CN115910907B - 晶圆的热处理装置及托盘的控制方法 - Google Patents

Abstract

本公开提供了晶圆的热处理装置及托盘的控制方法。其中，晶圆的热处理装置包括：腔体、托盘、气浮部、检测部。腔体包括相对设置的顶板和底板；托盘可活动地设置在所述腔体中，托盘的第一端面与顶板对应以及托盘的第二端面与底板对应，第一端面设置有检测区，第一端面用于支撑晶圆；气浮部设置于底板与第二端面之间，用于通过喷气的方式控制托盘的悬浮运动状态；检测部设置在腔体中且与气浮部电连接，检测部在腔体上的设置位置与检测区的位置对应，用于通过检测区检测托盘的运动状态信息。根据本公开的技术，可以通过检测部检测托盘的运动状态信息，并通过调整气浮部的喷气方式控制托盘的悬浮运动状态。

Description

晶圆的热处理装置及托盘的控制方法

技术领域

本公开涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种晶圆的热处理装置及托盘的控制方法。

背景技术

在低压工艺的快速退火设备的晶圆的热处理装置设计中，为保证晶圆的热处理装置可以正常工作，实现对晶圆均匀的受热，需要保证晶圆在托盘上处于平稳放置状态。

发明内容

本公开提供了一种晶圆的热处理装置及托盘的控制方法。

根据本公开的一方面，提供了一种晶圆的热处理装置，包括：

腔体，包括相对设置的顶板和底板；

托盘，可活动地设置在腔体中，托盘的第一端面与顶板对应以及托盘的第二端面与底板对应，第一端面设置有检测区，第一端面用于支撑晶圆；

气浮部，设置于底板与第二端面之间，用于通过喷气的方式控制托盘的悬浮运动状态；

检测部，设置在腔体中且与气浮部电连接，检测部在腔体上的设置位置与检测区的位置对应，用于通过检测区检测托盘的运动状态信息。

根据本公开的另一方面，本公开提供了一种托盘的控制方法，应用于本公开任一实施例的装置，包括：

在气浮部驱动托盘支撑晶圆进行悬浮运动的情况下，利用检测部检测托盘的第一端面上的检测区的运动状态信息；

在运动状态信息不满足预设条件的情况下，调整气浮部的喷气方式，以控制托盘的悬浮运动状态。

根据本公开的另一方面，提供了一种托盘的控制装置，应用于任一实施例的装置，包括：

检测模块，用于在气浮部驱动托盘支撑晶圆进行悬浮运动的情况下，利用检测部检测托盘的第一端面上的检测区的运动状态信息；

调整模块，用于在运动状态信息不满足预设条件的情况下，调整气浮部的喷气方式，以控制托盘的悬浮运动状态。

根据本公开的另一方面，提供了一种电子设备，包括：

至少一个处理器；以及

与该至少一个处理器通信连接的存储器；其中，

该存储器存储有可被该至少一个处理器执行的指令，该指令被该至少一个处理器执行，以使该至少一个处理器能够执行本公开中任一实施例的方法。

根据本公开的另一方面，提供了一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，其中，该计算机指令用于使该计算机执行根据本公开中任一实施例的方法。

根据本公开的另一方面，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序在被处理器执行时实现根据本公开中任一实施例的方法。

根据本公开的技术，可以通过检测部检测托盘的悬浮运动状态，并通过调整气浮部的喷气方式控制托盘的悬浮运动状态。

应当理解，发明内容部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键或重要特征，亦非用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的描述变得容易理解。

附图说明

在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本公开提供的一些实施方式，而不应将其视为是对本公开范围的限制。

附图用于更好地理解本方案，不构成对本公开的限定。其中：

图1示出根据本公开实施例的晶圆的热处理装置的结构示意图；

图2示出根据本公开实施例的晶圆的热处理装置的托盘结构示意图；

图3示出根据本公开实施例的晶圆的热处理装置的托盘俯视结构示意图；

图4示出根据本公开实施例的晶圆的热处理装置的托盘结构示意图；

图5示出根据本公开实施例的晶圆的热处理装置的结构示意图；

图6是根据本公开实施例的托盘的控制方法的示意图；

图7根据本公开实施例的托盘的控制装置的示意图；

图8是用来实现本公开实施例的托盘的控制方法的电子设备的框图。

具体实施方式

以下结合附图对本公开的示范性实施例做出说明，其中包括本公开实施例的各种细节以助于理解，应当将它们认为仅仅是示范性的。因此，本领域普通技术人员应当认识到，可以对这里描述的实施例做出各种改变和修改，而不会背离本公开的范围和精神。同样，为了清楚和简明，以下的描述中省略了对公知功能和结构的描述。

如图1至图5所示，本公开实施例提供了一种晶圆的热处理装置，包括：腔体10、托盘20、气浮部30和检测部40。

腔体10包括相对设置的顶板11和底板12。

托盘20可活动地设置在腔体10中，托盘20的第一端面221与顶板11对应以及托盘20的第二端面222与底板12对应。第一端面221设置有检测区21，第一端面221用于支撑晶圆22。

气浮部30设置于底板12与第二端面222之间，用于通过喷气的方式控制托盘的悬浮运动状态。

检测部40设置在腔体10中且与气浮部30电连接，检测部40在腔体10上的设置位置与检测区21的位置对应，用于通过检测区21检测托盘20的运动状态信息。在气浮部30驱动托盘20进行悬浮运动的情况下，检测部40可以检测检测区21的运动状态，以实现对托盘20的悬浮运动状态的检测。

在气浮部30的作用下，托盘20悬浮并旋转，同时晶圆22随托盘20一同运动。具体的，托盘20的悬浮、旋转与停止带动了晶圆22的悬浮、旋转与停止。在悬浮、旋转与停止的过程中，托盘20与晶圆22相对静止。检测部40通过检测区21检测托盘20的悬浮运动状态，就相当于通过检测区21检测晶圆22的悬浮运动状态。

根据本公开实施例，需要说明的是：

以图1为参照，定义图1中的晶圆的热处理装置从上到下的方向为本公开实施例所述的竖直方向，定义图1中的晶圆的热处理装置从左到右的方向为本公开实施例所述的水平方向。

腔体10，包括沿竖直方向相对设置的顶板11和底板12。顶板11和底板12以及多个侧板共同围成一个中空的封闭结构(如图1、图5所示)。腔体10的形状、材质和尺寸，可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定。只要能够满足待加工晶圆22的热处理需求即可。腔体10的内部构造、尺寸和所设置的热处理相关功能部件也可以根据待加工晶圆22的需求进行选择和调整，只要能够满足将晶圆22放入并进行热处理即可。为了保证晶圆的热处理装置正常工作，腔体10内的温度可以控制在300～1300℃的范围内，压力可以控制在小于760Torr(毫托)的范围内。同时，在热处理过程中可以根据需要向腔体10中通入工艺气体或等离子体，供工艺气体或等离子体流经的进气口和出气口可以开设在顶板11、底板12或侧板上，在此不做具体限定。

检测区21在第一端面221上的设置位置、形状、数量和排布方式等，均可以根据需要进行选择和调整。保证能够实现检测部40通过检测检测区21的运动状态，以实现对托盘20的悬浮运动状态的检测即可。

托盘20的第一端面221支撑晶圆22，可以理解为晶圆22直接放置在托盘20的第一端面221上，也可以理解为托盘20上设置有多个顶针2211，通过多个顶针2211将晶圆22支撑于托盘20的第一端面221的上方。托盘20的直径与晶圆22直径的大小，可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定。

气浮部30通过喷气的方式控制托盘20的悬浮运动。可以理解为气浮部30包括多个喷嘴，多个喷嘴能够同时或分别向托盘20的第二端面222喷射气体，从而控制托盘20悬浮的高度和旋转的速度，托盘20的悬浮和旋转可以同时进行。气浮部30可以采用现有技术中任意的能够控制物体进行悬浮运动的设备，只要能够实现控制托盘20悬浮运动即可，具体所采用的气浮部30可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定。

检测部40通过检测区检测托盘20的运动状态。可以理解为在托盘20通过气浮部30进行悬浮运动的情况下，检测部40输出检测信号检测检测区21的旋转速度和/或悬浮跳动。检测部40可以采用现有技术中任意的能够检测运动状态的检测设备，只要能够实现对托盘20运动状态的检测即可，具体所采用的检测部40可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定。例如，检测部40可以采用一个或多个传感器。

气浮部30与检测部40电连接，可以理解为检测部40可以根据检测结果，向气浮部30发送控制指令，以使气浮部30可以调整自身的喷气方向、喷气量等，进而调整托盘20的悬浮运动状态。

悬浮运动状态，可以包括托盘20的旋转运动状态和/或托盘20的悬浮跳动状态。

运动状态信息，可以包括托盘20的旋转速度信息和/或托盘20的悬浮跳动信息。

根据本公开实施例，通过托盘20、气浮部30和检测部40，可以在气浮部30驱动托盘20支撑晶圆22进行悬浮运动时，检测部40通过第一端面221设置的检测区21检测托盘20的运动状态。由于托盘20与晶圆22悬浮运动过程中相对静止，检测部40通过检测区21检测托盘20的悬浮运动状态，就相当于通过检测区21检测晶圆22的运动状态。根据检测部40的检测结果，调整气浮部30的喷气方式以控制托盘20的悬浮运动状态，可以实现对晶圆22均匀的受热，增加了晶圆22热处理工艺调节的灵活性。在气浮部30和检测部40的配合作用下，使托盘20和晶圆22平稳转动的同时，通过真空的腔体10内的上下加热灯的辐射热，可以透射气浮部30，使晶圆22均匀受热，消除冷点，同时晶圆的热处理装置可以耐受1000℃以上高温，保证晶圆退火工艺的顺利完成。

在一个示例中，本公开实施例的晶圆的热处理装置可以作为低压工艺的快速退火设备。

在一种实施方式中，检测区21包括多个凹槽211，多个凹槽211设置于第一端面221的外缘且间隔排布。

根据本公开实施例，需要说明的是：

多个凹槽211的具体形状、大小、数量以及排布方式，可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定。例如，多个凹槽211的横截面可以呈锯齿状、弧形、矩形等。多个凹槽211可以设置在第一端面221的外缘上的某一位置，或沿周向均布设置于第一端面221的外缘。

检测部40的检测端朝向凹槽211设置，在检测部40需要进行检测时，检测端发出信号至与其对应的凹槽211上，根据凹槽211在接收到信号后反馈的折射率，确定检测结果。检测部40所检测的凹槽211可以是在托盘20转动时，检测端发出的信号刚好命中的凹槽211。

在凹槽211为多个的情况下，检测部40也可以包括多个检测端，多个检测端分别设置在不同的位置，以实现在托盘20转动时，多个检测端可以同时对多个不同的凹槽211分别进行检测。多个检测端中的每个检测端可以分别基于对应检测的凹槽211生成一个检测结果。或者，多个检测端中的至少两个检测端可以基于对应检测的凹槽211综合生成一个检测结果。

根据本公开实施例，检测区21采用多个凹槽211设置于第一端面221的外缘且间隔排布，检测部40通过检测任意一个或多个凹槽211的旋转速度和悬浮跳动，可以准确的检测托盘20的运动状态。

在一种实施方式中，多个凹槽211的截面呈锯齿状。

需要说明的是，凹槽211的锯齿状的大小、数量可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定。

根据本公开实施例，将凹槽211的截面设置为锯齿状，有利于检测部40对凹槽211的检测，能够便于检测部40快速准确的对凹槽211的旋转速度和悬浮跳动进行检测，可以更加准确的检测托盘20的运动状态。

在一种实施方式中，如图1所示，多个凹槽211沿周向均布设置于第一端面221的外缘，第一端面221的外缘直径大于晶圆22的直径。

根据本公开实施例，需要说明的是：

多个凹槽211均匀排布的形状与第一端面的外缘形状相适配，多个凹槽均匀排布的具体间隔，可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定。

在第一端面221的外缘直径大于晶圆22的直径的情况下，第一端面221的外缘设置的多个凹槽211所围成的区域与晶圆22在空间上不存在重叠区域。具体的，将晶圆22放置在第一端面221的中心位置，晶圆22的直径不大于第一端面221的外缘去除多个凹槽211所围成的区域后所剩余区域的外缘直径。

根据本公开实施例，检测部40利用第一端面221的外缘沿周向均布的多个凹槽211，可以准确的检测托盘20的运动状态。第一端面221的外缘直径大于晶圆的直径，可以确保在检测部40检测检测区21时不被晶圆22遮挡，保证了检测部40的检测准确度，同时保护晶圆22在热处理过程中不会受到检测部40发射的检测信号的影响。

在一种实施方式中，如图1、图3和图4所示，气浮部包括多个第一气浮块31，通过第一管路A2与供气部连接，多个第一气浮块31的喷嘴朝向第二端面222设置，用于控制托盘20的悬浮高度。

多个第一气浮块31通过第一管路A2与供气部连接，供气部输出的预设压强的气体通过第一管路A2被输送至多个第一气浮块31的喷嘴，以使多个第一气浮块31的喷嘴朝向第二端面222喷射气体，托盘20在气体向上的压力下微量升起并悬浮在空中，实现控制托盘20进行悬浮运动。

根据本公开实施例，需要说明的是：

多个第一气浮块31的大小、形状、数量以及在气浮部30上的设置位置，均可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定，能够实现控制托盘20进行悬浮运动即可。

多个第一气浮块31通过第一管路A2与供气部连接，可以理解为第一管路A2的一端形成多路并联管路，并分别与多个第一气浮块31一一对应连接，第一管路A2的另一端与供气部连通。第一管路A2的口径大小、管路形状、管路长度、管路材质等，均可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定，能够实现将供气部输出的气体输送至多个第一气浮块31即可。

第一气浮块31的喷嘴朝向可以完全相同也可以不完全相同，能够实现朝向第二端面222喷气使托盘20悬浮即可。例如，多个第一气浮块31的喷嘴均竖直设置，以朝向第二端面222喷气使其悬浮上升。又如，部分第一气浮块31的喷嘴竖直朝向第二端面222设置，其余部分第一气浮块31的喷嘴成角度朝向第二端面222设置。喷嘴的口径大小、形状、数量以及设置方向，均可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定，能够实现控制托盘20的进行悬浮即可。

托盘20的悬浮高度，可以通过多个第一气浮块31的喷嘴所喷出气体的气量和气压进行调节。例如，需要提高托盘20的悬浮高度时，可以增加多个第一气浮块31的喷气量和气压。需要降低托盘20的悬浮高度时，可以降低多个第一气浮块31的喷气量和气压。

供气部可以采用现有技术中任意的能够供气的设备，可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定，能够实现输出的气体流经第一气浮块31的喷嘴即可。

根据本公开实施例，通过多个第一气浮块31可以控制托盘20进行悬浮运动。

在一个示例中，供气部包括第一阀门，第一阀门与第一管路A2连接，可以通过控制第一阀门的开合状态及开度大小，控制第一管路A2向多个第一气浮块31输出气体的压强和气流量，进而控制多个第一气浮块31的喷嘴朝向第二端面222喷射的气体压强，从而达到控制托盘20的悬浮高度的目的。

在一种实施方式中，如图1、图3和图4所示，气浮部30还包括第二气浮块32，通过第二管路A1与供气部连接，第二气浮块32的喷嘴朝向第二端面222的导流槽设置，用于提升托盘20的旋转速度。

以及

气浮部30还包括第三气浮块33，通过第三管路A3与供气部连接，第三气浮块33的喷嘴朝向导流槽设置，用于降低托盘20的旋转速度。

供气部输出的气体通过第二管路A1进入第二气浮块32的喷嘴，第二气浮块32的喷嘴与底板12呈一定的角度设置。气体通过第二气浮块32的喷嘴斜吹到第二端面222的导流槽，使托盘20产生加速旋转的力，托盘20在第二气浮块32的喷嘴吹出的气体的作用下产生正向旋转。供气部输出的气体通过第三管路A3进入第三气浮块33的喷嘴，第三气浮块33的喷嘴与底板12呈一定的角度设置，气体通过第三气浮块33的喷嘴斜吹到第二端面222的导流槽，使托盘20产生减速旋转的力，托盘20在第三气浮块33的喷嘴吹出的气体作用下产生反向旋转。其中，正向旋转与反向旋转的旋转方向相反，正向旋转可以理解为顺时针旋转或逆时针旋转。

根据本公开实施例，需要说明的是：

第二端面222的导流槽设置的位置与第二气浮块32和第三气浮块33设置的位置相对应，保证第二气浮块32的喷嘴和第三气浮块33的喷嘴喷出的气体能够吹响导流槽并驱动其带动托盘20旋转即可。导流槽的形状可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定，能够实现带动托盘20旋转即可。例如，导流槽可以为波纹槽或条形槽。导流槽的设置数量，可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定。

第二气浮块32的大小、形状以及在底板12上的设置位置，均可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定，能够实现提升托盘20的旋转速度即可。

第二管路A1的口径大小、管路形状、管路长度、管路材质等，均可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定，能够实现将供气部输出的气体输送至第二气浮块32即可。

第二气浮块32的喷嘴可以相对底板12倾斜设置，使得第二气浮块32吹出的气体呈一定角度吹至第二端面222即可。喷嘴的口径大小和形状，均可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定。能够提升托盘20的旋转速度即可。

第三气浮块33的大小、形状以及在底板12上的设置位置，均可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定，能够实现降低托盘20的旋转速度即可。

第三管路A3的口径大小、管路形状、管路长度、管路材质等，均可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定，能够实现将供气部输出的气体输送至第三气浮块33即可。

第三气浮块33的喷嘴可以相对底板12倾斜设置，使得第二气浮块32吹出的气体呈一定角度吹至第二端面222即可。喷嘴的口径大小和形状，均可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定，能够降低托盘20的旋转速度即可。

托盘20的旋转速度和旋转方向，可以通过第二气浮块32和第三气浮块33喷出气体的气量和气压进行调节。例如，当需要提高托盘20的正向旋转速度时，则可以增加第二气浮块32的喷气量和气压，以及减小或关闭第三气浮块33喷出气体的气量和气压。当需要降低托盘20的正向旋转速度或使托盘20停止转动时，则可以减小第二气浮块32的喷气量和气压，或增加第三气浮块33的喷气量和气压。当需要提高托盘20的反向旋转速度时，则可以增加第三气浮块33的喷气量和气压，以及减小或关闭第二气浮块32喷出气体的气量和气压。当需要降低托盘20的反向旋转速度或使托盘20停止转动时，则可以减小第三气浮块33的喷气量和气压，或增加第二气浮块32的喷气量和气压。其中，在上述过程中，托盘20与晶圆22相对保持静止，晶圆22随托盘20一同同向旋转运动。

根据本公开实施例，通过第二气浮块32与导流槽的配合，可以提升托盘20的旋转速度。通过第三气浮块33与导流槽的配合，可以降低托盘20的旋转速度。在第二气浮块32和第三气浮块33的共同作用下，可以实现托盘20在所需的转速下匀速旋转。

在一个示例中，供气部包括第二阀门，第二阀门与第二管路A1连接，可以通过控制第二阀门的开合状态和开度大小，控制第二管路A1向第二气浮块32输出气体的压强和气流量，进而控制气体通过第二气浮块32的喷嘴斜吹到导流槽的气体压强，从而达到可以提升托盘20的旋转速度的目的。

在一个示例中，供气部包括第三阀门，第三阀门与第三管路A3连接，可以通过控制第三阀门的开合状态和开度大小，控制第三管路A3向第三气浮块33输出气体的压强和气流量，进而控制气体通过第三气浮块33的喷嘴斜吹到导流槽的气体压强，从而达到可以降低托盘20的旋转速度。

在一个示例中，第一管路A2、第二管路A1和第三管路A3沿水平方向间隔排布并贯穿腔体10的侧板。

在一种实施方式中，如图2所示，检测部40包括第一传感器S1和第二传感器S2，第一传感器S1和第二传感器S2在腔体10上的设置位置与检测区21的位置对应，第一传感器S1和第二传感器S2均用于检测检测区21的转动速度。

根据本公开实施例，需要说明的是：

第一传感器S1和第二传感器S2具体所使用的传感器的型号可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定，能够检测检测区21的转动速度即可。例如，第一传感器S1和第二传感器S2可以采用激光位移传感器、激光测速传感器等。

第一传感器S1和第二传感器S2在腔体10上的设置位置与检测区21的位置对应，可以理解为：在托盘20转动时，第一传感器S1可以对检测区21进行检测，以及第二传感器S2可以对检测区21进行检测。

通过第一传感器S1的检测结果，可以单独得到托盘20的转动速度。通过第二传感器S2的检测结果，可以单独得到托盘20的转动速度。通过将第一传感器S1的检测结果和第二传感器S2的检测结果结合，可以得到托盘20的转动速度。

根据本公开实施例，由于在检测区21的对应位置设置有第一传感器S1和第二传感器S2，因此可以实现在托盘20转动的过程中，利用第一传感器S1和第二传感器S2检测检测区21的转动速度，进而进一步获取到托盘20的转动速度的运动状态信息。

在一个示例中，第一传感器S1和第二传感器S2共同实现托盘20的转动速度检测。具体的，在托盘20转动的情况下，检测区21的多个凹槽211中的第一凹槽转动至与第一传感器S1的检测端对应的位置时，第一传感器S1通过检测端发射信号至第一凹槽。随着托盘20的转动，当第一凹槽经过第一传感器S1后，转动至与第二传感器S2的检测端对应的位置时，第二传感器S2通过检测端发射信号至第一凹槽。通过第一传感器S1发射信号的时间和第二传感器S2发射信号的时间差，确定第一凹槽的转动速度，进而获取到托盘20的转动速度的运动状态信息。

需要说明的是，第一凹槽可以是多个凹槽211中的任一个。在托盘20转动的过程中，能够依次经过第一传感器S1和第二传感器S2对应位置的凹槽211均可以作为第一凹槽。

在一种实施方式中，如图2所示，第一传感器S1包括相对设置的第一检测端41和第二检测端42，第一检测端41与第一端面221的位置对应，第二检测端42与第二端面222的位置对应。第一检测端41发射检测信号，检测信号穿过检测区21至第二检测端42。以及

第二传感器S2包括相对设置的第三检测端43和第四检测端44，第三检测端43与第一端面221的位置对应，第四检测端44与第二端面222的位置对应。第三检测端43发射检测信号，检测信号穿过检测区21至第四检测端44。

根据本公开实施例，需要说明的是：

第一检测端41与顶板11和/或腔体10的侧板连接，第二检测端42与底板12和/或腔体10的侧板连接。

第三检测端43与顶板11和/或腔体10的侧板连接，第四检测端44与底板12和/或腔体10的侧板连接。

第一检测端41和第二检测端42可以互为第一传感器S1的信号发送端和信号接收端。

第三检测端43和第四检测端44可以互为第一传感器S1的信号发送端和信号接收端。

根据本公开实施例，可以通过相对设置的第一检测端41和第二检测端42以及相对设置的第三检测端43和第四检测端44，检测检测区21的转动速度。

在一种实施方式中，如图2所示，检测部包括第三传感器S3，第三传感器S3在腔体10上的设置位置与检测区21的位置对应，第三传感器S3用于检测检测区21的悬浮跳动幅度。

根据本公开实施例，需要说明的是：

第三传感器S3具体所使用的传感器的型号可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定，能够检测检测区21的悬浮跳动幅度即可。例如，第三传感器S3可以采用激光位移传感器、位移振幅传感器等。

第三传感器S3在腔体10上的设置位置与检测区21的位置对应，可以理解为：在托盘20转动时，第三传感器S3可以对检测区21进行检测。

根据本公开实施例，由于第三传感器S3与检测区21的位置对应设置，因此可以实现在托盘20转动的过程中，利用第三传感器S3检测检测区21的悬浮跳动幅度，进而获取到托盘20的悬浮跳动幅度的运动状态信息。

在一个示例中，在托盘20转动的情况下，检测区21的多个凹槽211中的第二凹槽转动至与第三传感器S3的检测端对应的位置时，第三传感器S3通过检测端发射信号至第二凹槽，确定第二凹槽的悬浮跳动幅度，进而获取到托盘20的悬浮跳动幅度的运动状态信息。

需要说明的是，第二凹槽可以是多个凹槽211中的任一个。在托盘20转动的过程中，能够经过第三传感器S3对应位置的凹槽211均可以作为第二凹槽。

在一种实施方式中，如图2所示，第三传感器S3包括相对设置的第五检测端45和第六检测端46，第五检测端45与第一端面221的位置对应，第六检测端46与第二端面222的位置对应。第五检测端45发射检测信号，检测信号穿过检测区21至第六检测端46。

根据本公开实施例，需要说明的是：

第五检测端45与顶板11和/或腔体10的侧板连接，第六检测端46与底板12和/或腔体10的侧板连接。

第五检测端45和第六检测端46可以互为第三传感器S3的信号发送端和信号接收端。

根据本公开实施例，可以通过相对设置的第五检测端45和第六检测端46，检测检测区21的悬浮跳动幅度。

在一种实施方式中，如图2所示，检测部40包括第一传感器S1、第二传感器S2和第三传感器S3，第一传感器S1、第二传感器S2和第三传感器S3在腔体上的设置位置与检测区21的位置对应，第三传感器S3设置在第一传感器S1与第二传感器S2之间。第一传感器S1和第二传感器S2均用于检测检测区21的转动速度，第三传感器S3用于检测检测区21的悬浮跳动幅度。

需要说明的是，第一传感器S1和第二传感器S2检测检测区21的转动速度与第三传感器S3检测检测区21的悬浮跳动幅度的过程，可以同时进行，也可以分开进行。

根据本公开实施例，通过第一传感器S1和第二传感器S2检测托盘20的转动速度，以及通过第三传感器S3检测托盘20的悬浮跳动幅度，可以实现全面检测托盘20的运动状态信息，从而使得气浮部30可以根据检测到的运动状态信息，通过喷气的方式控制托盘的悬浮运动状态。

在一种实施方式中，底板12设置有轴承51，托盘20的第二端面222设置有转轴52，转轴52可活动地插设于轴承51。其中，轴承51为石英材质，轴承51的滚珠为蓝宝石材质。

根据本公开实施例，需要说明的是：

转轴52可活动地插设于轴承51。轴承51的直径大于转轴52的直径，转轴52的形状、尺寸以及设置在第二端面222的位置，可以根据需要进行选择和调整，在此不做具体限定。例如，转轴52设置第二端面222的中心位置。

托盘20在气浮部30的喷气压力下微量升起并悬浮在空中时，托盘20的转轴52仍然处于轴承51内。

轴承51可以直接固定于底板12上，或设置在底板12上的轴承座中，保证轴承51的内圈可相对轴承51的外圈进行转动即可。

根据本公开实施例，通过底板12的轴承51和托盘20的第二端面222设置的转轴52，可以使托盘20在一个固定的位置保持悬浮运动和旋转运动，避免托盘20产生横向位移从而使得晶圆22受热不均匀。

在一个示例中，如图5所示，腔体10具有沿水平方向相对设置的第一侧壁13和第二侧壁14。第一侧壁13沿竖直方向间隔开设有第一开口131和/或第二开口132。第二侧壁14上开设有第三开口141。第一开口131与第三开口141沿水平方向相对设置且与腔体10内部连通。第一微波发生器50与第一开口131连接，第二微波发生器60与第二开口132连接，第一微波发生器50第二微波发生器60和用于向腔体10输送等离子体或工艺气体。泵体142与第三开口141连接，用于将腔体10内部抽至真空状态，以及在热处理过程中抽吸腔体10内的气体。晶圆的热处理装置还包括第一加热灯111和第二加热灯121，第一加热灯111与顶板11连接，第二加热灯121与底板12连接。托盘20位于第一加热灯111和第二加热灯121之间，第一加热灯111和第二加热灯121用于对晶圆22的上下表面进行加热。

根据本公开实施例，通过泵体142将腔体10内抽至真空低压环境，通过第一微波发生器50和/或第二微波发生器60向腔体10内输送等离子体、泵体142抽取腔体10内的气体，可以实现在晶圆22的上表面形成沿水平方向流动的气流，与此同时结合第一加热灯111和第二加热灯121对晶圆22的加热温度进行控制，可以保证晶圆22的热处理工艺的质量和稳定性，使得晶圆22的孔洞生长高质量的二氧化硅薄膜，以及满足高深宽比孔洞侧壁二氧化硅薄膜的阶梯覆盖率。从而可以满足3D NAND产品工艺对二氧化硅薄膜的需求。同时配合检测部40通过第一端面221设置的检测区21检测托盘20的运动状态，可以使气浮部30根据检测部40的检测结果，实时调整气浮部30的喷气方式以控制托盘20的悬浮运动状态，进一步提升晶圆22的热处理工艺的质量、稳定性和晶圆22受热均匀性，消除冷点，增加了晶圆22热处理工艺调节的灵活性，保证晶圆22退火工艺的顺利完成。

在一个示例中，如图5所示，第一加热灯111朝向腔体10内部的一侧端面上设置有第一石英板112，第二加热灯121朝向腔体10内部的一侧端面上设置有第二石英板122。第一加热灯111产生的热量可以通过第一石英板112辐射到晶圆22的上表面，第二加热灯121产生的热量可以通过第二石英板122辐射到晶圆22的下表面。同时，第一石英板112和第二石英板122可以进一步密封腔体10的内部空间，提供低压腔体10所需的密封环境。

在一个示例中，如图5所示，晶圆的热处理装置还包括聚气环80，设置在托盘20的上方且沿水平方向布置，聚气环80包括进气口和多个出气孔，聚气环80的进气口通过输气管路133与第二开口132连接。进气口通过聚气环80内部形成的环空与多个出气孔连通，进气口与第二开口132连接。聚气环80用于将第二开口132输入的等离子体通过聚气环80的多个出气孔均匀的输送至晶圆22表面，提高晶圆22表面的等离子体浓度。同时聚气环80的设置可以满足需要对晶圆22上表面进行特定热处理加工的需求。

在一个示例中，如图5所示，晶圆的热处理装置还包括第一匀流板70，设置在腔体10内靠近第一开口131的位置处，第一匀流板70的端面与第一开口131相对，第一匀流板70的端面上开设有多个第一导流孔。第一微波发生器50输送的等离子体、第二微波发生器60输送的工艺气体流经多个第一导流孔后，被输送到晶圆22周围的环境中，实现对输入的等离子体和工艺气体的匀流，使得等离子体和工艺气体可以均布在晶圆22的上表面，使得等离子体和工艺气体能够充分的参加反应过程，提升晶圆22工艺的均匀性。

在一个示例中，如图5所示，晶圆的热处理装置还包括加热环90，通过抬升机构与托盘20的第一端面连接，加热环90用于套设在晶圆22的外围，为晶圆22的边缘加热，可使晶圆22不同区域受热均匀。抬升机构用于调整加热环90与晶圆22的相对位置，以及在晶圆22输入腔体10或送出腔体10过程中，抬升加热环90，以避让晶圆22，防止加热环90干涉晶圆22的移动。

如图6所示，本公开实施例提供了一种托盘的控制方法，应用于本公开任一实施例的晶圆的热处理装置，包括：

步骤S610：在气浮部30驱动托盘20支撑晶圆22进行悬浮运动的情况下，利用检测部40检测托盘20的第一端面221上的检测区21的运动状态信息。

步骤S620：在运动状态信息不满足预设条件的情况下，调整气浮部30的喷气方式，以控制托盘20的悬浮运动状态。

根据本公开实施例，需要说明的是：

检测部40检测托盘20的第一端面221上的检测区21的运动状态信息。可以理解为检测检测区21的旋转速度信息和/或悬浮跳动信息。

调整气浮部30的喷气方式。可以理解为通过调节第一管路A2、第二管路A1和第三管路A3输出的气压，调整气浮部30的喷气方式。具体调节的数值是根据检测部40检测托盘20的第一端面221上的检测区21的运动状态信息动态调节的。

根据本公开实施例，根据预设条件，通过气浮部30动态检测区21的运动状态信息，可以准确的检测托盘20的悬浮运动状态，通过调整气浮部30的喷气方式控制托盘20的运动状态信息，确保运动状态信息满足预设条件，实现对晶圆22均匀的受热。

在一种实施方式中，步骤S610：在气浮部30驱动托盘20支撑晶圆22进行悬浮运动的情况下，利用检测部40检测托盘20的第一端面221上的检测区21的运动状态信息，包括：

在气浮部30驱动托盘20支撑晶圆22进行悬浮运动的情况下，利用检测部40的第一传感器S1检测托盘20的第一端面221上的检测区21的第一运动状态信息，以及利用检测部40的第二传感器S2检测检测区21的第二运动状态信息。其中，第一运动状态信息和第二运动状态信息包括检测区21的旋转速度信息。

在一个示例中，在托盘20转动的情况下，检测区21的多个凹槽中的第一凹槽转动至与第一传感器S1的检测端对应的位置时，第一传感器S1通过检测端发射信号至第一凹槽。随着托盘20的转动，当第一凹槽经过第一传感器S1后，转动至与第二传感器S2的检测端对应的位置时，第二传感器S2通过检测端发射信号至第一凹槽。通过第一传感器S1发射信号的时间和第二传感器S2发射信号的时间差，确定第一凹槽的转动速度，进而获取到托盘20的转动速度的运动状态信息。第一传感器S1发射信号的时间T1为第一运动状态信息，第二传感器S2发射信号的时间T2为第二运动状态信息。

根据本公开实施例，在托盘20支撑晶圆22进行悬浮运动的情况下，通过第一传感器S1和第二传感器S2可以检测检测区21的旋转速度信息。

在一种实施方式中，步骤S620：在运动状态信息不满足预设条件的情况下，调整气浮部30的喷气方式，以控制托盘20的悬浮运动状态，包括：

根据第一运动状态信息和第二运动状态信息，确定检测区21的旋转间隔时间信息。

在旋转间隔时间信息不满足第一预设条件的情况下，调整气浮部30的第二气浮块32和/或第三气浮块33的喷气方式，以控制托盘20的悬浮运动状态。

在一个示例中，如公式(1)计算第一传感器S1发射信号的时间T1和第二传感器S2发射信号的时间T2，得到旋转间隔时间ΔT1。

T1-T2＝ΔT1 (1)

第一预设条件包括第一阈值Tr1和第二阈值Tr2，当Tr1<ΔT1<Tr2的情况下，托盘20的旋转速度处于正常情况下，晶圆22可以均匀的受热，不需要调整气浮部30。在ΔT1＜Tr1的情况下，说明托盘20的悬浮运动的旋转速度较快，通过供气部调节第三管路A3的气压，从而调整第三气浮块33的喷气方式，对托盘20进行减速运动，直至托盘20的悬浮运动的旋转速度满足第一预设条件。在ΔT1＞Tr2的情况下，说明托盘20的悬浮运动的旋转速度较慢，通过供气部调节第二管路A1的气压，从而调整第二气浮块32的喷气方式，对托盘20进行加速运动，直至托盘20的悬浮运动的旋转速度满足第一预设条件。

根据本公开实施例，可以在旋转间隔时间信息不满足第一预设条件的情况下，调整气浮部30的第二气浮块32和/或第三气浮块33的喷气方式，直至托盘20的悬浮运动的旋转速度满足第一预设条件。

在一种实施方式中，步骤S610：在气浮部30驱动托盘20支撑晶圆22进行悬浮运动的情况下，利用检测部40检测托盘20的第一端面221上的检测区21的运动状态信息，包括：

在气浮部30驱动托盘20支撑晶圆22进行悬浮运动的情况下，利用检测部40的第三传感器S3检测托盘20的第一端面221上的检测区21的第三运动状态信息。其中，第三运动状态信息包括检测区21的悬浮跳动信息。

在一个示例中，检测区21的跳动最高位置悬浮到第三传感器S3的检测位置，第三传感器S3发射第一信号，检测区21的的跳动最低位置悬浮到第三传感器S3的检测位置，第三传感器S3发射第二信号。根据第三传感器S3发射第一信号的时间和第三传感器S3发射第二信号的时间，得到检测区21的第三运动状态信息T3。

根据本公开实施例，在托盘20支撑晶圆22进行悬浮运动的情况下，通过第三传感器S3可以检测检测区21的悬浮跳动信息。

在一种实施方式中，步骤S620：在运动状态信息不满足预设条件的情况下，调整气浮部30的喷气方式，以控制托盘20的悬浮运动状态，包括：

根据第三运动状态信息，确定检测区21的跳动间隔时间信息。

在跳动间隔时间信息不满足第二预设条件的情况下，调整气浮部30的多个第三气浮块31的喷气方式，以控制托盘20的悬浮运动状态。

在一个示例中，第二预设条件包括第三阈值Tw1和第四阈值Tw2，在Tw1<T3<Tw2的情况下，托盘20的悬浮跳动处于正常情况下，晶圆22可以均匀的受热，不需要调整气浮部30，其中T3表示跳动间隔时间信息。在Tw1<T3<Tw2的情况下，说明托盘20的悬浮运动的悬浮跳动不处于正常情况下，通过供气部调节第一管路A2的气压，从而调整多个第三气浮块31的喷气方式，直至托盘20的悬浮运动的的悬浮跳动满足第二预设条件。

根据本公开实施例，可以在跳动间隔时间信息不满足第二预设条件的情况下，调整气浮部30的多个第三气浮块31的喷气方式，直至托盘20的悬浮运动的的悬浮跳动满足第二预设条件。

如图7所示，本公开实施例提供一种托盘20的控制装置，应用于本公开任一实施例的晶圆22的热处理装置，包括：

检测模块710，用于在气浮部30驱动托盘20支撑晶圆22进行悬浮运动的情况下，利用检测部40检测托盘20的第一端面221上的检测区21的运动状态信息。

调整模块720，用于在运动状态信息不满足预设条件的情况下，调整气浮部30的喷气方式，以控制托盘20的悬浮运动状态。

在一种实施方式中，检测模块710用于：

在气浮部30驱动托盘20支撑晶圆22进行悬浮运动的情况下，利用检测部40的第一传感器S1检测所述托盘20的第一端面221上的检测区21的第一运动状态信息，以及利用所述检测部40的第二传感器S2检测所述检测区21的第二运动状态信息；其中，所述第一运动状态信息和所述第二运动状态信息包括所述检测区21的旋转速度信息。

在一种实施方式中，调整模块720用于：

根据所述第一运动状态信息和所述第二运动状态信息，确定所述检测区21的旋转间隔时间信息；

在所述旋转间隔时间信息不满足第一预设条件的情况下，调整所述气浮部30的第二气浮块32和/或第三气浮块33的喷气方式，以控制所述托盘20的悬浮运动状态。

在一种实施方式中，检测模块710还用于：

在气浮部30驱动托盘20支撑晶圆22进行悬浮运动的情况下，利用检测部40的第三传感器S3检测所述托盘20的第一端面221上的检测区21的第三运动状态信息；其中，所述第三运动状态信息包括所述检测区21的悬浮跳动信息。

在一种实施方式中，调整模块720还用于：

根据所述第三运动状态信息，确定所述检测区21的跳动间隔时间信息；

在所述跳动间隔时间信息不满足第二预设条件的情况下，调整所述气浮部30的多个第三气浮块31的喷气方式，以控制所述托盘20的悬浮运动状态。

本公开实施例的装置的各模块、子模块的具体功能和示例的描述，可以参见上述方法实施例中对应步骤的相关描述，在此不再赘述。

本公开的技术方案中，所涉及的用户个人信息的获取，存储和应用等，均符合相关法律法规的规定，且不违背公序良俗。

根据本公开的实施例，本公开还提供了一种电子设备、一种可读存储介质和一种计算机程序产品。

图8为根据本公开一实施例的电子设备的结构框图。如图8所示，该电子设备包括：存储器810和处理器820，存储器810内存储有可在处理器820上运行的计算机程序。存储器810和处理器820的数量可以为一个或多个。存储器810可以存储一个或多个计算机程序，当该一个或多个计算机程序被该电子设备执行时，使得该电子设备执行上述方法实施例提供的方法。该电子设备还可以包括：通信接口830，用于与外界设备进行通信，进行数据交互传输。

如果存储器810、处理器820和通信接口830独立实现，则存储器810、处理器820和通信接口830可以通过总线相互连接并完成相互间的通信。该总线可以是工业标准体系结构(Industry Standard Architecture，ISA)总线、外部设备互连(Peripheral ComponentInterconnect，PCI)总线或扩展工业标准体系结构(Extended Industry StandardArchitecture，EISA)总线等。该总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图8中仅用一条粗线表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。

可选的，在具体实现上，如果存储器810、处理器820及通信接口830集成在一块芯片上，则存储器810、处理器820及通信接口830可以通过内部接口完成相互间的通信。

应理解的是，上述处理器可以是中央处理器(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processing，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(FieldProgrammable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者是任何常规的处理器等。值得说明的是，处理器可以是支持进阶精简指令集机器(Advanced RISC Machines，ARM)架构的处理器。

进一步地，可选的，上述存储器可以包括只读存储器和随机存取存储器，还可以包括非易失性随机存取存储器。该存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以包括只读存储器(Read-OnlyMemory，ROM)、可编程只读存储器(Programmable ROM，PROM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable PROM，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(Electrically EPROM，EEPROM)或闪存。易失性存储器可以包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用。例如，静态随机存取存储器(Static RAM，SRAM)、动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)、同步动态随机存取存储器(Synchronous DRAM，SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Double Data Date SDRAM，DDR SDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(EnhancedSDRAM，ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(Synchlink DRAM，SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(Direct RAMBUS RAM，DR RAM)。

在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意结合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机指令时，全部或部分地产生按照本公开实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络或其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如：同轴电缆、光纤、数据用户线(Digital Subscriber Line，DSL))或无线(例如：红外、蓝牙、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质，或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质(例如：软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如：数字通用光盘(Digital Versatile Disc，DVD))或半导体介质(例如：固态硬盘(Solid State Disk，SSD))等。值得注意的是，本公开提到的计算机可读存储介质可以为非易失性存储介质，换句话说，可以是非瞬时性存储介质。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。

在本公开实施例的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包括于本公开的至少一个实施例或示例中。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“/”表示或的意思，例如，A/B可以表示A或B。本文中的“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。

在本公开实施例的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

以上所述仅为本公开的示例性实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种晶圆的热处理装置，其特征在于，包括：

腔体，包括相对设置的顶板和底板；

托盘，可活动地设置在所述腔体中，所述托盘的第一端面与所述顶板对应以及所述托盘的第二端面与所述底板对应，所述第一端面设置有检测区，所述检测区包括多个凹槽，所述第一端面用于支撑晶圆；

气浮部，设置于所述底板与所述第二端面之间，用于通过喷气的方式控制所述托盘的悬浮运动状态；

检测部，设置在所述腔体中且与所述气浮部电连接，所述检测部包括第一传感器、第二传感器和第三传感器，所述第一传感器、所述第二传感器和所述第三传感器在所述腔体上的设置位置与所述检测区的位置对应，所述第三传感器设置在所述第一传感器与所述第二传感器之间；所述第一传感器和第二传感器均用于检测所述检测区的转动速度，所述第三传感器用于检测所述检测区的悬浮跳动幅度；

加热环，通过抬升机构与所述托盘的第一端面连接，所述加热环用于套设在所述晶圆的外围，为所述晶圆的边缘加热。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多个凹槽设置于所述第一端面的外缘且间隔排布。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述多个凹槽的截面呈锯齿状。

4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述多个凹槽沿周向均布设置于所述第一端面的外缘，所述第一端面的外缘直径大于所述晶圆的直径。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述气浮部包括多个第一气浮块，通过第一管路与供气部连接，所述多个第一气浮块的喷嘴朝向所述第二端面设置，用于控制所述托盘的悬浮高度。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述气浮部还包括第二气浮块，通过第二管路与所述供气部连接，所述第二气浮块的喷嘴朝向所述第二端面的导流槽设置，用于提升所述托盘的旋转速度；以及

所述气浮部还包括第三气浮块，通过第三管路与所述供气部连接，所述第三气浮块的喷嘴朝向所述导流槽设置，用于降低所述托盘的旋转速度。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一传感器包括相对设置的第一检测端和第二检测端，所述第一检测端与所述第一端面的位置对应，所述第二检测端与所述第二端面的位置对应；以及

所述第二传感器包括相对设置的第三检测端和第四检测端，所述第三检测端与所述第一端面的位置对应，所述第四检测端与所述第二端面的位置对应。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第三传感器包括相对设置的第五检测端和第六检测端，所述第五检测端与所述第一端面的位置对应，所述第六检测端与所述第二端面的位置对应。

9.根据权利要求1至8任一项所述的装置，其特征在于，所述底板设置有轴承，所述托盘的第二端面设置有转轴，所述转轴可活动地插设于所述轴承；其中，所述轴承为石英材质，所述轴承的滚珠为蓝宝石材质。

10.一种托盘的控制方法，应用于权利要求1至9任一项所述的装置，其特征在于，包括：

在气浮部驱动托盘支撑晶圆进行悬浮运动的情况下，利用检测部检的第一传感器检测所述托盘的第一端面上的检测区的第一运动状态信息、利用所述检测部的第二传感器检测所述检测区的第二运动状态信息、以及利用所述检测部的第三传感器检测所述托盘的第一端面上的检测区的第三运动状态信息；其中，所述第一运动状态信息和所述第二运动状态信息包括所述检测区的旋转速度信息，所述第三运动状态信息包括所述检测区的悬浮跳动信息；

在旋转间隔时间信息不满足第一预设条件的情况下，调整所述气浮部的第二气浮块和/或第三气浮块的喷气方式，其中，所述旋转间隔时间信息根据所述第一运动状态信息和所述第二运动状态信息确定；

在跳动间隔时间信息不满足第二预设条件的情况下，调整所述气浮部的多个第一气浮块的喷气方式，其中，所述跳动间隔时间信息根据所述第三运动状态信息确定。

11.一种托盘的控制装置，应用于权利要求1至9任一项所述的装置，其特征在于，包括：

检测模块，用于在气浮部驱动托盘支撑晶圆进行悬浮运动的情况下，利用检测部的第一传感器检测所述托盘的第一端面上的检测区的第一运动状态信息、利用所述检测部的第二传感器检测所述检测区的第二运动状态信息、以及利用所述检测部的第三传感器检测所述托盘的第一端面上的检测区的第三运动状态信息；其中，所述第一运动状态信息和所述第二运动状态信息包括所述检测区的旋转速度信息，所述第三运动状态信息包括所述检测区的悬浮跳动信息；

调整模块，用于在旋转间隔时间信息不满足第一预设条件的情况下，调整所述气浮部的第二气浮块和/或第三气浮块的喷气方式，其中，所述旋转间隔时间信息根据所述第一运动状态信息和所述第二运动状态信息确定；在跳动间隔时间信息不满足第二预设条件的情况下，调整所述气浮部的多个第一气浮块的喷气方式，其中，所述跳动间隔时间信息根据所述第三运动状态信息确定。

12.一种电子设备，包括：

至少一个处理器；以及

与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，

所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行权利要求10所述的方法。

13.一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，其中，所述计算机指令用于使所述计算机执行根据权利要求10所述的方法。

14.一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序在被处理器执行时实现根据权利要求10所述的方法。