JP3668336B2 - 半導体ウェーハの搬送装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体ウェーハの搬送装置、例えば半導体ウェーハを搬送する際に使用される半導体ウェーハの搬送装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハは、円柱状の半導体インゴットを所定厚さにスライス加工することにより、平面円形の薄板状に形成される。半導体ウェーハの直径には4インチ、8インチ、12インチ等のものがある。スライス加工された半導体ウェーハは、ラップ盤にてラップ処理を施された後、洗浄装置へ搬送され、ウェーハ表面に付着した遊離砥粒を洗浄除去する洗浄処理が施される。
【0003】
従来、このように半導体ウェーハを装置間で搬送する場合には、次のような搬送方法を採る搬送装置が用いられていた。
(1)多数の棚を備えた多段バスケット内に半導体ウェーハを1枚ずつ分離して収容し、その多段バスケットを搬送装置に装着する。搬送装置はプッシャーを備えており、そのプッシャーが、多段バスケットの各棚と対応する位置へ順に移動し、各棚から半導体ウェーハを1枚ずつ取り出して搬送する。
(2)搬送装置の支持台の上面に、複数の半導体ウェーハを積層状態で載置する。搬送装置は吸着盤を備えており、その吸着盤が、支持台の最上部に位置する半導体ウェーハから順に1枚ずつ吸着して搬送する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、これらの従来のウェーハ搬送方法においては、次のような問題があった。
上記(1)においては、作業者が手作業により、多段バスケットの各棚に半導体ウェーハを1枚ずつ収容して搬送装置に装着する必要がある。そのため、作業が繁雑で時間がかかった。
上記(2)においては、積層状態の最上部に位置する半導体ウェーハの表面を吸着盤により吸着して搬送するため、この吸着搬送時に2枚目以降の半導体ウェーハが張り付いて、最上部の半導体ウェーハと同時に搬送されるおそれがあった。また、吸着盤により半導体ウェーハの表面を吸着するため、その半導体ウェーハの表面に吸着跡が残って汚損し、製品の品質が低下するおそれもあった。
【0005】
この発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、以下の目的を有するものである。
(A)半導体ウェーハを1枚ずつ容易かつ迅速に搬送することが可能な半導体ウェーハの搬送装置を提供する。
(B)上記(A)において、搬送途中の半導体ウェーハの汚損を防止することが可能な半導体ウェーハの搬送装置を提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、半導体ウェーハを複数枚積層状態に支持する支持台と、積層状態の最上部に位置する半導体ウェーハの一側端面に係合して、その半導体ウェーハを横方向に押圧移動させる搬送部材と、積層状態の2枚目以降に位置する半導体ウェーハの他側端面に当接して、それらの半導体ウェーハが横方向に移動されるのを規制する規制部材とを備え、積層状態の最上部の半導体ウェーハが横方向に移動されるとき、上記搬送部材に設けられ、上から2枚目以降の半導体ウェーハの表面に液体を噴射するための第1の噴射手段、および、上記規制部材に設けられ、この移動する半導体ウェーハの裏面に液体を噴射するための第2の噴射手段の少なくともいずれか一方を設けた半導体ウェーハの搬送装置であって、上記支持台の下方に液体を収容した収容槽を設け、この収容槽に上記半導体ウェーハを支持台ごと収容して、収容槽内の液体に各半導体ウェーハを浸漬可能とした半導体ウェーハの搬送装置を、その要旨とする。
【0007】
【0008】
請求項2に記載の発明は、上記支持台は、半導体ウェーハを積層状態で支持するその上面に対する鉛直な線が、上記収容槽の鉛直線に対して所定角度傾斜して設けられた請求項1に記載の半導体ウェーハの搬送装置をその要旨とする。
【0009】
【0010】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の一実施形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
図1および図2に示すように、上面を開口した水槽11は基台12上に載置されている。水槽11の上端開口の外周縁には溢水溝13が形成されている。投入ステーション14および搬送ステーション15は水槽11の上方に並設されている。所定厚さの半導体ウェーハ16が複数枚積層された状態で、投入ステーション14から搬送ステーション15に投入される。洗浄装置17は搬送ステーション15の側方に隣接して設置されている。積層状態の半導体ウェーハ16が1枚ずつ、搬送ステーション15から洗浄装置17に搬送される。
【0011】
ブラケット18は上記投入ステーション14において、水槽11の上端開口部付近に配設されている。ブラケット18の上面には一対の第1ガイドレール19が所定間隔をおいて平行に敷設されている。支柱20は水槽11の側部において基台12上に立設されている。支柱20の上端には一対の支持アーム21が搬送ステーション15側に向かって突設されている。
【0012】
一対の昇降アーム22は上記搬送ステーション15において、支柱20の側面に昇降可能に支持されている。これらの昇降アーム22の水平腕部22a上には一対の第2ガイドレール23が取付板24を介して、第1ガイドレール19と同一間隔をおいて同一方向に延長配置されている。そして、この昇降アーム22が図示しない昇降用モータ等を含む駆動機構により駆動されて昇降することとなる。この昇降アーム22の昇降により、図1に示すように、第2ガイドレール23が第1ガイドレール19の延長線上に配置されるよう構成されている。
【0013】
支持台25は上記第1ガイドレール19および第2ガイドレール23上に移動可能に支持されている。支持台25の一端上面には支持台25を移動させるための操作ハンドル26が突設されている。一対の位置決め部材27は支持台25の上面両側に突出配置されている。投入ステーション14において、支持台25上に複数枚の半導体ウェーハ16を支持する際に、この位置決め部材27により半導体ウェーハ16が所定の積層状態に位置決め保持される。
【0014】
検出レバー28は、その中間部において支軸29により、上記一方の昇降アーム22の垂直腕部22bに回動可能に取り付けられている。検出レバー28の下端は、支持台25の端部と係合可能に対応している。バネ30は検出レバー28の上端と昇降アーム22との間に掛装されている。このバネ30は検出レバー28を図1の時計回り方向に回動付勢している。検出スイッチ31は検出レバー28の上端と対向するように、昇降アーム22の垂直腕部22bに配設されている。
【0015】
そして、支持台25上に積層状態で支持された半導体ウェーハ16は、支持台25の移動により、図1に鎖線で示す投入ステーション14の位置から、同図に実線で示す搬送ステーション15の位置に移動される。このとき、検出レバー28が支持台25と係合して図1の反時計回り方向に回動され、検出スイッチ31から検出信号が出力されて、搬送ステーション15への半導体ウェーハ16の移動完了が検出される。
【0016】
その後、図1および図2に鎖線で示すように、駆動機構により昇降アーム22が水槽11内に下降されて、支持台25上の半導体ウェーハ16が水槽11中の水(純水)に浸漬される。これにより、半導体ウェーハ16が湿潤されるとともに、各半導体ウェーハ16の表裏面間に水が浸入して剥離性が高められる。
【0017】
ブラケット32は上記搬送ステーション15において、一対の支持アーム21の先端部間に架設されている。このブラケット32には一対のガイド筒33が所定間隔をおいて貫設されている。一対のガイドロッド34はガイド筒33に上下動可能に嵌挿されている。これら一対のガイドロッド34の各下端には支持板35が固定されている。ストップネジ36は各ガイドロッド34の上端に回動調節可能に螺合されている。このストップネジ36がガイド筒33の上端に係合することによって、支持板35の下降位置が規制されるように構成されている。
【0018】
昇降用シリンダ37は上記ブラケット32の上面に配設されている。この昇降用シリンダ37のピストンロッド38の下端がカップリング39を介して支持板35に連結されている。そして、この昇降用シリンダ37が突出動作されたときには、ガイド筒33とガイドロッド34との案内作用により、支持板35が下降されるとともに、昇降用シリンダ37が没入動作されたときには、支持板35が上昇されるように構成されている。
【0019】
そして、この実施形態においては、図2に示すように、上記半導体ウェーハ16の支持台25を支持する昇降アーム22、および搬送部材45を支持する支持板35の鉛直線L1が、上方に行くほど洗浄装置17から次第に離間するように、水槽11の鉛直線L2に対して所定角度傾斜されている。これにより、昇降アーム22上の支持台25に積層支持された半導体ウェーハ16は、洗浄装置17側ほど次第に高くなるように傾斜状態で配置されている。また、最上部に位置する半導体ウェーハ16が後述する搬送部材45により移動されるとき、水槽11の上端開口縁から徐々に離間して斜上方へ搬送されるように構成されている。
【0020】
エアセンサ40は上記支持板35の側下部に取付板41を介して吊下支持されている。支持板35が下降されるとき、このエアセンサ40の下面から検出用エアが噴射される。そして、昇降用シリンダ37により支持板35が下降されたとき、図2に鎖線で示すように、このエアセンサ40の下面が支持台25上に積層支持されている最上部の半導体ウェーハ16に近接配置される。これにより、エアセンサ40の下面から噴出している検出用エアの背圧が変化して、支持台25の下降位置が検出される。
【0021】
一対のガイドロッド42は上記昇降アーム22上の第2ガイドレール23と直交する方向へ延びるように、支持板35の下面に一対のブラケット43を介して平行に延長配置されている。移動体44はガイドロッド42に移動可能に支持されている。この移動体44の下面にはブロック状の搬送部材45が取り付けられている。そして、昇降用シリンダ37により支持板35が下降されたとき、図2に鎖線で示すように、この搬送部材45が支持台25上に積層支持されている最上部の半導体ウェーハ16の一側端面に対向配置される。この搬送部材45の刃ウェーハ16に対する対向部分は、三角形状に切り欠かれて凹状に形成されている。例えばその切り欠き部分の頂角は105度に形成されており、半導体ウェーハ16の側面(面取り面)に、この搬送部材45の凹状の対向面が係合するものである。
【0022】
移動用シリンダ46は、上記支持台35の下面にその軸線がこの下面と平行になるように固設されている。移動用シリンダ46のピストンロッド47の先端が移動体44に連結されている。そして、図2に鎖線で示すように、搬送部材45が最上部の半導体ウェーハ16の一側端面に対向配置された状態で、この移動用シリンダ46が没入動作されたとき、搬送部材45が洗浄装置17側に向かって移動される。これにより、搬送部材45が最上部の半導体ウェーハ16の側端面に係合して、その半導体ウェーハ16が洗浄装置17に向かって横方向に搬送移動される。
【0023】
噴射手段を構成する第1噴射機構48は上記搬送部材45に内装されている。そして、搬送部材45により最上部の半導体ウェーハ16が洗浄装置17に向かって横方向へ搬送移動されるとき、この第1噴射機構48から2枚目以降の半導体ウェーハ16の表面に向かって、液体としての純水が噴射される。これにより、2枚目以降の半導体ウェーハ16が下方に押し付けられて、搬送中の半導体ウェーハ16の裏面に張り付くおそれが抑制される。第1噴射機構48は、所定圧の純水の供給源に連通された多数のノズルを備え、これらのノズルから下方に向かって純水を噴射可能に構成されている(図6参照)。
【0024】
ブロック状の規制部材49は上記支持台25上の半導体ウェーハ16と洗浄装置17との間に位置するように、支持ロッド50を介して、一方の支持アーム21の側面に上下方向へ位置調節可能に支持されている。規制部材49は、搬送部材45に対しては半導体ウェーハ16を間に挟んで略180度離間した位置に配設されている。そして、上記搬送部材45により最上部の半導体ウェーハ16が一側端面から押し付けられて、洗浄装置17側に搬送移動されるとき、この規制部材49が積層状態の2枚目以降に位置する半導体ウェーハ16の他側端面に当接される。この上下位置の調節は、例えば支持ロッド50の上端部の調節ネジにより行うことができる。これにより、2枚目以降のウェーハ16が最上部のウェーハ16の搬送に連れて横方向へ移動されないように規制される。この規制部材49の半導体ウェーハ16への当接・係合面は半導体ウェーハ16の形状に対応して所定の曲率で湾曲して形成されている。また、この規制部材49の上面は平坦に形成されており、この上面に最上部の半導体ウェーハ16が移載可能に配設されることとなる。
【0025】
噴射手段を構成する第2噴射機構51は上記規制部材49に内装されている。そして、搬送部材45により最上部の半導体ウェーハ16が洗浄装置17に向かって横方向へ搬送移動されるとき、この第2噴射機構51から搬送中の半導体ウェーハ16の裏面に向かって、液体としての純水が噴射される。これにより、搬送中の半導体ウェーハ16に浮遊力が付与されて、その半導体ウェーハ16の搬送が円滑化されるとともに、半導体ウェーハ16の裏面の汚れが除去される。また、第2噴射機構51において、支持台25に積層支持された半導体ウェーハ16と隣接する部分からは、支持台25の最上部の半導体ウェーハ16と2枚目の半導体ウェーハ16との間に水流が当たるように、所定角度で水が噴射されるように構成されている。これにより、最上部の半導体ウェーハ16と2枚目の半導体ウェーハ16との間に水が侵入して剥離性が高められ、最上部の半導体ウェーハ16を2枚目以降の半導体ウェーハ16から分離し易くなる。この第2噴射機構51は、所定圧の純水の供給源に連通された多数のノズルを備え、これらのノズルから上方に向かって純水を噴射可能に構成されている(図5,図6参照)。
【0026】
洗浄装置17の外壁には挿入口53が形成されている。そして、搬送部材45により支持台25上から1枚ずつ搬送移動されてくる半導体ウェーハ16が、挿入口53から洗浄装置17内へ取り込まれて、表面に付着した遊離砥粒等の洗浄除去が行われるようになっている。
【0027】
次に、上記のように構成された半導体ウェーハの搬送装置の動作について説明する。
さて、この半導体ウェーハの搬送装置を起動させると、図示しない駆動機構により昇降アーム22が昇降されて、搬送ステーション15の第2ガイドレール23が投入ステーション14の第1ガイドレール19と同一高さ位置に配置される。この状態で、作業者が手作業により、図2に鎖線で示すように、投入ステーション14において支持台25上に複数枚の半導体ウェーハ16を載置して、位置決め部材27により積層状態に位置決め保持する。
【0028】
次に、支持台25を投入ステーション14から搬送ステーション15に移動させると、図3に示すように、積層状態の半導体ウェーハ16が搬送ステーション15に投入されて、水槽11の上方に配設される。このとき、検出レバー28が支持台25と係合して回動され、検出スイッチ31から検出信号が出力されて、搬送ステーション15への半導体ウェーハ16の移動完了が検出される。
【0029】
このように、搬送ステーション15への半導体ウェーハ16の移動が完了すると、駆動機構により昇降アーム22が水槽11内に下降されて、図4に示すように、支持台25上の半導体ウェーハ16が水槽11中の水に浸漬される。これにより、半導体ウェーハ16が湿潤されるとともに、各ウェーハ16間に水が浸入して剥離性が高められる。
【0030】
その後、図5に示すように、駆動機構により昇降アーム22が上昇されて、支持台25上の半導体ウェーハ16が水槽11の水中から引き上げられる。また、昇降用シリンダ37により支持板35が下降されて、搬送部材45が支持台25上に積層支持されている最上部の半導体ウェーハ16の一側端面に対向配置される。それとともに、エアセンサ40の下面が支持台25上の最上部の半導体ウェーハ16に近接配置され、エアセンサ40の下面から噴出している検出用エアの背圧の変化に基づいて、支持台25の下降位置が検出される。
【0031】
このとき、規制部材49が積層状態の2枚目以降に位置する半導体ウェーハ16の他側端面に対向配置され、その規制部材49内の第2噴射機構51から水が噴射される。第2噴射機構51において、支持台25に積層支持された半導体ウェーハ16と隣接する部分からの水の噴射は、図5の矢印Aに示す所定角度でなされる。そのため、支持台25の最上部の半導体ウェーハ16と2枚目の半導体ウェーハ16との間に水流が当たる。これにより、最上部の半導体ウェーハ16と2枚目の半導体ウェーハ16との間に水が侵入して剥離性が高められ、最上部の半導体ウェーハ16を2枚目以降の半導体ウェーハ16から分離し易くなる。
【0032】
そして、図6に示すように、移動用シリンダ46の没入動作により、搬送部材45が洗浄装置17側に向かって移動され始める。これにより、搬送部材45が最上部の半導体ウェーハ16の一側端面に係合して、その半導体ウェーハ16が洗浄装置17に向かって横方向に搬送移動される。半導体ウェーハ16は規制部材49の上面に移載されることとなる。このとき、第2噴射機構51から搬送中の半導体ウェーハ16の裏面に向かって水が噴射される。これにより、搬送中の半導体ウェーハ16に浮遊力が付与されて、その半導体ウェーハ16の搬送が円滑化されるとともに、半導体ウェーハ16の裏面の汚れが除去される。
【0033】
また、最上部の半導体ウェーハ16が一側端面から押し付けらて、洗浄装置17側に搬送移動されるとき、規制部材49が積層状態の2枚目以降に位置する半導体ウェーハ16の他側端面に当接する。これにより、2枚目以降の半導体ウェーハ16が最上部の半導体ウェーハ16の搬送に連れて横方向へ移動されないように規制される。
【0034】
さらに、搬送部材45により半導体ウェーハ16が洗浄装置17に向かって搬送移動されるときには、その搬送部材45内の第1噴射機構48から2枚目以降の半導体ウェーハ16の表面に向かって水が噴射される。これにより、2枚目以降の半導体ウェーハ16が下方に押し付けられて、搬送中の半導体ウェーハ16の裏面に張り付くことが防止される。
【0035】
その後、図7に示すように、搬送部材45により支持台25上から搬送移動されてくる半導体ウェーハ16は、挿入口53から洗浄装置17内へ取り込まれる。そして、この洗浄装置17において、半導体ウェーハ16の表裏面に付着している遊離砥粒等が洗浄除去される。
【0036】
このように、半導体ウェーハ16の搬送が終了すると、図8に示すように、移動用シリンダ46の突出動作により、搬送部材45が元位置に復帰移動される。その後、図4に示すように、駆動機構により昇降アーム22が水槽11内に下降されて、支持台25上の半導体ウェーハ16が水槽11中の水に再び浸漬される。
【0037】
以上のように、図4〜図8の動作が繰り返し行われることにより、支持台25上に積層支持された半導体ウェーハ16が、1枚ずつ洗浄装置17に搬送移動されて洗浄処理される。
【0038】
このように、本実施形態によれば、以下の作用および効果を得ることができる。
(a)作業者が手作業により、投入ステーション14において支持台25上に複数枚の半導体ウェーハ16を載置して、位置決め部材27により積層状態に位置決め保持する。このため、作業者の作業はごく簡単で時間もかからない。
【0039】
(b)支持台25上に複数枚の半導体ウェーハ16が積層支持された状態で、最上部に位置する半導体ウェーハ16が、搬送部材45により一側端面から押し付けられて横方向へ搬送移動されるようになっている。このとき、積層状態の2枚目以降に位置する半導体ウェーハ16の他側端面には規制部材49が当接されて、それらの半導体ウェーハ16が最上部の半導体ウェーハ16の搬送に連れて、横方向へ移動されるのを阻止するようになっている。このため、半導体ウェーハ16を1枚ずつ確実に分離させた状態で、洗浄装置17へ容易かつ迅速に搬送することができる。また、半導体ウェーハ16の表面を吸着することなく、その一側端面を押し付けて移動させているので、半導体ウェーハ16の表面に吸着跡等の汚損が生じることはなく、製品の品質が低下することを防止することができる。
【0040】
(c)規制部材49の第2噴射機構51において、支持台25に積層支持された半導体ウェーハ16と隣接する部分からは、支持台25の最上部の半導体ウェーハ16と2枚目の半導体ウェーハ16との間に水流が当たるように、所定角度で水が噴射されるようになっている。このため、最上部の半導体ウェーハ16と2枚目の半導体ウェーハ16との間に水が侵入して剥離性が高められ、最上部の半導体ウェーハ16を2枚目以降の半導体ウェーハ16から分離し易くなる。その結果、積層状態の半導体ウェーハ16を1枚ずつ確実に分離させて搬送することができる。
【0041】
(d)搬送部材45により最上部の半導体ウェーハ16が横方向に搬送移動されるとき、規制部材49の第2噴射機構51から搬送中の半導体ウェーハ16の裏面に水が噴射されるようになっている。このため、搬送中の半導体ウェーハ16に浮遊力が作用して、その半導体ウェーハ16の搬送を円滑化することができるとともに、半導体ウェーハ16の裏面の汚れを除去することができる。
【0042】
(e)搬送部材45により最上部の半導体ウェーハ16が横方向に搬送移動されるとき、搬送部材45の第1噴射機構48から2枚目以降の半導体ウェーハ16の表面に水が噴射されるようになっている。このため、2枚目以降の半導体ウェーハ16が下方に押し付けられて、その半導体ウェーハ16が搬送中の半導体ウェーハ16の裏面に張り付くことを防止することができる。したがって、積層状態の半導体ウェーハ16を、1枚ずつより確実に分離させて、洗浄装置17へ搬送することができる。加えて、液体により、2枚目の半導体ウェーハ16の表面の汚れを除去することができる。
【0043】
(f)半導体ウェーハ16の支持台25を支持する昇降アーム22、および搬送部材45を支持する支持板35の鉛直線L1が、上方に行くほど洗浄装置17から次第に離間するように、水槽11の鉛直線L2に対して所定角度傾斜されている。このため、昇降アーム22上の支持台25に積層支持された半導体ウェーハ16は、洗浄装置17側ほど次第に高くなるように傾斜状態で配置され、最上部に位置する半導体ウェーハ16が搬送部材45により移動されるとき、水槽11の上端開口縁から徐々に離間するように斜上方へ搬送される。したがって、半導体ウェーハ16が搬送移動の途中で、水槽11の上端開口縁と干渉するおそれを防止することができる。
【0044】
なお、この発明は、次のように変更して具体化することも可能である。
(1)図9に示すように、水槽11内に水の噴射ノズル54を設ける。そして、水槽11中の水に浸漬された積載状態の半導体ウェーハ16の側部へ向かって、各噴射ノズル54から図9の矢印Bに示すように水を噴射させる。このようにすれば、各半導体ウェーハ16間に水が侵入して剥離性がさらに高められる。なお、噴射ノズル54を複数個設け、各噴射ノズル54の位置を適宜に設定すれば、半導体ウェーハ16の積載数が多い場合でも、各半導体ウェーハ16に対して均等に水を噴射することができる。
(2)支持台25に対する半導体ウェーハ16の積層支持構成を適宜に変更する。
(3)支持台25をシリンダ等の駆動手段により、投入ステーション14と搬送ステーション15との間で移動させるように構成する。
(4)半導体ウェーハ16を搬送移動させるための搬送部材45の形状構成および移動構成を適宜に変更する。
(5)2枚目以降の半導体ウェーハ16の移動を規制するための規制部材49の形状構成および支持構成を適宜に変更する。
(6)第1噴射機構48および第2噴射機構51から噴射される液体として、上記実施形態の水に代えて、洗浄液を含む液体を使用する。
(7)半導体ウェーハ16を上記実施形態の洗浄装置17とは異なる装置へ搬送する場合に適用する。
【0045】
以上、各実施形態について説明したが、各実施形態から把握できる請求項以外の技術的思想について、以下にそれらの効果と共に記載する。
(ア)請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体ウェーハの搬送装置において、液体を収容した収容槽11を備え、その収容槽に上記半導体ウェーハ16を支持台25ごと収容して、収容槽内の液体に各半導体ウェーハを浸漬した後に上記搬送部材45による搬送を行う半導体ウェーハの搬送装置とする。
このようにすれば、積層された各半導体ウェーハが液体によって剥離しやすくなるため、半導体ウェーハを1枚ずつ搬送するのが容易になる。
【0046】
(イ)上記(ア)に記載の半導体ウェーハの搬送装置において、上記支持台25の鉛直線L1が、上記収容槽11の鉛直線L2に対して所定角度傾斜している半導体ウェーハの搬送装置とする。
このようにすれば、支持台に積層支持された半導体ウェーハは傾斜状態で配置され、最上部に位置する半導体ウェーハが搬送部材により移動されるとき、半導体ウェーハが搬送移動の途中で、収容槽の上端開口縁と干渉するおそれを防止することができる。
【0047】
ところで、この明細書において、発明の構成に係る部材は以下のように定義されるものとする。
(a)半導体ウェーハとは、シリコンウェーハ・ガリウムヒ素ウェーハだけでなく、清浄な状態で1枚ずつ搬送する必要のある半導体ウェーハ全般を含むものである。
(b)液体とは、水(純水)だけでなく、洗浄液を含むものとする。
【0048】
【発明の効果】
請求項1に記載の発明によれば、半導体ウェーハを1枚ずつ容易かつ迅速に搬送することが可能な半導体ウェーハの搬送装置を提供することができる。
すなわち、支持台上に半導体ウェーハが複数枚積層した状態で支持される。その後、積層状態の最上部に位置する半導体ウェーハの一側端面に搬送部材が係合され、その搬送部材により最上部の半導体ウェーハが横方向に押圧移動される。このとき、積層状態の2枚目以降に位置する半導体ウェーハの他側端面には規制部材が当接されて、それらの半導体ウェーハが最上部の半導体ウェーハとともに、横方向へ移動されないように規制される。このため、積層状態の半導体ウェーハを1枚ずつ確実に分離させた状態で搬送することができる。また、半導体ウェーハの表面を吸着することなく、その一側端面を押し付けて移動させているので、半導体ウェーハの表面に吸着跡等の汚損が生じることはない。
【0049】
請求項2に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明の効果をさらに高めることが可能であり、加えて、搬送途中の半導体ウェーハの汚損を防止することが可能な半導体ウェーハの搬送装置を提供することができる。
【0050】
請求項1に記載の発明によれば、搬送部材により最上部の半導体ウェーハが横方向に移動されるとき、規制部材から搬送中の半導体ウェーハの裏面に液体が噴射される。このため、搬送中の半導体ウェーハに浮遊力が作用して、半導体ウェーハの搬送を円滑化することができる。加えて、液体によって半導体ウェーハの裏面の汚れを除去することができる。
【0051】
請求項1に記載の発明によれば、搬送部材により最上部の半導体ウェーハが横方向に移動されるとき、搬送部材から2枚目以降の半導体ウェーハの表面に液体が噴射される。このため、2枚目以降の半導体ウェーハが下方に押し付けられて、その半導体ウェーハが搬送中の半導体ウェーハに張り付くのを防止することが可能になり、半導体ウェーハの搬送を円滑化することができる。加えて、液体により、2枚目の半導体ウェーハの表面の汚れを除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の一実施形態の部分破断正面図である。
【図2】 この発明の一実施形態の部分破断側面図である。
【図3】 この発明の一実施形態の動作を説明するための説明図である。
【図4】 この発明の一実施形態の動作を説明するための説明図である。
【図5】 この発明の一実施形態の動作を説明するための説明図である。
【図6】 この発明の一実施形態の動作を説明するための説明図である。
【図7】 この発明の一実施形態の動作を説明するための説明図である。
【図8】 この発明の一実施形態の動作を説明するための説明図である。
【図9】 この発明の別の実施形態の動作を説明するための説明図である。
【符号の説明】
11…収容槽としての水槽、
16…半導体ウェーハ、
25…支持台、
45…搬送部材、
48…第2の噴射手段としての第1噴射機構、
49…規制部材、
51…第2の噴射手段としての第2噴射機構。
Claims (2)
- 半導体ウェーハを複数枚積層状態に支持する支持台と、
積層状態の最上部に位置する半導体ウェーハの一側端面に係合して、その半導体ウェーハを横方向に押圧移動させる搬送部材と、
積層状態の2枚目以降に位置する半導体ウェーハの他側端面に当接して、それらの半導体ウェーハが横方向に移動されるのを規制する規制部材とを備え、
積層状態の最上部の半導体ウェーハが横方向に移動されるとき、上記搬送部材に設けられ、上から2枚目以降の半導体ウェーハの表面に液体を噴射するための第1の噴射手段、および、上記規制部材に設けられ、この移動する半導体ウェーハの裏面に液体を噴射するための第2の噴射手段の少なくともいずれか一方を設けた半導体ウェーハの搬送装置であって、
上記支持台の下方に液体を収容した収容槽を設け、この収容槽に上記半導体ウェーハを支持台ごと収容して、収容槽内の液体に各半導体ウェーハを浸漬可能とした半導体ウェーハの搬送装置。 - 上記支持台は、半導体ウェーハを積層状態で支持するその上面に対する鉛直な線が、上記収容槽の鉛直線に対して所定角度傾斜して設けられた請求項1に記載の半導体ウェーハの搬送装置。
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