发明内容
本发明的目的是提出一种以高铁铝土矿为原料工业化生产多种产品的组合生产方法,该组合生产方法首先对高铁铝土矿用盐酸作为浸出介质进行加压浸出,铁以离子形式进入盐酸中形成铁的氯化物,而铝则留在固体铝土矿(上层产物)中,从而使铁与铝得到分离;然后对盐酸浸出液(下层产物)进行焙烧,得到铁红和氯化氢气体,氯化氢气体用洗涤水吸收成为盐酸,盐酸可以循环使用;然后对上层产物进行熔炼、定向结晶制备出硅含量为14wt%以下的共晶铝硅合金,从而使目前尚无法利用的高铁铝土矿得到综合利用。
本发明是一种以高铁铝土矿为原料制备得到多种产物的组合生产方法,该方法有下列制备步骤:
第一步:物料准备
采用破碎机将高铁铝土矿破碎至0.1~25mm粒度,制得粉碎物料;
将粉碎物料采用磨矿设备进行研磨,制得研磨粉材;
将研磨粉材采用分级机选出50~150μm粒度,制得高铁铝土矿细粉;
在本发明中,分级机未选取的研磨粉材可以继续采用磨矿设备进行研磨。
本发明人对不同地区采得的高铁铝土矿的成分进行分析得到:氧化铁Fe2O3为15~20wt%、硅酸铁FeSiO3为3~10wt%、氧化铝Al2O3为55~60wt%、氧化硅SiO2为3~10wt%,余量为其它杂质。杂质中一般为碳酸盐矿物(如碳酸镁、碳酸钙和白云石)、硅酸盐矿物。
第二步:制浸出物
(A)将高铁铝土矿细粉和质量百分比浓度为10~25%的盐酸溶液放入搅拌设备中进行混合均匀制得矿浆;
搅拌速度200~400转/分钟;
用量:1g的高铁铝土矿细粉中加入300~400ml的盐酸;
(B)将矿浆加入高压釜中,在釜内压力0.25~0.4MPa、温度110~130℃条件下搅拌反应10~60min后制得浸出物;
(C)将浸出物采用自来水冲洗方式进行洗涤过滤分离,获得上层产物和下层产物;在本发明中,第一分离设备的过滤网上的产物为上层产物,过滤网下方的产物为下层产物。
对(C)步骤制得的上层产物进行成分分析,100g的上层产物中含有70~75g的氧化铝Al2O3、0.5~1g的氧化铁Fe2O3和余量的氧化硅SiO2;
对(C)步骤制得的下层产物进行成分分析,100ml的下层产物中含有20~45g的氯化铁FeCl2,5~8g的氯化钙CaCl2,1~5g的氯化镁MgCl2;
第三步:焙烧制铁红
将下层产物放入焙烧设备中,在温度400~500℃下焙烧30~150min后,制得铁红;
铁红中90wt%以上是Fe2O3,CaO为5wt%左右,少量的MgO。
下层产物在高温条件下分解为氯化氢气体、氧化铁Fe2O3、氧化镁MgO和氧化钙CaO,其化学反应式为:
4FeCl2+O2+4H2O=2Fe2O3+8HCl↑;
CaCl2+H2O=CaO+2HCl↑;
MgCl2+H2O=MgO+2HCl↑;
在此步骤中,焙烧设备对下层产物进行高温处理后,采用抽排方式进行排出氯化氢气体。然后将氯化氢气体的管道与自来水管道连通,使氯化氢气体生成质量百分比浓度为10%~25%的盐酸供搅拌设备重复使用。本发明对盐酸的循环使用,能够减少除铁作业对环境的再次污染,另一方面也降低了生产成本。
此步骤作为本发明在提取铝硅合金中的一个附属产品。
第四步:制共晶铝硅合金
(A)将上层产物、石英、还原剂、粘结剂和水加入制球设备中制得粒度为60~120mm的球团;
所述还原剂是烟煤与石油焦的混合物;
所述粘结剂是木质素磺酸钙或木质素磺酸镁或亚硫酸盐纸浆废液或粘土;
用量:100g的上层产物中加入85~95g烟煤,20~30g石油焦,10~20g粘结剂,60~65g石英,15~30g的自来水;
(B)将粒度为60~120mm的球团在温度150~300℃下干燥10~60min后,制得干燥球团;
(C)将干燥球团放入矿热电弧炉中,在温度1900~2200℃下冶炼5~15min后,制得粗铝硅合金;
本发明人对所述粗铝硅合金的成分进行分析得到:铝含量58~60wt%,硅含量30~40wt%,铁含量1.0~2.0wt%和余量的杂质。该杂质为钙、碳等。
(D)将粗铝硅合金经抬包转运至第一反应炉中,加入脱水干燥的氯化钠和冰晶石,在900℃~1000℃条件下保温5~15min进行除去渣料处理;然后加入纯度为70.00~99.99%的金属锰块,采用电磁搅拌20~30min后,获得具有分层结构的铝硅合金和锰硅铁化合物;
100g的粗铝硅合金中加入5~10g的氯化钠,1~5g的冰晶石;
所述渣料是Al2O3、SiO2、SiC、Al4C3+Al2OC;
其中锰硅铁化合物在第一反应炉的底部,铝硅合金在锰硅铁化合物的上方;
所述金属锰块的粒度小于50mm,锰的加入量是所述粗铝硅合金中铁含量的0.8~1.5倍;
在此步骤中,一定纯度的金属锰加入,使所述粗铝硅合金中的铁和硅元素进行反应生成锰硅铁化合物。
(E)加热第二分离设备中的陶瓷过滤层至900℃~950℃;然后将(D)步骤制得的具有分层结构的铝硅合金和锰硅铁化合物放入第二分离设备的陶瓷过滤层上,调节第二分离设备的炉内气压为800~1000Pa负压值,过滤出铝硅合金;
所述陶瓷过滤层厚度为10~20mm,其陶瓷材料为多孔的铝硅质陶瓷材料、碳化硅陶瓷材料或硼化陶瓷材料。
将(E)步骤制得的铝硅合金采用GB/T6987.1~6987.24或GB/T7999的规定测试其组份,主要为56~65wt%的铝,30~40wt%的硅,0.1~0.3wt%的铁,余量为杂质。此处的杂质是微量的锰硅铁化合物。
(F)将(E)步骤制得的铝硅合金放入定向结晶炉中,在温度580~600℃条件下制得共晶铝硅合金和高纯硅沉淀物;
(G)加热第三分离设备中的陶瓷过滤层至620℃~630℃;然后将(F)步骤制得的共晶铝硅合金和高纯硅沉淀物放入第三分离设备中,调节第三分离设备的炉内气压为800~1000Pa负压值,过滤分离出共晶铝硅合金;
所述陶瓷过滤层厚度为10~20mm,其陶瓷材料为多孔的铝硅质陶瓷材料、碳化硅陶瓷材料或硼化陶瓷材料。
将(G)步骤制得的共晶铝硅合金采用GB/T6987.1~6987.24或GB/T7999的规定测试其组份,主要为84~88wt%铝,11~14wt%硅,余量为铁和杂质。经测试共晶铝硅合金符合国家标准GB/T 8733-2000的使用要求。
此步骤中,陶瓷过滤层上方为高纯硅沉淀物,陶瓷过滤层下方为共晶铝硅合金。
第五步:制太阳能级多晶硅
将高纯硅沉淀物放入真空蒸馏设备中,在真空度1~5×10-1Pa,温度1200~1450℃的条件下,蒸馏4~16小时后,制得太阳级多晶硅材料。
对太阳能级多晶硅材料进行纯度分析,其纯度为99.99990~99.99995%。
本发明的一种以高铁铝土矿为原料制备得到多种产物的组合生产方法,具有以下特点:
(1)不用配入价格很高的原铝,也能得到符合GB/T 8733-2000国家标准的铝硅合金,其成本低,经济效益好;
(2)高铁铝土矿中铁铝得到有效分离,盐酸加压浸出,反应速度快,效率高;
(3)该组合生产方法制得的产品有铁红、共晶铝硅合金和太阳能级多晶硅,附加值高;
(4)盐酸能够循环利用,实现清洁生产。
具体实施方式
下面将结合附图和实施例对本发明做进一步的详细说明。
本发明是一种高铁铝土矿综合利用的方法,该方法首先对高铁铝土矿用盐酸作为浸出介质进行加压浸出,铁以离子形式进入盐酸中形成铁的氯化物,而铝则留在固体铝土矿(上层产物)中,从而使铁与铝得到分离;然后对盐酸浸出液(下层产物)进行焙烧,得到铁红和氯化氢气体,氯化氢气体用洗涤水吸收成为盐酸,盐酸可以循环使用;然后对上层产物进行熔炼、定向结晶制备出硅含量在14wt%以下的共晶铝硅合金,从而使目前尚无法利用的高铁铝土矿得到综合利用。
本发明公开的一种以高铁铝土矿为原料制备得到多种产物的组合生产方法中能够得到一种主要产物(共晶铝硅合金)、两种附属产物。所述的附属产物一个是铁红(即90wt%以上是Fe2O3,且含有少量的MgO和CaO),另一个是太阳能级多晶硅。
请参见图1所示,本发明是一种以高铁铝土矿为原料制备得到多种产物的组合生产方法,该方法有下列制备步骤:
第一步:物料准备
采用破碎机将高铁铝土矿破碎至0.1~25mm粒度,制得粉碎物料;
将粉碎物料采用磨矿设备进行研磨,制得研磨粉材;
将研磨粉材采用分级机选出50~150μm粒度,制得高铁铝土矿细粉;
在本发明中,分级机未选取的研磨粉材可以继续采用磨矿设备进行研磨。
本发明人对不同地区采得的高铁铝土矿的成分进行分析得到:氧化铁Fe2O3为15~20wt%、硅酸铁FeSiO3为3~10wt%、氧化铝Al2O3为55~60wt%、氧化硅SiO2为3~10wt%,余量为其它杂质。杂质中一般为碳酸盐矿物(如碳酸镁、碳酸钙和白云石)、硅酸盐矿物。
第二步:制浸出物
(A)将高铁铝土矿细粉和质量百分比浓度为10~25%的盐酸溶液放入搅拌设备中进行混合均匀制得矿浆;搅拌速度200~400转/分钟;
用量:1g的高铁铝土矿细粉中加入300~400ml的盐酸;
(B)将矿浆加入高压釜中,在釜内压力0.25~0.4MPa、温度110~130℃条件下搅拌反应10~60min后制得浸出物;
(C)将浸出物采用自来水冲洗方式进行洗涤过滤分离,获得上层产物和下层产物;在本发明中,第一分离设备的过滤网上的产物为上层产物,过滤网下方的产物为下层产物。
对(C)步骤制得的上层产物进行成分分析,100g的上层产物中含有70~75g的氧化铝Al2O3、0.5~1g的氧化铁Fe2O3和余量的氧化硅SiO2;
对(C)步骤制得的下层产物进行成分分析,100ml的下层产物中含有20~45g的氯化铁FeCl2,5~8g的氯化钙CaCl2,1~5g的氯化镁MgCl2;
第三步:焙烧制铁红
将下层产物放入焙烧设备中,在温度400~500℃下焙烧30~150min后,制得铁红;
铁红中90wt%以上是Fe2O3,CaO为5wt%左右,少量的MgO。
下层产物在高温条件下分解为氯化氢气体、氧化铁Fe2O3、氧化镁MgO和氧化钙CaO,其化学反应式为:
4FeCl2+O2+4H2O=2Fe2O3+8HCl↑;
CaCl2+H2O=CaO+2HCl↑;
MgCl2+H2O=MgO+2HCl↑;
在此步骤中,焙烧设备对下层产物进行高温处理后,采用抽排方式进行排出氯化氢气体。然后将氯化氢气体的管道与自来水管道连通,使氯化氢气体生成质量百分比浓度为10%~25%的盐酸供搅拌设备重复使用。本发明对盐酸的循环使用,能够减少除铁作业对环境的再次污染,另一方面也降低了生产成本。
此步骤作为本发明在提取铝硅合金中的一个附属产品。
第四步:制共晶铝硅合金
(A)将上层产物、石英、还原剂、粘结剂和水加入制球设备中制得粒度为60~120mm的球团;
所述还原剂是烟煤与石油焦的混合物;
所述粘结剂是木质素磺酸钙或木质素磺酸镁或亚硫酸盐纸浆废液或粘土;
用量:100g的上层产物中加入85~95g烟煤,20~30g石油焦,10~20g粘结剂,60~65g石英,15~30g的自来水;
(B)将粒度为60~120mm的球团在温度150~300℃下干燥10~60min后,制得干燥球团;
(C)将干燥球团放入矿热电弧炉中,在温度1900~2200℃下冶炼5~15min后,制得粗铝硅合金;
本发明人对所述粗铝硅合金的成分进行分析得到:铝含量58~60wt%,硅含量30~40wt%,铁含量1.0~2.0wt%和余量的杂质。该杂质为钙、碳等。
(D)将粗铝硅合金经抬包转运至第一反应炉中,加入脱水干燥的氯化钠和冰晶石,在900℃~1000℃条件下保温5~15min进行除去渣料处理;然后加入纯度为70.00~99.99%的金属锰块,采用电磁搅拌20~30min后,获得具有分层结构的铝硅合金和锰硅铁化合物;
100g的粗铝硅合金中加入5~10g的氯化钠,1~5g的冰晶石;
所述渣料是Al2O3、SiO2、SiC、Al4C3+Al2OC;
其中锰硅铁化合物在第一反应炉的底部,铝硅合金在锰硅铁化合物的上方;
所述金属锰块的粒度小于50mm,锰的加入量是所述粗铝硅合金中铁含量的0.8~1.5倍;
在此步骤中,一定纯度的金属锰加入,使所述粗铝硅合金中的铁和硅元素进行反应生成锰硅铁化合物。
(E)加热第二分离设备中的陶瓷过滤层至900℃~950℃;然后将(D)步骤制得的具有分层结构的铝硅合金和锰硅铁化合物放入第二分离设备的陶瓷过滤层上,调节第二分离设备的炉内气压为800~1000Pa负压值,过滤出铝硅合金;
所述陶瓷过滤层厚度为10~20mm,其陶瓷材料为多孔的铝硅质陶瓷材料、碳化硅陶瓷材料或硼化陶瓷材料。
将(E)步骤制得的铝硅合金采用GB/T6987.1~6987.24或GB/T7999的规定测试其组份,主要为56~65wt%的铝,30~40wt%的硅,0.1~0.3wt%的铁,余量为杂质。此处的杂质是微量的锰硅铁化合物。
(F)将(E)步骤制得的铝硅合金放入定向结晶炉中,在温度580~600℃条件下制得共晶铝硅合金和高纯硅沉淀物;
(G)加热第三分离设备中的陶瓷过滤层至620℃~630℃;然后将(F)步骤制得的共晶铝硅合金和高纯硅沉淀物放入第三分离设备中,调节第三分离设备的炉内气压为800~1000Pa负压值,过滤分离出共晶铝硅合金;
所述陶瓷过滤层厚度为10~20mm,其陶瓷材料为多孔的铝硅质陶瓷材料、碳化硅陶瓷材料或硼化陶瓷材料。
将(G)步骤制得的共晶铝硅合金采用GB/T6987.1~6987.24或GB/T7999的规定测试其组份,主要为84~88wt%铝,11~14wt%硅,余量为铁和杂质。经测试共晶铝硅合金符合国家标准GB/T 8733-2000的使用要求。
此步骤中,陶瓷过滤层上方为高纯硅沉淀物,陶瓷过滤层下方为共晶铝硅合金。
第五步:制太阳能级多晶硅
将高纯硅沉淀物放入真空蒸馏设备中,在真空度1~5×10-1Pa,温度1200~1450℃的条件下,蒸馏4~16小时后,制得太阳级多晶硅材料。
对太阳能级多晶硅材料进行纯度分析,其纯度为99.99990~99.99995%。
实施例1:
第一步:物料准备
采用破碎机将高铁铝土矿破碎至0.1~25mm粒度,制得粉碎物料;
将粉碎物料采用磨矿设备进行研磨,制得研磨粉材;
将研磨粉材采用分级机选出50~150μm粒度,制得高铁铝土矿细粉;
在本发明中,分级机未选取的研磨粉材可以继续采用磨矿设备进行研磨;
本发明人对新疆阿克苏地区采得的高铁铝土矿的成分进行分析得到:氧化铁Fe2O3为20wt%、硅酸铁FeSiO3为5wt%、氧化铝Al2O3为58wt%、氧化硅SiO2为6wt%,余量为其它杂质。杂质中一般为碳酸盐矿物(如碳酸镁、碳酸钙和白云石)、硅酸盐矿物。
第二步:制浸出物
(A)将高铁铝土矿细粉和质量百分比浓度为19%的盐酸溶液放入搅拌设备中进行混合均匀制得矿浆;搅拌速度300转/分钟;
用量:1g的高铁铝土矿细粉中加入400ml的盐酸;
(B)将矿浆加入高压釜中,在釜内压力0.25MPa、温度130℃条件下搅拌反应30min后制得浸出物;
(C)将浸出物采用自来水冲洗方式进行洗涤过滤分离,获得上层产物和下层产物;
对(C)步骤制得的上层产物进行成分分析,100g的上层产物中含有73g的氧化铝Al2O3、0.5g的氧化铁Fe2O3和余量的氧化硅SiO2;
对(C)步骤制得的下层产物进行成分分析,100ml的下层产物中含有45g的氯化铁FeCl2,5g的氯化钙CaCl2,3g的氯化镁MgCl2;
第三步:焙烧制铁红
将下层产物放入焙烧设备中,在温度500℃下焙烧30min后,制得铁红;铁红中90wt%以上是Fe2O3,CaO为5wt%左右,少量的MgO。
下层产物在高温条件下分解为氯化氢气体、氧化铁Fe2O3、氧化镁MgO和氧化钙CaO,其化学反应为:
4FeCl2+O2+4H2O=2Fe2O3+8HCl↑;
CaCl2+H2O=CaO+2HCl↑;
MgCl2+H2O=MgO+2HCl↑;
在此步骤中,焙烧设备对下层产物进行高温处理后,采用抽排方式进行排出氯化氢气体。然后将氯化氢气体的管道与自来水管道连通,使氯化氢气体生成质量百分比浓度为19%的盐酸供搅拌设备重复使用。本发明对盐酸的循环使用,能够减少除铁作业对环境的再次污染,另一方面也降低了生产成本。
此步骤作为本发明在提取铝硅合金中的一个附属产品。
第四步:制共晶铝硅合金
(A)将上层产物、石英、还原剂、粘结剂和水加入制球设备中制得粒度为60~120mm的球团;
所述还原剂是烟煤与石油焦的混合物;
所述粘结剂是木质素磺酸钙;
用量:100g的上层产物中加入95g烟煤,20g石油焦,20g粘结剂,65g石英,15g的自来水;
(B)将粒度为60~120mm的球团在温度300℃下干燥30min后,制得干燥球团;
(C)将干燥球团放入矿热电弧炉中,在温度1900℃下冶炼10min后,制得粗铝硅合金;
本发明人对所述粗铝硅合金的成分进行分析得到:铝含量60wt%,硅含量38wt%,铁含量1.0wt%和余量的杂质。该杂质为钙、碳等。
(D)将粗铝硅合金经抬包转运至第一反应炉中,加入脱水干燥的氯化钠和冰晶石,在1000℃条件下保温10min进行除去渣料处理;然后加入纯度为99.99%的金属锰块,采用电磁搅拌30min后,获得具有分层结构的铝硅合金和锰硅铁化合物;
100g的粗铝硅合金中加入10g的氯化钠,3g的冰晶石;
所述渣料是Al2O3、SiO2、SiC、Al4C3+Al2OC;
其中锰硅铁化合物在第一反应炉的底部,铝硅合金在锰硅铁化合物的上方;
所述金属锰块的粒度小于50mm,锰的加入量是所述粗铝硅合金中铁含量的0.8倍;在此步骤中,一定纯度的锰加入,使所述粗铝硅合金中的铁和硅元素进行反应生成铁锰硅化合物。
(E)加热第二分离设备中的陶瓷过滤层至950℃;然后将(D)步骤制得的具有分层结构的铝硅合金和锰硅铁化合物放入第二分离设备的陶瓷过滤层上,调节炉内腔中气压为1000Pa负压值,过滤出铝硅合金;
所述陶瓷过滤层厚度为20mm,其陶瓷材料为多孔的铝硅质陶瓷材料。
将(E)步骤制得的铝硅合金采用GB/T6987.1~6987.24或GB/T7999的规定测试其组份,主要为60wt%铝,35wt%硅,0.1wt%铁,余量为杂质。
(F)将(E)步骤制得的铝硅合金放入定向结晶炉中,在温度600℃条件下制得共晶铝硅合金和高纯硅沉淀物;
(G)加热第三分离设备中的陶瓷过滤层至630℃;然后将(F)步骤制得的共晶铝硅合金和高纯硅沉淀物放入第三分离设备中,调节第三分离设备的炉内气压为1000Pa负压值,过滤分离出共晶铝硅合金;所述陶瓷过滤层厚度为20mm,其陶瓷材料为多孔的铝硅质陶瓷材料。此步骤中,陶瓷过滤层上方为高纯硅沉淀物渣料,陶瓷过滤层下方为共晶铝硅合金。
将(G)步骤制得的共晶铝硅合金采用GB/T6987.1~6987.24或GB/T7999的规定测试其组份,主要为84wt%铝,13wt%硅,余量为铁和杂质。经测试共晶铝硅合金符合国家标准GB/T 8733-2000的使用要求。
第五步:制太阳能级多晶硅
将高纯硅沉淀物放入真空蒸馏设备中,在真空度3×10-1Pa,温度1450℃的条件下,蒸馏8小时后,制得太阳级多晶硅材料。
对太阳能级多晶硅材料进行纯度分析,其纯度为99.99995%。
实施例2:
第一步:物料准备
采用破碎机将高铁铝土矿破碎至0.1~25mm粒度,制得粉碎物料;
将粉碎物料采用磨矿设备进行研磨,制得研磨粉材;
将研磨粉材采用分级机选出50~150μm粒度,制得高铁铝土矿细粉;
在本发明中,分级机未选取的研磨粉材可以继续采用磨矿设备进行研磨;
高铁铝土矿的成分为:氧化铁Fe2O3为15wt%、硅酸铁FeSiO3为10wt%、氧化铝Al2O3为60wt%、氧化硅SiO2为3wt%,余量为其它杂质。杂质中一般为碳酸盐矿物(如碳酸镁、碳酸钙和白云石)、硅酸盐矿物。
第二步:制浸出物
(A)将高铁铝土矿细粉和质量百分比浓度为25%的盐酸溶液放入搅拌设备中进行混合均匀制得矿浆;搅拌速度200转/分钟;
用量:1g的高铁铝土矿细粉中加入350ml的盐酸;
(B)将矿浆加入高压釜中,在釜内压力0.4MPa、温度110℃条件下搅拌反应60min后制得浸出物;
(C)将浸出物采用自来水冲洗方式进行洗涤过滤分离,获得上层产物和下层产物;对(C)步骤制得的上层产物进行成分分析,100g的上层产物中含有70g的氧化铝Al2O3、1g的氧化铁Fe2O3和余量的氧化硅SiO2;
对(C)步骤制得的下层产物进行成分分析,100ml的下层产物中含有30g的氯化铁FeCl2,8g的氯化钙CaCl2,2g的氯化镁MgCl2;
第三步:焙烧制铁红
将下层产物放入焙烧设备中,在温度400℃下焙烧150min后,制得铁红;铁红中90wt%以上是Fe2O3,CaO为5wt%左右,少量的MgO。
下层产物在高温条件下分解为氯化氢气体、氧化铁Fe2O3、氧化镁MgO和氧化钙CaO,其化学反应为:
4FeCl2+O2+4H2O=2Fe2O3+8HCl↑;
CaCl2+H2O=CaO+2HCl↑;
MgCl2+H2O=MgO+2HCl↑;
在此步骤中,焙烧设备对下层产物进行高温处理后,采用抽排方式进行排出氯化氢气体。然后将氯化氢气体的管道与自来水管道连通,使氯化氢气体生成质量百分比浓度为25%的盐酸供搅拌设备重复使用。本发明对盐酸的循环使用,能够减少除铁作业对环境的再次污染,另一方面也降低了生产成本。
此步骤作为本发明在提取铝硅合金中的一个附属产品。
第四步:制共晶铝硅合金
(A)将上层产物、石英、还原剂、粘结剂和水加入制球设备中制得粒度为60~120mm的球团;
所述还原剂是烟煤与石油焦的混合物;
所述粘结剂是木质素磺酸镁;
用量:100g的上层产物中加入85g烟煤,20g石油焦,10g粘结剂,60g石英,30g水;
(B)将粒度为60~120mm的球团在温度150℃下干燥60min后,制得干燥球团;
(C)将干燥球团放入矿热电弧炉中,在温度2200℃下冶炼5min后,制得粗铝硅合金;
本发明人对所述粗铝硅合金的成分进行分析得到:铝含量58wt%,硅含量40wt%,铁含量2.0wt%和余量的杂质。该杂质为钙、碳等。
(D)将粗铝硅合金经抬包转运至第一反应炉中,加入脱水干燥的氯化钠和冰晶石,在900℃条件下保温5min进行除去渣料处理;然后加入纯度为85.00%的金属锰块,采用电磁搅拌20min后获得具有分层结构的铝硅合金和锰硅铁化合物;
100g的粗铝硅合金中加入8g的氯化钠,5g的冰晶石;
所述渣料是Al2O3、SiO2、SiC、Al4C3+Al2OC;
其中锰硅铁化合物在第一反应炉的底部,铝硅合金在锰硅铁化合物的上方;
所述金属锰块的粒度小于50mm,锰的加入量是所述粗铝硅合金中铁含量的1.5倍;在此步骤中,一定纯度的锰加入,使所述粗铝硅合金中的铁和硅元素进行反应生成铁锰硅化合物。
(E)加热第二分离设备中的陶瓷过滤层至900℃;然后将(D)步骤制得的具有分层结构的铝硅合金和锰硅铁化合物放入第二分离设备的陶瓷过滤层上,调节炉内腔中气压为800Pa负压值,过滤出铝硅合金;所述陶瓷过滤层厚度为10mm,其陶瓷材料为碳化硅陶瓷材料。
将(E)步骤制得的铝硅合金采用GB/T6987.1~6987.24或GB/T7999的规定测试其组份,主要为65wt%铝,33wt%硅,0.3wt%铁,余量为杂质。
(F)将(E)步骤制得的铝硅合金放入定向结晶炉中,在温度580~600℃条件下制得共晶铝硅合金和高纯硅沉淀物;
(G)加热第三分离设备中的陶瓷过滤层至620℃;然后将(F)步骤制得的共晶铝硅合金和高纯硅沉淀物放入第三分离设备中,调节第三分离设备的炉内气压为800Pa负压值,过滤分离出共晶铝硅合金;所述陶瓷过滤层厚度为10mm,其陶瓷材料为碳化硅陶瓷材料
将(G)步骤制得的共晶铝硅合金采用GB/T6987.1~6987.24或GB/T7999的规定测试其组份,主要为88wt%铝,11.5wt%硅,余量为铁和杂质。经测试共晶铝硅合金符合国家标准GB/T 8733-2000的使用要求。
此步骤中,陶瓷过滤层上方为高纯硅沉淀物,陶瓷过滤层下方为共晶铝硅合金。
第五步:制太阳能级多晶硅
将高纯硅沉淀物放入真空蒸馏设备中,在真空度4×10-1Pa,温度1200℃的条件下,蒸馏12小时后,制得太阳级多晶硅材料。
对太阳能级多晶硅材料进行纯度分析,其纯度为99.99990%。
实施例3:
第一步:物料准备
采用破碎机将高铁铝土矿破碎至0.1~25mm粒度,制得粉碎物料;
将粉碎物料采用磨矿设备进行研磨,制得研磨粉材;
将研磨粉材采用分级机选出50~150μm粒度,制得高铁铝土矿细粉;
在本发明中,分级机未选取的研磨粉材可以继续采用磨矿设备进行研磨;
高铁铝土矿的成分为:氧化铁Fe2O3为17wt%、硅酸铁FeSiO3为5wt%、氧化铝Al2O3为60wt%、氧化硅SiO2为8wt%,余量为其它杂质。杂质中一般为碳酸盐矿物(如碳酸镁、碳酸钙和白云石)、硅酸盐矿物。
第二步:制浸出物
(A)将高铁铝土矿细粉和质量百分比浓度为10%的盐酸溶液放入搅拌设备中进行混合均匀制得矿浆;搅拌速度400转/分钟;用量:1g的高铁铝土矿细粉中加入350ml的盐酸;
(B)将矿浆加入高压釜中,在釜内压力0.4MPa、温度130℃条件下搅拌反应10min后制得浸出物;
(C)将浸出物采用自来水冲洗方式进行洗涤过滤分离,获得上层产物和下层产物;对(C)步骤制得的上层产物进行成分分析,100g的上层产物中含有75g的氧化铝Al2O3、0.5g的氧化铁Fe2O3和余量的氧化硅SiO2;
对(C)步骤制得的下层产物进行成分分析,100ml的下层产物中含有20g的氯化铁FeCl2,6.5g的氯化钙CaCl2,5g的氯化镁MgCl2;
第三步:焙烧制铁红
将下层产物放入焙烧设备中,在温度450℃下焙烧100min后,制得铁红;铁红中90wt%以上是Fe2O3,CaO为5wt%左右,少量的MgO。
下层产物在高温条件下分解为氯化氢气体、氧化铁Fe2O3、氧化镁MgO和氧化钙CaO,其化学反应为:
4FeCl2+O2+4H2O=2Fe2O3+8HCl↑;
CaCl2+H2O=CaO+2HCl↑;
MgCl2+H2O=MgO+2HCl↑;
在此步骤中,焙烧设备对下层产物进行高温处理后,采用抽排方式进行排出氯化氢气体。然后将氯化氢气体的管道与自来水管道连通,使氯化氢气体生成质量百分比浓度为10%的盐酸供搅拌设备重复使用。本发明对盐酸的循环使用,能够减少除铁作业对环境的再次污染,另一方面也降低了生产成本。
此步骤作为本发明在提取铝硅合金中的一个附属产品。
第四步:制共晶铝硅合金
(A)将上层产物、石英、还原剂、粘结剂和水加入制球设备中制得粒度为60~120mm的球团;所述还原剂是烟煤与石油焦的混合物;所述粘结剂是粘土;
用量:100g的上层产物中加入90g烟煤,30g石油焦,15g粘结剂,65g石英,25g水;
(B)将粒度为60~120mm的球团在温度200℃下干燥15min后,制得干燥球团;
(C)将干燥球团放入矿热电弧炉中,在温度2100℃下冶炼15min后,制得粗铝硅合金;
本发明人对所述粗铝硅合金的成分进行分析得到:铝含量60wt%,硅含量35wt%,铁含量1.5wt%和余量的杂质。该杂质为钙、碳等。
(D)将粗铝硅合金经抬包转运至第一反应炉中,加入脱水干燥的氯化钠和冰晶石,在950℃条件下保温15min进行除去渣料处理;然后加入纯度为90.00%的金属锰块,采用电磁搅拌25min后获得具有分层结构的铝硅合金和锰硅铁化合物;100g的粗铝硅合金中加入7g的氯化钠,1g的冰晶石;
所述渣料是Al2O3、SiO2、SiC、Al4C3+Al2OC;
其中锰硅铁化合物在第一反应炉的底部,铝硅合金在锰硅铁化合物的上方;
所述金属锰块的粒度小于50mm,锰的加入量是所述粗铝硅合金中铁含量的1.5倍;在此步骤中,一定纯度的锰加入,使所述粗铝硅合金中的铁和硅元素进行反应生成铁锰硅化合物。
(E)加热第二分离设备中的陶瓷过滤层至950℃;然后将(D)步骤制得的具有分层结构的铝硅合金和锰硅铁化合物放入第二分离设备的陶瓷过滤层上,调节第二分离设备的炉内气压为900Pa负压值,过滤出铝硅合金;所述陶瓷过滤层厚度为15mm,其陶瓷材料为硼化钛陶瓷材料。
将(E)步骤制得的铝硅合金采用GB/T6987.1~6987.24或GB/T7999的规定测试其组份,主要为57wt%铝,40wt%硅,0.2wt%铁,余量为杂质。
(F)将(E)步骤制得的铝硅合金放入定向结晶炉中,在温度580℃条件下制得共晶铝硅合金和高纯硅沉淀物;
(G)加热第三分离设备中的陶瓷过滤层至630℃;然后将(F)步骤制得的共晶铝硅合金和高纯硅沉淀物放入第三分离设备中,调节第三分离设备的炉内气压为900Pa负压值,过滤分离出共晶铝硅合金;所述陶瓷过滤层厚度为15mm,其陶瓷材料为硼化钛陶瓷材料
将(G)步骤制得的共晶铝硅合金采用GB/T6987.1~6987.24或GB/T7999的规定测试其组份,主要为84wt%铝,14wt%硅,余量为铁和杂质。经测试共晶铝硅合金符合国家标准GB/T 8733-2000的使用要求。
此步骤中,陶瓷过滤层上方为高纯硅沉淀物,陶瓷过滤层下方为共晶铝硅合金。
第五步:制太阳能级多晶硅
将高纯硅沉淀物放入真空蒸馏设备中,在真空度2×10-1Pa,温度1200℃的条件下,蒸馏16小时后,制得太阳级多晶硅材料。
对太阳能级多晶硅材料进行纯度分析,其纯度为99.99993%。