CN115064471A - 晶圆的热处理装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种晶圆的热处理装置。其中，晶圆的热处理装置包括：腔体、托盘、微波发生器、第一泵体和加热部；腔体具有第一侧壁、第二侧壁、顶面和底面，第一侧壁开设第一开口，第二侧壁开设第二开口；托盘设置在腔体的腔室内；微波发生器与第一开口连接；第一泵体与第二开口连接；加热部包括加热灯和石英板，顶面和底面均设置加热灯，石英板与加热灯连接，石英板形成有第一透光区，第一透光区的外围形成第二透光区，第一透光区的透光率大于第二透光区。根据本公开的技术，能够实现对晶圆的双面辐射加热，有效避免了图形效应，优化晶圆应力。同时，石英板不同透光率的透光区的配合，可以实现对晶圆的高效率、高均匀性的加热。

Description

晶圆的热处理装置

技术领域

本公开涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种晶圆的热处理装置。

背景技术

快速热处理(RTP，rapid thermal processing)是晶圆加工时通常会用到的一种加工工艺。快速热处理是一种升温速度非常快的，保温时间很短的热处理方式。升温速率能达到10～100摄氏度每秒，可以用于离子注入后的杂质快速激活、快速热氧化等。此方法能大量节省热处理时间和降低生产成本，是热处理上的一次革新。

发明内容

根据本公开的一方面，提供了一种晶圆的热处理装置，包括：

腔体，具有沿水平方向相对设置的第一侧壁和第二侧壁，以及沿竖直方向相对设置的顶面和底面，第一侧壁开设第一开口，第二侧壁开设第二开口；

托盘，设置在腔体的腔室内，托盘的第一端面用于支撑晶圆；

微波发生器，与第一开口连接，用于向腔室输送等离子体；

第一泵体，与第二开口连接；

加热部，包括加热灯和石英板，顶面和底面均设置有加热灯，石英板与加热灯朝向腔室内部的一侧端面连接，石英板形成有第一透光区，第一透光区的外围形成第二透光区，第一透光区的透光率大于第二透光区的透光率，第一透光区的设置位置与晶圆的端面对应。

在一种实施方式中，石英板的第二透光区的外围形成第三透光区，第二透光区的透光率大于第三透光区的透光率；其中，第一透光区对应晶圆设置且与晶圆的形状适配，第二透光区对应腔室设置且与腔室的形状适配。

在一种实施方式中，加热灯包括多个第一加热管和多个第二加热管，多个第一加热管沿第一方向间隔设置在支架上，多个第二加热管沿第二方向间隔设置在支架上；其中，第一方向与第二方向垂直。

在一种实施方式中，加热灯通过支架与腔体连接，支架上开设有透气孔。

在一种实施方式中，腔体还开设有进气口和出气口，进气口对应加热灯背离腔室内部的一侧端面设置，出气口通过管路与第二泵体连接，第二泵体用于将进气口输入的气体经由透气孔后从出气口吸出。

在一种实施方式中，进气口中设置有过滤器。

在一种实施方式中，晶圆的热处理装置还包括：

匀流器，具有进气端和出气端，进气端与微波发生器连接，出气端朝向托盘的第一端面设置，且出气端的设置位置与晶圆对应。

在一种实施方式中，出气端开设有多个第一气孔，出气端的外部罩设有罩体，罩体开设有多个第二气孔；其中，靠近第二开口一侧的多个第一气孔的孔径小于靠近第一开口一侧的多个第一气孔的孔径；靠近第二开口一侧的多个第二气孔的孔径小于靠近第一开口一侧的多个第二气孔的孔径。

在一种实施方式中，出气端由环形侧壁和端盖组成，环形侧壁的第一端与出气端连接，环形侧壁的第二端与端盖连接，环形侧壁的第二端开设有多个第三气孔，端盖开设有多个第四气孔；其中，靠近第二开口一侧的多个第三气孔的孔径小于靠近第一开口一侧的多个第三气孔的孔径；靠近第二开口一侧的多个第四气孔的孔径小于靠近第一开口一侧的多个第四气孔的孔径。

在一种实施方式中，晶圆的热处理装置还包括：

加热环，设置在托盘的第一端面的上方，加热环用于加热晶圆的外缘；加热环由多个弧形的加热片拼接而成；和/或

气浮旋转机构，设置在腔室内，且与托盘的第二端面对应设置；气浮旋转机构具有多个喷嘴，多个喷嘴与供气管路连接，多个喷嘴用于驱动托盘悬浮并旋转。

在一种实施方式中，晶圆的热处理装置还包括：

传感器，与腔体连接；以及

石英板上设置有检测窗，检测窗与传感器的检测端对应设置。

根据本公开的技术，能够实现对晶圆的双面辐射加热，有效避免了图形效应，优化晶圆应力。同时，石英板不同透光率的透光区的配合，可以实现对晶圆的高效率、高均匀性的加热。

应当理解，发明内容部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键或重要特征，亦非用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的描述变得容易理解。

附图说明

结合附图并参考以下详细说明，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的元素，其中：

图1示出根据本公开实施例的晶圆的热处理装置的结构示意图；

图2示出根据本公开另一实施例的晶圆的热处理装置的俯视结构示意图；

图3示出根据本公开实施例的石英板的结构示意图；

图4示出根据本公开另一实施例的石英板的结构示意图；

图5示出根据本公开实施例的加热灯的结构示意图；

图6示出根据本公开另一实施例的晶圆的热处理装置的结构示意图；

图7示出根据本公开另一实施例的晶圆的热处理装置的结构示意图；

图8示出根据本公开实施例的匀流器的结构示意图；

图9示出根据本公开实施例的罩体的仰视结构示意图；

图10示出根据本公开另一实施例的匀流器的结构示意图；

图11示出根据本公开实施例的加热环的结构示意图；

图12示出根据本公开另一实施例的石英板的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本公开的示范性实施例做出说明，其中包括本公开实施例的各种细节以助于理解，应当将它们认为仅仅是示范性的。因此，本领域普通技术人员应当认识到，可以对这里描述的实施例做出各种改变和修改，而不会背离本公开的范围和精神。同样，为了清楚和简明，以下的描述中省略了对公知功能和结构的描述。

如图1、图2所示，本公开实施例提供了一种晶圆的热处理装置，包括：腔体7、托盘11、微波发生器6、第一泵体1和加热部。

腔体7具有沿水平方向相对设置的第一侧壁73和第二侧壁74，以及具有沿竖直方向相对设置的顶面75和底面76。第一侧壁73上开设有第一开口71，第二侧壁74上开设有第二开口72，第一开口71和第二开口72与腔体7内部的腔室21连通。

托盘11可转动地设置在腔室21内，托盘11的第一端面用于支撑晶圆9。

微波发生器6与第一开口71连接，用于向腔室21输送等离子体。

第一泵体1与第二开口72连接，用于将腔室21内部抽至真空状态，以及在进行热处理工艺的过程中抽吸腔室21内的气体。

加热部包括加热灯2和石英板3。顶面75和底面76均设置有加热灯2，石英板3与加热灯2朝向腔室21内部的一侧端面连接，托盘11位于顶面75和底面76之间，顶面75连接的加热灯2用于对晶圆9的上表面加热，底面76连接的加热灯2用于对晶圆9的下表面加热。

石英板3形成有第一透光区31和第二透光区32(如图3和图4所示)。第二透光区32形成于第一透光区31的外围。第一透光区31的透光率大于第二透光区32的透光率，第一透光区31的设置位置与晶圆9的上下表面对应。

需要说明的是，定义本公开各实施例中所述的水平方向为图1中的晶圆的热处理装置由左到右的方向。所述的竖直方向为图1中由上到下的方向。

腔体7的形状、材质和尺寸，可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定。只要能够满足待加工晶圆9的热处理需求即可。腔室21的内部构造和尺寸也可以根据待加工晶圆9的需求进行选择和调整，只要能够满足将晶圆9放入并进行热处理即可。

第一开口71和第二开口72的口径大小、形状，可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定。第一开口71与第二开口72的位置大体上处于同一水平线即可，第一开口71和第二开口72口径大小不一致时，两个的位置可以在水平方向存在一定的偏差。

托盘11支撑晶圆9，可以理解为晶圆9直接放置在托盘11的第一端面上，也可以理解为托盘11上设置有多个顶针，通过多个顶针将晶圆9支撑于托盘11的第一端面的上方。

微波发生器6可以采用现有技术中的任意微波发生装置，在此不做具体限定。微波发生器6只要能够实现将输入其内部的工艺气体电离，产生氧自由基(等离子体)输入到腔室21中参与热处理工艺反应即可。例如，微波发生器6可以采用远程等离子体(RPS，RemotePlasma Source)发生器。

第一泵体1可以采用现有技术中的任意泵结构，在此不做具体限定，只要能够实现抽吸腔室21内的气体，以及能够实现将腔室21内部形成低压的真空环境即可。例如，第一泵体1可以采用干泵或真空泵。

加热灯2可以采用任意的加热结构，只要能够实现对晶圆9加热即可。为了保证腔室21内的工艺加工过程的稳定性，可以利用加热灯2控制腔室21内的温度。例如将腔室21内的温度控制在600℃～900℃。

在利用本公开实施例的晶圆9的热处理装置对晶圆9进行工艺加工时，微波发生器6、第一泵体1、加热部、托盘11可以同时工作。具体的，托盘11带动晶圆9转动，加热部对晶圆9进行加热，同时微波发生器6通过第一开口71向腔室21内输送等离子体、第一泵体1将腔室21内的气体通过第二开口72抽出。在微波发生器6、第一泵体1、加热部、托盘11的同时作用下，实现晶圆9的热处理加工工艺。

根据本公开的技术，在低压环境中，通过微波发生器6向腔室21内输送等离子体、第一泵体1抽取腔室21内的气体，可以实现在晶圆9的上、下表面形成沿水平方向流动的气流。与此同时，通过在腔体7的顶面75和底面76分别设置加热灯2和石英板3，能够实现对晶圆9的双面辐射加热，有效避免了图形效应，优化晶圆9应力。以及，石英板3上不同透光率的透光区的配合，可以实现对晶圆9的高效率、高均匀性的加热。本公开实施例的方案，可以保证晶圆9的热处理工艺的质量和稳定性，使得晶圆9的孔洞生长高质量的二氧化硅薄膜，以及满足高深宽比孔洞侧壁二氧化硅薄膜的阶梯覆盖率。从而可以满足3D NAND产品工艺对二氧化硅薄膜的需求，提升晶圆9升温速度和设备工艺效率。

在一个示例中，等离子体包括氢氧自由基的氧等离子体。

在一个示例中，如图1所示，加热灯2包括第一加热灯23和第二加热灯24。石英板3包括第一石英板33和第二石英板34。第一加热灯23与顶面75连接，第二加热灯24与底面76连接。托盘11位于第一加热灯23和第二加热灯24之间，第一加热灯23和第二加热灯24用于对晶圆9的上下表面进行加热。第一加热灯23朝向腔室21内部的一侧端面上设置有第一石英板33，第二加热灯24朝向腔室21内部的一侧端面上设置有第二石英板34。第一加热灯23产生的热量可以通过第一石英板33辐射到晶圆9的上表面，第二加热灯24产生的热量可以通过第二石英板34辐射到晶圆9的下表面。同时，第一石英板33和第二石英板34可以进一步密封腔室21的内部空间，提供低压腔体7所需的密封环境。

需要说明的是，第一加热灯23和第二加热灯24可以采用现有技术中任意的加热灯结构，在此不做具体限定。第一加热灯23和第二加热灯24的数量，以及各第一加热灯23和各第二加热灯24的布置方式，均可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定。

根据本公开实施例的方案，由于托盘11设置在第一加热灯23和第二加热灯24之间，因此，通过第一加热灯23和第二加热灯24可以实现同时对晶圆9的上下表面进行辐射加热。双面辐射加热的方式可以有效解决单面辐射加热无法避免的图形效应问题，双面辐射加热可以优化晶圆9应力，提升晶圆9升温速度和设备工艺效率。

在一个示例中，为了给第一加热灯23和第二加热灯24预留出足够的安装空间，微波发生器6可以设置在腔体7的第一侧壁73的外侧，从而使得第一加热灯23可以设置在腔体7的顶面75，以及第二加热灯24可以设置在腔体7的底面76，实现对晶圆9上下表面的同时加热。

在一种实施方式中，微波发生器6还与第一输送管22连接。第一输送管22用于向微波发生器6内输送工艺气体，以使微波发生器6基于工艺气体产生等离子体并输送至腔室21内。

在一种实施方式中，如图2所示，微波发生器6与第一开口71连接的出气端还开设有进气旁路25，进气旁路25用于向微波发生器6的出气端位置输送工艺气体，并随微波发生器6内的等离子体一同输入到腔室21内。进气旁路25向微波发生器6的出气端输入工艺气体的流速可以大于微波发生器6向腔室21内输入等离子体的流速，以使在微波发生器6的出气端聚集的等离子体能够快速的被带入到腔室21内。

在一种实施方式中，如图3、图4所示，石英板3的第二透光区32的外围形成第三透光区35，第二透光区32的透光率大于第三透光区35的透光率。其中，第一透光区31对应晶圆9设置且与晶圆9的形状适配，以满足加热灯2通过第一透光区31对晶圆9的上下表面进行充分的热辐射。第二透光区32对应腔室21设置且与腔室21的形状适配。

其中，第一透光区31和第二透光区32均可以为高透光率区域，保证第二透光区32的透光率小于第一透光区31的透光率即可。第三透光区35可以为低透光率区域，第三透光区35主要用于与腔室21连接固定，以使石英板3固定在腔室21内，且使石英板3与腔室21的连接处密封。

在本实施例中，第一透光区31为对晶圆9上下表面进行双面加热的主区域。第二透光区32为对晶圆9进行双面加热的辅助区域。主加热区和辅助加热区可实现对晶圆9的高效率高均匀性加热。

在一种实施方式中，如图5所示，加热灯2通过支架4与腔体7连接，支架4上开设有透气孔41。透气孔41用于将加热灯2工作结束后自身所存留的余热快速消散，起到使加热灯2快速降温的作用。

需要说明的是，透气孔41的数量、布置位置、孔径大小等，均可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定。

在一种实施方式中，如图6所示，为了使透气孔41能够更加快速有效的对加热灯2进行散热，还可以在腔体7上开设进气口77和出气口78，进气口77对应加热灯2背离腔室21内部的一侧端面设置，出气口78通过管路79与第二泵体80连接。第二泵体80用于将进气口77输入的气体经由透气孔41后从出气口78吸出，在此过程中，进气口77输入的气体可以吸收加热灯2的热量，第二泵体80通过在出气口78产生吸力，可以将吸收热量后的气体流经透气孔41后从出气口78抽出腔体7，从而实现利用风冷对加热灯2进行冷却降温。

需要说明的是，第二泵体80可以采用现有技术中的任意泵结构，在此不做具体限定。进气口77的数量和设置位置可以根据需要进行调整。出气口78的数量和设置位置也可以根据需要进行调整。

在一个示例中，如图6所示，进气口77可以为多个，多个进气口分别设置在顶面75和底面76上，从而对顶面75和底面76上的加热灯2均进行降温。以及，出气口78可以为多个，多个出气口78分别设置在第一侧壁73和第二侧壁74上，多个出气口78均通过管路79和第二泵体80连接。从而实现第二泵体80可以利用设置在不同位置的出气口78，从腔室21内的不同方位快速抽吸换热后的气体，加速加热管2的冷却降温。

在一种实施方式中，如图5所示，加热灯2包括多个第一加热管211和多个第二加热管212。多个第一加热管211沿第一方向间隔设置在支架4上，多个第二加热管212沿第二方向间隔设置在支架4上。其中，第一方向与第二方向垂直。

在一个示例中，第二加热管212为两个，分别设置在多个第一加热管211沿长度方向的两端。

在一个示例中，进气口77中设置有过滤器，过滤器用于过滤通入腔室21内的气体中的杂质，避免杂质残留在腔室21内影响晶圆9的热处理工艺质量。

在一种实施方式中，如图7所示，晶圆的热处理装置还包括匀流器5，具有进气端51和出气端52，进气端51与微波发生器6连接，出气端52朝向托盘11的第一端面设置，且出气端52的设置位置与晶圆9对应。出气端52用于将微波发生器6输出的等离子体从晶圆9的上方输入到腔室21内参与热处理工艺过程。

根据本公开的实施例，匀流器5将等离子体从晶圆9的上方输入腔室21的方式，可以增加晶圆9表面的等离子体的均匀性，提高工艺调节的灵活性，能够得到更好的工艺结果。

在一个示例中，出气端52可以与第一开口71连通，即微波发生器6产生的等离子体均通过匀流器5输入腔室21中。

在另一个实例中，如图2所示，第一侧壁73上还开设有至少一个第三开口61，第三开口61与第二开口72沿水平方向相对设置，第三开口61用于向腔室21输送工艺气体或经由微波发生器生成的等离子体。

在一个示例中，匀流器5的进气端51可以与第一开口71连通，微波发生器6产生的部分等离子体通过匀流器5从腔室21的顶部输入。通过从不同方位向腔室21内输入等离子体，可以增加晶圆9表面的等离子体的均匀性，提高晶圆9热处理的效果和质量。

在一种实施方式中，如图8所示，出气端52开设有多个第一气孔521，出气端52的外部罩设有罩体522，罩体522朝向托盘11的第一端面的一侧端面上开设有多个第二气孔523(如图9所示)。其中，靠近第二开口72一侧的多个第一气孔521的孔径小于靠近第一开口71一侧的多个第一气孔521的孔径。靠近第二开口72一侧的多个第二气孔523的孔径小于靠近第一开口71一侧的多个第二气孔523的孔径。

在一种实施方式中，如图10所示，出气端52由环形侧壁524和端盖525组成，环形侧壁524的第一端与出气端52连接，环形侧壁524的第二端与端盖525连接，环形侧壁524的第二端开设有多个第三气孔526，端盖525开设有多个第四气孔527。其中，靠近第二开口72一侧的多个第三气孔526的孔径小于靠近第一开口71一侧的多个第三气孔526的孔径。靠近第二开口72一侧的多个第四气孔527的孔径小于靠近第一开口71一侧的多个第四气孔527的孔径。

在一个示例中，出气端52和进气端51之间设置有管路。

在一个示例中，为了使微波发生器6输送等离子体的流量满足工艺加工需要，可以使得第二开口72的口径尺寸小于第一开口71和第三开口61的口径尺寸，保证第二开口72利用第一泵体1将气体从腔室21内抽出的速率适配第一开口71输入等离子体的速率以及适配第三开口61输入工艺气体的速率。

在一个示例中，托盘11设置在第一开口71和第二开口72的中心线所夹的空间位置，保证第一开口71输入的等离子体和其他工艺气体在被第二开口72抽走时，等离子体和工艺气体可以同时流经晶圆9的上下表面。

在一种实施方式中，晶圆9的热处理装置还包括匀流板12，匀流板12设置在腔室21内靠近第一开口71的位置处，匀流板12的端面与第一开口71相对，匀流板12的端面上开设有多个导流孔。微波发生器6输送的等离子体流经多个导流孔后，被输送到晶圆9周围的环境中，使得等离子体可以均布在晶圆9的上下表面，使得等离子体能够充分的参加反应过程，提升晶圆9工艺的均匀性。

在一种实施方式中，加热部还包括第三加热灯，环设在腔体7的侧壁上。第三加热灯用于对晶圆9的周向区域进行加热。第三加热灯可以采用现有技术中任意的加热灯结构，在此不做具体限定。

根据本公开实施例，通过设置的第一加热灯23、第二加热灯24和第三加热灯，可以实现对晶圆9进行全方位的加热，保证晶圆9的每个区域都能够均匀受热，提高晶圆9的热处理质量。

在一种实施方式中，晶圆9的热处理装置还包括气浮旋转机构，设置在腔室21内，且与托盘11的第二端面对应设置。气浮旋转机构具有多个喷嘴，多个喷嘴与供气管路连接，多个喷嘴能够同时或分别向托盘11的第二端面喷射气体，从而驱动托盘11悬浮并旋转。多个喷嘴可以调整托盘11的旋转速度和旋转方向，从而配合晶圆9的不同阶段的热处理需求。气浮旋转机构控制托盘11带动晶圆9旋转，可以保证热处理加工时的晶圆9工艺的均匀性。

在一种实施方式中，晶圆9的热处理装置还包括加热环8，加热环8设置在托盘11的第一端面的上方。加热环8套设在晶圆9的外缘的外部。加热环8用于为晶圆9的外缘加热，可使晶圆9不同区域受热均匀。加热环8由多个弧形的加热片81拼接而成(如图11所示)。

在一个示例中，加热环8可以设置在第一开口71和第二开口72之间形成的气流通道中。在第一开口71向腔室21输送等离子体，同时第二开口72利用第一泵体1抽出腔室21内的气体时，随着气流的流动，加热环8产生的热量可以在加热晶圆9的外缘的基础上，流经晶圆9的上下表面，辅助第一加热灯23和第二加热灯24对晶圆9的上下表面进行加热，保证晶圆9整体受热均匀，提高晶圆9的加工质量。

在一种实施方式中，如图1所示，晶圆9的热处理装置还包括一个或多个传感器，与腔体7连接，传感器的检测端延伸至腔室21。传感器用于在晶圆9进行热处理的过程中，监测晶圆9的温度、转速、气浮姿态(例如，气浮高度)、旋转姿态(例如，偏心状态)等。

在一种实施方式中，如图1和图12所示，石英板3上设置有检测窗36，检测窗36与传感器的检测端对应设置。传感器的检测端通过检测窗36对腔室21内进行检测。

需要说明的是，第一透光区31和第二透光区32的透光率取决于加热灯2的工作需求。检测窗36的透光率取决于传感器的工作需求，例如，检测窗36的透光率需要满足对特定波长的光的透光率更高，以适配对应的传感器的检测需求。

检测窗36的数量和设置位置，可以根据传感器的数量和设置位置进行选择和调整。例如，当传感器为两个，分别用于测量晶圆9中心位置和边缘位置的温度时，则石英板3与晶圆9的中心位置相对应区域设置一个检测窗36，以供检测晶圆9中心位置温度的传感器的检测端采集数据使用。以及，在石英板3与晶圆9的边缘位置相对应区域设置另一个检测窗36，以供检测晶圆9边缘位置温度的传感器的检测端采集数据使用。

在一个示例中，传感器为多个，通过分布在不同位置的传感器测量晶圆9的反射率和透射率，从而推导出晶圆9不同区域的温度变化，实现工艺中对温度的控制和检测。

在一个示例中，多个传感器包括边缘发射器13、中心接收器14、反射接收器15、IR(Infrared Radiation，红外线)发射器16、边缘接收器17、中心发射器18和折射接收器19。中心接收器14和中心发射器18相对设置，且中心接收器14设置在腔室21的底部中心位置，中心发射器18设置在腔室21的顶部中心位置。边缘发射器13和边缘接收器17相对设置，且边缘发射器13设置在腔室21的顶部靠近晶圆9边缘的位置，边缘接收器17设置在腔室21的底部靠近晶圆9边缘的位置。IR发射器16倾斜设置在腔室21的底部，反射接收器15倾斜设置在腔室21的底部，折射接收器19倾斜设置在腔室21的顶部。

在一种实施方式中，本公开实施例的晶圆的热处理装置，可以理解为是晶圆的退火设备。

在本说明书的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本公开的不同结构。为了简化本公开的公开，上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本公开。此外，本公开可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。

上述具体实施方式，并不构成对本公开保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本公开的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本公开保护范围之内。

Claims (11)

1.一种晶圆的热处理装置，其特征在于，包括：

腔体，具有沿水平方向相对设置的第一侧壁和第二侧壁，以及沿竖直方向相对设置的顶面和底面，所述第一侧壁开设第一开口，所述第二侧壁开设第二开口；

托盘，设置在所述腔体的腔室内，所述托盘的第一端面用于支撑晶圆；

微波发生器，与所述第一开口连接，用于向所述腔室输送等离子体；

第一泵体，与所述第二开口连接；

加热部，包括加热灯和石英板，所述顶面和所述底面均设置有所述加热灯，所述石英板与所述加热灯朝向所述腔室内部的一侧端面连接，所述石英板形成有第一透光区，所述第一透光区的外围形成第二透光区，所述第一透光区的透光率大于所述第二透光区的透光率，所述第一透光区的设置位置与所述晶圆的端面对应。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述石英板的第二透光区的外围形成第三透光区，所述第二透光区的透光率大于所述第三透光区的透光率；其中，所述第一透光区对应所述晶圆设置且与所述晶圆的形状适配，所述第二透光区对应所述腔室设置且与所述腔室的形状适配。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述加热灯通过支架与所述腔体连接，所述支架上开设有透气孔。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述加热灯包括多个第一加热管和多个第二加热管，所述多个第一加热管沿第一方向间隔设置在所述支架上，所述多个第二加热管沿第二方向间隔设置在所述支架上；其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。

5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述腔体还开设有进气口和出气口，所述进气口对应所述加热灯背离所述腔室内部的一侧端面设置，所述出气口通过管路与第二泵体连接，所述第二泵体用于将所述进气口输入的气体经由所述透气孔后从所述出气口吸出。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述进气口中设置有过滤器。

7.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，还包括：

匀流器，具有进气端和出气端，所述进气端与所述微波发生器连接，所述出气端朝向所述托盘的第一端面设置，且所述出气端的设置位置与所述晶圆对应。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述出气端开设有多个第一气孔，所述出气端的外部罩设有罩体，所述罩体开设有多个第二气孔；其中，靠近所述第二开口一侧的多个第一气孔的孔径小于靠近所述第一开口一侧的多个第一气孔的孔径；靠近所述第二开口一侧的多个第二气孔的孔径小于靠近所述第一开口一侧的多个第二气孔的孔径。

9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述出气端由环形侧壁和端盖组成，所述环形侧壁的第一端与所述出气端连接，所述环形侧壁的第二端与所述端盖连接，所述环形侧壁的第二端开设有多个第三气孔，所述端盖开设有多个第四气孔；其中，靠近所述第二开口一侧的多个第三气孔的孔径小于靠近所述第一开口一侧的多个第三气孔的孔径；靠近所述第二开口一侧的多个第四气孔的孔径小于靠近所述第一开口一侧的多个第四气孔的孔径。

10.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，还包括：

加热环，设置在所述托盘的所述第一端面的上方，所述加热环用于加热所述晶圆的外缘；所述加热环由多个弧形的加热片拼接而成；和/或

气浮旋转机构，设置在所述腔室内，且与所述托盘的第二端面对应设置；所述气浮旋转机构具有多个喷嘴，所述多个喷嘴与供气管路连接，所述多个喷嘴用于驱动所述托盘悬浮并旋转。

11.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，还包括：

传感器，与所述腔体连接；以及

所述石英板上设置有检测窗，所述检测窗与所述传感器的检测端对应设置。

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