CN102308381A - 非接触性基板处理 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例提供用于在处理期间支撑、定位和/或旋转半导体基板的设备及方法。本发明的一实施例提供一种用于处理基板的方法，该方法包含：将基板定位于载座的基板接收表面上；以及藉由输送来自一个或多个旋转口的流体流以旋转该载座和该基板。

Description

非接触性基板处理
背景技术
技术领域
本发明一般涉及半导体处理领域，尤其涉及在半导体器件制造期间在处理腔室中支撑、定位或旋转一基板。
现有技术的描述
在集成电路和显示器的制造中，半导体、介电质及导电材料形成在诸如硅基板或玻璃基板的基板上。材料可藉由化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、物理气相沉积(PVD)、离子布植、等离子体或热氧化、外延生长(EPI)、及氮化工艺来形成。然后，经沉积的材料可被蚀刻以形成诸如栅极、通孔、接触孔及互连线的特征结构。在典型的沉积或蚀刻工艺中，基板在基板处理腔室内暴露于等离子体，以在基板表面上沉积或蚀刻材料。其它可在基板上执行的典型工艺可包括热处理技术，热处理技术可包括快速热处理(RTP)或激光退火工艺。
在处理期间，基板通常被固持在具有基板容纳表面的基板支撑件上。支撑件可以具有一内嵌电极，该内嵌电极在处理期间用作等离子体生成器件，和/或该内嵌电极也可被充电以静电地固持基板。支撑件也可具有一电阻式加热构件以在处理期间加热基板，和/或一水冷系统以冷却基板或冷却支撑件。
一衍生的问题是随着器件尺寸缩小，对横跨基板的变化的容限变得非常低，从而基板相对于基板支撑件、遮蔽环或其它腔室部件的对准和定位可对基板上实现的工艺结果的均匀性具有影响。
在一些情况中，处理腔室中的一个或多个区域可能无法均匀地产生等离子体(例如PECVD、PVD、EPI)、无法均匀地将热输送到基板(例如RTP、PECVD、EPI)、和/或因处理腔室中气体入口或排气口的位置方位而具有非均匀气流的区域，这些共同地产生了将基板旋转以将处理腔室的处理区域的不同区块中的非均匀性予以消除的需求。
旋转基板常常是处理腔室中非常昂贵且复杂的过程，旋转基板要求基板在次大气压下进行处理、在高温下进行处理、和/或需要一个或多个可旋转的电连接来使功率能被输送到基板支撑件中的一个或多个部件(例如加热器构件)。由于需要可靠的且不会产生颗粒的高温旋转部件(例如轴承)、精确且昂贵的马达、复杂的控制系统、可靠的旋转电连接、及可靠的旋转真空密封，一般会产生复杂性和成本。
因此，需要一种适于在基板处理期间支撑、定位、和/或旋转基板的经改善的系统，该系统不需要与基板直接接触、使用和维护的费用并不昂贵、可提供良好的工艺结果、是可靠的、并且可容易地控制。
发明内容
本发明的各个实施例提供用于处理半导体基板的设备与方法。具体而言，本发明的各个实施例提供用于在处理期间支撑、定位或旋转半导体基板的设备与方法。
本发明一实施例提供一种用于处理基板的方法，该方法包括下列步骤：将该基板定位于载座的基板接收表面上，其中该载座设置在一处理腔室的一支撑器件上方，该支撑器件包含一个或多个支撑口与一个或多个旋转口，这些支撑口与这些旋转口各自适于接收来自流量控制器的流体；藉由将流体流输送至该一个或多个支撑口将该基板升高至一处理位置，藉此浮动载座与基板；以及藉由将流体流输送至该一个或多个旋转口旋转载座与基板。
本发明的另一实施例提供一种用于处理基板的设备，该设备包含：界定一处理容积的腔室主体；贯穿腔室主体形成的第一石英窗，其中石英窗配置为从第一外部源向处理容积传送辐射能量；具有基板接收表面的载座，该基板接收表面配置成支撑基板；以及一个或多个口，这些口配置成藉由将流体流向载座的背侧传送来浮动且旋转载座。
附图简述
可藉由参考在附图中示出的本发明的实施例来更详细地描述在前面简短地概述过的本发明。但是应注意的是，附图仅示出本发明的典型实施例，因此不应视为对本发明的范围的限制，因为本发明可允许其它等效实施例。
图1A-1B示意性地示出根据本发明的一实施例的处理腔室。
图2A示意性地示出根据本发明的一实施例的基板操控组件。
图2B示意性地示出根据本发明的另一实施例的基板操控组件。
图2C示意性地示出根据本发明的一实施例的载座。
图2D示意性地示出根据本发明的另一实施例的载座。
图2E示意性地示出根据本发明的又一实施例的载座。
图2F示意性地示出图2E的载座处于一基板交换位置。
图2G示意性地示出图2E的载座处于一处理位置。
图3A为根据本发明的一实施例的基板支撑口的剖面图。
图3B为根据本发明的一实施例的基板支撑口的剖面图。
图3C为根据本发明的一实施例的基板支撑口的剖面图。
图3D为根据本发明的一实施例的基板支撑口的剖面图。
图4A-4C示意性地示出根据本发明的另一实施例的处理腔室。
图5A示意性地示出根据本发明的一实施例的载座支撑件。
图5B示意性地示出根据本发明的一实施例的载座支撑件。
图5C示意性地示出根据本发明的一实施例的辊式拉边器(edge roller)。
图6A-6B示意性地示出根据本发明的一实施例的外延处理腔室。
图7示意性地示出根据本发明的一实施例的等离子体增强化学气相沉积腔室。
为便于理解，在可能时使用相同的附图标号来表示附图中共有的相同元件。可构想一实施例的元件和/或工艺步骤可有利地并入其它实施例而不需另外地阐述。
具体实施方式
本发明一般提供用于处理基板的方法与设备。本发明一实施例提供一种用于藉由将基板定位在载座的接收表面上且使用一或多个口将流体流导向载座的背侧以操控载座，来处理基板的方法。在一实施例中，操控载座包含升高且降低载座及基板并且旋转该载座。在一实施例中，一个或多个口形成在处理腔室的石英窗中，其中该石英窗配置成向载座的背侧传送辐射能量。
本发明的方法与设备容许基板在腔室构件与基板之间有限接触的情况下进行处理，同时改善基板上的加热均匀性。藉由在处理期间使用流体流来支撑和/或旋转基板，本发明的实施例可减少基板处理设备的复杂性，因而降低了设备的原始和维护费用。藉由遮蔽基板以免受运动控制流体流影响，本发明的实施例可改善正处理基板上的加热均匀性。
本发明的实施例涉及一种用于在处理期间支撑、定位且旋转基板的方法、设备与系统。本发明的实施例也可提供一种控制基板与定位于处理腔室中的基板支撑件之间的热传递的方法。本文描述的设备与方法去除了对复杂的、昂贵的且时常是不可靠的部件的需要，其中这些部件要用来在一个或多个处理步骤期间(例如快速热处理(RTP)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、物理气相沉积(PVD)工艺、原子层沉积(ALD)工艺、湿式清洁工艺(诸如可从应用材料公司购得的TempestTM处理腔室)、干式蚀刻工艺、外延生长工艺(EPI)和/或激光退火工艺)精确地定位且旋转基板。
可使用本文所描述的方法、设备与系统来处理的基板可包括但不限于200mm、300mm或更大的单晶硅(Si)、多结晶硅(multi-crystalline silicon)、多晶硅(polycrystalline silicon)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)、玻璃、砷化镓(GaAs)、碲化镉(CdTe)、硫化镉(CdS)、硒化铜铟镓(CIGS)、硒化铜铟(CuInSe2)、磷化镓铟(GaInP2)，以及异质结胞元，诸如GaInP/GaAs/Ge或ZnSe/GaAs/Ge基板。正处理的基板可以是圆形的或任何其它希望的形状。
图1A-1B示意性地示出根据本发明的一实施例的处理腔室100。
处理腔室100包含腔室盖101、腔室壁102以及腔室底部103。腔室盖101、腔室壁102与腔室底部103界定了处理容积153。在一实施例中，狭缝阀154穿过腔室壁102来形成。狭缝阀154配置成将基板传送进出处理容积153。在一实施例中，处理腔室100还包含气体源152，该气体源152配置成将一种或多种处理气体提供至处理容积153。处理腔室100亦包含真空泵151，该真空泵151配置成抽吸该处理容积153。
处理腔室100还包含设置在处理容积153中的载座104。载座104具有配置成将基板105容纳于载座104上的基板接收表面104a。
在腔室底部103中形成一个或多个口108。该一个或多个口108连接到流体输送系统150。在一实施例中，一个或多个口108包含一个或多个支撑口与一个或多个旋转口，这些支撑口配置成升高载座104与基板105，这些旋转口配置成当载座104处于升高位置时旋转载座104与基板105。该一个或多个口108的实施例在下文关于图2A和图2B进一步描述。
在一实施例中，一个或多个口108形成在腔室底部103的石英窗中。石英窗配置成容许辐射能量传递到处理容积153。由于载座104面向石英窗，从石英窗通过的辐射能量会直接加热载座104。基板104接着经由载座104而被加热。来自一个或多个口108的流体流会影响对载座104的加热。然而，流体流对基板105的加热的影响被降低得多了。
因此，藉由在用流体流操控基板105时使用载座104，可以降低流体流对于均匀加热的影响。此外，藉由遮蔽基板免受流体流影响，基板也被遮蔽以免受颗粒污染。
在一实施例中，处理腔室100还包含三个或多个基板支撑销107，支撑销107配置成接收且支撑基板105。在一实施例中，当这三个或多个基板支撑销107不支撑基板时，这三个或多个基板支撑销107可缩回。
在一实施例中，处理腔室100包含载座定位系统106，该载座定位系统106配置成将载座104限制在一区域内，尤其是当载座104被一个或多个口108升高且旋转时。
在一实施例中，处理腔室100还包含传感器156、157，传感器156、157配置成检测载座104的位置和方位。在一实施例中，传感器156可配置成，在载座104于这三个或多个基板支撑销107上方旋转时，将载座104与这三个或多个基板支撑销107对准。传感器156也可提供有关载座104的旋转速度的信号。在一实施例中，传感器157可配置成检测是否载座104抵达期望高度、和/或载座104在水平面的位置(诸如X和Y方向)。在一实施例中，传感器157可包含一个或多个激光器、电学或光学传感器。
传感器156、157可以连接到控制器109。控制器109进一步连接到流体输送系统150。控制器109接收来自传感器156、157的信息，并且获得载座104的位置和运动。控制器109可以将控制信号发送到流体输送系统150，由此控制一个或多个口108，以相应地调整载座104的位置和运动。
图1A示出处于基板传送位置的处理腔室100。载座104停置在一个或多个口108上。这三个或多个支撑销107延伸穿过载座104，从而形成供基板105用的支撑表面。这三个或多个支撑销107处于从基板操控器(未示出)接收基板105的位置，其中基板操控器通过狭缝阀154传送基板105，或将基板105传送到基板操控器的位置。在一实施例中，这三个或多个基板支撑销107是可缩回的，并且处于延伸位置。
图1B示出处于基板处理位置的处理腔室100。在一实施例中，一个或多个口108提供流体流以从停置位置升高载座104，并且经升高的载座104从这三个或多个基板支撑销107抓取基板105。在另一实施例中，这三个或多个基板支撑销107缩回到载座104下方，并且基板105停置在载座104的接收表面104a上。在另一实施例中，藉由升高载座104、缩回这三个或多个基板支撑销107或此两者的组合，基板105从这三个或多个基板支撑销107被传送到载座104的接收表面104a。
当载座104从腔室底部103被升高且远离这些三或多个基板支撑销107时，一个或多个口108提供额外的流体流以旋转载座104与基板105。在一实施例中，载座104的高度可由来自传感器57的传感器信号来决定。在一实施例中，基板105被旋转于与狭缝阀154的高度不同的高度，以减少因狭缝阀154所造成处理容积153中的非对称性而引起的处理气体非均匀性分布。
一个或多个口108提供流体流以藉由将载座104升高到预定位置而将基板105定位于处理位置。此外，在处理期间，载座104与基板105也会旋转。在旋转期间，可以利用载座定位系统106来避免载座104偏移。
一旦处理结束，载座104与基板105的旋转停止，并且载座104在载座104与这三个或多个基板支撑销107对准后被降回停置位置。在一实施例中，可以根据来自传感器156的信号藉由旋转载座104将载座104上的标记(marker)定位于特定位置来执行对准。
藉由降低载座104、延伸这三个或多个基板支撑销107、或降低载座104及延伸这三个或多个基板支撑销107的组合，经处理的基板105再次地被这个三或多个基板支撑销107支撑。处理腔室100返回到图1A所示的基板传送位置。
图2A示意性地示出根据本发明的一实施例的基板操控组件108a。基板操控组件108a可用在图1A的处理腔室100中。基板操控组件108a包含：支撑主体155(在该支撑主体155中形成有供流体流所用的口)；以及载座104，该载座104配置成在载座104上支撑基板。在一实施例中，支撑主体155可以是腔室主体的一部分，例如处理腔室100的腔室底部103。在另一实施例中，支撑主体155可以是设置在处理腔室中的一分离结构。支撑主体155具有基本平坦的顶表面155A，该顶表面155A配置成支撑载座104。在一实施例中，载座104可以设置在顶表面155A的圆形区域104f内。
载座104设置在支撑主体155的顶表面155A上方，并且载座104可以由来自支撑主体155的流体流所升高和旋转。基板操控组件108a还包含三个或多个基板支撑销107，这些基板支撑销107从支撑主体的顶表面155延伸且配置成接收和传送基板。载座104可以具有多个穿过载座104形成的开口104b，开口104b用于容许基板支撑销107延伸。在一实施例中，载座104可以是圆形的碟盘。
基板操控组件108a还包含载座定位系统106，载座定位系统106从支撑主体155延伸且配置成将载座104限制在期望区域内。在一实施例中，载座定位系统106包含三个固持销，这些固持销从支撑主体155的顶表面155a向上延伸。
在一实施例中，支撑主体155具有八个口11A-111H，这些口在支撑主体155中形成并且在顶表面155开口。在一实施例中，这些口111A-111H具有多个定向的注射孔112和/或排气孔113，这些注射孔112和/或排气孔113用于将运动施予定位在这些口111A-111H上的物体(例如载座104)。
如图2A所示，口111A、111C、111E与111G各自的主导流动向量X1、Y1、X2与Y2适于藉由输送流体通过各口中所包含的特征结构来在X或Y方向移动载座104。举例而言，口111A适于藉由输送流体于主导流动向量X1来在+X方向移动载座104，口111C适于藉由在主导流动向量Y1输送流体来在+Y方向移动载座104，口111E适于藉由在主导流动向量X2输送流体来在-X方向移动载座104，口111G适于藉由在主导流动向量Y2输送流体来在-Y方向移动载座104。
在一实施例中，如图2A所示，口111A、111C、111E与111G各自的主导流动方向向量通过一共同点“C”，诸如基本上在基板操控组件108a的中心，因而容许载座104与设置在载座上的基板可被定位在X和Y方向，而不倾向于旋转载座104。
在一实施例中，口111B、111D、111F与111H含有特征结构，这些特征结构适于因各口中含有的特征结构的方位产生了力向量R1和R2而使载座104分别在顺时针或逆时针方向旋转。在此配置中，各个口111B、111D、111F与111H具有一主导的流动方向，该主导的流动方向正交于载座104的半径。因此，为了使载座104在顺时针方向旋转，流体流被输送到口111B与111F的特征结构；并且为了使载座104在逆时针方向旋转，流体流被输送到口111D与111H的特征结构。
图3B-3C示意性地示出口111的实施例，该口111可用作为口111A-111H。
图3B为口111的剖面图，其中口111定向成与载座104的下表面104e呈角度α，从而使载座104可依需要被支撑和移动。在一实施例中，口111含有一个或多个注射孔112与一个或多个排气孔113，这些孔定位在支撑主体115的顶表面155A上的凹部110C中。这些注射孔112和/或排气孔113有助于增加经由口111输送到基板的流体的耦合，并且因此有助于改善对载座104的移动的控制。
在一实施例中，口111具有形成在口111中一个或多个注射孔112。各个注射孔112具有汇聚段和分叉段，以在压降大于临界点时容许超音速流动的建立。相信藉由在超音速下将气体输送到载座104的下表面104e，可以透过由气流朝向低压区域流动造成摩擦而产生载座104的运动，其中低压区域藉由口输送的超音速流动来产生。由此，载座104的运动可以藉由从一个或多个策略设置的口输送超音速流动来控制。
在一实施例中，也希望使用可输送超音速流动的口与可输送亚音速流动的口，来移动和/或定位载座104。通过口输送超音速流动的一个优点即是这可容许引起方向流(即朝向低压点)，而不需要将支撑主体155中的具角度孔予以机械加工。在基板支撑件中形成具角度孔是难以在由陶瓷材料制成的支撑主体中达成的。
一个或多个排气孔113配置成捕获至少一部分的由注射孔112所注入的进入流Bi。此配置可容许由各个口111输送的流体流在需要时是独立的，藉此避免基板操控组件108a上来自口111的流与来自相隔一定距离的其它口111的流交互作用的情况发生。在一情况中，需要限制通过排气孔113的流体流，从而使一部分的进入流Bi经由排气孔113离开口111，并且一部分的进入流Bi流入在下表面W1与支撑主体155的顶表面155A之间形成的间隙114(即间隙流BG)。
在另一实施例中，期望在基板处理步骤期间的不同时间点藉由使用可控制的排气阀134A来选择性地阻止所注射的进入流Bi经由排气孔113排出。该可控制的排气阀134A可以连接到排气泵或类似型式的排气系统，且可降低压力且增加排气孔113中的流量。关闭排气孔113将使得所注射的流体在下表面104e与支撑主体155的顶表面155A之间的间隙114内(即间隙流方向BG)流动，并且因此改善载座104的支撑性。
图3C为根据本发明的另一实施例的口111的剖面图。口111具有注射孔112与排气孔113，注射孔112定向成与载座104的下表面104e成基本上正交的角度，排气孔113定向成与下表面104e成角度β。在此配置中，由进入流Bi产生的力F1主要用来支撑载座104，而排气孔113的角度方位用来提供力Fx，其中力Fx是由排出流所产生的施予载座104的力F2在流动方向B01的分量。力Fx用来在期望方向M上移动或定位载座104。
因此，藉由提供多个可选择性控制的已经在各个期望方向上绕着支撑主体155分布和/或具有期望角度(例如角度β)的排气孔，可以容易地控制载座104的移动。在此配置中，此移动可与进入流Bi的流动性质一定程度地解耦。此外，在此配置中，进入流Bi倾向于降低载座104的下表面104e接触支撑主体155的风险，以使颗粒的产生或对于载座104的下表面104e的损坏减到最少。
本领域技术人员将可了解的是，若口具有不通过载座104的重心的主导流动方向，一旋转分量和一位移分量将均被施予载座104。因此，为了获得单纯的旋转运动，这些口在X方向和Y方向的力的和必须等于零，同时使扭矩通过与载座104的重心相隔一定距离的力的施加产生。举例而言，参照图2A，若口111D与111H各自在与载座104的中心相隔距离“d”处在相对方向输送力向量R1，则施加到载座104的逆时针扭力的大小将等于约2(R1×d)。此外，由于载座104的中心一般将相对于这些口移动，控制器(例如控制器109)需要进行主动的平移和旋转校正，以确保载座104在需要时能在处理腔室中维持在期望方位和/或位置。
在一实施例中，如图2A所示，各个口111A-111H定向成当载座104停置在支撑主体155上时使得主导流动方向朝向对应于载座104的圆形区域104f的边缘。在一实施例中，载座定位系统106配置成确保载座104定位在圆形区域104f上方。
在使主导流动方向朝向圆形区域104f的边缘定向时，当载座104在支撑主体155上方大致上置中时，一般主导流动方向的径向分量可以等于零(即垂直于半径)或远离载座104的中心。已经观察到的是，藉由将主导流动方向朝向圆形区域104f的边缘定向或远离载座104的中心，这有助于减少相邻口之间由重迭各口输送的流所造成的交互作用。在一实施例中，期望错开相邻口的位置，以减少这些口之间的交互作用。
如图2A所示，基板操控组件108a亦包含形成在支撑主体155中的多个切口115。这些切口115结合感应部件(例如传感器156、157)使用，以主动地检测定位在支撑主体155上方的载座104的位置。在处理期间，可以调整来自口111A-111G的流，以主动地支撑、定位和/或旋转载座104。
在一实施例中，可以藉由使用流体输送系统和控制器(例如图1A的流体输送系统150与控制器109)中的部件来分别控制来自各个口111A-111G的流动特性(例如压力、速度)。
已经观察到载座104和基板可以轻易地被旋转到高于1000rpm的速度，同时具有小于约0.2mm的位置精确性。在一实施例中，载座以介于约1rpm与约3000rpm之间的速度旋转。在处理腔室中，可以在在载座104上的基板上执行的一个或多个处理步骤期间调整旋转速度。
为了避免支撑/旋转流体流会干扰处理气体并与处理气体混合，期望具有缓慢流动支撑/旋转流体流，由此具有缓慢的旋转速度。举例而言，当基板在低压环境下(例如在低压CVD期间)处理时，处理气体的流速一般是缓慢的。另一方面，对于经改善的处理均匀性而言期望在工艺期间具有较高的旋转速度，其中处理气流对于与支撑流混合是较不敏感的。在一实施例中，在低压处理期间，旋转速度可以是低的，这是将支撑流流量维持在低水平以使处理腔室的真空系统可维持工艺过程所需要的低压的结果。
在一实施例中，载座可以在CVD工艺期间(例如外延沉积期间)以介于约5rpm至约10rpm的速度旋转。在一实施例中，载座可以在快速热处理期间以约240rpm旋转。
图2B示意性地示出根据本发明的另一实施例的基板操控组件108b。基板操控组件108b可以在图1A的处理腔室100内使用。基板操控组件108b包含支撑主体155，在该支撑主体155中形成有供流体流所用的多个口111j；以及载座104，载座104配置成在载座104上支撑基板。在一实施例中，支撑主体155可以是腔室主体的一部分，例如处理腔室100的腔室底部103。在另一实施例中，支撑主体155可以是设置在处理腔室中的分离结构。支撑主体155具有基本上平坦的顶表面155A，顶表面155A配置成支撑载座104。在一实施例中，载座104可以设置在顶表面155A的圆形区域104f内。
这些多个注射口111j各自具有注射孔112，注射孔112用于引导从流体输送系统150传送来的流体且将运动施予载座104及设置在载座上的基板(为清晰起见未示出)。大体上，各个口111j可以位于任何期望方位。在一实施例中，如图2B所示，单个孔112适于以按倾斜孔的方位设置的方位将流体提供到载座104的下表面104e。
孔112可以具有介于约0.001英寸(0.025mm)与约0.063英寸(1.6mm)之间的直径。在一实施例中，孔112具有介于约0.001英寸与约0.032英寸之间的直径。孔可以相对于支撑主体155的顶表面155A以介于约10°与约80°的角度之间，较佳为介于约30°与60°之间的角度倾斜。
在一实施例中，阻隔特征结构158用来避免通过口输送的流体进入处理腔室的处理区域。在一实施例中，阻隔特征结构158为在支撑主体155中形成且连接到真空泵151的沟槽结构。一般而言，期望将这些口111j定位在靠近圆形区域104f的半径的中间处，以减少使离开孔112的流体可进入处理区域的机会。在一示例中，当处理300mm半导体基板时，这些口111j设置在距离配置成支撑载座104的圆形区域104f的中心约25mm与约100mm之间处。
图3A和3D示意性地示出口111的实施例，口111可用作为口111j。
如图3A所示，口111包含注射孔112，注射孔112定向成和载座104的下表面104e呈基本上正交。在此配置中，通过注射孔112的进入流Bi会撞击载座104的下表面104e，使得流体在各种方向，例如方向B01、B02上流动。当来自流体输送系统150经由注射孔112输送的进入流Bi的流量和/或压力足够高时，间隙114在载座104与支撑主体155之间形成。在一实施例中，阀132A可连接在流体输送系统150与注射孔112之间。由于注射孔112相对于下表面104e成垂直方位，进入流Bi将倾向于支撑载座104且仅在垂直方向(即Z方向)移动载座104。
图3D为口111的剖面图，其中口111定向成与载座104的下表面104e呈角度α，从而使载座104可依需要被支撑和移动。在此配置中，不需要额外的机械加工步骤来形成顶表面155A，因此降低了支撑主体155的成本和复杂性。如前所述，进入流体流定向成与载座104的下表面104e呈角度α，从而使载座104可依需要通过藉由产生主导流动向量而被支撑和移动。
可以组合使用图3A-3D中的口111的实施例，以达成期望的控制。
图2C示意性地示出根据本发明的一实施例的载座104A。载座104A具有基本上为圆形碟盘状的主体104g。接收表面104a配置成接收基板且在该接收表面104a上支撑基板。一般而言，接收表面104a会略大于所支撑的基板。圆104d示出了在接收表面104a上接收基板的区域。圆形碟盘状主体104g可以由和处理化学品相容或不起化学作用且具有期望热传导性的材料形成。在一实施例中，圆形碟盘状主体104g可以由碳化硅、石墨、石英、蓝宝石、涂覆硅的石英、涂覆碳化硅的石英、涂覆硅的石墨、涂覆碳化硅的石墨、或其它适当的材料形成。
三个或多个开口104b可以穿过圆形碟盘状主体104g形成。当在载座104A与基板支撑销之间传送基板时，这些开口104b配置成容许基板支撑销(诸如基板支撑销107)延伸穿过。为了在处理期间容许基板104A旋转，在基板被载座104A抓取后，这些基板支撑销从这些开口104b缩回。为了在处理之后使基板返回到这些基板支撑销，必须进行将基板支撑销与开口104b对准的对准。
在一实施例中，一个或多个标记104c可以在圆形碟盘状主体104g上形成，以容许跟踪载座104A在旋转期间的方位。标记104c可以由传感器(例如处理腔室100中的传感器156)来检测。在一实施例中，标记104c可以是在靠近圆形碟盘状主体104g的边缘处形成的切口。在另一实施例中，标记104c可以是能由光学传感器检测的光学发射器或反射器。标记104c也可用来检测载座104A的其它特性，例如旋转速度、高度、平坦度(leveling)、或其它特性。
图2D示意性地示出根据本发明的另一实施例的载座104B。图2D的载座104B类似于图2C的载座104A，除了开口104a是狭长形以容许增加与支撑销对准的容限之外。
图2E示意性地示出根据本发明的一实施例的载座104C。载座104C具有基本上为圆形碟盘状的主体104g。接收表面104a配置成接收基板且并在接收表面104a上支撑基板。一般而言，接收表面104a会略大于所支撑的基板。圆104d示出了在接收表面104a上接收基板的区域。圆形碟盘状主体104g可以由和处理化学品兼容或不起化学作用且具有期望热传导性的材料形成。在一实施例中，圆形碟盘状主体104g可以由碳化硅、石墨、石英、蓝宝石、涂覆硅的石英、涂覆碳化硅的石英、涂覆硅的石墨、涂覆碳化硅的石墨、或其它适当的材料形成。
三个或多个凹部104n可以在接收表面104a上形成。各个凹部104n配置成固持基板支撑销且在凹部104n中支撑基板支撑销。各个凹部104n具有底表面104j，底表面104j配置成在处理期间支撑基板支撑销。开口104i在底表面104j中穿过圆形碟盘状主体104g形成。开口104i容许基板支撑销相对于载座104C移动。
在一实施例中，载座104C具有标记104c，标记104c配置成容许载座104C在处理腔室内的对准。举例而言，传感器可以用来在旋转期间追踪标记104c，并且控制器可以将载座104C定位成使基板操控器不会与从载座104C延伸的基板支撑销撞击的方位。
图2F示意性地示出图2E图的载座104C处于一基板交换位置。图2G示意性地示出图2E的载座104C处于一处理位置。三个或多个基板支撑销107a设置在三个或多个凹部104n中。各个基板支撑销107a具有一头部107b，头部107b容许当载座104C被升高时可使基板支撑销107a停置在凹部104n的底表面104j上。如图2G所示，当载座104C被升高和/或被一个或多个口108旋转时，这些基板支撑销107a维持在载座104C中。此配置具有一些优点。第一，当基板支撑销107a总是维持在凹部104n时，可免除载座104C与基板支撑销107a之间的精密对准。第二，基板支撑销107a的头部107b在处理期间会“填塞”凹部104n，因此可改善基板支撑表面104a的热均匀性。
如图2G所示，基板支撑销107a下落在凹部107h中，并且在处理期间维持在载座104C中。基板支撑销107a相对于载座104C移动，从而使基板支撑销可升高至载座104C的基板支撑表面104a之上，因而将基板105升离载座104C。基板操控器(例如机械手臂)接着可抵达基板105与载座104C之间，以从基板支撑销107a抓取基板105。同样地，机械手臂可将新基板放下到基板支撑销107a上。基板支撑销107a与载座104C的相对运动可以藉由在腔室中垂直地移动该载座104C(这是使用分离机构以升高或降低这些基板支撑销107a)或者载座104C和基板支撑销107a的运动组合来实现。
图4A-4C示意性地示出根据本发明的另一实施例的处理腔室200。处理腔室200包含载座支撑件260，载座支撑件260可移动地设置在处理容积253中。在一实施例中，载座260可以在处理容积253中垂直地移动，这提供了载座204的额外移动性且提供了额外工艺弹性。
处理腔室200包含腔室盖201、腔室壁202与腔室底部203。腔室盖201、腔室壁202与腔室底部203界定了处理容积253。在一实施例中，狭缝阀254穿过腔室壁202来形成。狭缝阀254配置成将基板传送进出处理容积253。在一实施例中，处理腔室200还包含气体源252，气体源252配置成将一种或多种处理气体提供至处理容积253。处理腔室200亦包含真空系统251，真空系统251配置成抽吸处理容积253。
载座支撑件260设置在处理容积253中，并且配置成支撑且定位载座204和基板205。一个或多个口208在载座支撑件260中形成。该一个或多个口208连接到流体输送系统250。在一实施例中，一个或多个口208包含一个或多个支撑口，这些支撑口配置成升高载座204与基板205。在另一实施例中，一个或多个口208亦包含一个或多个旋转口，这些旋转口配置成当载座204处于升高位置时旋转载座204与基板205。在又一实施例中，旋转载座204可以藉由多个载座辊式拉边器206来执行。一个或多个口208的实施例进一步在涉及图2A和2B的上文中描述。
在一实施例中，腔室底部203包含石英窗，石英窗配置成容许辐射能量通过且加热载座204和基板205。载座支撑件260可以具有环形的形状，以暴露石英窗。
在一实施例中，处理腔室200还包含升降机构261，升降机构261配置成垂直地移动载座支撑件260。
在一实施例中，处理腔室200包含多个载座辊式拉边器206。在一实施例中，这些载座辊式拉边器206配置成将载座204限制在一区域内，尤其是当载座204被一个或多个口208升高且旋转时。在另一实施例中，这些载座辊式拉边器206配置成当载座204被一个或多个口208升高时使载座204绕着载座的中心轴旋转。在一实施例中，载座定位系统206可以延伸到腔室底部203。在另一实施例中，这些载座辊式拉边器206可从载座支撑件260延伸。
处理腔室200还包含三个或多个基板支撑销207，基板支撑销207配置成接收且支撑基板205。在一实施例中，当这三个或多个基板支撑销207不支撑基板时，这三个或多个基板支撑销207可缩回。
在一实施例中，处理腔室200还包含传感器组件256，传感器组件256配置成检测载座204的位置和方位。在一实施例中，传感器组件256可连接到控制器209。控制器209进一步连接到流体输送系统250。控制器209接收来自传感器组件256的信息，并且获得载座204的位置和运动。控制器209可以将控制信号传送到流体输送系统250，由此控制一个或多个口108，以藉此调整载座204的位置和运动。
图4A示出处于基板传送位置的处理腔室200。载座204停置在载座支撑件260上。三个或多个基板支撑销207延伸穿过载座204，形成了供基板205用的支撑表面。这三个或多个基板支撑销207处于接收来自基板操控器(未示出)的基板205的位置(其中基板操控器将基板205传送通过狭缝阀254)，或将基板205传送到基板操控器的位置。
图4B示出处于低基板处理位置的处理腔室200。载座支撑件260处于下降位置。在一实施例中，一个或多个口208提供流体流以从停置位置升高载座204，并且经升高的载座204从这三个或多个基板支撑销207抓取基板205。
图4C示出处于高基板处理位置的处理腔室200。载座支撑件260由升降机构261来升高。处理腔室200可以处理处于图4B的低位置与图4C的高位置之间任何位置处的基板205，藉此提供处理的弹性。
图5A示意性地示出根据本发明的一实施例的载座支撑件300。载座支撑件300包含主体301，多个空气轴承辊式拉边器304可以在主体301上延伸。在一实施例中，主体301为环状环，并且可以包括多个孔303以用于容许气体流经这些孔而升高载座与设置在载座上的基板。这些孔303可以连接到流体源310。也可以设置多个用于在载座与主体301之间提供真空的孔302。这些孔302可以连接到真空泵308。
在一实施例中，能够以同心圆形式来配置这些孔302、303，使得主体301中具有三个穿孔圆。在一实施例中，外部穿孔圆305可适于提供真空，中间穿孔圆306可适于提供气体，及内部穿孔圆307可提供真空。可以设想出任何数量的此种穿孔圆以及真空和气体适用的孔配置。孔302、303可以具有介于约1/2000英寸与约1/16英寸之间的直径，较佳为具有介于约1/1000英寸与约1/32英寸之间的直径。
主体301可以由适当的材料来制成，其中该材料能减少载座的潜在的刮伤、化学或实体污染和/或损坏，例如不锈钢、铝、金属合金、陶瓷、或高温聚合物。
图5C示出辊式拉边器306的一实施例。辊式拉边器306适于定位且旋转载座204与基板205。辊式拉边器306可以停置在主体301上而处于沟槽317中，并且可以由可减少载座与基板表面的潜在的刮伤化学或实体污染和/或损坏的材料来制成，例如高温聚合物、碳化硅、石墨或铝。
浮动套管331环绕各个辊式拉边器306。浮动套管331配置成接触载座204且旋转载座204。浮动套管331可以具有介于约5mm与约150mm之间的外径。在一实施例中，浮动套管331的外径可以介于约20mm与约50mm之间。在一实施例中，浮动套管331可以由低质量密度材料来制成，例如蓝宝石或石英。多个气流通道334可以均匀地间隔且适于使气体流动以升高浮动套管331，从而使浮动套管331能够自由地旋转而具有最少摩擦。
图5B示意性地示出根据本发明的另一实施例的载座支撑件400。载座支撑件400包含主体401，多个辊式拉边器406设置在该主体401上。在一实施例中，这些辊式拉边器406连接到流体源416。在一实施例中，主体401具有环形形状，并且具有一个或多个形成在上表面401a上的环形沟槽。
在一实施例中，主体401具有用来使气体流过以升高载座的环形沟槽425以及用来排空的环形沟渠423、427。在一实施例中，沟槽423、425、427能够以同心圆形式来配置。在一实施例中，外部环形沟槽423可以连接到真空泵413且适于提供一排空区域，中间环形沟槽425可以连接到流体源415且适于提供流体流，并且内部环形沟槽427可以连接到真空泵417且适于提供一排空区域。可以设想出任何数量的沟槽以及真空和气体适用的沟槽配置。
这些环形沟槽423、425、427配置成升高载座，并且这些辊式拉边器406配置成当载座被升高时旋转载座。在一实施例中，辊式拉边器406可由气流驱动且具有和图5C的辊式拉边器506类似的结构。
再参照图4A，处理腔室200可以藉由配置不同的气体分配组件和/或加热源而适用作为各种处理腔室。处理腔室200可以用在诸如化学气相沉积腔室、快速热处理腔室、外延处理腔室、及任何其它期望处理气体均匀性和/或加热均匀性的腔室的腔室。
图6A-6B示意性地示出根据本发明的一实施例的外延处理腔室500。一般而言，外延处理腔室用来藉由外延生长在基板上形成薄膜。在外延处理期间，通常希望将基板加热到高温。随着器件的关键尺寸(critical dimension)变得更小，在外延处理期间可均匀地加热基板变得更加重要。外延处理腔室500包含载座支撑件560，载座支撑件560配置成在处理期间便于基板的均匀加热。
外延处理腔室500包含腔室盖501、腔室壁502与腔室底部503。腔室盖501、腔室壁502与腔室底部503界定了处理容积553。在一实施例中，狭缝阀554穿过腔室壁502来形成。狭缝阀554配置成将基板传送进出处理容积553。
外延处理腔室500还包含上内衬521与下内衬522，该上内衬521与下内衬522沿着侧壁502设置在处理容积553中。用来提供一种或多种处理气体的气体源552经由注射挡件523流体连接到处理容积553，其中注射挡件523设置在上内衬521与下内衬522之间。外延处理腔室500还包含真空系统551，真空系统551配置成抽吸处理容积553。在一实施例中，注射挡件523被定位成在与狭缝阀554不同的高度注射处理气体，以减少因狭缝阀554所造成的非对称性而引起的非均匀性。
在一实施例中，腔室盖501包含石英窗524。辐射能量源525设置在腔室盖501上方。石英窗524容许来自辐射能量源525的辐射能量进入处理容积553。来自辐射能量源525的辐射能量可用来加热正在处理的基板505和/或使处理容积553中的处理化学物破裂。辐射能量源525可以是红外线灯组件、UV灯组件、激光源、或任何适当的能量源。
在一实施例中，腔室底部503包含石英窗526。辐射能量源527设置在腔室底部503下方且配置成经由石英窗526将辐射能量导向处理容积553。辐射能量源527可以是红外线灯组件、UV灯组件、激光源、或任何适当的能量源。
外延处理腔室500还包含载座504，载座504设置在处理容积553中。载座504具有基板接收表面504a，该基板接收表面504a配置成在该基板上接收表面504a上接收基板505。
载座支撑件560设置在处理容积553中，并且配置成支撑且定位载座504和基板505。一个或多个口508在载座支撑件560中形成。该一个或多个口508连接到流体输送系统550。在一实施例中，一个或多个口508包含一个或多个支撑口，这些支撑口配置成升高载座504与基板505。在另一实施例中，一个或多个口508亦包含一个或多个旋转口，这些旋转口配置成当载座504处于升高位置时旋转载座504与基板505。在又一实施例中，旋转载座504可以藉由多个载座辊式拉边器506来执行。载座支撑件560可以具有环形的形状，以暴露石英窗526且容许载座504被辐射能量源527加热。在一实施例中，外延处理腔室500还包含升降机构561，升降机构561配置成垂直地移动载座支撑件560。载座支撑件560可以类似于图5A和5B的载座支撑件300、400。
在一实施例中，外延处理腔室500包含多个载座辊式拉边器506。在一实施例中，这些载座辊式拉边器506配置成将载座504限制在一区域内，尤其是当载座504被一个或多个口508升高且旋转时。在另一实施例中，这些载座辊式拉边器506配置成当载座504被一个或多个口508升高时使载座504绕着载座的中心轴旋转。在一实施例中，载座定位系统506可以延伸到腔室底部503。在另一实施例中，这些载座辊式拉边器506可从载座支撑件560延伸。载座辊式拉边器506可以类似于图5C的辊式拉边器306。
外延处理腔室500还包含三个或多个基板支撑销507，基板支撑销507配置成接收且支撑基板505。在一实施例中，当这三个或多个基板支撑销507不支撑基板时，这三个或多个基板支撑销507可缩回。
在一实施例中，外延处理腔室500还包含传感器组件556，传感器组件556配置成检测载座504的位置和方位。传感器组件556可连接到控制器509。控制器509进一步连接到流体输送系统550。控制器509接收来自传感器组件556的信息，并且获得载座504的位置和运动。控制器509可以将控制信号传送到流体输送系统550，由此控制一个或多个口208，以藉此调整载座504的位置和运动。
图6A示出处于基板传送位置的外延处理腔室500。载座504停置在载座支撑件560上。三个或多个基板支撑销507延伸穿过载座504，形成了供基板505用的支撑表面。这三个或多个基板支撑销507处于接收来自基板操控器(未示出)的基板505的位置(其中基板操控器将基板505传送通过狭缝阀554)，或将基板505传送到基板操控器的位置。
图6B示出处于低基板处理位置的外延处理腔室500。载座支撑件560处于上升位置。在一实施例中，一个或多个口508提供流体流以从停置位置升高载座504，并且经升高的载座504从这三个或多个基板支撑销507抓取基板505。
图7示意性地示出根据本发明的一实施例的等离子体增强化学气相沉积腔室1400。在一特定实施例中，此设备可以是低压化学气相沉积(LPCVD)腔室。所示出的LPCVD腔室1400一般是由可将腔室压力维持在介于约200Torr与约350Torr之间及将沉积腔室温度维持在介于约600℃与约800℃之间的材料构成。为了说明目的，该LPCVD腔室1400可以具有约5-6公升的腔室容积。图7输出腔室主体1445的内部处于“基板-处理”位置。在一实施例中，LPCVD腔室1400适于处理单一基板，并且LPCVD腔室1400的尺寸可容纳直径大于约200mm的基板。
腔室主体1445界定反应腔室1490，在反应腔室1490中一种或多种处理气体发生热分解以在基板W上形成CVD沉积膜(例如多晶硅膜)。在一实施例中，LPCVD腔室1400可以是“冷壁”反应腔室，该腔室1400由铝材料形成且形成有多个冷却通道。反应腔室1490内设置有载座支撑件1405，载座支撑件1405可以含有由轴1465支撑的电阻式加热器1480。载座支撑件1405配置成藉由流体流来支撑载座1499。如图7所示，在处理期间，间隙1489在载座1499与载座支撑件1405之间形成。载座1499具有足以接收基板(例如基板W)的基板接收表面1499a。
图7亦示出加热器1480的一部分的剖面，包括载座支撑件1405的主体的剖面与轴1465的剖面。如图所示，载座支撑件1405的主体可以形成有两个加热构件，例如第一加热构件1450与第二加热构件1457，这些加热构件和用来形成载座支撑件1405的材料相容。在一替代性实施例中，LPCVD腔室1400可以具有多个灯，而非电阻式加热构件1450和1457。
LPCVD腔室1400容许对沉积环境的温度与压力的精确控制。处理气体通过阻隔板1424和穿孔面板1425提供了朝向载座1499和基板W的均匀气体分配的优点。适当的反应腔室1490的材料应该要和处理气体及其它化学物(例如可被导入至反应腔室1490中的清洁化学物(诸如三氟化氮NF3))相容。
加热器1480的暴露表面可以包含各种材料，只要这些材料可和处理气体兼容。举例而言，加热器1480的载座支撑件1405与轴1465可以包含类似的氮化铝材料。在一实施例中，加热器1480的载座支撑件1405可以藉由扩散接合(diffusion bonding)或铜焊(brazing)耦接到轴1465，这是因为此种形式的耦接可以耐受反应腔室1490的环境。
在处理期间，处理气体可以经由气体分配口1420进入密封的反应腔室1490，其中该气体分配口1420处于腔室主体1445的腔室盖1430的顶表面中。处理气体可以接着通过阻隔板1424来将气体分配于和基板W的表面区域一致的一区域中。然后，处理气体可以分配通过穿孔面板1425，其中该穿孔面板1425在反应腔室内1490设置在加热器1480上方且耦接到腔室盖1430。在一实施例中，阻隔板1424和面板1425的组合产生了处理气体靠近基板W的顶表面处的均匀分布。
如图7所示，基板W和载座1499可以经由入口口1440被放置在反应腔室1490中加热器1480的载座支撑件1405上，其中入口口1440处于腔室主体1445的侧部中。为了容纳基板以进行处理，加热器1480被降低，从而使载座支撑件1405的表面低于入口1440。
在一实施例中，如图7所示，载座支撑件1405包含有上文讨论的载座支撑组件108的部件。在此配置中，载座支撑件1405适于支撑、定位和/或旋转载座1499和设置在载座1499上的基板W。
加热器1480含有多个口1411，这些口1411和流体输送系统1412流体连通，流体输送系统1412与感应组件1423及控制器1470的组合可以在处理期间定位和/或旋转基板。
在一实施例中，在执行于基板的处理步骤期间，利用这些口1411，基板以介于约100rpm与约3000rpm之间的速度旋转。藉由用载座1499来遮蔽基板W且旋转基板，可以获得均匀的热分布。
此外，由于载座支撑件1405部件和其它部件不需要被旋转，可以显著地降低硬件复杂性且显著地增加腔室可靠度。相较于载座支撑件1405或其它相关部件必须被旋转的配置，复杂性和可靠度改善，对于在高温(例如＞500℃)真空环境执行处理且载座支撑件1405也必须被垂直地移动的配置尤其如此。
在一实施例中，处于腔室盖1430内的感应组件1423设置成且配置成能监视载座1499和/或基板W的位置。在一实施例中，感应组件1423含有传感器1422，传感器1422被配置成能观察到载座支撑件1405上方的载座1499的边缘，使得系统控制器1470可以藉由使用经过口411输送的流体来控制基板的位置和移动。在一实施例中，一个或多个窗1493密封地安装到腔室盖1430中的部件(例如阻隔板1424和穿孔面板1425)，以提供光学路径而容许一个或多个传感器(例如反向反射型传感器)能观察且监视基板的运动。
在一实施例中，可以藉由例如传送叶片或机械手臂传送装置(未示出)将基板W加载到反应腔室1490内的载座1499的顶表面上。一旦基板W被加载，入口1440被密封，并且加热器1480藉由升降器件1460(升降器件1460可包括例如步进马达)向上朝面板1425移动。可以提供流体流到口1411，使得载座1499从载座支撑件1405升起且同时旋转载座1499。在图7的基板-处理位置，反应腔室1490被分隔成两个区块，即处于载座支撑件1405的顶表面上方的第一区块1402以及处于载座支撑件1405的底表面下方的第二区块1405。
当基板W设置在反应腔室1490内时，第一区块1402包括处于基板W上方的区域1488，其中膜在基板W的顶表面上形成(例如多晶硅膜在基板表面上面向穿孔面板1425形成)。
在气体盘的控制下流入反应腔室1490内的处理气体可以被热分解，以在基板上形成膜。同时，惰性底部-净化气体(例如氮)可以被导入第二区块1404内以抑制在第二区块内的膜形成。在一实施例中，压力控制器(baratron pressureregulator)将第一区块1402中的压力维持于介于约200Torr与约350Torr之间的一水平及将温度维持于介于约600℃与800℃之间，以在基板W上沉积多晶硅膜。
残余的处理气体可以经由泵送板1485被抽吸至反应腔室1490外至处于腔室主体1445的一侧处的收集容器。设置在反应腔室1490外的泵1432可以将真空压力提供至抽吸通道1441内，以将处理气体和净化气体抽离反应腔室1490到泵1432。较佳地，控制器或处理器(未示出)接收来自压力传感器的信号，以藉由控制泵1432的流速而容许腔室压力可被调整且维持在期望压力。
一旦完成了基板W的处理，可以使用惰性气体(例如氮)来净化反应腔室1490。在处理且净化后，可以在将载座1499和升降销1499对准之后停止载座1499的旋转。然后，加热器1480被升降组件1460降低。随着加热器1480移动，延伸穿过载座支撑件1405的表面中的开口的升降销1495会接触升降板1475，其中升降板1475设置在反应腔室1490的基部处。当加热器1480藉由升降器件1460而持续地向下移动时，升降销1495维持静止且最后会延伸到载座支撑件1405上方，以将经处理的基板W与载座1499的表面分离。载座1499的顶表面1499a因而被移动到了低于入口1440的位置。
一旦将经处理的基板W与载座1499的表面分离，机械手臂机构的传送叶片可以移动通过入口口1440到升降销1495(升降销1495支撑基板W)的顶端的下方。其次，升降器件1460进一步地将加热器1480与升降板1475向下移动到“基板加载”位置。接着，经处理的基板W可以经由入口1440被取回且传送到下一个处理站。第二基板(未示出)可以进而被加载到反应腔室1490内以进行处理。然后，可以逆向执行前述的步骤，以将新基板W传送到处理位置。
尽管前述说明涉及本发明的较佳实施例，可以在不脱离本发明的基本范围的情况下设想出本发明的其它和进一步实施例。本发明的范围由所附权利要求所决定。

Claims (15)

1.一种用于处理基板的方法，包含：
将基板定位于载座的基板接收表面上，其中所述载座设置在处理腔室的支撑组件上方，该支撑组件包含一个或多个支撑口与一个或多个旋转口，这些支撑口与旋转口各自适于接收来自流量控制器的流体；
藉由将流体流输送至该一个或多个支撑口以将该基板升高至一处理位置，来浮动载座与基板；以及
藉由将流体流输送至该一个或多个旋转口来旋转载座与基板。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包含从和基板接收表面相反的方向加热载座。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，加热载座包含将辐射能量传送通过处理腔室的石英窗，并且一个或多个支撑口和一个或多个旋转口在所述石英窗中形成。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将基板定位于载座上包含：
藉由延伸三个或多个基板支撑销使这三个或多个基板支撑销通过贯穿该载座形成的多个开口，以使用这三个或多个基板支撑销来接收基板；以及
藉由下降这三个或多个基板支撑销来将基板传送至载座。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包含：
藉由控制流到一个或多个旋转口的流体的流量，将载座中的这些开口与三个或多个基板支撑销对准；以及
终止流体向一个或多个旋转口的流动，以停止载座的旋转；
藉由控制流到一个或多个支撑口的流体的流量，下降载座；以及
将基板从载座传送至这三个或多个基板支撑销。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，将基板升高至一处理位置还包含升高支撑组件。
7.一种用于处理基板的设备，包含：
界定一处理容积的腔室主体；
贯穿腔室主体形成的第一石英窗，其中所述第一石英窗配置成使得第一外部源可通过第一石英窗将辐射能量传送至处理容积；
具有基板接收表面的载座，所述基板接收表面配置成支撑基板；以及
配置成藉由将流体流导向载座的背侧来浮动且旋转载座的一个或多个口。
8.如权利要求7所述的设备，其特征在于，所述一个或多个口贯穿第一石英窗而形成，并且所述一个或多个口包含：
一个或多个支撑口，各支撑口配置成引导流体流以升高或降低载座；以及
一个或多个旋转口，各旋转口配置成引导流体流以旋转载座。
9.如权利要求8所述的设备，其特征在于，所述设备还包含配置成在载座旋转时将载座固持在一区块内的载座定位系统。
10.如权利要求9所述的设备，其特征在于，所述设备还包含设置在处理容积中的支撑组件，其中所述支撑组件配置成支撑且旋转载座，并且所述一个或多个口在支撑组件中形成。
11.如权利要求10所述的设备，其特征在于，所述设备还包含配置成升高或降低支撑组件的支撑件升降器件。
12.如权利要求9所述的设备，其特征在于，所述设备还包含配置成接收基板且将基板传送至载座的三个或多个基板支撑销，并且载座具有穿过载座形成的三个或多个开口，这三个或多个开口配置成容许这三个或多个基板支撑销与载座之间的相对运动。
13.如权利要求12所述的设备，其特征在于，这三个或多个开口各自在一凹部的底表面上形成，凹部在载座的基板接收表面中形成，并且凹部的底表面配置成当基板停置在基板接收表面上时能支撑一基板支撑销的头部。
14.如权利要求9所述的设备，其特征在于，所述腔室主体具有穿过一侧壁形成的狭缝阀，所述狭缝阀配置成容许基板通过且可使载座处于接收基板的接收位置，并且所述设备还包含一升降机构，所述升降机构配置成在接收位置与处理位置之间移动载座而使载座和狭缝阀的高度不同。
15.如权利要求8所述的设备，其特征在于，所述设备还包含在腔室主体上形成的第二石英窗，其中载座的基板接收表面面向第二石英窗且载座的背侧面向第一石英窗，并且第二石英窗配置成将能量从第二外部热源传送至处理容积。
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