CN108962810A - 一种承载基座及预清洗装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了承载基座及预清洗装置。该承载基座用于承载待加工工件,承载基座上形成有第一凹部,待加工工件容纳于第一凹部中;第一凹部的底壁上设有第二凹部,第二凹部用于降低待加工工件中心区域的刻蚀速率。本发明的承载基座的一个用途在于用于预清洗装置。
Description
技术领域
本发明涉及等离子体设备领域,更具体地,涉及一种承载基座及预清 洗装置。
背景技术
等离子体设备广泛应用于半导体、太阳能电池、平板显示等制造领域 中。常见的等离子体设备包括电容耦合等离子体(CapacitivelyCoupled Plasma,CCP)、电感耦合等离子体(InductivelyCoupled Plasma,ICP)以及电 子回旋共振等离子体(ElectronCyclotron Resonance,ECR)等类型的等离子体 处理设备。这些等离子体设备通常可在等离子体刻蚀、物理气相沉积 (Physical Vapor Deposition,PVD)、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)以及增强化学气相沉积(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition, PECVD)等加工工艺中使用。
物理气相沉积工艺是半导体工业中最广为使用的一类薄膜制备技术, 在进行物理气相沉积前,一般需要去气工艺(Degas)和预清洗工艺 (Preclean)。去气工艺是在去气腔,将基片加热至一定温度,以去除基片 上吸附的水蒸气及其它易挥发杂质。预清洗工艺则是通过射频功率的作用, 将低气压的反应气体(常见气体如,氩气)激发为等离子体,等离子体中含有 大量的电子、离子和激发态的原子等活性基团,其中的离子在射频电场中获得足够的能量,对晶圆表面进行轰击,从而将表面以及沟槽底部的残留 物和金属氧化物清除。
由于通常承载晶圆的基片台为简单的平面圆盘结构,在预清洗工艺中, 一方面,由于基片台的尺寸与晶圆相近,且基片台的边缘电场较强,会使 得晶圆的边缘刻蚀速率偏快;另一方面,由于等离子体密度的分布往往在 径向不均匀,且通常为基片台中心区域的等离子密度较高,从而导致对晶 圆中心区域的刻蚀速率偏快。综上两方面的原因,最终导致对晶圆整体的 刻蚀均匀性较差,进而影响工艺效果。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种承 载基座及预清洗装置,该承载基座不仅可减弱待加工工件的边缘电场,从 而降低对待加工工件边缘的刻蚀速率,而且可减弱中心区域的电压,有效 降低中心区域攻击待加工工件的离子能量,从而降低对待加工工件中心区 域的刻蚀速率,进而有效提高了待加工工件的刻蚀均匀性,可获得更佳的 工艺结果。
为实现本发明的目的而提供一种承载基座,该承载基座用于承载待加 工工件,所述承载基座上形成有第一凹部,所述待加工工件容纳于所述第 一凹部中;所述第一凹部的底壁上设有第二凹部,所述第二凹部用于降低 所述待加工工件中心区域的刻蚀速率。
可选地,所述第一凹部、所述第二凹部与所述承载基座同心设置。
可选地,所述第一凹部开设于所述承载基座的承载面上。
可选地,所述第一凹部的直径大于所述待加工工件的直径,且二者直 径的差值范围为1mm-6mm,所述第一凹部的深度的取值范围为 0.3mm-1.5mm。
可选地,所述第二凹部的开口的面积为所述待加工工件的表面积的 40%-95%,所述第二凹部的深度的取值范围为0.1mm-0.5mm。
可选地,所述承载基座上设有用于所述待加工工件的支撑针升降的通 孔,所述通孔与所述待加工工件的边缘的径向距离不小于10mm。
可选地,所述承载基座上未设置有所述第一凹部的表面设有陶瓷层。
可选地,所述第一凹部和第二凹部的表面上均设有阳极氧化膜。
可选地,所述承载基座的边缘区域设有介质环,所述介质环的内周壁 与所述承载基座的承载面形成所述第一凹部。
可选地,所述介质环的内径大于所述待加工工件的直径,且二者直径 的差值范围为2mm-4mm,所述介质环的厚度取值范围为3mm-5mm。
可选地,所述承载基座还包括定位件,所述定位件与所述承载基座的 径向配合,用于使所述介质环定位在所述承载基座上。
可选地,所述定位件与所述介质环二者一体成型。
本发明还提供了一种预清洗装置,所述预清洗装置包括腔体和承载基 座,该承载基座采用本发明中所述的承载基座,且所述承载基座设置于所 述腔体中。
本发明具有以下有益效果:
本发明的承载基座设有第一凹部以及设置于第一凹部底壁的第二凹 部,该第一凹部可减弱待加工工件的边缘电场,降低待加工工件边缘的刻 蚀速率;该第二凹部的设置可减弱第二凹部所在中心区域内的电压,有效 降低中心区域攻击待加工工件的离子能量,从而降低待加工工件中心区域 的刻蚀速率,通过二者的作用,可有效提高待加工工件的刻蚀均匀性,进 而可获得更佳的工艺结果。
本发明的预清洗装置,其通过采用上述承载基座,不仅可减弱待加工 工件的边缘电场,从而降低对待加工工件边缘的刻蚀速率,而且减弱第二 凹部所在中心区域内的电压,可有效降低中心区域攻击待加工工件的离子 能量,从而降低对待加工工件中心区域的刻蚀速率,进而有效提高了待加 工工件的刻蚀均匀性,获得更佳的工艺结果。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实 施例,并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1为本发明一实施例中承载基座的剖示图。
图2为图1所述承载基座的俯视图。
图3为本发明另一实施例中承载基座的剖示图。
图4为本发明承载基座的技术效果实现的原理示意图。
图中标示如下:
承载基座-1,第一凹部-11,第二凹部-12,通孔-13,介质环-14,定位 件-15,待加工工件-2,等离子体-3。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到: 除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、 数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作 为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨 论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例 性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的 值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一 旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步 讨论。
为了解决预清洗时晶圆的刻蚀均匀性较差的问题,本发明提供了一种 承载基座。
该承载基座用于承载待加工工件。该待加工工件通常为晶圆。承载基 座上形成有第一凹部,待加工工件容纳于第一凹部中。待加工工件可限制 在第一凹部内,从而避免待加工工件在承载基座上出现较大的移位,影响 到待加工工件的传输。此外,第一凹部可减弱待加工工件的边缘电场,以 避免待加工工件边缘的刻蚀速率过快。
第一凹部的底壁上设有第二凹部。第二凹部用于降低待加工工件中心 区域的刻蚀速率。
如图4所示,通常情况下,等离子体3中心区域的密度较高,导致对 待加工工件2的中心区域的刻蚀速率较快。第二凹部12可降低等离子体3 轰击待加工工件2的中心区域的离子能量,来降低待加工工件2的中心区 域刻蚀速率。
具体原理如下:等离子体3与承载基座1之间存在着直流偏压VDC。 由于第二凹部12的存在,相当于待加工工件2与承载基座1之间存在电容 C1,该电容C1的厚度为d;等离子体3与待加工工件2之间存在鞘电容 C2,该鞘电容C2的厚度为Sm,且电容C1与鞘电容C2串联。根据等离子 体鞘层理论可知,鞘电容C2在中心区域的分压VS为电容C1在中心 区域的分压V1为k·Sm·d,其中,k为与等离子体密度有关的系数。由于 VDC=VS+V1,这样,入射到第二凹部12上方的待加工工件2的离子能量 相比于入射到第二凹部12以外的待加工工件2的离子能量降低了V1,且 从而使得第二凹部12上方的待加工工件2的刻蚀速率 变慢。
可选地,第一凹部11、第二凹部12与承载基座1同心设置。第一凹 部11、第二凹部12和承载基座1三者同心设置有利于进一步地提高待加 工工件2的刻蚀均匀性。
具体实施时,可选地,承载基座1的承载面的直径大于第一凹部11 的直径,且二者的直径差值范围为10mm-30mm。
如图1所示,该第一凹部11可直接在承载基座1上的承载面上形成。 该处承载基座1的承载面是指承载基座1用于承载待加工工件2的表面。 第一凹部11开设于承载基座1的承载面上。上述承载面是指承载基座1用 于承载待加工工件2的表面。
进一步地,第一凹部11的直径大于待加工工件2的直径,且二者直 径的差值范围为1mm-6mm。第一凹部11的深度的取值范围为 0.3mm-1.5mm。上述第一凹部11的尺寸的限定有利于更好地将待加工工件2限制在第一凹部11内,并且有利于进一步地提高待加工工件2的刻蚀均 匀性。
以承载直径为200mm的晶圆为例,具体实施时,第一凹部11的直径 可为204mm,第一凹部11的深度可为0.5mm。
可选地,第二凹部12的开口的面积为待加工工件2的表面积的 40%-95%。进一步地,第二凹部12的开口的面积为待加工工件2的表面积 的75%-95%。第二凹部12的深度的取值范围为0.1mm-0.5mm。上述第二 凹部12的尺寸的限定有利于更有效地降低待加工工件2中心区域的刻蚀速 率,并且有利于进一步地提高待加工工件2的刻蚀均匀性。
以承载直径为200mm的晶圆为例,具体实施时,第二凹部12的直径 可为180mm。以承载直径为200mm的晶圆为例,第二凹部12的深度可为 0.2mm。
可选地,如图2所示,承载基座1上设有用于待加工工件2的支撑针 升降的通孔13。通孔13与待加工工件2的边缘的径向距离不小于10mm, 以避免等离子体进入通孔13内,引起刻蚀速率异常。支撑针可在通孔13 内移动,以将待加工工件2升起或下降。
可选地,承载基座1上未设置有第一凹部11的表面设有陶瓷层。陶 瓷层可起到保护承载基座1以及避免污染待加工工件2的作用。陶瓷层的 厚度可根据实际需求设置,例如,在承载基座1的承载面上喷涂0.2mm的 陶瓷层。
可选地,第一凹部11和第二凹部12的表面上均设有阳极氧化膜。也 即是,在第一凹部11的侧壁,以及第二凹部12的侧壁和底壁上均设有阳 极氧化膜。
阳极氧化膜可通过对第一凹部11和第二凹部12进行阳极氧化处理形 成。阳极氧化膜致密不导电,耐磨性能好,可有效地保护第一凹部11和第 二凹部12,以及避免污染待加工工件2。
可选地,第一凹部11可由例如为介质环的构造件和承载基座的承载 面共同形成。如图3所述,承载基座1的边缘区域设有介质环14。介质环 14的内周壁与承载基座1的承载面形成第一凹部11。在此,承载基座1的 承载面上,也即是第一凹部11的底壁上设有第二凹部12。介质环14可选 地可为石英环。
可选地,介质环14的内径大于待加工工件2的直径,且二者直径的 差值范围为2mm-4mm。介质环14的厚度H的取值范围为3mm-5mm。介 质环14的厚度高于待加工工件的厚度,有利于改善第一凹部11的边缘电 场,从而提高待加工工件2的刻蚀均匀性。
可选地,承载基座1还包括定位件15。定位件15与承载基座1的径 向配合,用于使介质环14定位在承载基座1上。上述定位件15可例如为 销或螺栓等零件,通过销或螺栓将介质环14定位在承载基座1上。或者, 定位件15为可与承载基座1的边缘卡合的结构,通过定位件15与承载基 座1的边缘的卡合将介质环14定位在承载基座1上。又或者,定位件15可为介质环14的表面上的凸起,承载基座1上设有与该凸起相配合的凹槽, 通过凸起和凹槽的配合将介质环14定位在承载基座1上。
进一步地,定位件15与介质环14二者一体成型。定位件15和介质 环14一体成型有利于提高介质环14和定位件15的强度。
本发明进一步地提供了一种预清洗装置。该预清洗装置包括腔体和本 发明的承载基座1,承载基座1设置于腔体中。该预清洗装置可用于待加 工工件2的预清洗。
本发明提供的预清洗装置,采用本发明的承载基座1的第一凹部11 可减弱待加工工件2的边缘电场,降低待加工工件1边缘的刻蚀速率,有 效提高了待加工工件2的刻蚀均匀性。此外,第二凹部12的设置可减弱第 二凹部12所在区域内的电压,可有效降低中心区域攻击待加工工件的离子 能量降低对待加工工件2中心区域的刻蚀速率,从而有效提高了待加工工 件2的刻蚀均匀性。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明,但是 本领域的技术人员应该理解,以上例子仅是为了进行说明,而不是为了限 制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本发明的范围 和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求 来限定。
Claims (13)
1.一种承载基座,用于承载待加工工件,其特征在于,所述承载基座上形成有第一凹部,所述待加工工件容纳于所述第一凹部中;
所述第一凹部的底壁上设有第二凹部,所述第二凹部用于降低所述待加工工件中心区域的刻蚀速率。
2.根据权利要求1所述的承载基座,其特征在于,所述第一凹部、所述第二凹部与所述承载基座同心设置。
3.根据权利要求1所述的承载基座,其特征在于,所述第一凹部开设于所述承载基座的承载面上。
4.根据权利要求3所述的承载基座,其特征在于,所述第一凹部的直径大于所述待加工工件的直径,且二者直径的差值范围为1mm-6mm,所述第一凹部的深度的取值范围为0.3mm-1.5mm。
5.根据权利要求1所述的承载基座,其特征在于,所述第二凹部的开口的面积为所述待加工工件的表面积的40%-95%,所述第二凹部的深度的取值范围为0.1mm-0.5mm。
6.根据权利要求1所述的承载基座,其特征在于,所述承载基座上设有用于所述待加工工件的支撑针升降的通孔,所述通孔与所述待加工工件的边缘的径向距离不小于10mm。
7.根据权利要求1所述的承载基座,其特征在于,所述承载基座上未设置有所述第一凹部的表面设有陶瓷层。
8.根据权利要求1所述的承载基座,其特征在于,所述第一凹部和第二凹部的表面上均设有阳极氧化膜。
9.根据权利要求1所述的种承载基座,其特征在于,所述承载基座的边缘区域设有介质环,所述介质环的内周壁与所述承载基座的承载面形成所述第一凹部。
10.根据权利要求9所述的承载基座,其特征在于,所述介质环的内径大于所述待加工工件的直径,且二者直径的差值范围为2mm-4mm,所述介质环的厚度取值范围为3mm-5mm。
11.根据权利要求9所述的承载基座,其特征在于,所述承载基座还包括定位件,所述定位件与所述承载基座的径向配合,用于使所述介质环定位在所述承载基座上。
12.根据权利要求11所述的承载基座,其特征在于,所述定位件与所述介质环二者一体成型。
13.一种预清洗装置,其特征在于,包括腔体和权利要求1至12任一项中所述的承载基座,所述承载基座设置于所述腔体中。
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