JPH06349793A - 半導体ウエハの清浄化方法及びその装置 - Google Patents

半導体ウエハの清浄化方法及びその装置

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JPH06349793A
JPH06349793A JP13459593A JP13459593A JPH06349793A JP H06349793 A JPH06349793 A JP H06349793A JP 13459593 A JP13459593 A JP 13459593A JP 13459593 A JP13459593 A JP 13459593A JP H06349793 A JPH06349793 A JP H06349793A
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Masayoshi Sekizawa
正義 関澤
Shinichi Endo
信一 遠藤
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Naoetsu Electronics Co Ltd
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Naoetsu Electronics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ポリッシング工程若しくはそれ以前においてウ
エハ裏面に付着したSiO2 やSi等の微細な粉状の異
物を確実に除去して、ウエハ裏面のさらなる清浄化を図
る。 【構成】移送手段2における無端状の移送ベルト23の下
半側を含浸槽31内に掛け渡して、含浸槽31内の界面活性
剤水溶液Fを移送ベルト23に含浸させる。移送ベルト23
上に送り出されたウエハWを回動せしめ、これによりウ
エハWと移送ベルト23との間に生じる摩擦接触力と、移
送ベルト23に含浸せしめた界面活性剤水溶液Fによる洗
浄力とによって、ウエハ裏面W1 に付着したSiO2
Si等の微細な粉上異物を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの清浄化
方法及びその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般的に、トランジスタ,ダイオード等
のディスクリート素子として利用される半導体ウエハ
は、シリコン単結晶のインゴットからスライスされ面取
り,ラッピング,エッチング処理等を行い、ポリッシン
グ工程,洗浄工程を経て製品となる。
【0003】ポリッシング工程においてはウエハ表面を
定盤上のクロス面に圧接せしめて該表面を鏡面状に研磨
し、また洗浄工程においてはウエハ表面に付着している
研磨剤,異物及びウエハ裏面に付着しているワックスや
その他の異物等を除去する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが上記従来の洗
浄工程においては、ウエハ裏面に強固に付着しているS
iO2 やSi等の粉状の異物は、薬液や超音波洗浄では
容易には除去できない問題があった。
【0005】本発明は上述したような従来事情に鑑みて
なされたもので、その目的とするところは、ポリッシン
グ工程若しくはそれ以前においてウエハ裏面に付着した
SiO2 やSi等の微細な粉状の異物を確実に除去する
ことである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明における清浄化方法は、無端状に回転する
よう巻装した移送ベルトに界面活性剤の水溶液を含浸せ
しめ、ポリッシング工程において表面側を研磨したウエ
ハを該表面側を上にして前記移送ベルト上へ送り出すと
共に、送り出されたウエハを移送ベルト上で回動せしめ
て、ウエハ裏面と移送ベルトとの摩擦接触によりウエハ
裏面の付着物を除去することを特徴とする。
【0007】また本発明における清浄化装置は、多数枚
のウエハを一定間隔ごとに連続して送り出すウエハ供給
手段と、該供給手段から供給されるウエハを連続的に移
送するべく移送ベルトを無端状に回転するよう巻装せし
めた移送手段と、前記移送ベルトに界面活性剤の水溶液
を含浸せしめる液供給手段と、前記移送手段に供給され
るウエハを移送ベルト上で回動せしめる回動手段と、前
記移送手段から送り出されるウエハを連続的に回収する
ウエハ回収手段とを具備してなることを特徴とする。
【0008】
【作用】本発明によれば、ポリッシング工程において表
面を研磨したウエハを、該表面を上にして移送ベルト上
へ送り出すと共に移送ベルト上で回動させれば、ウエハ
裏面と移送ベルト上面との間に生じる接触摩擦力と、移
送ベルトに含浸せしめた界面活性剤の水溶液による洗浄
力とにより、ウエハ裏面に付着したSiO2 やSi等の
微細な粉状の異物が除去される。
【0009】
【実施例】図1及び2は本発明清浄化方法を実施する装
置の一例を表すもので、図中1はウエハ供給手段、2は
ウエハ移送手段、3は液供給手段、4はウエハ回動手
段、5はウエハ回収手段、6は前記各構成部分1〜5を
設置するための架台、Wはウエハを夫々示す。
【0010】ウエハWはシリコン単結晶のインゴットか
らスライスされ面取り,ラッピング,エッチング処理等
を行い、ポリッシング工程に投入される。ポリッシング
工程においては従来同様、定盤上に載置するプレート下
面にウエハ背面側をワックスにて貼り付け、そのプレー
トを上方から加圧してウエハを定盤上のクロス面に圧接
せしめるをもって、表面を鏡面状に研磨される。研磨終
了後、プレートから剥離されてDIP工程へ投入され
る。該工程においては前記ワックスの剥離及び乾燥防止
等のために、アルコール液(本実施例ではIPA)槽へ
浸漬される。DIP工程を終了したウエハWは表面を上
にして、本発明の清浄化工程におけるウエハ供給手段1
へ連続的に送られる。
【0011】ウエハ供給手段1は、上記DIP工程のア
ルコール液槽(図示せず)に隣接せしめて槽体11を架台
6上に設置すると共に、前記アルコール液槽から取り出
されるウエハWを多段状に収容するマガジン12を、昇降
機構13を介して前記槽体11内に昇降可能に配設し、且つ
槽体11内にはウエハWの乾燥防止のための界面活性剤水
溶液(本実施例ではファミリー水溶液)Fを貯溜せし
め、さらに槽体11側方にはマガジン12内のウエハWを移
送手段2に送り出す押出し機構14を設けて構成される。
【0012】昇降機構13は、上記マガジン12を設置した
台座13a の端部に摺動杆13b 下端を固定し、該摺動杆13
b 上端側にはモータ13c の駆動で作動する周知な歯車機
構(図示せず)等を設けて構成したもので、モータ13c
の駆動により摺動杆13b を上下方向に所定量だけ摺動さ
せてマガジン12を所定の高さ位置に支持する。これによ
り、表面を上にした状態で前工程(DIP工程)から連
続的に送られてくるウエハWがマガジン12内の所定位置
に収容され、さらに収容された各ウエハWは押出し機構
14を介して順次移送手段2へと送り出されるようにな
る。
【0013】押出し機構14は、マガジン12内に収容され
た各ウエハWを移送手段2の移送ベルト23上に送り出す
ためのシリンダー14a を、上記槽体11の上縁よりもやや
上方位置にて水平摺動可能に配設してなる。シリンダー
14a の駆動は油圧,エアー圧等の周知な手段を用いる。
【0014】ウエハ移送手段2は、駆動ローラ21a,22a
、従動ローラ21b,22b との間に巻装する移送ベルト23,
24 の下半側を、後述の含浸槽31内に架設したテンショ
ンローラ21c,22c に掛け渡すと共に、前記駆動ローラ21
a,22a をモータ25に連係せしめて構成したもので、モー
タ25の作動による駆動ローラ21a,22a の回転駆動で移送
ベルト23,24 を回動させ、同ベルト23,24 上のウエハW
をウエハ回収手段5方向へ送るようになっている。
【0015】移送ベルト23,24 は、含浸槽31内に貯溜し
た界面活性剤の水溶液Fが含浸可能な材質からなり、本
実施例においてはスエードタイプパッド又は布からなる
ベルトを用いる。
【0016】液供給手段3は、前述の槽体11に隣接せし
めて架台6上に設置した含浸槽31内に界面活性剤の水溶
液Fを所定量貯溜してなるもので、含浸槽31内における
液面から所定深さの位置に前述のテンションローラ21c,
22c を架設して上記移送ベルト23,24 の下半側を液面下
方に掛け渡し、これにより移送ベルト23,24 に界面活性
剤の水溶液Fが含浸されるようになる。
【0017】ウエハ回動手段4は、移送ベルト23,24 の
送り方向末端側にウエハWの移送を停止させるストッパ
ー4aを昇降自在に設けると共に、移送ベルト23,24 で送
られてきたウエハWがそのストッパー4aに当たって移送
を停止した時点で移送ベルト24が逆方向へ回動するよう
に構成したもので、各移送ベルト23,24 の相反する方向
への回動によってウエハWを回転させるようになってい
る。
【0018】上記移送ベルト24の逆方向への回動は、従
動ローラ22b をモータ26に連係せしめ、且つモータ25と
ローラ22a 、モータ26とローラ22b の連係部に周知なク
ラッチ機構を内蔵してその移送方向を正逆変換可能と
し、さらにモータ26による逆方向の回動力が移送ベルト
23の正方向への回動力よりも小さくなるよう形成するを
もって、上述したウエハWの回転が確実になされるよう
になる。また、移送ベルト24の逆方向への回動は、ウエ
ハWがストッパー4aに当たってその移送を停止した時点
で行われるよう電気的に制御する。
【0019】ウエハ回収手段5は、上記含浸槽31に隣接
せしめて回収槽51を架台6上に設置すると共に、前記移
送ベルト23,24 に連続する傾斜台52を設けて移送ベルト
23,24 から送り出されるウエハWが表面を上にした状態
を維持しながら回収槽51に向けてすべり投入されるよう
にし、さらにそのウエハWを多段状に収容するマガジン
53を、昇降機構54を介して回収槽51内にて傾斜状に昇降
可能に配設し、且つ回収槽51内にはウエハWの乾燥防止
のための界面活性剤水溶液Fを貯溜せしめて構成され
る。
【0020】昇降機構54は前述の昇降機構13と同様な構
成のもので、マガジン53を設置した台座54a の端部に摺
動杆54b 下端を固定し、該摺動杆54b 上端側にはモータ
54cの駆動で作動する周知な歯車機構(図示せず)等を
設けてなり、モータ54c の駆動により摺動杆54b を上下
方向に所定量だけ摺動させてマガジン53を所定の高さ位
置に支持する。これにより、傾斜台52上を滑ってくるウ
エハWがマガジン53内の所定位置に収容される。尚、マ
ガジン53内に収容された各ウエハWは回収槽51内の界面
活性剤水溶液Fに浸漬して乾燥を防止し、その後、不図
示の押出し機構を介して次工程へ順次送り出されるよう
になる。
【0021】傾斜台52は内部に液貯溜空間52a を備える
と共に該空間52a に連通する孔52bを上面の適宜複数箇
所に開設し、前記空間52a は循環ポンプ55を備えた強制
循環路56で回収槽51に連絡せしめ、界面活性剤水溶液F
が傾斜台52上面を常に流下させて、傾斜台52上を滑って
くるウエハWの送りがスムーズに行われるようにする。
【0022】而して、上記の如く構成した本実施例の清
浄化装置によれば、ポリッシング工程にて表面を研磨し
た後、DIP工程にてアルコール液槽に浸漬したウエハ
Wを、その表面を上にして搬送ベルト等でウエハ供給手
段1方向へ一定間隔ごとに順次送り出すと共に、昇降機
構13の作動によりマガジン12を所定高さ位置に支持する
をもって、各ウエハWがマガジン12内に多段状に収容さ
れる。収容された各ウエハWは槽体11内の界面活性剤水
溶液F内に浸漬した後、押出し機構14を介して移送ベル
ト23,24 上面へ順次送り出される。
【0023】移送ベルト23,24 へ送り出されたウエハW
は回収槽51方向へ送られるが、送り方向末端箇所にてス
トッパー4aに当接して停止し、且つ移送ベルト24の逆方
向への回動により回転し、これによりウエハ裏面W堯と
移送ベルト23,24 上面との間に生じる接触摩擦力と、移
送ベルト23,24 に含浸せしめた界面活性剤の水溶液Fに
よる洗浄力とにより、ウエハ裏面W1 に付着したSiO
2 やSi等の微細な粉状の異物が除去された状態とな
る。
【0024】この様にしてウエハ裏面W堯の清浄がなさ
れたウエハWは、ストッパー4aの上昇と移送ベルト23,2
4 の正方向への回動により回収手段5方向へ送られ、傾
斜台52上面を滑って回収槽51へ投入され、昇降機構54の
作動により回収槽51内の所定高さ位置に待機するマガジ
ン53内に多段状に収容される。収容された各ウエハWは
回収槽51内の界面活性剤水溶液F内に浸漬した後、不図
示の押出し機構,搬送ベルト等を介して次工程である洗
浄工程へと順次送り出される。
【0025】洗浄工程においては従来同様、薬液洗浄,
超音波洗浄等の周知な洗浄手段を施してウエハ裏面W1
に付着しているワックスやその他の異物等を除去する
が、前述の如く粉状のSiO2 やSi等の除去が前もっ
てなされていることから裏面W 1 を極めて清浄な状態に
でき、信頼性の高い製品を提供し得る。
【0026】尚、ポリッシング工程を終了したウエハW
をその移送経路中においてアルコール液槽及び界面活性
剤水溶液Fの液槽(11,31,51)に順次浸漬せしめるこ
とは、ウエハ裏面W1 におけるSiO2 やSi等の微細
な粉状の付着物の乾燥を防止し、それら付着物が乾燥固
化することでその除去が極めて困難になってしまうこと
を防ぐ上で有用である。
【0027】尚、ウエハ回動手段4は上述の構造に限定
されず、例えば図3又は図4に示すように周知な範囲内
での変更は自由である。図3に示す変形例は、正方向の
みに回動するよう配設した無端状の移送ベルト7の左右
両側に、移送されるウエハWの外周縁に先端を当接して
ウエハWを回転付勢するよう邪魔板7aを回動自在に枢支
してなる。また図4に示す変形例は、正方向のみに回動
するよう配設した無端状の幅狭な移送ベルト8の左右両
側に、移送されるウエハWの外周縁に摺接してウエハW
を回転付勢する回転軸8aを接離自在に起設してなる。
【0028】また図5に示すグラフ(a),(b) は、本発明
の清浄化方法によりSiO2 やSi等の微細な粉状の異
物が除去されたウエハ裏面W1 の検査結果を表す。
【0029】
【発明の効果】本発明に係る清浄化方法は以上説明した
ように、ウエハを移送ベルト上で回動せしめ、これによ
りウエハと移送ベルトとの間に生じる摩擦接触力と、移
送ベルトに含浸せしめた界面活性剤水溶液による洗浄力
とによって、ウエハ裏面に付着したSiO2 やSi等の
微細な粉状異物を除去するようにした。従って、ポリッ
シング工程において表面側を研磨したウエハを該表面側
を上にして移送ベルトに供給し、前述の如くウエハ表面
の洗浄を行った後に洗浄工程に投入すれば、薬液洗浄や
超音波洗浄等の従来手段では除去困難な粉状のSiO2
やSi等の付着物等が除去された極めて清浄なウエハ、
即ち、信頼性の高い製品を提供し得る。
【0030】また本発明に係る清浄化装置によれば、ポ
リッシング工程と洗浄工程の間に設置した移送経路(供
給手段,移送手段,回収手段)において前記清浄作用が
得られるので、前述の清浄化方法の利点を最大限に生か
しつつ、大掛かりな装置を要することなく極めて簡単な
構成で実現でき、よってウエハの生産性が低下したり製
造コストが高くなるような虞れもない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る清浄化方法を実施する装置の一
例を簡略して示す縦断正面図。
【図2】 図1に示す装置の平面図。
【図3】 図1に示す装置におけるウエハ回動手段の変
形例を簡略して示す平面図。
【図4】 図1に示す装置におけるウエハ回動手段の変
形例を簡略して示す平面図。
【図5】 本発明の清浄化方法を実施したウエハ裏面の
検査結果を示すグラフ。
【符号の説明】
1:ウエハ供給手段 2:ウエハ移送手段 23:移
送ベルト 3:液供給手段 31:含浸槽 5:ウエハ回収手段 W:ウエハ W1 :ウエハ裏
面 F:界面活性剤の水溶液

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 無端状に回転するよう巻装した移送ベル
    トに界面活性剤の水溶液を含浸せしめ、ポリッシング工
    程において表面側を研磨したウエハを該表面側を上にし
    て前記移送ベルト上へ送り出すと共に、送り出されたウ
    エハを移送ベルト上で回動せしめて、ウエハと移送ベル
    トとの摩擦接触によりウエハ裏面の付着物を除去するこ
    とを特徴とする半導体ウエハの清浄化方法。
  2. 【請求項2】 多数枚のウエハを一定間隔ごとに連続し
    て送り出すウエハ供給手段と、該供給手段から供給され
    るウエハを連続的に移送するべく移送ベルトを無端状に
    回転するよう巻装せしめた移送手段と、前記移送ベルト
    に界面活性剤の水溶液を含浸せしめる液供給手段と、前
    記移送手段に供給されたウエハを移送ベルト上で回動せ
    しめる回動手段と、前記移送手段から送り出されるウエ
    ハを連続的に回収するウエハ回収手段とを具備してなる
    ことを特徴とする半導体ウエハの清浄化装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6247368B1 (en) 1999-01-04 2001-06-19 International Business Machines Corporation CMP wet application wafer sensor
KR102101265B1 (ko) * 2018-11-19 2020-04-16 이충석 슬림로드 디본딩 장치
CN116682771A (zh) * 2023-08-02 2023-09-01 北京特思迪半导体设备有限公司 晶圆清洗机构及晶圆清洗系统

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6247368B1 (en) 1999-01-04 2001-06-19 International Business Machines Corporation CMP wet application wafer sensor
KR102101265B1 (ko) * 2018-11-19 2020-04-16 이충석 슬림로드 디본딩 장치
CN116682771A (zh) * 2023-08-02 2023-09-01 北京特思迪半导体设备有限公司 晶圆清洗机构及晶圆清洗系统
CN116682771B (zh) * 2023-08-02 2023-09-26 北京特思迪半导体设备有限公司 晶圆清洗机构及晶圆清洗系统

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