単離装置
JP2009188296A (ja) ウエーハの洗浄装置
JP2004154893A (ja) 板硝子の研磨方法および研磨装置
JP2012119526A (ja) 基板の搬送装置
JP3069243B2 (ja) 薄板材浸漬装置
JP2878931B2 (ja) 半導体ウエハの清浄化方法及びその装置
JPH0798302B2 (ja) 平面研磨装置
JP3053256B2 (ja) ウェハのスライスベース剥離・洗浄方法及び装置並びにウェハの処理搬送装置
JPH09136723A (ja) ウェーハ取出し装置
JP2011205041A (ja) 基板の搬送装置及び搬送方法
KR102720900B1 (ko) 웨이퍼 박리 세정 장치
CN216349487U (zh) 全自动擦片检测机
JP3150186B2 (ja) ウエハの剥離装置
WO2020152875A1 (ja) ウェーハ剥離洗浄装置
JPH10173024A (ja) ウエハ搬送装置
JPH10125759A (ja) ウェーハ取出装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040218

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040405

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040917

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041116

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20050107

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050401

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050408

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080415

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090415

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100415

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100415

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110415

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120415

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130415

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130415

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term