JP5218934B2 - 金属シリコンとその製造方法 - Google Patents
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Description
〔1〕微細シリカを内周層に含む容器に入れた溶融粗金属シリコンを1mm/min以下の速度で一方向凝固させ、引き続き2℃/min以下の速度で200℃以下に冷却してなる、3N以上〜5N以下の純度を有し、平均結晶粒径1mm以上であって、鉄およびアルミニウムの含有量がおのおの0.05〜0.00005wt%、その他の金属元素の合計含有量が0.03wt%以下であることを特徴とする金属シリコン。
〔2〕一般工業材料または太陽電池材料として用いられる上記[1]に記載する金属シリコン。
〔3〕微細シリカを内周層に含む容器に入れた溶融粗金属シリコンを、1mm/min以下の速度で一方向凝固させ、さらに2℃/min以下の速度で200℃以下に冷却することによって、3N以上〜5N以下の純度を有し、平均結晶粒径1mm以上であって、鉄およびアルミニウムの含有量がおのおの0.05〜0.00005wt%、その他の金属元素の合計含有量が0.03wt%以下である金属シリコンを製造する方法。
〔4〕凝固速度が0.1〜1mm/min、冷却速度が0.1〜2℃/minである上記[3]に記載する金属シリコンを製造する方法。
本発明の金属シリコンは、微細シリカを内周層に含む容器に入れた溶融粗金属シリコンを1mm/min以下の速度で一方向凝固させ、引き続き2℃/min以下の速度で200℃以下に冷却してなる、3N以上〜5N以下の純度を有し、平均結晶粒径1mm以上であって、鉄およびアルミニウムの含有量がおのおの0.05〜0.00005wt%、その他の金属元素の合計含有量が0.03wt%以下であることを特徴とする金属シリコンである。
〔原料〕
原料の粗金属シリコンとして、2N純度(Fe:0.3%、Al:0.3%、Ca:0.1%、Na:0.01%、K:0.01%、Cr:0.01%、Cu:0.1%)5000gを用いた。
〔インゴット製造容器〕
50〜300μmの微細溶融シリカ粒子を含む内層(厚さ5mm)を有し、内容積1リットル(縦10cm×横10cm×高さ10cm)の容器を用いた。なお、比較例5は内容積が同一であって内表面に窒化珪素を含有する容器を用いた。
〔凝固・冷却条件〕
表1に示す条件に従って溶融粗金属シリコンを凝固し、冷却した。凝固は容器内の金属シリコン表面の状態を観察して凝固終了時間を定め、引き続き冷却を行い、表面温度を測定して取り出し温度を定めた。
〔平均結晶粒径〕
製造した金属インゴットの断面を顕微鏡観察して平均結晶粒径を測定した。
〔ライフタイム平均値〕
ライフタイム測定システム(SEMILAB社製モデルWT-2000)を用いて金属シリコンインゴットについて、高さ方向にライフタイムを測定して平均値を求めた。この平均値は金属インゴットについてほぼ均等に分散した中心の測定部分について、その測定値を平均したものである。
各測定個所について、測定値がライフタイム平均値の±20%以内である測定個所の数(L1)を全測定個所数(L0)に対する%(L0/L1×100)で示した。
〔光電変換効率〕
太陽光を当て、電流−電圧測定装置を用いて電流、電圧を測定し下記計算式から光電変換効率を求めた。
計算式:光電変換効率(%)=Jsc×Voc×FF
Isc:短絡電流(電圧が0Vの時の電流)
Voc:開放電圧(電流が0Aの時の電圧)
FF:曲線因子(Voc×Iscを太陽電池基盤の面積で割った値)
Jsc:短絡電流密度(Iscを太陽電池基盤の面積で割った値)
Claims (4)
- 微細シリカを内周層に含む容器に入れた溶融粗金属シリコンを1mm/min以下の速度で一方向凝固させ、引き続き2℃/min以下の速度で200℃以下に冷却してなる、3N以上〜5N以下の純度を有し、平均結晶粒径1mm以上であって、鉄およびアルミニウムの含有量がおのおの0.05〜0.00005wt%、その他の金属元素の合計含有量が0.03wt%以下であることを特徴とする金属シリコン。
- 一般工業材料または太陽電池材料として用いられる請求項1に記載する金属シリコン。
- 微細シリカを内周層に含む容器に入れた溶融粗金属シリコンを、1mm/min以下の速度で一方向凝固させ、さらに2℃/min以下の速度で200℃以下に冷却することによって、3N以上〜5N以下の純度を有し、平均結晶粒径1mm以上であって、鉄およびアルミニウムの含有量がおのおの0.05〜0.00005wt%、その他の金属元素の合計含有量が0.03wt%以下である金属シリコンを製造する方法。
- 凝固速度が0.1〜1mm/min、冷却速度が0.1〜2℃/minである請求項3に記載する金属シリコンを製造する方法。
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