KR19980071126A - 펌프 다운 시간과 기본 압력을 감소시키도록 도포된 진공 챔버 - Google Patents
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Abstract
진공 챔버의 내부면은 펌프 다운(pump down) 시간 및 기본 압력을 감소시키도록 금속이나 금속 산화물로 도포된다. 금속을 포함하는 타겟으로부터 금속은 부분적으로 조립된 챔버 내에서 스퍼터 증착된다. 그 다음에 챔버는 실리콘 웨이퍼와 같은 기판을 처리하도록 형성된다.
Description
본 발명은 반도체 처리에서 사용되는 진공 챔버, 특히 진공 챔버의 성능을 강화하도록 진공 챔버를 개조하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
박막 증착 장치 및 기술은 반도체 기판 상에 박막 층을 제공하는데 여러 기술 중의 하나로 사용된다. 바람직한 재료가 청결한 기판 상에 응축되도록 초고진공에서 이송되는 환경은 극소장치의 제작에서 바람직한 처리 기술이다. 한가지 공지되어 있는 증착 공정은 스퍼터링으로서 일반적으로 언급되는 물리적 증착이며, 여기서 기판은 기판 상에 증착되어질 재료를 포함하는 타겟과 기판을 감싸고 있는 고진공 처리 챔버 내로 로드 락을 통해 통상적으로 이동된다. 타겟에 인가되는 음전압은 챔버로 공급되는 불활성 가스(통상적으로 아르곤)를 플라즈마 상태로 여기시키고, 플라즈마로부터의 이온은 타겟에 충격을 가하여 타겟으로부터 기판 쪽으로 타겟 재료의 입자를 배출한다. 이러한 입자는 희망 필름을 형성하도록 기판 상에 증착한다. 어떤 스퍼터링 처리 분야에서는, 기판이 스퍼터링에 의해 기판 상에 증착되는 필름 층을 환류하도록 약 350℃ 내지 약 510℃ 또는 그 이상의 온도로 가열될 수도 있다.
증착 처리에서 통상적으로 이용되는 저압 고온 환경은 처리 챔버의 내부 벽으로부터의 그리고 기판으로부터의 오염물의 가스 유출을 야기한다. 수소(H2), 물(H2O), 및 공기(대부분 O2및 N2)와 같은 이러한 오염물은 천천히 떨어지고 종종 기판 상에 증착되는 필름 층에 해롭게 된다. 처리 공정에 앞서 기판으로부터 오염물을 제거하기 위한 처리는 개선되어 왔으며, 기판 처리의 예비 단계에 있거나 또는 클러스터 기구의 정면 근처에 위치되는 가스 제거 챔버를 통상적으로 포함하고 있다.
처리 챔버 벽으로부터 가스 유출된 오염물은 처리 환경을 개선시키도록 처리 챔버로부터 반드시 제거되어야 한다. 그러나, 챔버 벽의 가스 유출은 장시간 동안 계속되며, 처리 챔버 내의 웨이퍼의 처리에 앞서 전체 오염물을 끌어내는 것은 불가능하다. 진공 챔버로부터의 가스 유출을 감소시키기 위한 통상적인 방법은 챔버를 몇 시간 동안 통상적으로 120℃ 내지 300℃의 온도로 가열하는 열처리이다. 그러한 열 에너지는 가스 물질이 챔버 벽으로부터 제거되는 것을 돕고, 제거된 물질은 외부로 유출된다. 따라서 훨씬 낮은 챔버 기본 압력이 달성된다. 챔버 압력은 공정 동안 순수한 가스를 첨가함으로써 처리 압력에까지 상승한다. 가스 유출에 기인한 오염물이 매우 작기 때문에, 순수한 처리 환경이 얻어진다.
반도체 기판과 같은 작업물을 위한 처리 시스템은 카세트 로드 락 스테이션과 주 진공 처리 챔버 사이의 다중 절연 진공 단계와 결합한다. 다중단계 진공은 크로스-오염물을 최소화하고 긴 펌프 다운 시간 없이 처리 챔버 내에서 초고진공(≤10-8 토르)의 사용을 허용하도록 카세트 로드 락과 주 처리 챔버 사이에서 사용된다. 가스 제거 챔버와 같은 전처리 챔버는 기판의 이송 경로 내에 통상적으로 결합된다. 그러한 처리 시스템의 하나는 상업적으로 유용한 어플라이드 머티어리얼스사의 엔듀라(상표명) 플랫폼이다. 엔듀라(상표명) 플랫폼은 매우 낮은 압력을 달성하기 위하여 단계로 이루어진 진공 구조를 포함하고 있다. 전처리 챔버는 처리 전에 기판을 전처리(예를 들어, 플라즈마 에칭 세척, 진공 세척 및/또는 가열)하는데 이용된다. 러핑(roughing) 펌프와 저온 펌프의 조합은 가스 제거 챔버와 처리 챔버에서 진공을 제공하는데 통상적으로 사용된다. 러핑 펌프는 챔버 압력을 약 10-3토르까지 감소시킬 수 있고, 저온 펌프는 챔버 압력을 약 10-8토르까지 감소시킬 수 있다.
반도체 기판상의 알루미늄 필름의 스퍼터 증착은 고온에서 초고진공이 특히 요구되는 분야이다. 초고진공은 오염물의 낮은 가스 유출을 달성하고 챔버로부터 제거하는데 사용된다. 일반적으로 밀리-토르 범위만큼 높은 스퍼터링을 위한 챔버 압력은 챔버 벽으로부터의 오염물의 가스 유출을 감소시키도록 10-8토르 범위만큼 낮은 초고진공 압력에까지 챔버를 먼저 비우고, 그 다음에 약 10-3토르로 조절된 전체 챔버에서 순수한 처리 가스로 챔버를 재충전(다시 충전)함으로써 달성된다.
10-8토르 범위로 처리 챔버를 펌프 다운하는데 필요한 시간 때문에 각각의 기판을 위한 처리 시간이 상당히 연장되고, 저압을 달성할 수 없기 때문에 오염 제거가 제대로 이루어지지 않는다.
처리 챔버 벽으로부터의 오염물의 가스 유출을 감소시키기 위한 방법 및 장치가 필요하며, 오염물의 가스 유출을 감소시킴으로써, 증착 층의 질과 그러한 증착의 결과로서 형성되는 장치는 크게 개선될 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 내부 챔버 벽에 증착되는 티타늄 산화물 층을 갖춘 처리 챔버의 개략적인 단면도.
도 2는 진공 챔버의 내부 챔버 벽에 금속 함유 층을 증착시키기 위한 장치의 개략도.
도 3은 진공 챔버의 내부 챔버 벽에 금속 함유 층을 증착시키기 위한 다른 장치의 개략도.
도 4는 금속 층이 내부 챔버 벽에 증착되기 전후에서의 챔버를 위한 펌프 다운 시간 및 기본 압력을 비교한 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 챔버 본체 12 : 챔버 뚜껑
14 : 타겟 16 : 내부 챔버 벽
18 : 기판 지지 페데스탈 20 : 절연 재료
22 : 동력원 24 : 스퍼터 차폐물
26 : 클램프 링 28 : 페데스탈 구동 장치
30 : 활주 핀 32 : 웨이퍼
34 : 리프트 플랫폼 36 : 플랫폼 구동 장치
38 : 가스 입구 40 : 진공 포트
50 : 티타늄 와이어 코일 51, 53 : 홀
52 : 축전기 54 : RF 동력 소스
56 : RF 매치 유니트 57 : RF 안테나
58 : 챔버 뚜껑 60 : 절연체
본 발명은 실리콘 웨이퍼와 같은 기판의 고진공 처리에 앞서 펌프 다운 시간과 기본 압력을 감소시키도록 내부 챔버 벽상에 증착되는 금속 또는 금속 산화물을 갖춘 진공 처리 챔버를 제공한다. 또한 본 발명은 챔버 벽으로부터의 오염물의 가스 유출을 감소시키도록 내부 챔버 벽상에 금속 함유 층을 증착하기 위한 방법 및 장치를 제공한다. 금속 함유 층은 처리 챔버 내에서 금속을 포함하는 타겟을 스퍼터링함으로써 증착된다. 타겟은 RF 또는 DC 안테나로 이용되는 코일식 타겟 또는 통상적인 원형 타겟일 수 있다. 바람직하게 타겟은 상태 다중 챔버에 사용될 수 있는 제거 가능한 챔버 뚜껑에 장착된다.
전술한 특징을 갖는 방법으로, 본 발명의 이점 및 목적이 얻어지고 상세한 설명으로부터 이해될 수 있으며, 전술된 본 발명에 대한 보다 자세한 설명은 첨부된 도면에 도시되어 있는 실시예와 관련하여 얻어질 수 있다.
그러나, 첨부된 도면은 단지 본 발명에 따른 전형적인 실시예를 도시한 것이므로 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 다른 동일한 효과의 실시예가 있을 수 있다.
본 발명은 오염물의 가스 유출을 감소시키는 코팅인 내부 챔버 벽에 코팅되는 금속 또는 금속 산화물 층을 갖춘 진공 처리 챔버를 제공한다. 이러한 층은 진공 챔버의 조립에 앞서 개개의 요소의 내부 면상에 금속 또는 금속 산화물 층을 증착시킴으로써 초기 생성될 수 있다. 챔버 코팅은 진공 챔버 내에 진공 챔버 벽에 증착될 금속을 포함하는 타겟을 위치시키는 단계와, 플라즈마가 일어나기에 충분한 챔버 압력을 제공하도록 불활성 가스로 진공 챔버를 채우는 단계와, 타겟으로부터 재료를 스퍼터링하고 진공 챔버의 내부면 상에 재료를 증착하도록 타겟에 RF 또는 DC 전력을 충분하게 공급하는 단계를 포함하는 공정에 의해 바람직하게 생성된다. 층이 챔버의 조립 동안 쉽게 손상되기 때문에 챔버 벽의 조립 후의 금속 또는 금속 산화물 층의 증착이 바람직하다.
금속 또는 금속 산화물 층은 내부 챔버 요소의 조립에 앞서 또는 내부 요소의 제거 후에 증착된다. 증착은 아래에서 상세하게 설명될 바와 같이 부분 조립 챔버 내의 스퍼터링 하드웨어의 장착 다음에 이어진다. 챔버는 챔버 벽 가스 유출에 충분한 기본 압력까지 펌프 다운되며, 그 다음에 플라즈마가 일어나기에 충분한 압력에까지 아르곤과 같은 불활성 가스로 채워진다. 그 다음에, 금속은 챔버 벽으로부터의 오염물의 가스 유출을 감소하도록 챔버 벽상에 스퍼터링된다. 스퍼터링 하드웨어는 제거되고 그 다음에 챔버는 실리콘 웨이퍼와 같은 기판을 처리하기 위한 형상이 된다.
챔버 벽의 스퍼터링에 바람직한 금속은 산소로 약간 오염되어 있는 처리 가스에 여러 차례 노출되거나 공기에 노출되는 경우 티타늄 산화물로 산화되는 티타늄이다. 티타늄의 불투과 특성은 산화 작용에 의한 손상으로 나타나지 않는다.
스퍼터링 공정은 티타늄, 티타늄 질화물, 또는 알루미늄과 같은 고형 재료가 고형 재료를 배출하도록 이온에 의해 충격이 가해지고 배출된 고형 재료가 실리콘 웨이퍼와 같은 작업물상에 증착되는 물리 증착(PVD) 기법이다. PVD 처리 챔버는 고형 재료의 타겟을 통상적으로 갖고 있으며 DC 또는 RF 전압이 고형 재료와 작업물 사이의 영역에서 플라즈마를 발생시키도록 전자관을 갖추거나 전자관없이 고형 재료에 인가된다. 아르곤 이온과 같은 플라즈마 내의 높은 에너지 이온이 고형 재료에 인가되고 금속 원자를 몰아낸다. 금속 원자 또는 입자는 희망 표면은 물론 챔버 벽과 다른 챔버 요소상의 증착을 야기하는 다양한 궤적을 가질 수도 있다. 더욱이, 입자 궤적은 가스 분자에 의한 충돌 또는 플라즈마에 의한 상호 작용 등에 의해 변경될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따라 개조된 PVD 처리 챔버의 개략 단면도이다. 개조되지 않은 처리 챔버는 어플라이드 머티어리얼스사에 의해 제조된 대형-본체 PVD 챔버가 바람직하다. 그러나, 어떠한 진공 처리 챔버도 본 발명에 따라 가스 유출을 감소시키는 내부면상의 금속 또는 금속 산화물 층을 갖도록 개조될 수 있다. 개조된 PVD 챔버는 챔버 본체(10)와 챔버 뚜껑(12)을 가지고 있으며, 챔버 본체(10)와 챔버 뚜껑(12)은 통상적으로 스테인레스 강으로 구성되지만 공지되어 있는 다른 재료로 구성될 수도 있다. 챔버 뚜껑(12)은 웨이퍼에 증착되는 재료로 이루어진 통상적인 스퍼터링 타겟(14)을 지탱하고 있다. 챔버 본체(10)는 오염물의 가스 유출을 차단하는 증착된 금속 또는 금속 산화물 층을 포함하고 있는 본 발명을 위한, 내부 챔버 벽(16)을 일반적으로 포함하고 있다. 금속 또는 금속 산화물 층은 약 50Å과 몇 마이크론 사이의, 바람직하게는 100Å의 두께를 가진다. 금속 또는 금속 산화물 층은 바람직하게는 티타늄 산화물 층이지만, 오염물의 통로를 차폐하는 임의의 재료일 수도 있다. 개조된 챔버는 타겟(14) 아래에서 챔버의 하부에 이동 가능하게 배치되어 있는 기판 지지 페데스탈(18)을 더 포함하고 있다. 타겟(14)은 타겟(14)과 챔버 뚜껑(12) 사이에 배치되어 있고 챔버 뚜껑(12)으로부터 타겟(14)을 전기적으로 절연하는 절연 재료(20)에 장착되어 있다. 절연 재료(20)는 알루미늄 산화물과 같은 비전도성 재료이다.
챔버 본체(10)는 RF 또는 DC 동력원(22)이 타겟(14)을 바이어스할 수 있도록 접지되어 있다. 동력원(22)은 접지된 챔버 본체(10)에 대하여 타겟(14)상에 음바이어스를 설정하도록 약 100 W 내지 약 1 KW의 RF 전력을 제공하는 것이 바람직하다. 스퍼터 차폐물(24)은 내부 챔버 벽(16)의 스퍼터링을 감소시키도록 타겟(14)의 주위에서 챔버 본체(10)에 선택적으로 매달려 있다. 스퍼터 차폐물(24)은 기판 지지 페데스탈(18)이 챔버 내에서 아래로 회수되는 경우에 기판 지지 페데스탈(18)에 걸쳐있던 클램프 링(26)을 지탱한다. 기판 지지 페데스탈(18)은 챔버 본체(10)의 외부에 있는 페데스탈 구동 장치(28)에 의해 하강한다. 기판 지지 페데스탈(18)은 웨이퍼(32)를 지탱하는 기판 지지 페데스탈(18)에 대해 웨이퍼를 상승 또는 하강시키기 위한 세 개 이상의 수직 활주 핀(30)을 수용하고 있다. 기판 지지 페데스탈(18)이 내려와 있는 경우에, 리프트 플랫폼(34)은 플랫폼 구동 장치(36)에 의해 상승되고 웨이퍼(32)를 들어올리도록 기판 지지 페데스탈(18)을 통해 수직 활주 핀(30)을 밀어 올린다.
처리 챔버를 지탱하고 있는 처리 플랫폼은 상승되어 있는 활주 핀(30) 위의 웨이퍼(32)를 이송하는 (도시되지 않은) 하나 이상의 로봇 아암을 포함하고 있다. 플랫폼 구동 장치(36)는 활주 핀(30)을 하강시키고 페데스탈 위에 웨이퍼를 위치시킨다. 그 다음에 페데스탈 구동 장치(28)는 웨이퍼(32)가 타겟(14)에 적절한 거리가 될 때까지 기판 지지 페데스탈(18)을 상승시킨다. 클램프 링(26)이 사용되는 경우에는, 웨이퍼(32)가 클램프 링(26)에 접촉하고 클램프 링(26)을 스퍼터 차폐물(24)로부터 들어올린다.
처리 챔버를 지탱하고 있는 처리 플랫폼은 아르곤 가스와 같은 불활성 가스를 챔버 본체(10)의 가스 입구(38)로 공급하기 위한 가스 소스와, 챔버 본체(10) 상의 진공 포트(40)를 통해 처리 챔버를 비우기 위한 진공 장치를 더 포함하고 있다. 통상적으로 처리 챔버는 약 1 m 토르 내지 약 100 m토르의 압력에까지 아르곤으로 챔버를 재충전하기 전에 약 10-6내지 10-8토르 사이에까지 챔버를 비움으로써 RF 동력으로 스퍼터링하기 위하여 준비된다. 이러한 가스 압력에서, 타겟(14)과 웨이퍼(32) 사이의 거리는 아르곤 가스 분자의 평균 자유 경로보다 작을 수 있다. 그러므로, 다수의 스퍼터링된 입자들은 다른 입자와 충돌하지 않고 웨이퍼(32)로 직접 이동한다.
내부 챔버 벽(16) 내에 포함되어 있는 금속 또는 금속 산화물 층은 챔버의 조립에 앞서 증착될 수 있다. 그러나, 그러한 층은 주기적으로 교체되어야 하며 도 2에 도시되어 있는 장치를 사용하여 진공 처리 챔버 내의 원위치에 편리하게 증착된다. 그러한 장치는 처리 챔버를 지탱하는 처리 플랫폼 상의 가스 소스와 진공 장치를 이용할 수 있는 이점이 있다. 그러한 장치는 티타늄, 티타늄 질화물, 란탄 6붕화물 등과 같은 임의의 금속 함유 층을 증착하는데 사용될 수 있다.
도 2에 대해 언급하면, 기판 지지 페데스탈, 리프트 플랫폼, 타겟, 클램프 링, 및 스퍼터 차폐물을 제거하여 내부 챔버 벽(16) 상에 티타늄 층을 스퍼터 증착하도록 준비되어 있는 도 1의 처리 챔버이다. 그러나, 챔버 본체(10)와 챔버 뚜껑(12)은 남아 있으며, 챔버 뚜껑(12) 상의 티타늄 증착은 필요하지 않고 아래 설명되어질 다른 방법을 사용하여 피할 수 있다. 티타늄 와이어 코일(50)과 같은 타겟은 챔버 뚜껑(12)의 밀봉에 앞서 처리 챔버 내에 위치된다. 기판 지지 페데스탈(18)과 리프트 플랫폼(34)을 제거한 후에 남아 있는 홀(51, 53)과 같은 처리 챔버 내의 모든 개구부는 반드시 밀폐되어야 한다. 처리 챔버 내의 몇몇 개구부는 RF 동력을 티타늄 와이어 코일(50)로 공급하고 축전기(52)를 통해 다른 단부를 접지하는데 사용된다. 챔버 본체는 접지되고 티타늄 와이어 코일(50)에 연결된 모든 연결부는 챔버 본체(10)를 통해 지나갈 때 반드시 절연되어야 한다. RF 동력은 RF 소스(54)와 RF 매치 유니트(56)에 의해 공급된다.
티타늄 와이어 코일(50) 내의 티타늄과 같은 타겟 내의 금속은 진공 포트(40)를 통해 챔버를 비우고 플라즈마를 일으킴으로써 챔버 벽에 스퍼터링된다. 챔버는 접지되고, 코일(50)상의 -50 V 내지 -5,000 V의 전압/바이어스는 플라즈마로 바람직하게는 아르곤인 배경 가스의 일부의 전이를 야기한다. 챔버는 5 내지 100 밀리 토르의 챔버 압력에까지 아르곤으로 채우기 전에 약 10-8의 기본 압력으로 비워진다. 증착은 균일성을 필요로 하지 않으며 대부분의 표면이 적어도 50Å의 증착 층을 갖기 전까지 계속적으로 이루어져야 한다. 그러나, 극도로 균일하지 않은 층은 몇 마이크론을 넘는 티타늄 층이 표면으로부터 떨어질 수 있기 때문에 피해야 한다. 당업자는 두께가 50Å 이하로부터 몇 마이크론에 이르기까지 변화하는 티타늄 층의 증착을 피하는데 필요한 티타늄 와이어 코일(50) 또는 다른 타겟의 형상을 개조할 수 있다.
내부 요소의 조립을 위해 챔버가 대기로 개방되거나 소량의 산소가 함유된 처리 가스로 사용되는 경우에 얇은 티타늄 층은 티타늄 산화물로 신속하게 산화되어 진다. 티타늄 산화물은 또한 챔버 벽으로부터 오염물의 통로를 효과적으로 차단한다.
비록 DC 동력에 의한 티타늄 와이어 코일(50)의 스퍼터링이 시도되지만, DC 스퍼터링을 위한 압력 범위는 좁고 RF 바이어스에 비해 좁은 처리 제어 범위를 갖기 때문에, RF 동력에 의한 티타늄 와이어 코일(50)의 스퍼터링이 본 발명의 처리에 있어서 더 바람직하다. 스퍼터링 수율은 축전기(52)의 크기를 변경함으로써 RF 스퍼터링을 위해 쉽게 제어되는 이온 밀도와 이온 에너지에 달려있다.
도 3은 처리 챔버의 내부 챔버 벽에 금속 함유 층을 증착하기 위한 바람직한 장치 및 방법을 도시하고 있다. 장치는 금속을 포함하는 RF 안테나(57), RF 동력 소스(54), 및 도 2에 도시된 장치에서 이미 기술된 RF 매치 유니트(56)를 포함하고 있다. 그러나, RF 안테나(57)는 챔버 본체(10)로부터 RF 안테나를 절연하도록 절연체(60)를 사용하여 개조된 뚜껑(58) 내에 장착된다. RF 안테나(57)의 표면은 챔버 뚜껑(58)의 표면에 평행하고, 챔버 요소들과 RF 안테나 사이는 최대한 분리되어 있다.
내부 챔버 벽에 티타늄 산화물 층을 갖는 처리 챔버는 어플라이드 머티어리얼스사에 의해 제조된 넓은 본체 PVD 처리 챔버의 내부 챔버 벽에 티타늄을 증착시킴으로써 본 발명에 따라 준비되었다. 티타늄은 도 2에 도시된 바와 같이 티타늄 와이어 코일을 사용하여 약 50 m 토르의 챔버 압력에서 아르곤 플라즈마로 증착되었다. RF 동력은 300 W와 13.56 MHz에서 5분 동안 -350 V에서 코일로 공급되었다. 벽에 증착된 티타늄 층은 50Å의 최소 두께와 약 90Å의 평균 두께를 가지고 있다. 티타늄 층의 증착에 앞서, 개조되지 않은 처리 챔버의 최소한의 달성 가능한 기본 압력과 펌프 다운 실행은 각각의 사이클에서 약 15 시간 동안 챔버를 반복적으로 펌핑 다운함으로써 결정되었다. 티타늄 산화물로 산화된 티타늄 층의 증착 후, 개조된 처리 챔버는 최소 달성 가능한 기본 압력 또는 펌프 다운 실행의 어떠한 실시도 측정하도록 각 사이클에서 약 5 시간 동안 반복적으로 펌핑 다운된다. 개조된 챔버와 개조되지 않은 챔버에서의 펌프 다운 테스트를 위한 실험 결과는 도 4에 도시되어 있다.
도 4에 대해 언급하면, 본 발명에 따른 개조된 처리 챔버는 상당히 향상된 펌프 다운 실행에 의해 상당히 낮은 기본 압력이 달성되는, 도 1에 도시된 바와 같은 스퍼터링 챔버로서의 형상 및 내부 챔버 벽에 티타늄 산화물 층을 갖고 있다. 예를 들어, 개조된 챔버는 1 시간 또는 그 미만 내에는 1x10-8토르 이하이고 13 시간 후에는 4x10-9토르 이하인 기본 압력을 정기적으로 달성하였다. 사이클의 최초 몇 시간동안 추가 오염물을 가스 유출하는 부정한 이온 게이지를 갖는 14번째 사이클은 예외였다. 이온 게이지를 가스 제거한 후, 양호한 기본 압력이 얻어졌다. 비교해보면, 개조되지 않은 처리 챔버의 기본 압력은 각각의 사이클에서 한시간에 7x10-8토르 이상이고 15 시간 후에 2x10-8토르 이상으로 유지되었다. 기본 압력과 펌프 다운 시간의 향상은 웨이퍼 처리 동안 챔버 벽으로부터 보다 적은 오염물의 가스 유출을 야기한다.
전술한 설명이 본 발명에 따른 양호한 실시예에 대한 것이지만, 본 발명에 따른 다른 실시예가 본 발명의 요지와 첨부된 청구의 범위 내에서 존재할 수 있다.
처리 챔버 벽으로부터의 오염물의 가스 유출을 감소시키기 위한 방법 및 장치를 제공하여, 오염물의 가스 유출을 감소시킴으로써, 증착 층의 질과 그러한 증착의 결과로서 형성되는 장치는 크게 개선된다.
Claims (20)
- 내부 면에 금속 함유 층이 증착되어 있는 진공 챔버에 있어서,상기 진공 챔버의 내벽에 증착될 금속을 포함하는 타겟을 부분적으로 조립된 진공 챔버 내에 위치시키는 단계와,상기 내벽으로부터 오염물의 가스 유출을 막기 위하여 상기 내벽 상에 금속을 증착하도록 상기 타겟을 스퍼터링하는 단계와, 그리고상기 진공 챔버를 기판을 처리할 수 있게 형성하는 단계를 포함하는 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 진공 챔버.
- 제 1 항에 있어서, 상기 타겟이 티타늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 챔버.
- 제 2 항에 있어서, 상기 타겟이 티타늄 와이어 코일인 것을 특징으로 하는 진공 챔버.
- 제 3 항에 있어서, 상기 티타늄 와이어 코일이 상기 진공 챔버의 접지면 내에 있는 절연된 홀을 관통 연장하는 것을 특징으로 하는 진공 챔버.
- 제 3 항에 있어서, 상기 티타늄 와이어 코일이 상기 진공 챔버의 제거 가능한 면을 관통 연장하는 것을 특징으로 하는 진공 챔버.
- 제 5 항에 있어서, 상기 진공 챔버의 제거 가능한 면이 제거 가능한 챔버 뚜껑인 것을 특징으로 하는 진공 챔버.
- 제 6 항에 있어서, 상기 진공 챔버가 물리 증착 챔버인 것을 특징으로 하는 진공 챔버.
- 제 1 항에 있어서, 상기 타겟이 아르곤 플라즈마에 의해 스퍼터링되는 것을 특징으로 하는 진공 챔버.
- 진공 챔버 내에서 내부 면에 금속 함유 층을 증착하기 위한 방법에 있어서,상기 진공 챔버의 내벽에 증착될 금속을 포함하는 타겟을 부분적으로 조립된 진공 챔버 내에 위치시키는 단계와,상기 내벽으로부터 오염물의 가스 유출을 막기 위하여 상기 내벽 상에 금속을 증착하도록 상기 타겟을 스퍼터링하는 단계와, 그리고상기 진공 챔버를 기판을 처리할 수 있게 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 타겟이 티타늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 타겟이 티타늄 와이어 코일인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 티타늄 와이어 코일이 상기 진공 챔버의 접지면 내에 있는 절연된 홀을 관통 연장하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 티타늄 와이어 코일이 상기 진공 챔버의 제거 가능한 면을 관통 연장하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 진공 챔버의 제거 가능한 면이 제거 가능한 챔버 뚜껑인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 14 항에 있어서, 상기 진공 챔버가 물리 증착 챔버인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 타겟이 아르곤 플라즈마에 의해 스퍼터링되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 진공 챔버 내에서 접지면에 금속 함유 층을 증착하기 위한 장치에 있어서,챔버 내부에서 증착될 금속을 포함하는 타겟과,상기 타겟에 연결되는 RF 소스와, 그리고접지를 위해 상기 타겟과 연결되는 차단 축전기를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 17 항에 있어서, 상기 RF 소스와 상기 타겟 사이에 RF 매치 유니트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 17 항에 있어서, 상기 타겟이 티타늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 19 항에 있어서, 상기 타겟이 티타늄 와이어 코일인 것을 특징으로 하는 장치.
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