CN102356431A - 磁记录介质的检查方法、磁记录介质以及磁记录再生装置 - Google Patents

磁记录介质的检查方法、磁记录介质以及磁记录再生装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102356431A
CN102356431A CN2010800120200A CN201080012020A CN102356431A CN 102356431 A CN102356431 A CN 102356431A CN 2010800120200 A CN2010800120200 A CN 2010800120200A CN 201080012020 A CN201080012020 A CN 201080012020A CN 102356431 A CN102356431 A CN 102356431A
Authority
CN
China
Prior art keywords
magnetic recording
recording media
magnetic
siloxane
lubricant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010800120200A
Other languages
English (en)
Inventor
加藤顺也
丸山良彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Publication of CN102356431A publication Critical patent/CN102356431A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
    • G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
    • G11B5/7253—Fluorocarbon lubricant
    • G11B5/7257—Perfluoropolyether lubricant
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
    • G11B5/726—Two or more protective coatings
    • G11B5/7262—Inorganic protective coating
    • G11B5/7264—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
    • G11B5/7266—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon comprising a lubricant over the inorganic carbon coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T436/00—Chemistry: analytical and immunological testing
    • Y10T436/20—Oxygen containing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

本发明提供可以防止污染物质、腐蚀物对磁头附着(转印)的磁记录介质的检查方法。一种磁记录介质的检查方法，是在非磁性基板上至少具有磁性层、保护层、润滑剂层的磁记录介质的检查方法，其特征在于，将所述磁记录介质曝露于包含硅氧烷的气氛，根据所述硅氧烷在所述磁记录介质表面的附着量来检查该磁记录介质对环境物质的耐性。

Description

磁记录介质的检查方法、磁记录介质以及磁记录再生装置
技术领域
本发明涉及磁记录介质的检查方法、磁记录介质、以及磁记录再生装置。
本申请基于2009年3月18日在日本申请的特愿2009-66736号要求优先权，其内容引入本文。
背景技术
现在，关于磁记录再生装置的记录密度，400G比特/平方英寸被实用化，而且认为今后要继续提高磁记录再生装置的记录密度。而且，为了提高磁记录再生装置的记录密度，进行了适合高记录密度的磁记录介质的开发。作为这样的磁记录介质，下述构成成为主流：通过溅射法等在磁记录介质用的基板上叠层记录层等之后，在该记录层上形成碳等的保护膜，进而在保护膜上涂布液体的润滑剂。
在上述构成中，保护层具有保护记录于记录层的信息并且提高磁头的滑动性的效果，具有被覆记录层而防止记录层所包含的金属被环境污染物质腐蚀的作用。然而，如果仅设置保护层，则磁记录介质的保护不充分。因此，在保护层的表面涂布厚度为0.5～3nm左右的润滑剂而形成润滑剂层，从而改善保护层的耐久性、保护力。这样，通过设置润滑剂层，可以防止磁头(磁头滑块)与保护层直接接触，并且可以使在磁记录介质上滑动的磁头(磁头滑块)的摩擦力显著降低，而且可以防止污染物质侵入磁记录介质内部。
这里，作为润滑剂，以往提出了全氟聚醚系润滑剂、脂肪族烃系润滑剂等。例如，在专利文献1中公开了，涂布有具有HOCH2-CF2O-(C2F4O)p-(CF2O)q-CH2OH(p、q为整数。)结构的全氟烷基聚醚的润滑剂的磁记录介质。此外，在专利文献2中公开了，涂布有具有HOCH2CH(OH)-CH2OCH2CF2O-(C2F4O)p-(CF2O)q-CF2CH2OCH2-CH(OH)CH2OH(p、q为整数。)结构的全氟烷基聚醚(四醇)的润滑剂的磁记录介质。此外，在专利文献3中公开了，具有选自(-CF2O-)或(-CF2CF2O-)的全氟氧亚烷基单元、和磷腈化合物的磁记录介质用途的润滑剂。
另一方面，为了提高磁记录再生装置的记录密度，有必要使磁头的上浮量进一步减小，使磁头更靠近磁记录介质的表面。
可是，一直以来，存在在磁记录介质的表面往往存在离子性污染物质这样的问题。该离子性污染物质大部分是在磁记录介质的制造工序中从外部(例如，周围环境或磁记录介质的操作)附着的。此外，在硬盘驱动器内部使用时，环境污染物质侵入并附着于驱动器内部。例如，在将磁记录介质或硬盘驱动器保持在高温高湿条件下的情况下，在磁记录介质的表面会附着包含离子等的环境物质的水等。该包含离子等的环境物质的水穿过润滑剂层，使存在于润滑剂层之下的微少离子成分凝结，从而产生离子性污染物质。
在这样的污染物质存在于磁记录介质上的情况下，即使在污染物质小的情况下，如果使磁头更靠近磁记录介质的表面，则磁头容易与污染物质接触，在磁头上附着(转印)污染物。而且，如果磁头附着(转印)污染物质，则磁头的记录再生特性降低，并且磁头的上浮稳定性被破坏，进而发生使磁头破坏的情况。此外，在离子性污染物质的情况下，成为在保护膜的微小缺陷部分(针孔)引起记录层的腐蚀反应的原因。因此，在磁记录介质制造时和在驱动器内使用时，有必要除去或防止产生这样的污染物质。
为了除去污染物质，例如，在专利文献4中公开了如下方法：用纯水擦洗形成有保护膜的磁记录介质的表面，除去附着于磁记录介质表面的甲酸根离子、草酸根离子、铵离子、或其它离子盐类(SO4 2-、NO3 -、Na+)，然后在磁记录介质的表面涂布润滑剂。
润滑剂层一般如下形成：使氟树脂系润滑剂溶解或分散在氟系溶剂中，调制包含润滑剂的溶液，然后将其涂布在保护层上而形成。作为涂布方法，有旋转涂布法、浸渍法等。例如，在浸渍法中，在放入润滑剂浸渍槽中的包含润滑剂的溶液中浸渍磁记录介质之后，以规定的速度从润滑剂浸渍槽提升磁记录介质而在磁记录介质表面形成均匀膜厚的润滑剂层。
在为了提高记录密度而进一步减小磁记录再生装置的磁头的上浮量的情况下，要求使润滑剂层也更薄。然而，如果使润滑剂层变薄，则润滑剂层对磁记录介质表面的被覆率降低。由此，发生磁记录介质表面的一部分露出的情况。此时，污染物质可能会从该露出部分污染磁记录介质表面。
然而，在以往的上述方法中，随着磁记录再生装置的记录密度的提高，不能将由于进一步减小磁头上浮量而变得显著的极微量污染物质从磁记录介质上完全除去。因此，污染物质向磁头附着(转印)，磁记录再生装置的磁记录再生特性有时会不稳定。另外，在专利文献5中记载了，使用离子散射研究磁记录介质表面的润滑剂的被覆率，通过使用采用该方法提高了被覆率的磁记录介质来提高耐蚀性。
专利文献1：日本特开昭62-66417号公报
专利文献2：日本特开平9-282642号公报
专利文献3：日本特开2002-275484号公报
专利文献4：日本特开2000-235708号公报
专利文献5：日本特开2004-164704号公报
发明内容
本发明是鉴于上述事实而提出的，其目的在于，提供磁记录介质的检查方法、具有稳定的磁记录再生特性的磁记录介质、以及磁记录再生装置，所述磁记录介质的检查方法通过将附着于磁记录介质或侵入磁记录介质的内部使磁记录介质腐蚀的污染物质降低到极限，可以防止污染物质、腐蚀物对磁头的附着(转印)。
如上述那样，在磁记录介质的表面设置有平均膜厚为20埃(2nm)左右的润滑剂层。这里，润滑剂为平均分子量为2000～5000左右的高分子化合物，因此难以认为润滑剂层在该膜厚下可均匀地被覆碳保护膜的整个表面，认为在磁记录介质的碳保护膜表面形成为岛状或网状。即，认为侵入硬盘驱动器内部的环境污染物质容易穿过润滑剂层，到达润滑剂层之下的碳保护膜表面。
本申请发明者对磁记录介质的腐蚀的机制进行了研究，阐明了环境污染物质附着于存在于碳保护膜表面的“极性部位”，由于该附着的污染物质侵入磁记录介质内部而使磁性层等腐蚀。此外，本申请发明者对防止该腐蚀进行的方法进行了研究，发现了在润滑剂的化合物的骨架中含有极性大的官能团，使该官能团与碳膜的“极性部位”结合，可以显著提高磁记录介质的耐性。而且，本申请发明者发现了容易测定润滑剂的极性官能团与碳膜的“极性部位”之间的结合力强度的方法、以及耐性高的磁记录介质，从而完成了本申请发明。
即，本发明涉及以下方案。(1)一种磁记录介质的检查方法，是在非磁性基板上至少具有磁性层、保护层、润滑剂层的磁记录介质的检查方法，其特征在于，将所述磁记录介质曝露于包含硅氧烷的气氛，根据所述硅氧烷在所述磁记录介质的表面的附着量来检查该磁记录介质对环境物质的耐性。(2)根据上述(1)所述的磁记录介质的检查方法，其特征在于，使所述磁记录介质一边旋转，一边曝露于所述包含硅氧烷的气氛。(3)根据上述(1)或(2)的任一项所述的磁记录介质的检查方法，其特征在于，所述硅氧烷是八甲基环四硅氧烷。(4)一种磁记录介质，是在非磁性基板上至少具有磁性层、保护层、润滑剂层的磁记录介质，其特征在于，所述润滑剂层含有骨架中具有极性大的官能团的化合物，所述官能团与所述保护层的表面的官能团结合，使所述磁记录介质以2000rpm以上的速度旋转、在包含八甲基环四硅氧烷的空气中在大气压下曝露8小时后的、该磁记录介质的表面的硅氧烷的附着量为曝露前的1.5倍以下。(5)根据上述(4)所述的磁记录介质，其特征在于，所述润滑剂层包含单独的或2种以上的选自下述通式(1)～(5)中的化合物，
Figure BDA0000091454540000061
其中，在上述通式(1)～(4)中，其结构中具有至少1个以上(A)或(B)所示的末端官能团结构，
此外，在上述通式(5)中，x为1～5的整数，R1为氢原子、碳原子数1～4的烷基、或碳原子数1～4的卤代烷基的任一种，R2是末端基团为-CH2OH或-CH(OH)CH2OH的全氟聚醚链；这里，R2的全氟聚醚链包含(CF2CF2O)、(CF2O)、(CF2CF2CF2O)中的至少1个以上作为重复单元。(6)根据上述(4)或(5)所述的磁记录介质，其特征在于，所述保护层包含碳膜。(7)一种磁记录再生装置，其特征在于，具备：上述(4)～(6)的任一项所述的磁记录介质，沿记录方向驱动所述磁记录介质的介质驱动部，在所述磁记录介质上进行信息的记录再生的磁头，将所述磁头移动到所述磁记录介质上的头移动部，进行来自所述磁头的记录再生信号的处理的记录再生信号处理部。
本发明的磁记录介质，由于环境污染物质的附着少、耐环境性高，因此可以防止上述污染物从磁记录介质表面向磁头转印，并可以使磁记录再生特性稳定。
如果使用本发明的磁记录介质的检查方法，则可以容易使耐腐蚀性高的磁记录介质的制造条件最佳化。
本发明的磁记录再生装置是不易发生由磁记录介质上的污染物质引起的磁头的污染、破损、耐环境性优异、磁记录再生特性稳定的磁记录再生装置。
附图说明
图1是显示本发明的磁记录介质的一例的剖面示意图。
图2是显示本发明的磁记录再生装置的一例的立体图。
具体实施方式
以下，参照附图对适用了本发明的磁记录介质的检查方法、磁记录介质和磁记录再生装置进行详细说明。另外，在以下说明中使用的附图中，为了容易理解特征，为了方便有时将作为特征的部分放大显示，各构成要素的尺寸比率等不限于与实际相同。
<磁记录介质>
首先，对作为本发明的一实施方式的磁记录介质的检查方法中使用的磁记录介质进行说明。
如图1所示那样，本实施方式的磁记录介质11是在非磁性基板1上依次叠层磁性层2、保护层3、润滑剂层4而概略构成的。
(非磁性基板)
作为非磁性基板1，可以使用在由Al或Al合金等金属或合金材料构成的基体上形成有包含NiP或NiP合金的膜的基板等。此外，非磁性基板1可以使用包含玻璃、陶瓷、硅、碳化硅、碳、树脂等非金属材料的基板，也可以使用在包含该非金属材料的基体上形成有NiP或NiP合金的膜的基板。
(磁性层)
磁性层2优选主要由以Co为主成分的合金形成，可以使用例如，包含Co-Cr-Ta系、Co-Cr-Pt系、Co-Cr-Pt-Ta系、Co-Cr-Pt-B-Ta系合金等的层。
此外，磁性层2可以为面内磁记录或垂直磁记录的磁性层(也称为磁记录层)的任一种，但为了实现更高的记录密度，优选垂直磁记录的磁性层。作为面内磁记录的磁性层2，可以使用强磁性的CoCrPtTa磁性层，在该情况下，优选在上述磁性层2与非磁性基板1之间设置非磁性的CrMo基底层(图示省略)。上述基底层可以为单层也可以为多层。
作为垂直磁记录的磁性层2，可以使用包含60Co-15Cr-15Pt合金、70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金的磁性层，优选在上述磁性层2与非磁性基板1之间设置例如：包含软磁性的FeCo合金(FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr、FeCoZrB、FeCoZrBCu等)、FeTa合金(FeTaN、FeTaC等)、Co合金(CoTaZr、CoZrNB、CoB等)等的图示省略的衬里层；Pt、Pd、NiCr、NiFeCr等的图示省略的取向控制膜；和根据需要Ru等的图示省略的中间膜。
磁性层2的厚度优选为3nm～20nm，更优选为5nm～15nm。
此外，磁性层2可以通过蒸镀法、离子束溅射法、磁控溅射法等以往公知的任何方法形成，但通常通过溅射法形成。
(保护层)
作为保护层3，可以使用以往公知的材料，例如，碳(通常为硬质碳、金刚石状碳)、SiC的单体、或以它们为主成分的材料，但硅氧烷对“极性部位”的附着效果特别是在使用碳膜作为保护层3的情况下显著表现，因此优选使用碳膜。
保护层3的膜厚优选为1nm～10nm的范围内。由此，在高记录密度状态使用的情况下，可以降低磁间距，并且可以提高耐久性。这里，磁间距是指磁头(特别是元件部)与磁性层4之间的距离。磁间距越窄，越可以提高电磁转换特性。
作为保护层3的成膜方法，可以使用采用通常的碳靶材的溅射法、使用乙烯、甲苯等烃原料的CVD(化学蒸镀法)法、IBD(离子束蒸镀)法等。此外，可以组合这些方法构成多个层。此外，为了提高保护膜的强度、增大与润滑剂的亲和性，可以在碳膜中添加氮原子。作为添加氮原子的方法，可以采用在溅射法、CVD法中使用的载气、原料气体中混合氮气的方法、在碳膜形成后曝露于氮气等离子体气氛的方法。
(润滑剂层)
润滑剂层4优选单独使用选自以下通式(1)～(5)的化合物的润滑剂、或使用包含2种以上的选自以下通式(1)～(5)的化合物的润滑剂。这里，通式(1)、通式(2)、通式(3)、通式(4)为全氟聚醚化合物。此外，通式(5)为具有全氟氧亚烷基单元的磷腈化合物。
Figure BDA0000091454540000091
Figure BDA0000091454540000101
其中，在上述通式(1)～(4)中，要求其结构中具有至少1个以上(A)或(B)所示的末端官能团结构。
此外，上述通式(5)中，x为1～5的整数，R1为氢原子、碳原子数1～4的烷基、或碳原子数1～4的卤代烷基的任一种，R2是末端基团为-CH2OH或-CH(OH)CH2OH的全氟聚醚链。这里，R2的全氟聚醚链包含(CF2CF2O)、(CF2O)、(CF2CF2CF2O)中的至少1个以上作为重复单元。
另外，作为上述通式(1)～(4)所示的化合物，例如，可以列举FomblinZ-DOL(商品名，Solvay Solexis社制)、Fomblin Z-TETRAOL(商品名，Solvay Solexis社制)、或以这些相关物质为起始原料合成纯化而得的反应生成物。
此外，作为通式(5)的化合物，可以列举X-1p(商品名，DowChemical社制)、MORESCO PHOSPHAROL A20H-2000(商品名，松村石油研究所(MORESCO)社制)、A20H-DD(商品名，松村石油研究所(MORESCO)社制)、或以这些相关物质为起始原料合成纯化而得的反应生成物。
关于润滑剂层4，如后述那样地将设置有润滑剂层4的磁记录介质11曝露于包含硅氧烷化合物的气氛时，硅氧烷对磁记录介质11的表面的附着量低是重要的。即，在这样的磁记录介质11中，由于润滑剂层4所包含的润滑剂的极性官能团与保护膜表面的官能团结合，因此磁记录介质11对环境物质的耐性高。为了获得这样的润滑剂，有必要使化合物的骨架中含有极性大的官能团，例如羟基、缩水甘油基，使该极性大的官能团与保护层3的“极性部位”结合。
另外，如果使用后述的本实施方式的磁记录介质的检查方法，则探索与保护膜表面的官能团具有牢固结合力的润滑剂官能团变得容易。因此，可以合成大量包含这样的与保护膜表面的官能团具有牢固结合力的官能团的润滑剂。
(润滑剂层的膜厚)
润滑剂层4的平均膜厚优选为0.5nm～3nm的范围内，更优选为0.5nm～2nm的范围内。通过使润滑剂层4的平均膜厚为上述范围内，可以提高磁记录介质11的保护效果，并且可以防止润滑剂转印到磁头而污染磁头。此外，可以将磁头的上浮量充分减小，提高磁记录介质11的记录密度。
(润滑剂层的形成方法)
在调制润滑剂层形成用溶液之后，将上述润滑剂层形成用溶液涂布在磁记录介质11上而形成润滑剂层4。
通常，润滑剂单体为粘度大的油状液体。因此，用溶剂稀释润滑剂，成为适合涂布方法的浓度的润滑剂层形成用溶液(涂布溶液)。作为这里使用的溶剂，可以列举例如，バ一トレルXF(商品名，三井デユポンフロロケミカル社制)等氟系溶剂等。
接下来，使用旋转涂布法、浸渍法等，将润滑剂层形成用溶液涂布在保护层3上而形成润滑剂层4。例如，在浸渍法中，在放入于浸渍涂布装置的润滑剂浸渍槽中的上述润滑剂层形成用溶液中浸渍形成有直到保护层3的各层的非磁性基板1，然后以规定的速度从润滑剂浸渍槽提升非磁性基板1而在非磁性基板1的保护层3上的表面形成均匀膜厚的润滑剂层4。
<磁记录介质的检查方法>
接下来，对作为本发明的一实施方式的磁记录介质的检查方法进行说明。
本实施方式的磁记录介质11的检查方法的特征在于，将在非磁性基板1上至少具有磁性层2、保护层3、润滑剂层4的磁记录介质11曝露于包含硅氧烷的气氛，根据硅氧烷对磁记录介质11的表面的附着量来检查磁记录介质11对环境物质的耐性。如上述那样，润滑剂层4不会被覆包含碳的保护膜3的整个表面，在磁记录介质11的保护层3的表面形成为岛状或网状。而且，侵入硬盘驱动器内部的环境污染物质容易穿过润滑剂层4，到达润滑剂层4之下的保护膜3的表面。
这里，包含碳膜的保护膜3本身本来是化学性质稳定的，而且为耐性高的物质，但根据发明者的研究，磁记录介质11所使用的包含碳膜的保护膜3的表面存在“极性部位”，在该“极性部位”会附着环境污染物质。附着的环境污染物质在该处凝聚而污染磁头，并且穿过保护膜3而到达磁性层2，使磁性层2腐蚀使磁特性降低，而且磁性层2的腐蚀物扩散到保护膜3的表面而污染磁头。
另外，在本说明书中，“极性部位”是指，存在于碳膜表面的羟基(-OH)、羧酸基(-COOH)、羰基(-C＝O)等包含氧原子的官能团、或氰基(-CN)、氨基(-NH3)等包含氮原子的官能团、或碳膜中的碳原子处于自由基状态且未形成共价键的部分(悬空键)。
本申请发明者发现，通过使润滑剂的化合物的骨架中含有极性大的官能团，使该官能团与碳膜的“极性部位”结合，可以提高磁记录介质对污染物质的耐性，此外，作为检查该结合力的方法，发明了使用硅氧烷对磁记录介质表面的附着量的方法。即，根据本申请发明者的研究，虽然硅氧烷会附着于碳膜的“极性部位”，但在该“极性部位”牢固地结合有润滑剂的极性官能团的情况下则不能附着。因此，通过将磁记录介质曝露于硅氧烷气氛，研究硅氧烷对磁记录介质表面的附着量，可以将润滑剂的极性官能团对碳膜的“极性部位”的结合力定量化，而且由此可以将磁记录介质对环境污染物质的耐性定量化。
另外，本实施方式的环境污染物质为例如离子性杂质，作为该离子性杂质所包含的金属离子，可以列举例如，钠离子、钾离子等。此外，作为无机离子，可以列举例如，硅离子、氯离子、HCO3离子、HSO4离子、硫酸根离子、氨离子(ammonia ion)、草酸根离子、甲酸根离子等。
在本实施方式中，硅氧烷(siloxane)是以硅和氧为骨架的化合物，是具有Si-O-Si键(硅氧烷键)的化合物的总称。此外，硅氧烷可以以例如通式R3SiO-(R2SiO)n-SiR3(R表示烷基)表示。根据本申请发明者的研究，硅氧烷可以使与碳膜的“极性部位”结合，此外，在碳膜的“极性部位”结合有其它物质的情况下，硅氧烷可以不与该结合位置结合。
在本实施方式中，作为研究硅氧烷对磁记录介质表面的附着量的方法，可以使用公知的表面分析方法。具体而言，例如，使附着于磁记录介质表面的硅氧烷脱离，用二次离子质谱仪测定该脱离了的硅氧烷，将该测定结果与使用曝露前的磁记录介质测定的结果进行比较。将用二次离子质谱仪测定的曝露后的附着量与曝露前的附着量之比(附着率＝曝露后的附着量/曝露前的附着量)作为指标。在本实施方式中，硅氧烷附着率优选为1.5以下，更优选为1.2以下，特别优选为1.1以下。如果硅氧烷附着率大于1.5，则实际使用时会导致头的上浮不稳定和磁信号的无法读写，因此不优选。由此，可以将磁记录介质对环境污染物质的耐性更接近实际使用状态的耐性地进行定量化。
在本实施方式中，优选在将磁记录介质曝露于包含硅氧烷的气氛时，使磁记录介质旋转，使与实际的磁记录介质的使用方式即磁记录介质内置于硬盘驱动器等中而使用的使用状态一致。在包含硅氧烷的气氛下的曝露，具体在如下条件下进行，例如，使用磁记录装置使磁记录介质以2000rpm以上的旋转速度旋转，在包含0.5体积％硅氧烷的空气中在大气压下曝露8小时。
磁记录介质的旋转速度优选为2000rpm以上，更优选为3600～15000rpm的范围，特别优选为4200～15000rpm的范围。如果旋转速度小于2000rpm，则硅氧烷的附着量不稳定，缺乏再现性，因此不优选。另一方面，如果为4200～15000rpm的范围，则硅氧烷的附着量稳定，因此优选。
在本实施方式中，优选使用八甲基环四硅氧烷作为硅氧烷。在使用了上述八甲基环四硅氧烷作为硅氧烷的情况下，可以如上述那样地使硅氧烷与作为保护膜3的碳膜的“极性部位”结合，此外，在碳膜的“极性部位”结合有其它物质的情况下，可以更切实地表现不与该结合位置结合的效果。
空气中的上述硅氧烷的比例优选为0.1～5体积％，更优选为0.2～2体积％的范围，特别优选为0.5～1体积％的范围。如果硅氧烷的比例小于0.1体积％，则硅氧烷的附着量不饱和，缺乏再现性，因此不优选，如果大于5体积％，则过量部分有时会沉积在表面，因此不优选。另一方面，如果在0.2～2体积％的范围内，则硅氧烷的附着量稳定，因此优选。
磁记录介质在包含硅氧烷的空气中的曝露时间优选为3小时以上，更优选为6小时以上，特别优选为8小时以上。如果曝露时间小于3小时，则硅氧烷的附着量不饱和，缺乏再现性，因此不优选。另一方面，如果为8小时以上，则硅氧烷的附着量稳定，因此优选。
<磁记录再生装置>
接下来，对作为适用了本发明的一实施方式的磁记录再生装置的一例进行说明。图2是显示本实施方式的磁记录再生装置101的一例的立体图。本实施方式的磁记录再生装置101具备：作为本实施方式的磁记录介质11、沿记录方向驱动磁记录介质11的介质驱动部123、包含记录部和再生部的磁头124、使磁头124相对于磁记录介质11相对运动的头移动部126、由用于进行对磁头124的信号输入和进行来自磁头124的输出信号再生的记录再生信号处理装置组合成的记录再生信号处理部128。可以将这些组合，构成记录密度高的磁记录再生装置101。
通过由GMR头或TMR头构成磁头124的元件部(再生部)，即使在高记录密度下也可以获得充分的信号强度，可以实现具有高记录密度的磁记录再生装置101。此外，如果以磁头124的上浮量为0.005μm(5nm)～0.020μm(20nm)即与以往使用的高度相比更低的高度进行上浮，则输出提高而获得高的SNR，可以制成大容量且高可靠性的磁记录再生装置101。
本实施方式的磁记录再生装置101构成为具备作为本实施方式的磁记录介质11、磁头124，因此可以使磁头124的上浮量充分减小，并可以使磁记录介质11的记录密度提高。此外，可以使在磁记录介质11上滑动的磁头124的摩擦力显著降低，并且即使放置在高温条件下的情况下，也不易发生由磁记录介质11上的污染物质引起的磁头124的污染、破损，可以制成耐环境性优异、磁记录再生特性稳定的磁记录再生装置101。
实施例
以下，基于实施例具体地说明本发明。然而，本发明不仅仅限于这些实施例。
(实施例1～6、比较例1～4)
作为非磁性基板，准备了外径65mm、内径20mm、板厚0.635mm的结晶化玻璃基板(オハラ社制)。接下来，对该非磁性基板施加纹理(texture)，充分地洗涤干燥。接下来，将上述施加了纹理的非磁性基板置于DC磁控溅射装置(アネルバ社(日本)制，C3040)的室内之后，进行排气直到上述室内的极限真空度为2×10-7托(2.7×10-5Pa)。
使用DC溅射法，在非磁性基板上依次形成FeCoB膜作为软磁性层、形成Ru膜作为中间层、形成25Fe-30Co-45Pt膜作为磁性层。关于成膜得到的各层的膜厚，软磁性层为60nm，中间层为10nm，磁性层为15nm。
接下来，在使用CVD法叠层3nm的膜厚的保护膜(碳层)之后，从上述室内取出形成了上述各层的非磁性基板。这样，制作出润滑剂层形成前基板。
接下来，使用浸渍法在上述润滑剂层形成前基板的保护层上形成了润滑剂层。
润滑剂使用表1所记载的润滑剂，将各膜厚调整为0.18nm。另外，表1中的润滑剂的种类分别如下所述。
A-1：是在上述通式(1)中X具有整体的76％的(A)结构、整体的15％的(B)结构、整体的8％的(C)结构、整体的1％的(D)结构的润滑剂。
B-1：是在上述通式(2)中X具有整体的70％的(A)结构、整体的2％的(B)结构、整体的28％的(C)结构的润滑剂。
C-1：是在上述通式(3)中X具有整体的50％的(A)结构、整体的1％的(B)结构、整体的49％的(C)结构的润滑剂。
D-1：是在上述通式(4)中X具有整体的80％的(A)结构、整体的10％的(B)结构、整体的5％的(C)结构、整体的5％的(D)结构的润滑剂。
E-1：是在上述通式(5)中R1为CF3、R2为-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-CH2OH的润滑剂20重量％与在上述通式(1)中X全部具有(C)结构的润滑剂80重量％混合成的润滑剂。
F-1：是在上述通式(1)中X具有整体的76％的(A)结构、整体的15％的(B)、整体的8％的(C)、整体的1％的(D)的润滑剂80重量％与在上述通式(5)中R1为CF3、R2为-(CF2CF2O)m-(CF2O)n-CH2OH的润滑剂20重量％混合成的润滑剂。
A-2：仅为在上述通式(1)中X全部具有(C)结构的润滑剂。
B-2：仅为在上述通式(2)中X全部具有(C)结构的润滑剂。
C-2：仅为在上述通式(3)中X全部具有(C)结构的润滑剂。
D-2：仅为在上述通式(4)中X全部具有(C)结构的润滑剂。
另外，作为用于溶解润滑剂层形成用溶液的溶剂，使用了バ一トレルXF(商品名，三井デユポンフロロケミカル社制)。此外，润滑剂层形成用溶液中的润滑剂(化合物A和化合物B)的浓度均为0.3质量％。在浸渍涂布装置的浸渍槽中充满上述润滑剂层形成用溶液，在其中浸渍上述润滑剂层形成前基板。接下来，以一定的提升速度从上述浸渍槽提升上述润滑剂层形成前基板，在上述润滑剂层形成前基板的保护层上形成均匀膜厚的润滑剂层，制作出实施例的磁记录介质。另外，润滑剂层的平均膜厚为1.95nm。
(硅氧烷附着量的评价)
将实施例1～6和比较例1～4中制造的磁记录介质固定于市售的磁记录装置(2.5英寸型硬盘驱动器：例如东芝社制MK1646GSX，转数5400rpm)内的主轴电动机。采用微量注射器(micro syringe)在装置内的空间中滴加八甲基环四硅氧烷50μL，关闭装置上部的盖之后，起动装置。在室温下使其运转8小时，从而进行在硅氧烷中的曝露操作。然后，通过二次离子质谱仪(SIMS：Oryx社制TTS-2000)研究硅氧烷对磁记录介质表面的附着量。另外，由于在曝露处理前在磁记录介质表面也附着有某程度量的硅氧烷，因此组装到磁记录装置之前预先采用SIMS研究附着量，通过研究在曝露处理后测定的附着量与曝露处理前测定的附着量之比(附着率＝曝露处理后测定的附着量/曝露处理前测定的附着量)，测定硅氧烷的附着率。
[表1]
  润滑剂种类  曝露前Si计数(X)  曝露后Si计数(Y)   前后比(Y/X)
  实施例1   A-1  2.45×105  2.49×105   1.02
  实施例2   B-1  2.41×105  2.83×105   1.17
  实施例3   C-1  2.42×105  2.72×105   1.12
  实施例4   D-1  2.45×105  3.09×105   1.26
  实施例5   E-1  2.44×105  2.58×105   1.06
  实施例6   F-1  2.43×105  2.46×105   1.02
  比较例1   A-2  2.44×105  4.71×105   1.93
  比较例2   B-2  2.42×105  4.94×105   2.04
  比较例3   C-2  2.46×105  4.60×105   1.87
  比较例   D-2  2.41×105  4.73×105   1.96
(硅氧烷附着量的测定结果)
如表1所示那样地，比较例1～4中的曝露处理前后的硅的附着量比(前后比：Y/X)大于1.5。与此相对，实施例1～6的曝露处理前后的硅的附着量比均为1.5以下。
因此，在本发明涉及的实施例1～6中，确认了可以提高润滑剂对碳保护膜的被覆率，并且，通过润滑剂的官能团可以使碳保护膜表面的极性部位消失。
附图标记说明
1…非磁性基板
2…磁性层
3…保护层
4…润滑剂层
11…磁记录介质
101…磁记录再生装置
123…介质驱动部
124…磁头
126…头移动部
128…记录再生信号处理部

Claims (7)

1.一种磁记录介质的检查方法，是在非磁性基板上至少具有磁性层、保护层和润滑剂层的磁记录介质的检查方法，
其特征在于，将所述磁记录介质曝露于包含硅氧烷的气氛，
根据所述硅氧烷在所述磁记录介质的表面的附着量来检查该磁记录介质对环境物质的耐性。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质的检查方法，其特征在于，使所述磁记录介质一边旋转，一边曝露于所述包含硅氧烷的气氛。
3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的检查方法，其特征在于，所述硅氧烷是八甲基环四硅氧烷。
4.一种磁记录介质，是在非磁性基板上至少具有磁性层、保护层和润滑剂层的磁记录介质，
其特征在于，所述润滑剂层含有骨架中具有极性大的官能团的化合物，所述官能团与所述保护层的表面的官能团结合，
使所述磁记录介质以2000rpm以上的速度旋转、在包含八甲基环四硅氧烷的空气中在大气压下曝露8小时后的、该磁记录介质的表面的硅氧烷的附着量为曝露前的1.5倍以下。
5.根据权利要求4所述的磁记录介质，其特征在于，所述润滑剂层包含单独的或2种以上的选自下述通式(1)～(5)中的化合物，
Figure FDA0000091454530000011
Figure FDA0000091454530000021
Figure FDA0000091454530000031
其中，在上述通式(1)～(4)中，其结构中具有至少1个以上(A)或(B)所示的末端官能团结构，
此外，在上述通式(5)中，x为1～5的整数，R1为氢原子、碳原子数1～4的烷基、或碳原子数1～4的卤代烷基的任一种，R2是末端基团为-CH2OH或-CH(OH)CH2OH的全氟聚醚链；这里，R2的全氟聚醚链包含(CF2CF2O)、(CF2O)、(CF2CF2CF2O)中的至少1个以上作为重复单元。
6.根据权利要求4或5所述的磁记录介质，其特征在于，所述保护层包含碳膜。
7.一种磁记录再生装置，其特征在于，具备：
权利要求4～6的任一项所述的磁记录介质，
沿记录方向驱动所述磁记录介质的介质驱动部，
在所述磁记录介质上进行信息的记录再生的磁头，
将所述磁头移动到所述磁记录介质上的头移动部，
进行来自所述磁头的记录再生信号的处理的记录再生信号处理部。
CN2010800120200A 2009-03-18 2010-03-16 磁记录介质的检查方法、磁记录介质以及磁记录再生装置 Pending CN102356431A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP066736/2009 2009-03-18
JP2009066736A JP2010218659A (ja) 2009-03-18 2009-03-18 磁気記録媒体の検査方法、磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置
PCT/JP2010/001857 WO2010106790A1 (ja) 2009-03-18 2010-03-16 磁気記録媒体の検査方法、磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102356431A true CN102356431A (zh) 2012-02-15

Family

ID=42739458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010800120200A Pending CN102356431A (zh) 2009-03-18 2010-03-16 磁记录介质的检查方法、磁记录介质以及磁记录再生装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20120002323A1 (zh)
JP (1) JP2010218659A (zh)
CN (1) CN102356431A (zh)
WO (1) WO2010106790A1 (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104078057A (zh) * 2013-03-27 2014-10-01 昭和电工株式会社 磁记录介质的制造方法
CN104103292A (zh) * 2013-04-02 2014-10-15 昭和电工株式会社 磁记录介质的制造方法
CN106340313A (zh) * 2015-07-08 2017-01-18 昭和电工株式会社 磁记录介质和磁记录再生装置
CN106548791A (zh) * 2015-09-18 2017-03-29 昭和电工株式会社 磁记录介质和磁记录再生装置
CN107731245A (zh) * 2016-08-10 2018-02-23 昭和电工株式会社 含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂及磁记录介质
CN108698967A (zh) * 2016-02-22 2018-10-23 昭和电工株式会社 含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂及磁记录介质
US10199064B2 (en) 2015-02-18 2019-02-05 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium, and magnetic recording and reproducing apparatus
US10559320B2 (en) 2014-12-19 2020-02-11 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing apparatus
US12057151B2 (en) 2019-12-23 2024-08-06 Resonac Corporation Fluorine-containing ether compound, lubricant for magnetic recording medium, and magnetic recording medium

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015087615A1 (ja) * 2013-12-09 2015-06-18 株式会社Moresco フルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤ならびに磁気ディスク
JP6546106B2 (ja) * 2016-02-29 2019-07-17 昭和電工株式会社 磁気記録媒体および磁気記録再生装置
JP6957515B2 (ja) * 2016-05-16 2021-11-02 ソルベイ スペシャルティ ポリマーズ イタリー エス．ピー．エー． （ペル）フルオロポリエーテル誘導体
WO2018159232A1 (ja) * 2017-03-02 2018-09-07 昭和電工株式会社 磁気記録媒体、含フッ素エーテル化合物および磁気記録媒体用潤滑剤
JP7337159B2 (ja) * 2019-07-03 2023-09-01 株式会社Moresco パーフルオロポリエーテル化合物、潤滑剤および磁気ディスク
JP7012807B2 (ja) * 2020-12-02 2022-02-14 昭和電工株式会社 含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6608009B2 (en) * 1999-09-21 2003-08-19 Matsumura Oil Research Corp. Phosphazene compounds and lubricants containing the same
US20030157374A1 (en) * 2000-07-31 2003-08-21 Junya Kato Magnetic recording medium, and method for producing and inspecting the same
JP2004227654A (ja) * 2003-01-22 2004-08-12 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体、その評価方法および磁気記録装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6316062B1 (en) * 1997-09-17 2001-11-13 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium and method of producing the same
JP2002050032A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Showa Denko Kk 磁気記録媒体、その製造方法およびその検査方法
JP2005050032A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Teraoka Seiko Co Ltd 商品処理システム
US8586703B2 (en) * 2008-06-23 2013-11-19 Seagate Technology Llc Low profile lubricant with cyclophosphazene ring attached
US20100035083A1 (en) * 2008-08-05 2010-02-11 Seagate Technology Llc Mixture of low profile lubricant and cyclophosphazene compound

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6608009B2 (en) * 1999-09-21 2003-08-19 Matsumura Oil Research Corp. Phosphazene compounds and lubricants containing the same
US20030157374A1 (en) * 2000-07-31 2003-08-21 Junya Kato Magnetic recording medium, and method for producing and inspecting the same
JP2004227654A (ja) * 2003-01-22 2004-08-12 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体、その評価方法および磁気記録装置

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104078057A (zh) * 2013-03-27 2014-10-01 昭和电工株式会社 磁记录介质的制造方法
CN104103292A (zh) * 2013-04-02 2014-10-15 昭和电工株式会社 磁记录介质的制造方法
CN104103292B (zh) * 2013-04-02 2017-06-16 昭和电工株式会社 磁记录介质的制造方法
US10559320B2 (en) 2014-12-19 2020-02-11 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing apparatus
US10199064B2 (en) 2015-02-18 2019-02-05 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium, and magnetic recording and reproducing apparatus
CN106340313A (zh) * 2015-07-08 2017-01-18 昭和电工株式会社 磁记录介质和磁记录再生装置
US10079036B2 (en) 2015-07-08 2018-09-18 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing apparatus
CN106548791A (zh) * 2015-09-18 2017-03-29 昭和电工株式会社 磁记录介质和磁记录再生装置
US10074396B2 (en) 2015-09-18 2018-09-11 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing apparatus
CN108698967A (zh) * 2016-02-22 2018-10-23 昭和电工株式会社 含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂及磁记录介质
CN108698967B (zh) * 2016-02-22 2022-03-04 昭和电工株式会社 含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂及磁记录介质
US11292979B2 (en) 2016-02-22 2022-04-05 Showa Denko K.K. Fluorine-containing ether compound, lubricant for magnetic recording medium and magnetic recording medium
CN114550755A (zh) * 2016-02-22 2022-05-27 昭和电工株式会社 含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂及磁记录介质
CN114550755B (zh) * 2016-02-22 2023-09-29 株式会社力森诺科 含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂及磁记录介质
CN107731245A (zh) * 2016-08-10 2018-02-23 昭和电工株式会社 含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂及磁记录介质
US10803898B2 (en) 2016-08-10 2020-10-13 Showa Denko K.K. Fluorine-containing ether compound, lubricant for magnetic recording medium, and magnetic recording medium
US12057151B2 (en) 2019-12-23 2024-08-06 Resonac Corporation Fluorine-containing ether compound, lubricant for magnetic recording medium, and magnetic recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010106790A1 (ja) 2010-09-23
JP2010218659A (ja) 2010-09-30
US20120002323A1 (en) 2012-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102356431A (zh) 磁记录介质的检查方法、磁记录介质以及磁记录再生装置
JP7126488B2 (ja) 磁気記録媒体、含フッ素エーテル化合物および磁気記録媒体用潤滑剤
US8679655B2 (en) Lubricant and magnetic disk
US8257783B2 (en) Magnetic disk and method of manufacturing the same
US7998912B2 (en) Composite lubricant for hard disk media
US7045215B2 (en) Magnetic recording disk and process for manufacture thereof
JP6233958B2 (ja) 磁気記録媒体および磁気記録再生装置
JP2015109129A (ja) 磁気記録媒体用潤滑剤、磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録再生装置
CN107004430B (zh) 磁记录介质和磁记录再现装置
JP5469924B2 (ja) 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法、並びに磁気記録再生装置
JP2010108583A (ja) 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
JP2015135710A (ja) 磁気記録媒体用潤滑剤、磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録再生装置
JP2001006155A (ja) 磁気記録媒体およびその製造方法
JPWO2006075362A1 (ja) 磁気ヘッドおよびその製造方法、磁気ディスク装置
CN102714044B (zh) 磁记录介质的制造装置和制造方法
JP6145424B2 (ja) 磁気記録媒体用潤滑剤、磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置
JP6145423B2 (ja) 磁気記録媒体用潤滑剤、磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置
CN105895123B (zh) 磁记录介质和磁记录再现装置
CN102754153B (zh) 磁记录介质的制造装置
CN115667195B (zh) 含氟醚化合物、磁记录介质用润滑剂和磁记录介质
JP2004295992A (ja) 記録媒体およびその製造方法
CN101151663A (zh) 磁记录介质的制造方法、磁记录介质以及表面处理装置
JP2014518933A (ja) 潤滑剤組成物
JP6546106B2 (ja) 磁気記録媒体および磁気記録再生装置
JP4010926B2 (ja) 磁気記録装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120215