CN102333726A - 太阳能级硅的制备方法 - Google Patents
太阳能级硅的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102333726A CN102333726A CN2010800095340A CN201080009534A CN102333726A CN 102333726 A CN102333726 A CN 102333726A CN 2010800095340 A CN2010800095340 A CN 2010800095340A CN 201080009534 A CN201080009534 A CN 201080009534A CN 102333726 A CN102333726 A CN 102333726A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- melt
- silicon
- smelting furnace
- alloy
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B17/00—Single-crystal growth onto a seed which remains in the melt during growth, e.g. Nacken-Kyropoulos method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B21/00—Unidirectional solidification of eutectic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Abstract
本发明涉及太阳能级硅的制备方法,该方法包括,在含有硅的过共晶二元或三元合金中,或在精制硅熔体中,结晶出大的高纯度硅晶体,其中将小的硅晶体加入所述熔体中,并将得到的大的硅晶体从所述熔体中分离出。可通过离心作用或过滤进行分离。
Description
技术领域
本发明涉及从含有硅的过共晶二元或三元合金中,或从精制硅熔体中分离高纯度硅晶体的方法。
在近几十年中,低成本地利用无污染能源的新技术和新产品的发展吸引了人们的注意力。太阳能是一种人们最感兴趣的能源,因为它不会产生任何污染,并且是充裕的。凭借光生伏打效应将太阳能转化为电能,即所谓的太阳能电池吸收阳光。本发明的目的是提供用于太阳能电池的低成本硅材料。
传统地,通过西门子工艺法(Siemens process)制备太阳能级硅。该方法的最重要的特点是化学气相沉积(CVD)。西门子炼铁法是一种消耗能量且高成本的方法。由西门子炼铁法得到的材料的纯度(>11N)适合电子应用,如半导体。用于太阳能电池材料的硅可具有较低的纯度(>5N),仍适合用于光生伏打过程,其中N表示材料纯度中9-位的数目。
近年来,利用石英和碳的直接法,及所谓的Elkem或Fesil法。产物为熔融硅,通常被称为UMG-Si(升级冶金级硅)或SoG-Si(太阳能级硅)。该方法在高温下(> 1400℃)进行,因此也需要消耗相当多的能量,而且在这些温度下材料的选择是一个很大的挑战。
美国专利4,124,410公开了多晶、外延n-p-p型衬底平面二极管,该二极管包括生长在惰性p型、多晶硅衬底上的p型和n型外延层,所述外延层重复下铺式衬底结晶二级结构。通过以下过程来制备所述硅衬底:将硅薄片从溶解在液态金属溶剂中的冶金级硅溶液取出,在熔融区熔融所述与酸硅渣接触的部分纯化的硅薄片,从在旋转的硅籽晶杆上的精制硅熔体中将精制的冶金级硅去除。与传统高纯度半导体级硅相比,制得的衬底具有相当高的杂质含量,由此产生具有太阳能电池性能的低成本二极管。
WO 2007/112592 A1公开了一种纯化硅的方法。在该方法中,由硅和溶剂金属形成第一熔融液体,该第一熔融液体随后与第一气体接触,得到浮渣和第二熔融液体,随后分离所述浮渣与第二熔融液体。然后冷却所述第二熔融液体,以形成硅晶体和母液,并将该晶体从所述母液中分离出来。
所有已知的用于太阳能电池的硅的制备方法都需要消耗相当大的成本和能量。
本发明的一个目的是提供一种精制冶金材料,该材料用于太阳能电池或可容易地转化为这种硅材料。
因此,本发明的目的是提供一种制备太阳能级硅的替代方法,该方法消耗更少的能量,并且使原材料可有更大的灵活性。
发明内容
因此,本发明涉及太阳能级硅的制备方法,包括在含有硅(>15 wt% Si)的过共晶熔融二元或三元合金中,或在精制硅熔体中大的(约1-5 mm)高纯度硅晶体的结晶,其中将小的(约
所述合金优选为Al-Si、Zn-Si或Al-Zn-Si合金。所述合金更优选为Al-Si合金。
本发明还涉及用于形成、分离和熔融大的( 约1-5 mm)、纯硅晶体的半连续方法,其中将预纯化的含有硅的二元或三元过共晶合金或精制硅熔体转移至熔炉,该熔炉具有从上到下的温度梯度,随后将小的(约100-200 μm)纯硅晶体加入所述熔体,由于温差,小的纯硅晶体在熔体中生长,直至该熔炉中的熔体达到共晶成分,随后将所述熔体从熔炉中转移出而转变为过共晶态,然后放回熔炉,重复该方法,直至形成一定数量的(> 100 kg)大的硅晶体。
在一个优选实施例中,上述熔体的预纯化和使熔体达到过共晶态在第一熔炉中进行,该第一熔炉连接至用于上述方法的所述熔炉。
在另一个优选实施例中,将在所述熔炉中得到的含有大的硅晶体的熔体转移至离心机,保持在熔体的共晶温度以上,因此晶体被推向离心机的壁,含有硅的熔体留在离心机的中心,然后将该含硅的熔体从离心机中轻轻倒出。
附图说明
参考以下说明书和展示实施例的附图,可更好的理解本发明的实施例。
图1展示了Al-Si相图,表明共晶温度为577℃,成分为Al- 12.6% Si。
图2展示了本发明包括熔融和过滤的第一实施例。
图3展示了本发明包括离心作用的另一个实施例。
定义
除非另有说明,本说明书中使用的下面术语具有以下含义:
术语“熔炉”指的是在冶金行业中通常使用的熔炉类型,如感应电炉。
术语“合金”指的是两种或多种金属元素的均匀混合物,其中至少一种为金属,并且产生的材料具有金属属性。
与晶体连接使用的术语“大的”指的是晶体的晶粒尺寸约为1mm至5mm。
与晶体连接使用的术语“小的”指的是晶体颗粒大小为约1mm至5mm。优选范围为3-4mm(约 100-200 μm)。
术语“沉淀”指的是使固体物质,如晶体从溶液中分离出来的方法。所述沉淀可包括结晶。
术语“冶金级硅”(约 99.8%)或“太阳能级硅”(>5N, 即 >99.999%)指的是相对纯的硅,即至少含有98.0%质量分数的硅。
具体实施方式
本发明更加具体地涉及在含有硅的过共晶二元或三元合金中“大的”高纯度硅晶体的结晶。可使用例如二元Al-Si或Zn-Si合金或三元Al-Zn-Si合金或者精制硅熔体。为简单起见,本发明侧重介绍二元Al-Si合金,其相图展示在图1中。应该注意的是,本发明的方法同样适用于提到的其他合金。
所述精制硅熔体可含有如硅、锌和氯。优选使用预精制的冶金硅,其纯度> 99.9%,具有低的硼和磷含量(<1 ppmw)。
因此,本发明涉及在过共晶铝-硅熔融合金中,或在精制硅熔体中 “大的”高纯度硅晶体的结晶,加入“小的”硅晶体,然后通过离心作用将“大的”高纯度硅晶体从所述铝-硅熔体中分离出。
随后优选使用盐酸或丁醇蚀刻所述大的高纯度硅晶体,以从表面去除铝,并用蒸馏水清洗,然后干燥。该方法制得的材料提供适合制备太阳能电池的高纯度硅(> 5N)。
以下两个本发明不同的实施例(过滤和离心作用)描述了从所述熔体中将大的硅晶体分离出的过程。
图2展示了大的纯硅晶体的形成、分离和熔融过程的半连续方法。在左熔炉中,通过溶解硅得到过共晶熔体,如Al-Si熔体(>12.6% Si)。在温度高于700℃的铝熔体中,硅可以以石英、Mg-Si或切缝的形式存在。重的杂质沉淀(如SiC)在底部,轻的杂质(如Al2O3、SiO2)漂浮在表面。将纯的过共晶Al-Si合金(如Al-20% Si)通过例如陶瓷过滤器(石墨、SiC、Al2O3 或SiO2)转移至位于图2中右侧的第二熔炉中。
所述第二熔炉具有温度梯度,在顶部温度较高,在底部温度较低。合适的温度梯度将取决于使用的合金。对于Al-Si合金,顶部的温度优选在660℃-680℃之间,底部的温度优选在580℃-600℃之间。对于该熔体最优的温度分别为顶部680℃,底部580℃。将纯的、小的硅晶体通过重力或推动器(石墨、SiC、Al2O3或SiO2)输送入所述熔体中,由于温差上述硅晶体成长成较大的硅晶体。当在所述第二熔炉中的熔体达到共晶成分后,为了避免运输大的硅晶体,将该熔体经陶瓷过滤器(石墨、SiC、Al2O3或SiO2)泵送回所述第一熔炉。重复该方法,直至在所述第二熔炉中形成一定量的大的硅晶体,然后将所有的Al-Si熔体转移至所述第一熔炉。将在所述第二熔炉中剩余的纯硅晶体在1550℃以上熔融,然后投入石英坩埚中,形成铸块。然后将所述铸块粉碎成小颗粒,过滤,清洗并在石英坩埚中重新熔融,以制备太阳能级硅。
在另一个实施例中,使用由石英(SiO2)制成的、可在700-800rpm下旋转的离心机。根据该实施例,将含有大的硅晶体的熔体从所述第二熔炉转移至离心机。离心过程的温度将保持在共晶温度577℃以上。硅晶体将被推向坩埚壁,Al-Si熔体将留在所述装置的中间部分(见图3)。从坩埚中将所述熔体轻轻倒出,干燥所述硅晶体,并用盐酸蚀刻所述硅晶体,以从表面去除铝,随后用去离子水清洗并干燥。得到的纯晶体可作为太阳能级硅出售给太阳能行业的某些应用,或者将其重新熔融转化成铸块,作为太阳能级硅出售给太阳能行业。
既然与制备太阳能级硅的传统方法相比,本发明方法的温度明显降低了,那么成本和能量消耗也将明显减少。
如上所述,本发明的方法还将使可能的原材料具有更大的灵活性。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.太阳能级硅的制备方法,包括:在含有硅的过共晶熔融二元或三元合金中,或在精制硅熔体中,结晶出尺寸为1-5 mm的高纯度硅晶体,其中,将尺寸约为100-200μm的硅晶体加入所述熔体,并将得到的大的硅晶体(1-5 mm)从所述熔体中分离出来。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述合金为Al-Si、Zn-Si或Al-Zn-Si合金。
3.根据前面任意一项权利要求所述的方法,其特征在于,所述合金为Al-Si合金。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法在精制硅熔体中进行。
5.根据前面任意一项权利要求所述的方法,其特征在于,通过离心作用或过滤进行上述分离。
6.一种用于形成、分离和熔融尺寸为1-5mm的大的纯硅晶体的半连续方法,其特征在于:将预纯化的含有硅的二元或三元过共晶合金或精制硅熔体转移至熔炉,该熔炉具有从上到下的温度梯度,随后将尺寸为100-200μm的小的纯硅晶体加入熔炉内的熔体中,由于温差,小的纯硅晶体在熔体中生长,直至该熔炉中的熔体达到共晶成分,随后将所述熔体从熔炉中转移出而转变为过共晶态,然后放回熔炉,重复该过程,直至形成一定数量的大的(1-5 mm)硅晶体。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述熔体的预纯化和使所述熔体达到过共晶态的过程在第一熔炉中进行,该第一熔炉连接至用于上述方法的所述熔炉。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述合金为二元Al-Si合金。
9.根据权利要求6所述的方法,将在所述熔炉中得到的含有大的(1-5mm)硅晶体的熔体转移至离心机,离心机内的温度保持在熔体的共晶温度以上,在离心机上,晶体被推向离心机的壁,而含有硅的熔体留在离心机的中心,然后将该含硅的熔体从离心机中倒出。
10.根据权利要求6至9中任意一项所述的方法,其特征在于,将得到的所述晶体重新熔融,并转化为用于太阳能级硅的铸块。
Claims (10)
1.太阳能级硅的制备方法,包括:在含有硅的过共晶熔融二元或三元合金中,或在精制硅熔体中,结晶出大的高纯度硅晶体,其中,将小的硅晶体加入所述熔体中,并将得到的大的硅晶体从所述熔体中分离出。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述合金为Al-Si、Zn-Si或Al-Zn-Si合金。
3.根据前面任意一项权利要求所述的方法,其特征在于,所述合金为Al-Si合金。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法在精制硅熔体中进行。
5.根据前面任意一项权利要求所述的方法,其特征在于,通过离心作用或过滤进行上述分离。
6.一种用于形成、分离和熔融大的纯硅晶体的半连续方法,其中将预纯化的含有硅的二元或三元过共晶合金或精制硅熔体转移至熔炉,该熔炉具有从上到下的温度梯度,随后将小的纯硅晶体加入熔炉中的熔体,由于温差,小的纯硅晶体在熔体中生长,直至该熔炉中的熔体达到共晶成分,随后将所述熔体从熔炉中转移出而转变为过共晶态,然后放回熔炉,重复该方法,直至形成一定数量的大的硅晶体。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述熔体的预纯化和使所述熔体达到过共晶态的过程在第一熔炉中进行,该第一熔炉连接至用于上述方法的所述熔炉。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述合金为二元Al-Si合金。
9.根据权利要求6所述的方法,将在所述熔炉中得到的含有大的硅晶体的熔体转移至离心机,将离心机内的温度保持在熔体的共晶温度以上,在离心机上,晶体被推向离心机的壁,含有硅的熔体留在离心机的中心,然后将该含硅的熔体从离心机中倒出。
10.根据权利要求6至9中任意一项所述的方法,其特征在于,将得到的所述晶体重新熔融,并转化为用于太阳能级硅的铸块。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NO20090914A NO329987B1 (no) | 2009-02-26 | 2009-02-26 | Halvkontinuerlig fremgangsmate for dannelse, separasjon og smelting av store, rene silisiumkrystaller |
NO20090914 | 2009-02-26 | ||
PCT/NO2010/000074 WO2010098676A1 (en) | 2009-02-26 | 2010-02-25 | Method for the production of solar grade silicon |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102333726A true CN102333726A (zh) | 2012-01-25 |
CN102333726B CN102333726B (zh) | 2014-05-28 |
Family
ID=42665728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201080009534.0A Expired - Fee Related CN102333726B (zh) | 2009-02-26 | 2010-02-25 | 太阳能级硅的制备方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9039833B2 (zh) |
EP (1) | EP2401231A4 (zh) |
JP (1) | JP5623436B2 (zh) |
KR (1) | KR20110132374A (zh) |
CN (1) | CN102333726B (zh) |
AU (1) | AU2010218501A1 (zh) |
NO (1) | NO329987B1 (zh) |
RU (1) | RU2011137004A (zh) |
WO (1) | WO2010098676A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103898600A (zh) * | 2014-03-28 | 2014-07-02 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法 |
CN111793756A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-10-20 | 苏州金江铜业有限公司 | 一种制备高纯单质金属的工艺 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8501139B2 (en) | 2009-02-26 | 2013-08-06 | Uri Cohen | Floating Si and/or Ge foils |
US8603242B2 (en) | 2009-02-26 | 2013-12-10 | Uri Cohen | Floating semiconductor foils |
TWI379430B (en) * | 2009-04-16 | 2012-12-11 | Atomic Energy Council | A method of fabricating a thin interface for internal light reflection and impurities isolation |
TWI627131B (zh) * | 2012-02-01 | 2018-06-21 | 美商希利柯爾材料股份有限公司 | 矽純化之模具及方法 |
WO2014085467A1 (en) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | Trustees Of Boston University | Method and apparatus for producing solar grade silicon using a som electrolysis process |
WO2020221440A1 (de) * | 2019-04-30 | 2020-11-05 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur raffination von rohsilicium-schmelzen mittels eines partikulären mediators |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55167200A (en) * | 1979-06-18 | 1980-12-26 | Hitachi Ltd | Crystal growing method |
US4461671A (en) * | 1981-02-27 | 1984-07-24 | Heliotronic Forschungs- Und Entwicklungs Gesellschaft Fur Solarzellen-Grundstoffe Mbh | Process for the manufacture of semiconductor wafers |
US20080257254A1 (en) * | 2007-04-17 | 2008-10-23 | Dieter Linke | Large grain, multi-crystalline semiconductor ingot formation method and system |
CN101337683A (zh) * | 2008-08-15 | 2009-01-07 | 辽宁建元投资发展有限公司 | 一种以高铁铝土矿为原料制备得到多种产物的组合生产方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3097068A (en) * | 1959-05-29 | 1963-07-09 | Union Carbide Corp | Crystallization of pure silicon platelets |
JPS5085517A (zh) * | 1974-09-19 | 1975-07-10 | ||
US4195067A (en) | 1977-11-21 | 1980-03-25 | Union Carbide Corporation | Process for the production of refined metallurgical silicon |
US4124410A (en) | 1977-11-21 | 1978-11-07 | Union Carbide Corporation | Silicon solar cells with low-cost substrates |
EP0002135B1 (en) | 1977-11-21 | 1982-11-03 | Union Carbide Corporation | Improved refined metallurgical silicon and process for the production thereof |
US4312847A (en) | 1979-05-24 | 1982-01-26 | Aluminum Company Of America | Silicon purification system |
US4312846A (en) | 1979-05-24 | 1982-01-26 | Aluminum Company Of America | Method of silicon purification |
SE448164B (sv) | 1979-05-24 | 1987-01-26 | Aluminum Co Of America | Forfarande for att tillhandahalla en bedd av renade kiselkristaller |
DE2945072A1 (de) | 1979-11-08 | 1981-06-04 | Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zum reinigen von rohsilicium |
JPH07277722A (ja) * | 1994-02-16 | 1995-10-24 | Sumitomo Chem Co Ltd | ケイ素の精製方法 |
JP3415382B2 (ja) * | 1996-12-25 | 2003-06-09 | トヨタ自動車株式会社 | 高純度珪素粉末の製造方法 |
JPH11162859A (ja) | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Canon Inc | シリコン結晶の液相成長方法及びそれを用いた太陽電池の製造方法 |
US7126816B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-10-24 | Apple Computer, Inc. | Camera latch |
US7862585B2 (en) | 2005-06-23 | 2011-01-04 | Johnson & Johnson | Tissue repair device and fabrication thereof |
JP4732219B2 (ja) * | 2006-04-03 | 2011-07-27 | 相模サーボ株式会社 | 高純度シリコン製造方法及び高純度シリコン製造装置 |
CN103030148B (zh) | 2006-04-04 | 2015-02-25 | 太阳能原材料公司 | 纯化硅的方法 |
JP5218934B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2013-06-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 金属シリコンとその製造方法 |
US20080178793A1 (en) | 2007-01-31 | 2008-07-31 | Calisolar, Inc. | Method and system for forming a higher purity semiconductor ingot using low purity semiconductor feedstock |
US9243311B2 (en) | 2007-03-13 | 2016-01-26 | Silicor Materials Inc. | Method for removing phosphorous and boron from aluminium silicon alloy for use in purifying silicon |
EP2138610A1 (en) | 2007-03-19 | 2009-12-30 | Mnk-sog Silicon, Inc. | Method and apparatus for manufacturing silicon ingot |
US7651566B2 (en) | 2007-06-27 | 2010-01-26 | Fritz Kirscht | Method and system for controlling resistivity in ingots made of compensated feedstock silicon |
CA2694806A1 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | 6N Silicon Inc. | Use of acid washing to provide purified silicon crystals |
EP2198077B1 (en) | 2007-10-03 | 2017-05-17 | Silicor Materials Inc. | Method for processing silicon powder to obtain silicon crystals |
JP5125973B2 (ja) | 2007-10-17 | 2013-01-23 | 住友化学株式会社 | 精製シリコンの製造方法 |
US7916480B2 (en) | 2007-12-19 | 2011-03-29 | GM Global Technology Operations LLC | Busbar assembly with integrated cooling |
JP5277654B2 (ja) | 2008-02-15 | 2013-08-28 | 住友化学株式会社 | ホウ素添加シリコンの製造方法 |
US20090297774A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Praveen Chaudhari | Methods of growing heterepitaxial single crystal or large grained semiconductor films and devices thereon |
US8562932B2 (en) | 2009-08-21 | 2013-10-22 | Silicor Materials Inc. | Method of purifying silicon utilizing cascading process |
-
2009
- 2009-02-26 NO NO20090914A patent/NO329987B1/no not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-02-25 JP JP2011551999A patent/JP5623436B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-25 CN CN201080009534.0A patent/CN102333726B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-25 US US13/203,493 patent/US9039833B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-25 WO PCT/NO2010/000074 patent/WO2010098676A1/en active Application Filing
- 2010-02-25 RU RU2011137004/05A patent/RU2011137004A/ru not_active Application Discontinuation
- 2010-02-25 EP EP10746497A patent/EP2401231A4/en not_active Withdrawn
- 2010-02-25 KR KR1020117021337A patent/KR20110132374A/ko active IP Right Grant
- 2010-02-25 AU AU2010218501A patent/AU2010218501A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55167200A (en) * | 1979-06-18 | 1980-12-26 | Hitachi Ltd | Crystal growing method |
US4461671A (en) * | 1981-02-27 | 1984-07-24 | Heliotronic Forschungs- Und Entwicklungs Gesellschaft Fur Solarzellen-Grundstoffe Mbh | Process for the manufacture of semiconductor wafers |
US20080257254A1 (en) * | 2007-04-17 | 2008-10-23 | Dieter Linke | Large grain, multi-crystalline semiconductor ingot formation method and system |
CN101337683A (zh) * | 2008-08-15 | 2009-01-07 | 辽宁建元投资发展有限公司 | 一种以高铁铝土矿为原料制备得到多种产物的组合生产方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103898600A (zh) * | 2014-03-28 | 2014-07-02 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法 |
CN103898600B (zh) * | 2014-03-28 | 2016-05-18 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法 |
CN111793756A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-10-20 | 苏州金江铜业有限公司 | 一种制备高纯单质金属的工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NO20090914L (no) | 2010-08-27 |
NO329987B1 (no) | 2011-01-31 |
US20110302963A1 (en) | 2011-12-15 |
AU2010218501A1 (en) | 2011-10-20 |
KR20110132374A (ko) | 2011-12-07 |
RU2011137004A (ru) | 2013-04-10 |
US9039833B2 (en) | 2015-05-26 |
EP2401231A1 (en) | 2012-01-04 |
JP5623436B2 (ja) | 2014-11-12 |
WO2010098676A1 (en) | 2010-09-02 |
CN102333726B (zh) | 2014-05-28 |
EP2401231A4 (en) | 2013-03-06 |
JP2012519129A (ja) | 2012-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102333726B (zh) | 太阳能级硅的制备方法 | |
Gribov et al. | Preparation of high-purity silicon for solar cells | |
EP2467330B1 (en) | Method of purifying silicon utilizing cascading process | |
US20100059118A1 (en) | Method for producing silicon | |
CA2694806A1 (en) | Use of acid washing to provide purified silicon crystals | |
US9512008B2 (en) | Flux composition useful in directional solidification for purifying silicon | |
CN101798705A (zh) | 一种从低温熔体中连续拉晶提纯多晶硅的方法及专用装置 | |
CN101775650B (zh) | 一种太阳能多晶硅铸锭的制备方法 | |
EP0002135B1 (en) | Improved refined metallurgical silicon and process for the production thereof | |
CN105274619A (zh) | 一种强化去除冶金级硅中硼的方法 | |
CN101804984B (zh) | 一种提纯硅的方法 | |
CN211247691U (zh) | 一种高温清洗防漂片夹具 | |
JP5173013B1 (ja) | シリコンの精製方法、結晶シリコン材料の製造方法、および、太陽電池の製造方法 | |
JP5173014B1 (ja) | シリコンの精製方法、結晶シリコン材料の製造方法、および、太陽電池の製造方法 | |
CN103038004B (zh) | 晶体半导体材料的制备 | |
CN210897223U (zh) | 一种改进的承片篮 | |
CN102392297A (zh) | 一种锌电解回收装置及处理方法 | |
JP5236897B2 (ja) | シリコンの製造方法 | |
JPS5913444B2 (ja) | 精製された金属シリコン製造方法 | |
WO2013088784A1 (ja) | 金属の精製方法、金属、シリコンの精製方法、シリコン、結晶シリコン材料および太陽電池 | |
Øvrelid et al. | 2 The MG Silicon Route | |
CN102351197A (zh) | 一种提纯硅的方法 | |
CN112626614A (zh) | 一种用于铸锭类超高纯涂层石英坩埚及其制备方法 | |
CN103590104A (zh) | 一种锌电解回收处理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20140528 Termination date: 20160225 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |