CN101151663A - 磁记录介质的制造方法、磁记录介质以及表面处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种磁记录介质，它具有卓越的启动操作性能和耐久性以及令人满意的表面润滑性。本发明涉及到一种磁记录介质的制造方法，在这种磁记录介质中，在非磁性基底上顺序层积至少磁性层、保护膜层和润滑剂层，其中，使用在接近大气压的气压下产生的等离子体所激活的气体对所述润滑剂层进行表面处理。本发明也涉及到根据上述制造方法所制造的一种磁记录介质。

Description

磁记录介质的制造方法、磁记录介质以及表面处理装置
相关申请的交叉参照
要求获得2005年3月28日所申请的日本专利申请No.2005-091216的优先权。
技术领域
本发明涉及到用于磁盘驱动器或其它磁记录装置中的一种磁记录介质，以及磁记录介质的制造方法。
背景技术
硬盘驱动器是一种磁记录装置，在信息处理装置中用作存储装置，它具有用于回放和记录的磁头以及以含有磁性层的磁盘的形式提供的磁记录介质。磁盘中的所述磁性层通过用溅射、气相沉积或化学镀等等方法在非磁性基底上沉积铁磁金属或其合金来形成。通常，在硬盘驱动器中采用所谓的接触启停(contact start stop，CSS)方法来记录和再现数据。在使用CSS方法的硬盘驱动器中，磁头在开始工作时与磁性圆盘(也简称为磁盘)相接触，当磁盘开始转动时，磁头在磁盘上滑动，当磁盘转动速度增加时，磁头便从磁盘上抬起来，在这种状态下可以进行记录和再现。当停止的时候，在磁盘的转动速度降低时磁头又开始在磁盘上滑动。
在磁盘中，为了防止磁盘的耐久性由于与磁头滑动接触所产生的摩擦损坏而退化，在磁性层上提供保护膜层和润滑层来提高磁盘的抗磨损性以及减少磁头和磁盘滑动接触时的静摩擦和动摩擦。通常使用碳膜、SiO2、ZrO2以及其它氧化物膜、氮化物膜和硼化物膜作为上述的保护膜层。另外，通常通过在磁盘表面涂一层诸如液体全氟聚醚化合物(perfluoropolyether)的润滑剂来形成上述的润滑剂层。
在磁盘中，润滑剂层中自由移动的分子以及润滑剂层中与保护膜层表面键合的分子的数目和特性对于抗磨损性有重要影响。例如，如果润滑层中自由移动的分子的数量太多，磁盘的静摩擦系数就会增加，导致磁头和磁盘之间吸附现象(所谓的粘贴，stiction)的发生更加容易。如果数量太少，磁盘表面的滑动摩擦系数增加，导致润滑性降低、使磁头坠落的发生更加容易。
为了减小粘贴，通过使磁盘表面具有一定程度的被称为纹理化的粗糙性，或者通过赋予用激光辐射形成被称作激光纹理的小凸起，来减少磁头和磁盘之间的接触面积。然而最近，磁头在磁盘表面的飞行高度变得非常低，为25nm或更低，以便获得较高的记录密度。因此，需要使磁盘表面尽可能光滑，并减小由激光纹理化形成的凸起的高度，以避免开始驱动时磁盘和磁头间的接触。然而，这样做之后，粘贴性反而变坏。因为粘贴性不能只通过由激光纹理化形成的凸起来充分地减小，也需要控制润滑剂层中自由移动分子和润滑剂层中与保护膜层表面键合的分子的数目和特性，如前面所述。
随着记录密度的增加，要求润滑剂层增强与保护膜层的键合强度。这种需求的原因如下所述。通过使用MR元件、GMR元件等等磁头来提高记录密度，硬盘驱动器正变得越来越紧凑和轻便，而且要求通过降低静摩擦系数以便减少也构成磁头负载的起始驱动力来改进启动操作性能。为了减小静摩擦系数，通过增加润滑剂和保护膜层之间的键合强度来减少润滑剂层中自由移动分子的数目是很有效的。
除了CSS(Contact Start Stop，接触启停)方法外，近年来在实际中也使用斜坡加载方法(ramp load method)。斜坡加载方法指这样一种方法，它使用一种机构，通过这种机构，在磁盘的外周附近提供一个磁头退出区，当磁盘转动停止时，磁头可以停泊在该退出区中。在这种方法中，因为磁盘静止时磁头不与磁盘接触，据说不必如CSS方法那样担心粘贴问题。然而已经确定，在斜坡加载方法中也需要减小磁头到磁盘的吸附，以便当磁头和磁盘间不经意接触时减少磁头的行为变化。因此，即使使用斜坡加载方法，减少静摩擦系数也是很重要的。
另外，为了增加记录密度，在记录和再现期间磁盘的转动速度已经增加了。在增加转动速度的情形中，会发生所谓的旋飞(spin-off)现象，其中由于离心力的作用润滑剂向外飞溅。结果，润滑剂层膜厚减小的问题就会发生。因此也希望增加与保护膜层的键合强度，以便防止旋飞现象，增强耐用性。此外，用键合比作为润滑剂和保护膜层之间键合强度的指示。该值指示出在上面形成有润滑剂层的磁盘用氟基溶剂(例如，Asahi Glass Co.，Ltd.生产的AS225)冲洗后残留润滑剂的比例(％)，并为润滑剂与保护膜层间的键合强度提供一个一般的参考。
于是，在润滑剂层上尝试了各种处理方法，以便增强润滑剂层和保护膜层之间的键合强度。例如，在专利文件1中公布了一种方法，其中，在润滑剂涂层上进行热处理，然后再进行紫外线辐射处理。此外，在专利文件2中公布了一种方法，其中，形成润滑剂层后用波长在150到180nm的紫外线辐射该润滑剂层。此外，在专利文件3中公布了一种方法，其中，润滑剂层被涂在一个氢化的碳保护膜上，然后进行紫外线辐射。此外，在专利文件4中公布了一种方法，其中，润滑剂被涂在碳保护膜上，然后进行热处理。此外，在专利文件5中公布了一种方法，其中，在碳保护膜上进行等离子体处理。
然而，现有技术在磁记录介质的制造方法中，其中润滑剂层和保护膜通过这些处理方法来形成，很难制造一种能增强润滑剂层和保护膜层之间的键合强度而又不增加滑动摩擦系数的磁记录介质。于是，需要有这样一种磁记录介质，它具有卓越的启动操作性能和耐用性而同时又具有足够的表面润滑性。
考虑到上述情况，本发明的目标为，获得一种磁记录介质，它具有卓越的启动操作性能和耐用性以及令人满意的表面润滑性。
专利文件1：日本待审专利申请首次公布No.H11-25452
专利文件2：日本待审专利申请首次公布No.H8-124142
专利文件3：日本待审专利申请首次公布No.H7-85461
专利文件4：日本待审专利申请首次公布No.H5-217162
专利文件5：日本待审专利申请首次公布No.S63-2117
发明内容
作为为了解决上述问题而进行的广泛研究的结果，本发明的发明人发现，在制造方法中，使用在接近大气压的气压下产生的辉光放电等离子体所激活的处理气体对润滑剂层进行表面处理，可以增强润滑剂与保护膜层之间的键合强度、降低静摩擦系数、改进启动操作、增强耐用性以及获得卓越的表面润滑性，从而导致了本发明的完成。
就是说，本发明采用下述章程来实现上述的目标。
(1)一种磁记录介质的制造方法，包括在非磁性基底上至少顺序层积磁性层、保护膜层和润滑剂层，并用在接近大气压的气压下产生的等离子体所激活的气体来对所述润滑剂层进行表面处理；
(2)如上述(1)中所描述的磁记录介质的制造方法，其中，所述等离子体为辉光放电等离子体。
(3)如上述(1)到(2)中的任何一项所描述的磁记录介质的制造方法，其中，所述气体包含从由氮气、氧气和氩气构成的一组气体中选出来的至少一种类型的气体。
(4)如上述(1)到(3)中的任何一项所描述的磁记录介质的制造方法，其中，在接近大气压的气压下产生的所述等离子体是通过在相对的电极之间施加电场所产生的一种等离子体。
(5)如上述(4)中所描述的磁记录介质的制造方法，其中，所述相对的电极被设置为从垂直于待处理基底的位置倾斜1度到45度的角度，在所述待处理基底中，在所述非磁性基底上至少形成磁性层、保护膜层和润滑剂层。
(6)如上述(4)中所描述的磁记录介质的制造方法，其中，所述相对的电极垂直于待处理基底而放置，在所述待处理基底中，在所述非磁性基底上至少形成磁性层、保护膜层和润滑剂层。
(7)如上述(4)中所描述的磁记录介质的制造方法，其中，通过将待处理基底放置在所述相对电极之间来对所述润滑剂层进行表面处理，在所述待处理基底中，在所述非磁性基底上至少形成磁性层、保护膜层和润滑剂层。
(8)如上述(1)到(7)中的任何一项所描述的磁记录介质的制造方法，其中，使用被激活的气体对待处理基底的两面同时进行表面处理，在所述待处理基底中，在所述非磁性基底上至少形成磁性层、保护膜层和润滑剂层。
(9)如上述(1)到(8)中的任何一项所描述的磁记录介质的制造方法，其中，所述非磁性基底是从玻璃基底和硅基底中选出来的一种基底。
(10)如上述(1)到(8)中的任何一项所描述的磁记录介质的制造方法，其中，所述非磁性基底具有由NiP或NiP合金构成的薄膜，该薄膜形成在从Al、Al合金、玻璃和硅中选出来的一种材料所构成的基板的表面上。
(11)一种磁记录介质，由上述(1)到(10)中的任何一项所述的磁记录介质的制造方法所制造。
(12)一种磁记录和再现设备包括：
磁记录介质以及在所述磁记录介质上记录和再现数据的磁头；其中，所述磁记录介质是上述(11)所描述的磁记录介质。
(13)一种表面处理装置，具有第一器件，用于在接近大气压的气压下通过在相对的电极之间施加电场产生等离子体来形成被激活的气体，以及第二器件，用于使所述被激活的气体辐射到被处理基底的表面上，在所述被处理基底中，在非磁性基底上至少形成磁性层、保护膜层和润滑剂层。
本申请中的发明与日本待审专利申请首次公布No.S63-2117的类似，后者使用等离子体来改进所述保护膜的表面特性。然而，与日本待审专利申请首次公布No.S63-2117中所描述的在真空中进行等离子体处理的技术相反，本申请中的发明的很不同之处在于，等离子体处理在接近大气压的气压下进行。如果等离子体处理在真空中进行，由于被激活的处理气体在几乎没有损失其任何活性的情况下与所述保护膜的表面接触，所述保护膜自身的一部分最终会被腐蚀。另一方面，如果所用的处理气体在接近大气压的气压下用等离子体处理，那么由于其极高的分子密度，在其分子之间有频繁的碰撞发生，其活性就降低，因此使其适合于所述润滑剂膜的表面处理。此外，由于包含诸如真空腔、抽气泵、以及从大气压到真空中进行传送的传送系统等部件，所以，用于在真空中进行等离子体处理的真空设备很大，而且也由此导致很贵。另一方面，在接近大气压的气压下用等离子体进行处理的情形中，不需要真空设备，可以使设备简化并降低成本。
附图说明
图1是一个剖面图，显示了本发明中的磁记录介质的一个实施例；
图2是一个示意框图，显示了用于制造本发明中的磁记录介质的等离子体产生单元的一个实施例；
图3是一个示意框图，显示了用于制造本发明中的磁记录介质的等离子体产生单元的另一个实施例；
图4是一个示意框图，显示了用于制造本发明中的磁记录介质的等离子体产生单元的另一个实施例；
图5是一个示意框图，显示了用于制造本发明中的磁记录介质的等离子体产生单元的另一个实施例；
图6是一个示意框图，显示了用于制造本发明中的磁记录介质的等离子体产生单元的另一个实施例。
实施本发明的最佳模式
下面参考附图对本发明的实施例给出解释。
图1是一个剖面图，显示了本发明中的磁记录介质的一个实施例。
本实施例中的磁记录介质通过在非磁性基底1上顺序层叠基底层2、中间层3、磁性层4和保护膜层5，然后在最上面的层上提供润滑剂层6而形成。
可以用于非磁性基底1的材料的例子包括，金属材料诸如铝和铝合金、无机材料诸如玻璃、陶瓷、钛、碳和硅、以及高分子化合物诸如聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚酰胺(polyamide)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚砜(polysulfone)、聚萘乙烯(polyethylene naphthalate)、聚氯乙稀(polyvinyl chloride)以及循环含烃聚烯烃(cyclic hydrocarbon-containing polyolefin)。此外，从NiP、NiP合金和其它合金中选出的一种或多种薄膜可以通过电镀或溅射等等被气相沉积在这些基底的表面上。
所述基底层2的材料可以用Cr或由Cr以及从Ti、Mo、Al、Ta、W、Ni、B、Si、Mn和V中选出的一种或多种金属构成的Cr合金来形成。
在基底层2为具有多层结构的非磁性基底层的情形中，构成非磁性基底层的至少一个组分层可以用上述Cr合金或Cr来构成。
上述非磁性基底层也可以由NiAl基合金、RuAl基合金或Cr合金(由Cr以及从Ti、Mo、Al、Ta、W、Ni、B、Si、和V中选出的一种或多种金属构成的合金)来构成。
在非磁性基底层具有多层结构的情形中，构成非磁性基底层的至少一个组分层可以由NiAl基合金、RuAl基合金或上述的Cr合金构成。
所述中间层3的材料是用来帮助磁性层4中的Co合金的外延生长的，并优选是一种具有hcp结构的非磁性材料。中间层3的材料为Co合金，以Co作为其主要原材料。优选的例子包括这样的材料，其中含有从Co-Cr基合金、Co-Cr-Ru基合金、Co-Cr-Ta基合金、Co-Cr-Zr基合金中选出来的任何一种材料。
所述磁性层4的材料优选是一种具有hcp结构的材料，它是Co为主要原材料的Co合金。优选的例子包括这样的材料，其中含有从Co-Cr-Ta基合金、Co-Cr-Pt基合金、Co-Cr-Pt-Ta基合金、Co-Cr-Pt-B基合金、和Co-Cr-Pt-B-Cu基合金中选出来的任何一种材料。
所述保护膜层5可以采用一种碳基材料，诸如非晶碳、含氢碳和含氟碳，或者采用一种陶瓷基材料，诸如硅石(silica)和氧化锆。具体说，优选使用硬而密的CVD碳，不仅因为其耐用性，也因为其经济而产率高。为了提高保护膜层的耐用性，同时减少记录和再现期间的损失，保护膜层5的膜厚被设定为10到150埃(1到15nm)，优选设定为20到60埃(2到6nm)。
最上面的润滑层6包含一种聚合体，它是一种含有可聚合不饱和基团的全氟聚醚化合物。含有可聚合不饱和基团的全氟聚醚化合物的一个例子是，含有全氟聚醚作为主链、其至少一个末端与含有可聚合不饱和键的有机基团键合起来的化合物。
使用等离子体激活的气体(处理气体)对润滑层6进行表面处理，如后面所述。
本实施例中的磁记录和再现设备设置有上述磁记录介质，该介质具有润滑层6，其上用上述处理气体进行了表面处理，还设置有在所述磁记录介质上记录和再现信息的磁头。
下面将说明本实施例所述的磁记录介质的制造方法的一个例子。
首先，在非磁性基底1上，形成基底层2、中间层3、磁性层4和保护膜层5之后形成润滑层，使用等离子体激活的气体在润滑层上进行表面处理来形成润滑层6，其中等离子体是在接近大气压的气压下所产生的。上述等离子体优选为辉光放电等离子体。
可以将能够在接近大气压的气压下稳定地产生等离子体的等离子体产生单元用于这里所用的进行表面处理的表面处理装置。可用装置的例子包括常压等离子表面修饰装置(Sekisui Chemical，Co.)和大气压等离子体清洁头(Matsushita Electric Works)。
接近大气压的气压是指1.3×104到13×104Pa的气压。具体说，优选使用9.9×104到10.3×104Pa的接近大气压的气压，因为这能够方便压强的调节并简化装置的构成。
下面利用图2来说明本实施例所用的等离子体产生单元。
图2中的等离子体产生单元主要由一对相对的电极板(相对电极)21a和21b、用来在电极板21a和21b之间提供气体的气体入口22、在相对电极之间施加电场的等离子体产生电源23、以及用于固定被处理基底25的基底托架26构成。
图2中的这个等离子体产生单元具有第一器件，用于通过在接近大气压的气压下在所述的一对相对电极板21a和21b之间施加电场以产生等离子体，从而产生被该等离子体激活的气体，以及第二器件，用于使该激活的气体辐射到被处理基底25的表面上。
被处理基底25至少具有在非磁性基底上形成的磁性层、保护膜层和表面处理前的形成润滑层，在本实施例的情形中，具有形成在非磁性基底1上的基底层2、中间层3、磁性层4和表面处理前的润滑层。
每个电极板21a或21b的材料使用铁、铜、铝或其合金。尽管相对电极之间的距离优选为0.1到50mm，但考虑到等离子体放电的稳定性，该距离更优选为0.1到5mm。
使用脉冲波、高频波或微波在电极板21a和21b之间施加电场。优先使用可以调节电场施加时间的脉冲波。考虑到等离子体放电的稳定性，优选使用频率为1到500kHz，特别是1到50kHz的脉冲波。电场的施加时间，即脉冲波的持续时间优选为0.5到200微秒。如果该时间小于0.5微秒，那么等离子体放电不会发生。如果该时间大于200微秒，那么容易形成电弧。
在电极板21a和21b之间提供的气体优选使用氮气、氧气、氩气或其混合物。因为在接近大气压的气压下使用时所消耗的气体量很大，所以，便宜的氮气、氧气或氮气和氧气的混合气体更为优选。
图2中，一对电极板21a和21b垂直于表面处理前的润滑层(被处理基底25)放置。尽管等离子体产生于电极之间，但因为所产生的等离子体向外展开，所以等离子体从电极之间散出的地方也产生了等离子状态。从相对的电极板的一端到润滑层(被处理基底25)之间的距离优选为0.1到5mm。如果该距离少于0.1mm，被处理基底25有被电极板碰撞的危险，因此不希望该距离太小。如果该距离超过5mm，因为等离子体过度散开，使得效果减小很多，不能获得表面处理效果。在接近大气压的气压下提供给一对电极板21a和21b之间的气体由于在这些电极之间所产生的等离子体的激活而变成处理气体，因为该处理气体具有极高的分子密度，由于分子间频繁碰撞的发生而使活性下降，因此使之适合于润滑膜的表面处理。
优选使用一种不接触基底的两个表面的传送方法，以便能使用磁记录介质(磁盘)的两面。因此，优选通过夹持其内缘或外缘来传送被处理基底25。优选传送速度为10到2000mm/分钟。考虑到高的产量以及表面处理效果，更优选传送速度为100到1000mm/分钟。传送方法可以包括移动被处理基底25或移动等离子体产生单元。移动被处理基底25的传送方法的例子有，通过使用基底托架26来移动被处理基底25，该基底托架具有一个使它能够上下移动的功能，以便能用处理气体顺序处理保护膜层的表面。
如图3所示，为了能使用磁记录介质的两个表面，优选在被处理基底25的两面如前面所述地放置等离子体产生单元，并用接近大气压的气压下产生的等离子体所激活的气体对被处理基底25的两面进行表面处理。
在通过夹持着被处理基底25的内缘或外缘来传送的情形中，被处理基底25的内缘或外缘最终被托架26的阴影所遮住，导致被遮住部分的表面处理效果有降低的危险。为了防止这一点，优选是，在表面处理前，相对的一对电极板21a和21b从垂直于的保护膜层(被处理基底25)的位置倾斜1到45度的角来放置，如图4所示。此外，图4中显示了通过夹持着被处理基底25的外缘来传送它的装置的例子。
如果使一对相对的电极板21a和21b从垂直于被处理基底25的位置倾斜1到45度的角来放置，然后进行表面处理的话，因为等离子体相对于保护膜倾斜着辐射，由等离子体所激活的处理气体也能接触到被托架26的阴影所遮住的部分。在这种情形中，也优选是在被处理基底25的两面放置等离子体产生单元，如图5所示。
也可以通过使被处理基底25从一对相对的电极板21a和21b之间通过来对被处理基底25上的保护膜进行表面处理，如图6所示。在这种情形中，可以进行更强的表面处理，因为等离子体的密度更高些。
此外，在图2到图6中，标记27是被处理基底25的传送方向(移动方向)。
[例子]
将镀有NiP膜的铝合金基底(直径：95mm，内径：25mm，厚度：1.27mm)充分清洗并干燥之后，用激光从半径17mm到19mm(CSS区)对其进行辐射以形成高度为10nm的凸起。随后，该基底被放置在一个直流磁控溅射系统(C3010型，Anelva)中。在将空气抽到2×10-7Torr(2.7×10-5Pa)的可达到的真空后，将所述基底加热到250℃。
加热之后，利用由Cr组成的靶来层积厚度为5nm的非磁性基底层。此外，利用由Cr-Mo合金(Cr：80at％，Mo：20at％)组成的靶来层积厚度为5nm的非磁性基底层。接着，利用由Co-Cr合金(Co：65at％，Cr：35at％)组成的靶层积厚度为2nm的非磁性中间层。接着，利用由Co-Cr-Pt-B合金(Co：60at％，Cr：22at％，Pt：12at％，B：6at％)构成的靶形成膜厚为20nm的CoCrPtB合金层形式的磁性层作为磁性层，并利用等离子体CVD系统层积厚度为5nm的由CVD碳构成的保护膜来得到被处理基底。在薄膜沉积期间氩气的压强被设定为3mTorr(0.4Pa)。
沉积了保护膜之后，所述基底从真空系统中移走，由全氟聚醚构成的润滑剂在调整到重量百分比0.05％之后用浸蘸的方法以3mm/sec的牵拉速度(pulling rate)涂到所述保护膜层上，以得到磁盘(样品)。此外，氟基溶剂AK225(Asahi Glass)在这个时候被用作溶剂。
随后，采用常压等离子体表面修饰单元(Sekisui Chemical Co.)作为等离子体产生单元对所述基底的润滑膜表面以图2所示的方式进行表面处理。传送速度、氮气流速、氧气流速、从相对的电极的一端(离被处理基底最近的一端)到被处理基底上的润滑膜的距离等的变化示于表1。此外，除了在保护膜层上不进行上述表面处理之外，以与上述方法同样的方式制造一个样品，用来进行比较。这就是比较例1。
用FTIR测量所制造的每个样品上的润滑剂膜的厚度。这些结果示于表1。此外，用下面描述的方式测量键合比，作为润滑剂层与保护膜层之间键合强度的指标。通过浸入氟基溶剂AK225(Asahi Glass)15分钟来清洗上述磁盘的表面之后，在半径为20mm处的一个位置上用FTIR测量冲洗之前和之后润滑剂层的厚度，取冲洗之后润滑剂层的厚度与冲洗之前润滑剂层的厚度之比作为键合比(％)。这些结果示于表1。
也测量了动摩擦系数。在温度为25℃、湿度为60％RH的条件下进行了CSS(接触启停)耐用性测试。在这个测试中，用CSS测试器和作为磁头的参考MR头(DLC涂层，30％滑块，负载：2.5g)在CSS区进行10,000次CSS操作(包括以10,000rpm的转速转动(维持1秒)和停止(1秒)，以5秒的间隔重复)。10,000次CSS操作之后磁盘表面的动摩擦系数示于表1。
也测量了静摩擦系数。在温度为40℃、湿度为80％RH的条件下进行了CSS(接触启停)耐用性测试。在这个测试中，用CSS测试器和作为磁头的参考MR头(DLC涂层，30％滑块，负载：2.5g)在CSS区进行10,000次CSS操作(包括以10,000rpm的转速转动(维持1秒)和停止(1秒)，以5秒的间隔重复)。10,000次CSS操作之后磁盘表面的静摩擦系数示于表1。
也测试了薄膜厚度减小率(旋飞测试)。磁盘在80℃的环境中以10,000rpm的转速转动72小时。在此操作之前和之后测量半径20mm处的一个位置上的润滑剂层的厚度，用FTIR测量测试之前和之后润滑剂层膜厚的减小率。这些结果示于表1。
此外，尽管所示润滑剂膜厚的值的单位为埃，通过将表中所示润滑剂膜厚的这些值乘以0.1，可以将它们转化为以纳米为单位的值。
表1
  传送速度   氮气流速   氧气流速   D＊1   t＊2   键合比   动摩擦系数   静摩擦系数   R＊3
  mm/分   l/分   l/分   mm      ％   ％
  例1   100   40   0   2   16.5   72   0.36   0.41   2
  例2   300   40   0   2   16.4   73   0.35   0.42   3
  例3   600   40   0   2   16.7   70   0.38   0.4   4
  例4   1000   40   0   2   16.6   71   0.38   0.44   5
  例5   2000   40   0   2   17.4   48   0.33   0.81   10
  例6   600   40   0   1   16.6   74   0.36   0.45   4
  例7   600   40   0   3   16.7   72   0.34   0.51   3
  例8   600   40   0   5   16.5   54   0.36   0.88   9
  例9   600   40   0   10   17.5   42   0.31   1.21   19
  例10   600   1   0   2   17.3   47   0.33   0.81   13
  例11   600   10   0   2   16.4   72   0.35   0.41   2
  例12   600   20   0   2   16.3   74   0.35   0.43   4
  例13   600   100   0   2   16.7   71   0.36   0.48   3
  例14   600   200   0   2   16.8   73   0.38   0.43   4
  例15   600   40   5   2   16.5   72   0.37   0.47   3
  例16   600   40   20   2   16.7   69   0.36   0.48   3
  例17   600   40   40   2   16.9   73   0.35   0.42   4
  比较例1 无等离子体处理 17.2 40 0.28 1.32 17
＊1：D，相对电极端到润滑剂膜的距离
＊2：t，润滑剂膜厚
＊3：R，膜厚减小率
如从表1所示结果中所看到的，键合比从40％(比较例1)明显地提高到约72％(例1)。这意味着，润滑剂中自由移动分子的数目减少了，于是，静摩擦系数从1.32(比较例1)大幅度改进为0.41(例1)，而且如在旋飞测试中所确定的，膜厚减少率也从17％(比较例1)大幅度改进为2％(例1)。此外，在比较例中，如果从相对电极的一端到润滑剂层的距离为10mm的话，没有观察到表面处理的效果。
基于上述结果，采用常压等离子体表面修饰单元在接近大气压的气压下对润滑剂层进行等离子体表面处理的结果是，观察到了润滑剂粘附性的改进。于是，不仅静摩擦系数充分降低，启动操作得以改进，由于防止了旋飞现象，耐用性得以增强，而且也得到了令人满意的表面润滑特性。
工业实用性
根据本发明所述的磁记录介质的制造方法，可以制造出一种磁记录介质，它具有卓越的启动操作性能和耐用性、以及令人满意的表面润滑特性。
本发明所述的磁记录介质具有卓越的启动操作性能和耐用性、以及令人满意的表面润滑特性。

Claims (15)

1.一种磁记录介质的制造方法包括：
在非磁性基底上顺序层积至少磁性层、保护膜层和润滑剂层；以及
使用在接近大气压的气压下产生的等离子体所激活的气体来对所述润滑剂层的表面进行处理。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中，进行表面处理的所述压强为从1.3×104到13×104Pa。
3.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中，进行表面处理的所述压强为从9.9×104到10.3×104Pa。
4.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述等离子体为辉光放电等离子体。
5.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述气体包含从由氮气、氧气和氩气构成的一组气体中选出来的至少一种类型的气体。
6.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中，在接近大气压的气压下产生的所述等离子体是通过在相对的电极之间施加电场所产生的一种等离子体。
7.根据权利要求6所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述相对的电极被设置为从垂直于待处理基底的位置倾斜1度到45度，在所述待处理基底中，在所述非磁性基底上至少形成磁性层、保护膜层和润滑剂层。
8.根据权利要求6所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述相对的电极被形成为垂直于待处理基底，在所述待处理基底中，在所述非磁性基底上至少形成磁性层、保护膜层和润滑剂层。
9.根据权利要求6所述的磁记录介质的制造方法，其中，通过将待处理基底放置在所述相对的电极之间来对所述保护膜层进行表面处理，在所述待处理基底中，在所述非磁性基底上至少形成磁性层、保护膜层和润滑剂层。
10.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中，使用被激活的气体对待处理基底的两面同时进行表面处理，在所述待处理基底中，在所述非磁性基底上至少形成磁性层、保护膜层和润滑剂层。
11.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述非磁性基底是从玻璃基底和硅基底中选出来的一种基底。
12.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述非磁性基底具有由NiP或NiP合金构成的薄膜，该薄膜形成在从Al、Al合金、玻璃和硅中选出来的一种材料所构成的基板的表面上。
13.一种磁记录介质，由根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法所制造。
14.一种磁记录和再现设备包括：
根据权利要求13所述的磁记录介质；以及
在所述磁记录介质上记录和再现数据的磁头。
15.一种表面处理装置包括：
第一器件，用于在接近大气压的气压下通过在相对的电极之间施加电场产生等离子体来形成被激活的气体；以及
第二器件，用于使所述被激活的气体辐射到待处理基底的表面上，在所述被处理基底中，在非磁性基底上至少形成磁性层、保护膜层和润滑剂层。
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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